LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA DASAR I

JUDUL PRAKTIKUM

KARAKTERISTIK JFET

(JUNCTION EFFECT TRANSISTOR/

TRANSISTOR EFEK MEDAN SAMBUNGAN)

PRAKTIKUM KE : 5
KELOMPOK : 5

KETUA KELOMPOK : Putri Festiana Purwanti NIM: 180321614532

ANGGOTA : Ramadhanti Millenia NIM: 180321614533
PEMBIMBING : Bapak Sutrisno
TGL. PELAKSANAAN : 21 Oktober 2019

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI MALANG
2019
A. TUJUAN PRAKTIKUM
1. Mempelajari karakteristik keluaran JFET source ditanahkan
2. Mempelajari karakteristik masukan dan karakteristik transfer JFET source ditanahkan
B. ALAT – ALAT
1. Matrik board 2. Multimeter (2buah)
3. Dioda Rectifier dan dioda zener 4. Baterai 6V dan 3V
5. Potensio 10k 6. Hambatan 270 , 1K, dan 2K2
7. Kabel penghubung 8. Saklar
C. SKEMA RANGKAIAN
C.1. Karakteristik Masukan
1. Membuat rangkaian seperti dibawah ini, usahakan kedudukan awal potensio
𝑅𝑉1 dan 𝑅𝑉2 minimum (nol).

2. Setelah rangkaian diperiksa pembimbing, menghubungkan saklar S1 dan S2,

keuduian mengubah ambatan pada potensiao 𝑅𝑉1 , sementara itu potensio 𝑅𝑉2 ,
tetap minimum atau 𝑉𝐷𝑆 sama dengan nol. Mengukur dan mencatat tegangan
gate source (𝑉𝐺𝑆 ) dan kuat arus gate (𝐼𝐺 ) setiap perubahan 𝑉𝐺𝑆 0,5 V, hingga
𝑅𝑉1 maksimum
3. Mengulangi pelaksanaan no. 2, untuk tegangan drain source (𝑉𝐷𝑆 ) berbeda,
yaitu dengan memutar potensio 𝑅𝑉2 .
C.2 Karakteristik Keluaran
1. Membuat Rangkaian seperti dibawah ini, mengusahakan kedudukan awal
potensio 𝑅𝑉1 dan 𝑅𝑉2 minimum (nol).
2. Setelah rangkaian diperiksa pembimbing, menghubungkan saklar S1 dan
S2, dengan 𝑅𝑉1 minimum atau tegangan gate source tetap (𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉),
kemudian mengubah besar hambatan potensio 𝑅𝑉2 . Mengukur dan
mencatat teganan drain source (𝑉𝐷𝑆 ) dan kuat arus drain (𝐼𝐷 ), setiap
perubahan 𝑉𝐷𝑆 0,5 V hingga 𝑅𝑉2 maksimum.
3. Mengulangi pelaksanaan no 2. Untuk tegangan gate source (𝑉𝐺𝑆 ) yang
berbeda
C.3 Karakteristik Alih/Transfer
1. Membuat rangkaian seperti dibawah ini, mengusahakan kedudukan awal
potensio 𝑅𝑉1 minimum (nol) dan 𝑅𝑉2 maksimum.

2. Setelah rangkaian diperiksa pembimbing, menghubungkan saklar S1 dan

S2, kemudian mengubah besar hambatan potensio 𝑅𝑉1 . Mengukur dan
mencatat tegangan gate source (𝑉𝐺𝑆 ) dan kuat arus drain (𝐼𝐷 ), setiap
perubahan 𝑉𝐺𝑆 0,1 Volt hingga arus drain nol.
D. Data Pengamatan
1. Karakteristik Masukan
𝑽𝑫𝑺𝟏 = 0 Volt 𝑽𝑫𝑺𝟐 = 0,4 Volt 𝑽𝑫𝑺𝟑 = 9 Volt

𝑽𝑮𝑺 (Volt) 𝑰𝑮 (mA)

NO
0 0,4 9 0 0,4 9

1 0,6 0,6 0,6 0 0 0

2 0,8 0,8 0,8 0 0 0

3 1 1 1 0 0 0

4 1,2 1,2 1,2 0 0 0

5 1,4 0

2. Karakteristik Masukan
𝑽𝑮𝑺𝟏 = 0 Volt 𝑽𝑮𝑺𝟐 = -2 Volt 𝑽𝑮𝑺𝟑 = -4 Volt

𝑽𝑫𝑺 (Volt) 𝑰𝑫 (𝝁A)

NO
0 -2 -4 0 -2 0

1 1 1 1 0 0 0

2 2 2 2 10 10 10

3 3 3 3 10 10 10

4 4 4 4 20 20 20

5 5 5 5 30 30 30

6 6 6 6 40 40 40

7 7 7 7 50 50 50

8 8 8 8 70 70 70

3. Karakteristik Transfer
𝑽𝑫𝑫 = 12 Volt
 I (𝜇𝐴) 80 0 0 0 0

V (Volt) 0 -1 -2 -3 -4

E. ANALISIS DATA PERCOBAAN

1. Dari pelaksanaan C.1 no 1-3, buatlah grafik karakteristik masukan JFET
source ditanahkan, dimana kuat arus (𝑰𝑮 ) sebagai sumbu Y dan tegangan
gate source (𝑽𝑮𝑺) sebagai sumbu X, untuk masing-masing harga tegangan
drain source (𝑽𝑫𝑺 ) dalam satu sumbu.

