ELEKTRONIKA DAYA

Semikonduktor Daya
 Pendahuluan
Rangkaian
Elektronika Daya

Pengubahan
efisiensi dan
performasi
Semikonduktor Pensaklaran rangkaian
Daya
rugi daya
Pengaturan

Mengubah
bentuk gelombang → gelombang lain
 Dioda
Pensaklaran

Menghantarkan
arus (ON) jika
potensial A lebih (+)
vs potensial K

(a) simbol dioda

(b) karakteristik dioda
(c) karakteristik ideal dioda
 Dioda
Pensaklaran

➢ Jika mendapat tegangan maju (forward voltage – VF), maka dioda

(ON);
➢ Jika mendapat tegangan balik (reverse voltage – VR), maka dioda
(OFF)
 Parameter Spesifikasi Umum Dioda
(Datasheet)

➢ Maximum Average Forward Current (If(avg)max)

Arus yang ditangani dengan aman oleh Dioda saat bias maju, biasanya
dari beberapa Ampere s.d. beberapa ratus Ampere tergantung spesifikasi
Dioda.

➢ Peak Inverse Voltage (PIV)

Tegangan balik maksimum yang dapat dihubungkan ke Dioda sehingga
tanpa mengalami kerusakan, disebut juga tegangan tembus balik,
biasanya dari beberapa Volt s.d. beberapa kV.
 Parameter Spesifikasi Umum Dioda
(Datasheet)

➢ Maximum Surge Current (IFSM – forward surge maximum current)

Arus maksimum yang dapat ditangani Dioda karena transien sesekali
atau dari gangguan pada rangkaian

➢ Maximum Junction Temperature

Suhu yang dialami Dioda agar Dioda bertahan tanpa kerusakan
 == Doida → latch: triggering
== Doida: gerbang [-] →
OFF, [+] → ON [AC] Thyristor gerbang; unlatch: VA = VK
(komutasi) [DC]

Pemicu

gerbang dialiri
Pensaklaran
arus pulsa
positif

(a) simbol SCR

(b) karakteristik SCR
(c) karakteristik ideal SCR
 Thyristor (SCR)

➢ Saat gerbang terbuka (open cct), maka:

Jika tegangan sumber (V) dinaikkan mencapai suatu harga tertentu,
maka SCR (ON). Tegangan ini disebut tegangan breakover (tegangan
dadal maju);

➢ Saat tegangan pada gerbang lebih positif terhadap katoda:

Tegangan gerbang lebih positif sedikit saja dari katoda, maka SCR
(ON).
Istilah Thyristor (SCR)
1. Tegangan breakover (VBO): tegangan maju minimum yang
dikenakan ke SCR dengan gerbang terbuka maka SCR mulai
menghantarkan arus (ON). Biasanya bernilai 50 – 500V, misal: VBO =
100V, maka SCR tetap mati jika tegangan sumber bernilai di bawah
100V;
2. Tegangan peak reverse (PRV): tegangan balik maksimum tanpa
berakibat SCR menghantarkan arus dalam arah berlawanan. Jika
nilai PRV dilewati, maka SCR akan menghantarkan arus
berlawanan, sehingga membahayakan SCR. Biasanya bernilai s.d.
2,5kV;
3. Arus holding (IH): arus maksimum yang mengalir pada anoda,
gerbang terbuka, sehingga SCR mulai (OFF). Misal: = 5mA, jika arus
pada anoda di bawah nilai 5mA, maka SCR (OFF);
4. Arus forward rating (IF): arus maksimum yang diperbolehkan
mengalir ke SCR tanpa merusaknya. Biasanya nilai IF = 30 – 100A
Thyristor (SCR)
 Parameter Spesifikasi Umum SCR
(Datasheet)
➢ Surge Current Rating (IFM)
Puncak arus anoda SCR yang dapat ditangani SCR selama durasi
singkat

➢ Latching Current (IL)

Arus anoda minimum yang harus mengalir melalui SCR agar tetap ON
sesaat setelah sinyal gerbang (gate) tidak ada

