Anda di halaman 1dari 14

LAPORAN LABORATORIUM

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

NO. PERCOBAAN : 01
JUDUL : PENDEKATAN KARAKTERISTIK DIODA

NAMA PRAKTIKAN : VIESYA ANANDA PUTRI 1315030085


NAMA REKAN KERJA : 1. DANIA AMELIA 1315030037
2. WISNU ARIF 1315030086

KELAS/KELOMPOK : TT-2B/4
TANGGAL PELAKSANAAN PRAKTIKUM : 3 MARET 2016
TANGGAL PENYERAHAN LAPORAN : 9 MARET 2016

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO


PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI
POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
DAFTAR ISI
A. TUJUAN...2
B. DASAR TEORI...2
C. ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN.....2
D. CARA MELAKUKAN PERCOBAAN.3
E. DATA HASIL PERCOBAAN....6
F. ANALISA.7
G. TUGAS9
H. KESIMPULAN.....11
LAMPIRAN12
DAFTAR PUSTAKA.....13

1
A. TUJUAN :
Menunjukkan keadaan dimana karakteristik dioda sesungguhnya dapat
didekati oleh garis lurus
Mengetahui tegangan knee pada dioda silikon dan dioda germanium

B. DASAR TEORI:
Diode adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 1 buah
junction, sering disebut sebagai komponen 2 lapis (lapis N dan P). Dioda
merupakan suatu semikonduktor yang hanya dapat menghantar arus listrik dan
tegangan pada satu arah saja. Bahan pokok untuk pembuatan dioda adalah
Germanium (Ge) dan Silikon/Silsilum (Si). Diode secara simbol dan bentuk fisik
diode dapat digambarkan sebagai berikut.

Karakteristik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab)


dan arus yang melalui dioda, yaitu ID. Dapat diubah dengan dua cara, yaitu
mengubah VDD. Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab,
kita peroleh karakteristik dioda. Bila anoda berada pada tegangan lebih tinggi
daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. Bila VD
negatip disebut bias reserve atau bias mundur. Pada diatas VC disebut cut-in-
voltage, IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage. Bila harga
VDD diubah, maka arus ID dan VD akan berubah pula.

C. ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN:


1. Sumber daya searah (1-15) V : 1 buah Power Supply GW
INSTEK Gps 3030
2. Multimeter Digital : 1 buah Sanwa CD 772
3. Dioda Silikon : 1 buah
4. Dioda Germanium : 1 buah
5. Resistor : 470 ; 1 k; 4,7 k
6. Kabel-kabel penghubung
7. Protoboard ML 35B

2
D. CARA MELAKUKAN PERCOBAAN:
A. Percobaan dengan dioda silikon (tipe IN4002)
1. Buatlah rangkaian seperti gambar 1, dengan menggunakan dioda Si dan
R= 470

If Vf
+ A

DC R
SUPPLY

Gambar 1. Rangkaian dioda bias maju

2. Atur tegangan power supply sedemikian hingga VD= 0,35 V


3. Ukurlah arus maju (forward) pada dioda dan catatlah pada
tabel 1
4. Ulangi langkah 2 dan 3 untuk harga Vf yang berlain

TABEL 1 R = 470

DIODA SILIKON

JENIS IN4002
VS (V) Vf (V) If (mA) VR (V)
0,35
0,40
0,45
0,50
0,55
0,60
0,65
0,70
0,75

3
B. Percobaan dengan dioda germanium
5. Gantilah dioda silicon dengan dioda germanium serta ubahlah R
menjadi 1k
6. Aturlah tegnagan power supply sedemikian hingga Vf = 0,1 V. Ukurlah
arus maju If pada dioda dan catatlah pada tabel 2.
7. Ulangi langkah 6 untuk harga Vf yang berlainan.

TABEL 2 -> R = 1 K

DIODA GERMANIUM

VS (V) Vf (V) If (mA) VR (V)


0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
0,45
0,50
0,55

C. Percobaan tegangan jatuh dioda


8. Buat rangkaian seperti gambar 2 dengan menggunakan dioda silicon, R = 4,7
k dan tegangan supply = 14 V

If
+

DC
Vf Vo
V
SUPPLY

9. Ukurlah Vf dan Vo
10. Selanjutnya turunkan tegangan power supply menjadi 3 V. Ulangi langkah 9
4
11. Gantilah tahanan R menjadi 470 dan jagalah tegangan power supply tetap = 3 V.
Ulangi langkah 9.

