Solusi Pekerjaan Rumah #4

EL2040 Elektronika

1. Struktur dan Cara Kerja

Perhatikan karakteristik arus tegangan MOSFET di bawah ini (V SB=0). Devais

memiliki panjang gate L=1um dan ketebalan Silikon Oksida t ox=10nm. Karakteristik
tersebut sudah dinormalisasi untuk devais dengan lebar satu.

a. Carilah tegangan threshold devais tersebut.

b. Carilah mobilitas elektron pada lapisan inversinya.

c. Carilah transkonduktansi gm pada bias VGS=3V dan VDS=3V untuk devais dengan
lebar gate W=10um.

Jawab.

a. Mencari tegangan threshold dari plot pengukuran i-v dapat dibaca

VGS [V] ID
[uA]
1 30
1,5 90
2 180
2,5 310
3 470
1 1
kn VGS Vt kn 1 Vt
2 2
ID 30
2 2
Arus drain , dari data untuk VGS=1V diperoleh
1
180 k n 2 Vt
2

2
dan dari data untuk VGS=2V diperoleh dengan demikian

1
k 2 Vt
2
180 2 n

30 1
kn 1 Vt
2

2
 Vt 0,32V

b. Mencari mobilitas elektron dari data

1
k n VGS Vt
2
ID
2

2I D 2 30
kn 130,5uA / V 2
VGS Vt 1 0,322
2 2

W W
kn nCox n ox
L tox L

k ntox L 130,5 10 6 10 109 10 6

n 4,35 10 3 m 2V 1s 1
ox W 12
3,39 8,85 10 10 6

c. Transkonduktansi gm untuk devais dengan lebar gate W=10um. Pada bias V GS=3V
dan VDS=3V MOSFET dalam keadaan saturasi.
W
g m kn vGS Vt
L

g m 130,5 10 3 0,32 3,50mA / V

2. Karakteristik arus tegangan

a. Lengkapi tabel di bawah ini untuk tegangan terminal yang belum diketahui dan
tentukan daerah kerjanya transistor NMOS. Anggaplah V tn=1V

Kas VS( VG( VD( VGS( VOV( VDS( Daerah

us V) V) V) V) V) V) Kerja
1 +1, +1, +2,
0 0 0
2 +1, +2, +1,
0 5 5
3 0,0 +2, +1,
5 0
4 - 0 0
1,0
5 - 0 +1,
1,5 0
b. Lengkapi tabel di bawah ini dengan memberikan tanda silang pada daerah kerja
operasi yang benar. Anggaplah Vtn=-Vtp=1V.

Transisto VGS VDS Cut- Trioda Saturas

r (volt) (volt) of i
NMOS 2 2
 NMOS 2 0,5
PMOS 2 2
PMOS -2 -0,5

Jawab

a. Vtn=1V maka

Kas VS( VG( VD( VGS( VOV( VDS( Daerah

us V) V) V) V) V) V) Kerja
1 +1, +1, +2, 0 -1 1 Cut-of
0 0 0
2 +1, +2, +1, +1, +0, +0, Batas
0 5 5 5 5 5 Saturasi -
Triode
3 0,0 +2, +1, +2, +1, +1, Saturasi
5 0 5 5 0
4 - 0 0 +1 0 +1 Cut-of
1,0
5 - 0 +1, +1, +0, +2, Saturasi
1,5 0 5 5 5
b. Dengan Vtn=-Vtp=1V.

Transisto VGS VDS Cut- Trioda Saturas

r (volt) (volt) of i
NMOS 2 2 x
NMOS 2 0,5 x
PMOS 2 2 x
PMOS -2 -0,5 x

3. Karakteristik arus tegangan

Parameter transistor untuk rangkaian di bawah ini adalah k n = 0.5 mA/V2 , Vtn = 1.2
V, dan = 0. Tentukan vDS dan VGS untuk IQ=50uA.

Jawab

Transistor dalam keadaan saturasi VD > VG-VT dengan demikian

 1
k n VGS Vt
2
ID
2

2I D 2 50
VGS Vt 1,2 1,65V
kn 500

VS VG VGS 0 1,65 1,65V

VDS VD VS 5 1,65 6,65V

4. Rangkaian MOSFET DC

Rancanglah rangkaian di bawah ini sehingga diperoleh I DS=0,5mA dan VD=1V.

Parameter transistor adalah kn = 0.25 mA/V2 , Vtn = 1.4 V. Gambarkan sketsa garis
beban DC dan plot titik kerja Q.