➢ Holding Current (IH)

Setelah SCR latching, arus anoda minimum tertentu diperlukan untuk
menjaga agar tetap konduksi. Jika arus minimum menurun di bawah
nilai minimum ini, SCR akan OFF

➢ Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM)

Tegangan maksimum sesaat yang dapat ditahan SCR, tanpa
breakdown dalam arah sebaliknya
 Parameter Spesifikasi Umum SCR
(Datasheet)
➢ Peak Repetitive Forward Blocking Voltage (VDRM)
Tegangan maksimum sesaat sehingga SCR dapat menahan dalam
arah maju. Jika VDRM terlampaui, SCR akan konduksi tanpa tegangan
gerbang (gate)

➢ Nonrepetitive Peak Reverse Voltage (VRSM)

Tegangan balik transien maksimum yang mampu ditahan SCR

➢ Maximum Gate Trigger Current (IGTM)

Arus DC gate maksimum yang diizinkan agar SCR ON

➢ Minimum Gate Trigger Voltage (VGT)

Tegangan DC minimum antara gate dan katoda yang dibutuhkan untuk
memicu/menyalakan SCR

➢ Minimum Gate Trigger Current (IGT)

Arus DC gate minimum yang dibutuhkan agar SCR ON
 Thyristor (SCR)

Terjadi jika sumber tegangan AC, SCR

Alami akan (OFF) karena sifat alamiah
tegangan AC

Komutasi

Terjadi jika sumber tegangan DC, arus

maju SCR akan dipaksa menjadi 0
Paksa
dengan menambahkan rangkaian
komutasi agar SCR (OFF)
 Thyristor (GTO)

Pensaklaran

Komutasi (OFF) sulit, perlu arus balik

== SCR: gerbang [-] → OFF, gerbang yang besar (biasanya: 20% arus
[+] → ON anoda/rating)

(a) simbol GTO

(b) karakteristik GTO
(c) karakteristik ideal GTO
Thyristor (GTO vs SCR)

✓ Tidak memerlukan rangkaian komutasi, sehingga lebih murah;

✓ Proses komutasi (OFF) lebih cepat;
✓ Memperbaiki efisiensi rangkaian.

✓ Tegangan jatuh dan rugi-rugi lebih besar;

✓ Perlu arus gerbang yang lebih besar ketika memicu (ON);
✓ Latching dan arus holding lebih besar.
 Transistor

BJT MOSFET IGBT

Bipolar Junction Metal Oxide Insulated Gate
Transistor Semiconductor Field Bipolar
Effect Transistor Transistor

Kecepatan pensaklaran (switching speed) transistor lebih tinggi

daripada thyristor dan transistor sering dipakai dalam konverter DC-
DC dan DC-AC. Namun, nilai tegangan dan arusnya lebih rendah
daripada thyristor dan transistor secara normal digunakan dalam
aplikasi daya rendah sampai menengah.
 Transistor (BJT)

(a) simbol transistor

(b) karakteristik transistor
(c) karakteristik ideal transistor BJT NPN (ON): C-E → bias, VB lebih
[+] terhadap VE, IB mampu
mengendalikan pada daerah jenuhnya

BJT NPN (OFF): IB dikurangi → C

tidak ada arus
 Transistor (BJT)
(ON): VCE = 0 && IC = ILoad

(OFF): VCE = VCC && IC = 0

➢ Jika tegangan U1 = 12V → IB mengalir,

transistor menghantarkan arus (ON) →
IC mengalir → lampu P1 (ON)

➢ Jika tegangan U1 = 0 → IB = 0,
transistor (OFF) → IC berhenti mengalir
→ P1 (OFF)
Kerja transistor dikendalikan
oleh arus basis IB
 Transistor (MOSFET)
(a) simbol MOSFET
(b) karakteristik MOSFET
(c) karakteristik ideal MOSFET

(ON): VGS besar → VDS besar. (ON): VDS = 0 && ID = ILoad.