TABEL 3

Vs R Vf (Volt) Vo(Volt) If
(Volt) (Ohm) Ukur Hitung Ukur Hitung (mA)
14 4,7 k
3 4,7 k
3 470

5
E. DATA HASIL PERCOBAAN

TABEL 1

DIODA SILIKON

JENIS IN4002
VS (V) Vf (V) If (mA) VR (V)
0,36 0,35 0,02 A 0,003
0,41 0,40 0,36A 0,015
0,47 0,45 0,72A 0,051
0,56 0,50 0,149 0,18
1,06 0,55 1,10 0,5
1,99 0,60 3,02 1,3
4,60 0,65 8,46 4,15
13,35 0,70 22,6 13,05

TABEL 2

DIODA GERMANIUM

VS (V) Vf (V) If (mA) VR (V)


109mV 0,10 0,09 20,2 mV
276,7mV 0,15 0,126 125,7mV
0,56 0,20 0,35 360,3mV
0,99 0,25 0,72 0,7
1,56 0,30 1,26 1,26
2,2 0,35 1,84 1,85
2,96 0,40 2,54 2,56
3,81 0,45 2,37 3,35
4,67 0,50 4,27 4,17
5,64 0,55 6,06 5,08

TABEL 3
If
Vs R Vf (Volt) Vo(Volt)
(mA)
(Volt) (Ohm)
Ukur Hitung Ukur Hitung ukur Hitung
14 4,7 k 0,63 0,7 13,32 13,32 2,65 2,8
3 4,7 k 0,56 0,7 2,44 2,3 0,46 0,48
3 470 0,66 0,7 2,34 2,3 6,2 4,8

6
F. ANALISA
1. Buatlah grafik If fungsi Vf (kurva karakteristik dioda silicon) pada kertas
millimeter dan tentukan besar Vk!
2. Buatlah grafik If fungsi Vf (kurva karakteristik dioda germanium) pada
kertas millimeter dan tentukan besar Vk!
3. Hitunglah besar Vf dan Vo lalu lengkapi tabel 3 dan bandingkan
4. Mengapa tegangan dioda silikon tidak bisa mencapai 0,85 V dan dioda
germanium tidak bisa mencapai 0,55 V?

Jawab:

1. Kurva karakteristik dioda silikon

Berdasarkan kurva di samping, dapat


disimpulkan bahwa Vk dioda silikon sebesar 0,7
V. Dioda mulai bekerja saat tegangan Vf
(tegangan forward) yang terukur mencapai 0.55
Volt dan arusnya 1,10 mA.

7
2. Kurva karakteristik dioda germanium

Berdasarkan kurva di samping, dapat disimpulkan


bahwa Vk dioda Germanium sebesar 0,55 V. Dioda
mulai bekerja saat tegangan Vf (tegangan forward)
yang terukur mencapai 0,30 Volt dan arusnya 1,26
mA.

3.

If
Vs R Vf (Volt) Vo(Volt)
(mA)
(Volt) (Ohm)
Ukur Hitung Ukur Hitung ukur Hitung
14 4,7 k 0,63 0,7 13,32 13,3 2,65 2,8
3 4,7 k 0,56 0,7 2,44 2,3 0,46 0,48
3 470 0,66 0,7 2,34 2,3 6,2 4,8

Vf selalu 0,7V karena ini adalah tetapan dioda ideal menurut materi dioda. Dan
menghitung Vo= Vs-Vf. Maka pada tabel 3 kolom hitung dapat dilihat perbandingan
antara Vo dengan Vf. jika kita melakukan perbandingan antara Vo dengan Vf akan
menunjukan perbandingan dimana Vf akan selalu lebih kecil di bandingkan dengan Vo.

4. Karena dioda silikon mempunyai tegangan jatuh sebesar 0,7 Volt yang artinya
dioda akan bekerja dengan baik saat tegangan jatuhnya mencapai 0.7 Volt. Setelah
itu, hasil yang terukur tidak berubah-ubah lagi. Atau di sebut degan dioada ideal
sebesar 0,7 Volt.
Karena dioda germanium mempunyai tegangan jatuh sebesar 0,3 Volt yang artinya
dioda akan bekerja dengan baik saat tegangan forwardnya mencapai 0.3 Volt.
Setelah itu, hasil tidak akan berubah-ubah lagi atau saturasi. Dan di sebut pula
dioda ideal pada saat 0,3 Volt

8
G. TUGAS
1. Apa perbedaan dioda silikon dengan dioda germanium?
2. Apa yang dimaksud dengan dioda ideal
3. Carilah karakteristik dioda yang dipakai di datasheet jelaskan!