Jawab

Dari informasi arus drain

1
k n VGS Vt
2
ID
2

2I D 2 0,5
VGS Vt 1,4 3,4V
kn 0,25

VS VG VGS 0 3,4 3,4V

VDD VD 5 1
RD 8 k
ID 0,5

VS VSS 3,4 5
RS 3,2k
ID 0,5
ID [mA]
 VD [V]

5. Rangkaian MOSFET DC

Pada rangkaian di bawah ini digunakan VDD=5V, dan kedua transistor identik dengan
Vtn=1V, kn=unCoxW/L=0,05mA/V2, =0, R1=R2=R3=R4=5k, dan R5=RL=3,75k.
Tentukan V1=VG1, V2=VG2, ID1, dan ID2.

Jawab

Mencari tegangan pada gate transistor pertama

R2 5
V1 VDD 5 2,5V
R1 R2 55

Mencari arus drain transistor pertama

1 1
I D1 k n VGS Vt k n VG I D1 R4 Vt
2 2

2 2
1
0,05 2,5 5 I D1 1
2
I D1
2

I D1 41,7 A

VD VDD I D1 RD 5 0,0417 5 4,79V

Mencari arus drain pada transistor MOSFET kedua. Transistor dalam keadaan
saturasi.
1 1
I D 2 k n VGS Vt k n VG I D 2 R5 Vt
2 2

2 2
 1
I D 2 0,05 4,79 5 I D 2 1
2

I D 2 197 A

6. Penguat Common Source

Rangkaian penguat MOSFET berikut mempunyai kn=0.2mA/V2, Vtn = 2V dan

menggunakan VDD=10V, RD=RL=10k, dan R1+R2=100k.
a. Rancanglah R1 dan R2 untuk arus DC IDQ=0,5mA.
b. Hitung penguatan Gv, resistansi input Rin, dan resistansi output Ro.
c. Hitung juga Gv dan Rin Bila Rs dihubungkan dengan bypass capasitor C s yang sangat
besar.

Jawab

a. Merancang R1 dan R2 untuk arus DC IDQ=0,5mA.

Mencari tegangan gate-source

1
kn VGS Vt
2
ID
2

1
0,2 VGS 2
2
0,5
2

VGS 4,236V

Untuk rangkaian dengan tegangan gate tetap dengan resistansi source,

tegangan pada terminal source diambil sekitar 1/3 atau untuk V DD 10V tegangan
diambil sekitar 3,3V. Resistansi Rs adalah
VS 3,3
RS 6,6k
I S 0,5

Dengan demikian tegangan gate dapat dihitung

VG VGS VS 4,236 3,3 7,536V
 Resistansi pembagi tegangan untuk gate dapat dihitung
R2
VG VDD
R1 R2

VG
R2 R1 R2 7,536 100 75,36k
VDD 10

R1 R1 R2 R2 100 75,36 24,64k

b. Menghitung penguatan Gv, resistansi input Rin, dan resistansi output R o.

g m kn VGS Vt 0,2 4,236 2 0,4472mA / V

RG1 || RG 2 RD || RL
GV
RG1 || RG 2 Rsig 1 R
S
gm

24,64 || 75,36 10 || 10
GV 0,566V / V
24,64 || 75,36 0 1
6,6
0,4472

24,64 75,36
Rin RG1 || RG 2 18,6k
24,64 75,36

Ro RD 10k

c. Bila menggunakan kapasitor bypass maka pengaruh R S pada sinyal kecil hilang
sehingga
24,64 || 75,36 10 || 10
GV 2,236V / V
24,64 || 75,36 0 1
0,4472

24,64 75,36
Rin RG1 || RG 2 18,6k
24,64 75,36

Ro RD 10k

7. Penguat Common Source

Menggunakan rangkaian yang sama dengan soal 6, beban diubah menjadi 3k dan
dipindahkan ke terminal source (melalui kapasitor kopling). Hitung penguatan G v,
resistansi input Rin, dan resistansi output Ro. Sekarang.
 Jawab

Penguatan tegangan
RG1 || RG 2 RS || RL
GV
RG1 || RG 2 Rsig 1 R || R
S L
gm

24,64 || 75,36 6,6 || 3

GV 0,488V / V
24,64 || 75,36 0 1
6,66,6 || 3
0,4472

Rin RG1 || RG 2 18,6k

1 1
Ro 2,27k
g m 0,4472

8. Penguat Gommon Gate

Kerjakan soal P5.124 dari buku Teks.

Transistor berikut mendapat bias pada gm=1mA/V dan ro=100k. Tentukan
penguatan keseluruhan vo/vsig dan resitansi input Rin.