Δ VDS ≈ ID
(OFF): VDS = VDD && ID = 0

Kerja MOSFET dikendalikan

oleh tegangan, memerlukan
tegangan kecil pada Gate
 Transistor (IGBT)
ZG tinggi → IG
kecil → (ON)

(a) simbol IGBT

(b) karakteristik IGBT Memiliki kesamaan dengan BJT, bedanya pada
(c) karakteristik ideal IGBT BJT arus basis IB yang diatur, sedangkan IGBT
tegangan gate-emitor VGE yang diatur

(ON): VGE kecil, meskipun Vrating besar

dan mampu blok tegangan negatif
 Transistor (IGBT)

Contoh:
Karakteristik IGBT pada tegangan rating VCE = 20V dan tegangan
gate-emitor VGE diatur dari min. 8V s.d. 16V, arus kolektor IC dari
2A – 24A
 Rating Tipikal

Sumber: Jaganathan, V.
 Pengayaan:
Doping p >> Unijunction Transistor (UJT)
Digunakan untuk membangkitkan
sinyal penyalaan/pemicuan untuk
SCR/Thyristor

Tahanan variable (𝑅𝐵1 ) dan tegangan titik A

(𝑉𝐴 ) beserta tahanan tetap (𝑅𝐵2 ) membentuk
hubungan pembagi tegangan, yaitu:
Doping n << → 𝑹𝑩𝟏
𝑽𝑨 = 𝑽 → 𝑽𝑨 = 𝜼𝑽𝑩𝑩
resistansi >> 𝑹𝑩𝟏 + 𝑹𝑩𝟐 𝑩𝑩
Persambungan 𝑹𝑩𝟏 𝑹𝑩𝟏
pn 𝜼= =
𝑹𝑩𝟏 + 𝑹𝑩𝟐 𝑹𝑩𝑩
𝜂: rasio pegimbang (intrinsic standoff ratio)
Variabel karena
tergantung dari IE
 Pengayaan:
Unijunction Transistor (UJT)
 Rangkaian UJT Pembangkit Pulsa
Gelombang tegangan
penyalaan yang
digunakan (𝑉𝐵1 ) identic
dengan arus discharge
kapasitor C. 𝑉𝐵1
dirancang harus cukup
untuk memicu SCR.
Periode osilasi T tidak
bergantung nilai 𝑉𝑠 ,
sehingga:
𝟏 𝟏
𝑻 = ≈ 𝑹𝑪 𝐥𝐧
𝒇 𝟏−𝜼
Jika 𝑉𝑠 dinyalakan, kapasitor C terisi melalui resistor R saat emitter dalam kondisi
terbuka. Maka persamaan konstanta waktu rangkaian pengisian: 𝜏1 = 𝑅𝐶. Saat
terbentuk tegangan emitter 𝑉𝐸 yang sama dengan 𝑉𝐶 , maka tegangan mencapai
puncaknya 𝑉𝑃 → UJT ON dan kapasitor C discharge melalui 𝑅𝐵1 , sehingga
keadaan ini digambarkan dengan persamaan: 𝜏2 = 𝑅𝐵1 𝐶 dengan nilai 𝜏2 ≪ 𝜏1 .
Saat tegangan emitter 𝑉𝐸 berkurang menuju nilai lembah/valey 𝑉𝑣 , maka emitter
berhenti menghantarkan arus → UJT OFF dan siklus pengisian
kapasitor C terulang kembali.
 Rangkaian UJT Pembangkit Pulsa

Resistor R dibatasi antara 3kΩ – 3MΩ, sedemikian sehingga terpotong seperti

gambar gelombang di atas. Maka: 𝑉𝑠 − 𝐼𝑃 𝑅 > 𝑉𝑃 , sehingga dapat dipenuhi melalui
persamaan:
𝑽𝒔 − 𝑽𝑷
𝑹<
𝑰𝑷
Pada nilai lembahnya 𝐼𝐸 = 𝐼𝑉 dan 𝑉𝐸 = 𝑉𝑣 sedemikian sehingga 𝑉𝑠 − 𝐼𝑣 𝑅 < 𝑉𝑣 ,
maka dapat dipenuhi melalui persamaan:
𝑽𝒔 − 𝑽𝒗
𝑹>
𝑰𝒗
 Rangkaian UJT
Pembangkit Pulsa