Jawab:

1. Perbedaannya pada jenis bahan pembuatannya dan tegangan jatuhnya, dioda


silikon sebesar 0,7 Volt dan dioda germanium sebesar 0,3 Volt.

2. Untuk diode ideal, didekati melalui pendekatan setengah linier (Piece Wise Linier)
ada 3 pendekatan, yang didekati secara grafis.

disini diode dimodelkan sebagai saklar ideal yaitu suatu saklar yang memiliki ciri
untuk kondisi tertutup R=0 dan untuk kondisi terbuka R= ~ . Untuk bias negative
diode dianggap sebagai isolator dengan nilai hambatan RR >> RF. Pada model ini
untuk bias positif sebagai saklar tertutup (on) dan pada bias negative sebagai saklar
terbuka (off), kedua kondisi bias dilukiskan pada grafik I/V.

Model kedua adalah untuk bias positif sebagai saklar non-ideal pada kondisi
tertutup R0. Untuk bias negative sebagai saklar ideal. Kedua bias tersebut
dilukiskan sebagai berikut :

Untuk model ketiga bias positif sebagai saklar non-ideal yang tertutup terpasang
seri dengan sumber tegangan Vji. Untuk bias negative sebagai saklar ideal terbuka
dengan grafik sebagai berikut :

9
3. Karakteristik dioda terdiri atas dua macam, yaitu karakteristik dioda maju pada
saat diberi tegangan muka maju (forward bias) dan karakteristik dioda terbalik pada
saat di beri tegangan muka balik (reverse bias). Pada karakteristik dioda ini yang
akan dibicarakan adalah karakteristik tegangan dan arus. Pada saat tegangan maju
(forward) Vf nol, maka arus maju If masih dalam posisi nol. Jika sedikit demi
sedikit tegangan maju ditambah, maka arus maju If masih dalam posisi nol (sangat
kecil) mengalirlah If secara besar-besaran, dalam grafik digambarkan merupakan
garis lurus (grafik linear). Sebaliknya apabila diberi tegangan balik,
dioda akan tetap tidak menghantar sampai mencapai tegangan breakdown dioda
tersebut. Apabila telah mencapai tegangan breakdown dioda akan menghantar dan
arus riverse Ir seperti diberi tegangan maju. Besarnya tegangan maju untuk dioda
jenis silikon adalah 0,7 Volt dan 0,3 untuk germanium.

10
H. KESIMPULAN

Dari percobaan yang kami lakukan ada beberapa yang dapat kami simpulkan, antara lain :

1. Makin besar arus forward yang mengalir di dapat dengan makin besar tegangan
yang di berikan. Ini terlihat pada kurva karakteristik diatas.

2. Dioda Silikon mempunyai tegangan jatuh sebesar 0.7 Volt artinya dioda akan
bekerja dengan baik saat tegangan jatuhnya mencapai 0.7 Volt. dibawah tegangan
0.5 Volt, arus kecil sekali sampai tegangan Vf sebesar 0.7 Volt, dan dioda dalam
kondisi off. Setelah melewati tegangan tersebut. arus If naik sangat besar sekali
sampai hamper linier.

3. Dioda Germanium mempunyai tegangan jatuh sebesar 0.3 Volt artinya dioda akan
bekerja dengan baik saat tegangan jatuhnya mencapai 0.3 Volt. Dibawah tegangan
0.3 Volt , arus kecil sekali sampai tegangan Vf sebesar 0.3 Volt dan dioda dalam
kondisi off. Setelah melewati tegangan tersebut. arus If naik sangat besar sekali.

4. Vo dengan Vf akan menunjukan perbandingan dimana Vf akan selalu lebih kecil di


bandingkan dengan Vo.

11
LAMPIRAN

PENULIS LAPORAN
VIESYA ANANDA PUTRI

12
DAFTAR PUSTAKA

http://elektronika-dasar.web.id/konsep-dasar-diode/
http://elektronika-dasar.web.id/karakteristik-dioda/
Http://electroniclib.wordpress.com/2009/12/31/dioda/

13

Anda mungkin juga menyukai