Jawab
 vo

1M

R2

10k

RL

500k

R1

VDD
vo

1M

R2

vsig 10k

RL
 VDD

(a) (b)

Rangkaian (a) dengan memperhatikan rangkaian ekivalen sinyal kecilnya, maka

diperoleh dari rangkaian feedback
 vgs vsig vo vsig
R1 R1 R2
vo vsig
R1 R2 R1 R2 R1 R2

dan pada bagian output dengan mengubah sumber sinyal dan resistansi R 1 dan R2
dalam bentuk Norton

vsig
vo g m vgs RL || ro || R1 R2
R1 R2

sehingga dapat diturunkan

vsig R1 R2
vo g m vo vsig RL || ro || R1 R2
R1 R2 R1 R2 R1 R2

R1
vo 1 g m RL || ro || R1 R2 1 g m R2 RL || ro || R1 R2 vsig
R1 R2 R1 R2 R1 R2

1 g R
m 2 RL || ro || R1 R2
vo R R2 R1 R2
1
vsig R1
1 gm RL || ro || R1 R2
R1 R2

vo

1 g m R2 RL || ro || R1 R2
vsig R1 R2 g m R1 RL || ro || R1 R2

vo

1 1m 1M 10k || 100k || 500k 1M 1,5V / V
vsig 500k 1M 1m 500k 10k || 100k || 500k 1M

Resistansi input

vin vsig R R2 vsig R1 R2

Rin 1
iin vsig vo vsig vo 1 o
v
R1 R2 vsig

Rin
500k 1M 3,75M
1 1,5
vsig
R2
Rangkaian (a) membentuk penguat inverting dengan penguatanvo terutama
ditentukan oleh perbandingan resistansi feedback R 2 dan resitansi R1.
gmvgs ro RL
vin R1
Rangkaian (b) dengan memperhatikan 0
rangkaian ekivalen sinyal kecilnya, maka
diperoleh dari rangkaian feedback +
iin vgs 1/gm
-
 R2
vo
gmvgs RL
0
ro
+
1/gm
R1 vgs
-
iin vin

vsig

R1
vgs vg vsig vo vsig
R1 R2

dan pada bagian output dengan mengubah resistansi output dalam bentuk Norton

v sig
vo g m v gs RL || ro || R1 R2
ro

vsig R1
vo g m vo v sig RL || ro || R1 R2
R1 R2
ro

R1
vo 1 g m RL || ro || R1 R2 1 g m RL || ro || R1 R2 vsig
R1 R2 ro

1
g m RL || ro || R1 R2 R1 R2 1 g m RL || ro || R1 R2
vo r ro
o
vsig R1 R1 R2 g m R1 RL || ro || R1 R2
1 gm RL || ro || R1 R2
R1 R2
 500k 1M
1
1m 10k || 100k || 500k 1M
vo 100k
2,275V / V
vsig 500k 1M 1m 500k 10k || 100k || 500k 1M

Resistansi input

vin v sig vsig

Rin
iin v gs v sig vo R1 vsig vo
g m vsig vo
1 ro R1 R2 ro
gm

1
Rin
v R1 1 v
gm 1 o 1 o
vsig R1 R2 ro v sig

1
Rin 3700
500k 1
1m 1 2,275 1 2,275
500k 1M 100k

Rangkaian (b) membentuk penguat noninverting dengan penguatan ditentukan oleh

perbandingan resistansi feedback R2 dan R1.

9. Penguat Kaskade CS CD

Perhatikan rangkaian pada soal 5, gambarkan rangkaian ekivalen sinyal kecilnya

dan hitung penguatan keseluruhan G v rangkaian.

Jawab
 R5 || RL g m 2 R5 || RL
vo v1 v1
1 1 g m 2 R5 || RL
R5 || RL
g m2

v1 g m1vgs1R3

1
g m1 1
v gs1 vin vsig
1 1 g m1 R4
R4
g m1

vo g m 2 R5 || RL
gm1R3 1
vsig 1 g m 2 R5 || RL 1 g m1R4

Dari jawaban no. 5

g m1 kn VGS Vt kn VG I D1R4 Vt
2

I D1 41,7 A g m1 0,05 2,5 0,0417 5 1 0,065mA / V

g m 2 kn VGS Vt kn VG I D 2 R5 Vt
2

I D 2 197 A g m1 0,05 4,9 0,197 5 1 0,140mA / V

vo 0,140 3,75 || 3,75 1

0,065 5 0,081V / V
vsig 1 0,140 3,75 || 3,75 1 0,065 5

10.Body Efect

Kerjakan soal P5.120 dari Buku Teks.

NMOS dengan 2f=0,6V, =0,5V1/2, dan VSB=4V, carilah =gmb/gm. Bila transistor
mendapat bias ID=0,5mA dengan VOV=0,25V, carilah gm dan gmb.

Jawab

0,5
0,117
2 2 f VSB 2 0,6 4

2 I D 2 0,5
gm 4mA / V
VOV 0,25
g mb g m 0,117 4 0,466mA / V

vgs2

1/gm2

vo