Rekomendasi rentang tegangan suplai 𝑉𝑠 dari 10 – 35V. Untuk nilai 𝜂 yang tetap,
maka tegangan puncak 𝑉𝑃 berubah terhadap tegangan antar basis 𝑉𝐵𝐵 , sehingga
tegangan puncak 𝑉𝑃 dapat diperoleh melalui persamaan:
𝑽𝑷 = 𝜼𝑽𝑩𝑩 + 𝑽𝑫 (= 𝟎, 𝟓𝑽) ≈ 𝜼𝑽𝒔 + 𝑽𝑫 (= 𝟎, 𝟓𝑽)
Dengan 𝑉𝐷 jatuh tegangan maju dioda (biasanya: 0,5V atau 0,7V). Lebar waktu
penyalaan/pemicuan (𝑡𝑜𝑛 ) diperoleh melalui persamaan: 𝒕𝒐𝒏 = 𝝉𝟐 = 𝑹𝑩𝟏 𝑪

Secara umum, 𝑅𝐵1 dibatasi di bawah 100Ω, walaupun nilai sampai dengan 2 atau
3kΩ memungkinkan dalam penerapannya. Resistor 𝑅𝐵2 secara umum
dihubungkan seri dengan basis-2 untuk mengkompensasi penurunan tegangan
puncak 𝑉𝑃 karena kenaikan suhu dan memproteksi UJT dari suhu berlebih.
Resistor 𝑅𝐵2 bernilai 100Ω atau lebih dan dapat diperoleh melalui persamaan:
𝟏𝟎𝟒
𝑹𝑩𝟐 =
𝜼𝑽𝒔
Terima kasih
 Tugas Kelompok
Aturan

✓ 1 (satu) kelompok terdiri dari 3 orang;

✓ Masing-masing anggota dalam kelompok mengerjakan dan
mempresentasikan 1 soal, terdiri dari butir a) [datasheet] dan b)
[simulasi sederhana]
✓ Presentasi akan dilaksanakan pada pertemuan selanjutnya sampai
semua kelompok dan semua anggota dalam kelompok
mempresentasikan bagian tugasnya.
 Tugas Kelompok…1
1. Karakteristik Dioda
R1

5kΩ
V1 D1
5V 1N4001G

Jelaskan mengapa grafik yang

terbentuk demikian sehingga
apakah sesuai dengan datasheet-
nya?
 Tugas Kelompok…2
2. Karakteristik SCR
Ra

570Ω

D1
Rg 2N6400
Vs
470Ω 10V
Vg
0V

Jelaskan mengapa
grafik yang terbentuk
demikian sehingga
apakah sesuai
dengan datasheet-
nya?.
 Tugas Kelompok…3
3. Karakteristik BJT
Rc

220Ω

Vce
Rb Q1
B C 10V
BD139
220Ω
E

Ib
5A

Jelaskan mengapa grafik yang

terbentuk demikian sehingga
sesuai dengan datasheet-nya
 Tugas Kelompok…4
4. Karakteristik MOSFET
Q1
IRF541 Vds
20V
Vgs
80V

Jelaskan mengapa grafik yang

terbentuk demikian sehingga
sesuai dengan datasheet-nya
 Tugas Kelompok…5
5. Karakteristik IGBT
Rc

50Ω
Q1
Rg Vce
IRGPC20U
2V
Vge 100Ω
10V

Jelaskan mengapa grafik yang

terbentuk demikian sehingga
sesuai dengan datasheet-nya
 Tugas Kelompok…6
6. Karakteristik UJT
R2
200Ω

R1
Q1
V2
1kΩ 2N6027
12V

V1
5V R3
100Ω

Jelaskan mengapa grafik yang

terbentuk demikian sehingga
sesuai dengan datasheet-nya