Grafik Hubungan Antara 𝑽(GS) dan I(G)

saat V(DS) = 0 Volt
1
0.9
0.8
0.7
0.6
I (G)

0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
V (GS)

Grafik Hubungan Antara 𝑽(GS) dan

I(G) saat V(DS) = 0,4 Volt
1

0.8

0.6
I (G)

0.4

0.2

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
V (GS)
 Grafik Hubungan Antara 𝑽(GS) dan I(G)
saat V(DS) = 9 Volt
1

0.8

0.6
I (GS)

0.4

0.2

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
V (GS)

25 GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN JFET

SOURCE DITANAHKAN
20

15
I GS

10 VDS1=0Volt
VDS2=0,4Volt
5 VDS3=0Volt

0
0 0.4 0.8 1.2 1.6
V GS

2. Dari pelaksanaan C. 2 no 1-2, buatlah grafik karakteristik JFET source

ditanahkan, dimana kuat arus drain (𝑰𝑫 ) sebagai sumbu Y dan tegangan
drain source (𝑽𝑫𝒔 ) sebgai sumbu X, untuk masing-masing harga tegangan
gate source (𝑽𝑮𝑺 ) dalam satu sumbu.
 Grafik Hubungan Antara 𝑽(DS) dan I(D) saat
V(GS) = 0 Volt
80
70
60
50
40
I (G)

30
20
10
0
-10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
V (GS)

Grafik Hubungan Antara 𝑽(DS) dan I(D) saat

V(GS) = -2 Volt
80
70
60
50
40
I (G)

30
20
10
0
-10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
V (GS)

Grafik Hubungan Antara 𝑽(DS) dan I(D) saat

V(GS) = -4 Volt
80
70
60
50
40
I (G)

30
20
10
0
-10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
V (GS)
3. Bandingkan kurva grafik no. 1 dengan kurva grafik dicatu balik, berikan
penafsiran tentang sudut kemiringannya bila tegangan drain source (𝑽𝑫𝒔 )
berubah, dalam hubungannya dengan hambatan masukan penguat JFET
source ditanahkan

25 GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN JFET

SOURCE DITANAHKAN
20

15
I GS

10 VDS1=0Volt
VDS2=0,4Volt
5 VDS3=0Volt

0
0 0.4 0.8 1.2 1.6
V GS

Berdasarkan grafik diode dicatu balik dioda hanya menghantarkan arus balik jenuh saja
(Is) dalam orde nano ampere, sedangkan pada grafik masukan JFET bernilai positif
VGS>0 jika VGS negatif sesuai dengan dasar teori yaitu VGS>0 untuk kanal-n, tidak dilukis
karena pengoperasian FET kanal-n VGS=negatif. Maka grafiknya menjadi:
 25 GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN JFET
SOURCE DITANAHKAN
20

15
IG

10 VDS1=0Volt
VDS2=0,4Volt
5 VDS3=0Volt

0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 2.8 3.2 3.6 4 4.4 4.8 5.2 5.6
V GS

Berdasarkan teori sebenarnya nilai I G yang diperoleh tidaklah nol namun

karena keterbatasan alat dalam membaca skala pengukuran dimana
amperemeter hanya mampu membaca hingga orde (  A), sedangkan nilai dari I G
berda pada orde pikoampere.
Penafsiran tentang sudut kemiringannya bila tegangan drain source (𝑽𝑫𝒔 )
berubah, dan hubungannya dengan hambatan masukan penguat JFET source
ditanahkan. Berdasarkan hasil percobaan dan garfik, digambarkan grafik yang tidak
mempunyai sudut kemiringan hal ini dikarenakan nilai dari I G konstan mendekati nol.

4. Dari pelaksanaan C.3. no 1-2, buatlah grafik hubungan arus drain (𝑰𝑫 ) dan
tegangan gate source (𝑽𝑮𝒔 ), kemudian tentukan besar tegangan penjepitnya
(𝑽𝑷 ).
 Grafik Hubungan Antara 𝑽(GS) dan I(D) saat
V(DD) = 12 Volt
90
80
70
60
50
40
I (D)

30
20
10
0
-4.5 -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 -10 0
-20
V (GS)

