Modul Praktikum Mikro Elektronika

JOB KERJA. 1

KARAKTERISTIK JFET

I. TUJUAN UMUM
− Mengetahui perbedaan antara transistor bipolar dan transistor efek medan
II. TUJUAN KHUSUS
− Menggambar kurva karakteristik drain
− Menggambar kurva karakteristikarus drain dengan tegangan gate-source berbeda
− Menggambarkan kurva transduktansi sebuah FET dari kurva IDS VGS

III. DASAR TEORI

JFET (junction field-effect transistor) dan MOSFET (metal-oxide semiconductor field-
effect transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan kanal-N. JFET adalah komponen tiga terminal
dimana salah satu terminal dapat mengontrol arus antara dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua
jenis, yakni kanal-N dan kanal-P, sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan PNP. Pada
umumnya penjelasan tentang JFET (junction field-effect transistor) adalah kanal-N, karena untuk
kanal-P adalah kebalikannya.

Gambar 1. Simbol JFET

Simbol JFET (junction field-effect transistor) untuk kanal-N dan kanal-P ditunjukkan pada
gambar diatas. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate merupakan arah arus pada
persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi perlu diingat bahwa daerah kerja JFET adalah
bila persambungan tersebut diberi bias mundur. Oleh karena itulah, maka arus gate IG adalah nol
(sangat kecil) dan akibatnya resistansi input dari JFET adalah tinggi sekali (dalam orde puluhan
megaohm).
Gambar 2 berikut adalah bagaimana transitor JFET diberi bias. Kali ini digambar dengan
menggunakan simbol JFET. Gambar (a) adalah jika diberi bias negatif dan gambar (b) jika gate dan
source dihubung singkat.
1
Modul Praktikum Mikro Elektronika

Gambar 2. Tegangan bias transistor JFET-N

Jika gate dan source dihubung singkat, maka akan diperoleh arus drain maksimum. Ingat
jika VGS=0 lapisan deplesi kiri dan kanan pada posisi yang hampir membuka.
Perhatikan contoh kurva drain pada gambar berikut, yang menunjukkan karakteristik arus drain ID
dan tegangan drain-source VDS. Terlihat arus drain ID tetap (konstan) setelah VDS melewati suatu
besar tegangan tertentu yang disebut Vp

Gambar 3. Kurva drain IDS terhadap VDS

IV. PERALATAN DAN BAHAN

1. Project Board = 1 Pcs
3. Power Supply (Variable Voltage ) = 1 Unit
4. Multimeter = 1 Unit
5. Tool Sheet = 1 Sheet
6. Jumper Cable
7. JFET = 1 Buah

2
Modul Praktikum Mikro Elektronika

V. LANGKAH KERJA
1. Buatlah rangkaian seperti gambar 4 (a). Atur tegangan VDD seperti ditunjukan pada tabel 1,
amatilah perubahan nilai yang ditunjukan oleh ampermeter, masukan hasilnya dala tabel 1.
2. Buatlah rangkaian seperti gambar 4 (b). Atur tegangan VDD mulai 1 sampai 10 volt. Ikuti
Langkah (Simulate → Analyses → DC Sweep) lanjutkan seperti gambar 5 (a) dan pada 5 (b)
klik simulate. Lampirkan semua gambar hasil kurva karakteristik dan tulis hasilnya
pengamatan nilai IDSS dan Vp pada tabel 1.
3. Buatlah rangkaian seperti gambar 6 (a). Atur tegangan VGG seperti ditunjukan pada tabel 2,
amatilah perubahan nilai yang ditunjukan oleh ampermeter, masukan hasilnya dala tabel 2.
4. Buatlah rangkaian seperti gambar 6 (b). Atur tegangan VGG mulai 0 sampai 2 volt dengan
interval 0,2 volt. Ikuti Langkah (Simulate → Analyses → DC Sweep) lanjutkan seperti
gambar 7 (a) dan pada 7 (b) klik simulate. Lampirkan semua gambar hasil kurva karakteristik
dan tulis hasilnya pengamatan nilai IDSS dan Vp pada tabel 2.
XMM1
R1

560Ω
Q1
Q1

VDS VDD

2.400V 8.000V
Key = A Key = A

(a) (b)
Gambar 4. JFET gate dan source dihubung singkat

(a) (b)
Gambar 5. Tahapan Analisis
3
Modul Praktikum Mikro Elektronika

XMM1
R1

560Ω
Q2

Q1

V2 V1
VGG VDD

1.100V 1.000V
1.500V 2.400V
Key = B Key = A
Key = B Key = A

(a) (b)
Gambar 6. JFET bias negative

Masukkan nilai yang dipilih berupa arus ID dengan klik add seperti gambar 7(b).

(a) (b)
Gambar 7. Tahapan Analisis

4
Modul Praktikum Mikro Elektronika

VI. TABEL KERJA

Tabel.1.
No. VDD (Volt) Arus (ID) IDSS (mA) Vp(Volt)
1 0
2 1
3 2
4 3
5 4
6 5
7 6

8 7
9 8
10 9
11 10

Tabel.2.
VGG (Volt) VDD Arus (ID) IDSS (mA) Vp(Volt)
0
1
2
0
3
4
5
0
1
2
0,2
3
4
5
0
1
0,3- dst 2
sampai 2 Volt 3
4
5

5
Modul Praktikum Mikro Elektronika

VI. EVALUASI / PERTANYAAN

1. Buktikan dan hitung nilai ID dan VGS dari gambar yang anda cuplik kemudian Sketsa
Kurva Katakteristik JFET ?
2. Bagaimana hubungan dari ID dan VGS dari hasil percobaan?

VII. ANALISA / KESIMPULAN

……………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………

Cepu , ……………… 2021

Dosen Praktikum

Dr. Asepta Surya Wardhana, S.T., M.T