Persamaan eksponensial grafik : y = 4* 𝟏𝟎−𝟔 x2 + 1𝟏𝟎−𝟓 x + 8∗ 𝟏𝟎−𝟔

Persamaan eksponensial grafik : y = 4* 𝟏𝟎−𝟔 x2 + 1∗ 𝟏𝟎−𝟓 x + 8∗ 𝟏𝟎−𝟔

y = 𝑰𝑫
x = 𝑽𝑮𝑺
𝑰𝑫𝑺𝑺
4* 𝟏𝟎−𝟔 =
𝑽𝑷 𝟐
𝑰𝑫𝑺𝑺
1∗ 𝟏𝟎−𝟓 = -2 𝑽𝑷

𝑰𝑫𝑺𝑺 = 𝟔, 𝟐𝟓 𝒙 𝟏𝟎−𝟔
𝑽𝑷 = 1,25 Volt

5. Dari grafik no. 2, tentukanlah daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh
JFET source ditanahkan.
 Grafik Hubungan Antara 𝑽(DS) dan I(D) saat
V(GS) = 0 Volt
80
70
60
50
40
I (G)

30
20
10
0
-10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
V (GS)

Berdasarkan grafik no.2 diperoleh grafik yang tidak sesuai dengan teori. Berdasarkan
teori grafik keluaran JFET seperti grafik dibawah ini :

6.
Berdasarkan grafik percobaan yang dihasilkan nilai dari daerah mati, daerah aktif
dan daerah jenuh tidak bisa ditentukan karena grafik dari V GS = 0, -2 volt, -4 volt
memiliki grafik yang sama sehingga jika digabungkan grafiknya tidak ada perubahan.
Sedangkan menurut teori untuk menentukan daerah mati dapat ditentukan nilai VGS =0,
 maka titik q berada pada q2 : sehingga VDS(q)=VDD dan arus ID(q)=0. Untuk
menentukan daerah aktif jika besarnya VGS berada pada daerah di bawah garis beban.
Daerah jenuh ditentukan jika VGS dipilih lebih dari V GS daerah aktif sehingga titik-q
berada pada q1, dan VDS(q1) 0V.
7. Dari grafik no. 2 berikan penafsiran tentang sudut kemiringannya untuk
tegangan gate-source (𝑽𝑮𝒔 ) berbeda, dalam hubungannya dengan hambatan
keluaran penguat JFET source ditanahkan.
Berdasarkan grafk no. 2 tidak dapat ditunjukkan garis bebannya sehingga untuk sudut
kemiringannya tidak bias ditunjukkan oleh grafik hasil percobaan. Namun dalam teori
hubungannya penafsiran sudut kemiringan kurva untuk VDS < VP bergantung VGS, dan
hambatan diatur VGS.
F. Pembahasan
Transistor efek medan adalah komponen aktif yang kerjanya berdasarkan pengaturan
arus dan pengaruh medan listrik yang dikendalikan tegangan yang diberikan. JFET memiliki
tiga terminal yaitu S (sumbur), D (drain), G (gate). Karakteristik JFET terdiri dari 3 yaitu
karakteristim masukan,keluaran, dan transfer.
Berdasarkan percobaan yang dilakukan dan data pengamatan yang dihasilkan serta
hasil grafik (hubungan antara V(GS) dan I(G) dengan V (DS) berubah) karakteristik masukan
JFET source ditanahkan, diperoleh nilai IG = 0 sehingga tidak memiliki sudut kemiringan.
Namun sebenarnya nilai IG tidaklah nol melainkan mendekati nol hal ini karena alat ukur
amperemeter hanya bisa mengukur hingga orde (  A) sedangkan nilai IG nilainya pada orde
pikoampere. Jika nilai IG bersatuan pikoampere dengan nilai VGS negatif maka akan
menghasilkan grafik sedikit mirip dengan diode dicatu baik.

Berdasarkan percobaan yang dilakukan dan data pengamatan yang dihasilkan serta
hasil grafik (hubungan antara V(DS) dan I(D) dengan V (GS) berubah) karakteristik keluaran
JFET source ditanahkan, diperoleh nilai ID yang berbeda dipengaruhi besar V(DS) dan V(GS)
tidak mempengaruhinya sehingga menghasilkan grafik seperti no.2 pada analisa data.
Kemiringan kurva juga bergantung pada V(DS) dan tidak bisa menentukan kemiringannya
sebab grafik memiliki bentuk yang sedikit aneh. Sedangkan berdasarkan teori ID yang berbeda
dipengaruhi besar V(GS) sehingga FET dikendalikan oleh tegangan. Kemiringan kurva untuk
VDS < VP bergantung VGS, hambatan diatur VGS.
G. Kesimpulan
H. Daftar Pustaka
Listiyarini, Ratih. 2018. Dasar Listrik dan Elektronika, diakses pada 10 Oktober 2019.
(https://books.google.co.id)
Sutrisno. 1986. Elektronika Teori Dasar dan Penerapannya. Bandung : Penerbit ITB,
terbitan pertama,1986.
Tim ELDAS, 2019. Modul Praktikum Elektronika Dasar I. Universitas Negeri Malang,
Malang.
Umar, Efrizon. 2008. Buku Pintar Fisika, diakses pada 10 Oktober 2019.
(https://books.google.co.id)