Rangkaian MOSFET DC

Contoh 5.3
◼ Tentukan RD dan RS agar ID 0,4mA
dan VD 0,5V. Transistor memiliki Vt
0,7V, unCox 100uA/V2, L 1um, W
32um dan l dapat diabaikan
Contoh 5.3
◼ Dari ID 0,4mA dan VD 0,5V
VDD − VD 2,5 − 0,5
RD = = = 5k
ID 0,4m

◼ FET saturasi karena VDS > VGS-Vt

1 W
ID =  nCox VOV 2
2 L
1 32
ID =  100   VOV = 400 
2

2 1
VOV = 0,5V VGS = Vt + VOV = 0,7 + 0,5 = 1,2V

VS = VG − VGS = 0 − 1,2 = −1,2V

Contoh 5.3
◼ Dari ID 0,4mA dan VS -1,2V

VS − VSS − 1,2 − (− 2,5)

RS = = = 3,25k
ID 0,4m
Contoh 5.4
◼ Turunkan hubungan i-v rangkaian
berikut

◼ Transistor saturasi karena VD=VG

k n (vGS − Vt )
1 'W
iD =
2

2 L

k n (v − Vtn )
1 'W
i=
2

2 L

i = k n (v − Vtn )
2
Latihan 5.9
◼ Tentukan R sehingga VD 0,8V. MOSFET
memiliki Vtn 0,5V, unCox=0,4mA/V2,
W/L=0,72um/0.18um, dan l=0
◼ Pada MOSFET
k n (v − Vtn )
1 'W
i=
2

2 L
 (0,8 − 0,5) = 0,072mA
1 0,72
i =  0,4m 
2

2 0,18
◼ Pada resistor
VDD − VD
R=
iD
1,8 − 0,8
R= = 13,9k
72 
Latihan 5.10
◼ Gunakan hasil latihan 5.9,
tentukan R2 sehingga Q2
pada batas saturasi

◼ Tegangan batas saturasi

VDS = VGS − Vt = 0,8 − 0,5 = 0,3V
◼ Arus pada Q1 dan Q2 karena
tegangan VGS dama dan l=0.
VDD − VD 1,8 − 0,3
R= = = 20,8k
iD 72 
Contoh 5.5
◼ Tentukan RD bila kn’W/L 1mA/V2 dan
Vtn 1V. Berapakan resistansi efektif
antar drain dan source
◼ Transistor pada mode trioda karena
VDS  VGS − Vt
◼ Tegangan VGS = 5V sehingga arus

W 1 2   2
 (VGS − Vt )VDS − VDS  = 1m   (5 − 1) 0,1 −  (0,1)  I D = 0,395mA
1
I D = k n'
L 2   2 

VDD − VD 5 − 0,1
RD = = = 12,4k
iD 0,395m

Resistansi drain-source VDS 0,1

◼ rDS = = = 253k
I D 0,395m
Contoh 5.6
◼ Tentukan arus dan
tegangan rangkaian bila
kn’W/L 1mA/V2 dan Vtn
1V, abaikan l.
 Contoh 5.6
◼ Ikuti no 1-6
4
◼ Tegangan VGS 2

VGS = VG − VS = 5 − 6 I D
6
1
◼ Asumsi saturasi, arus 3
ID = k n (VGS − Vtn )
1 'W 2 5
2 L
I D =  1 (5 − 6 I D − 1)
1 2
4
2
18 I D2 − 25 I D + 8 = 0
I D1 = 0,89mA I D 2 = 0,5mA

◼ Untuk I D1 = 0,89mA VGS = VG − VS = 5 − 6 I D = 5 − 6  0,89 = −0,34V

tidak mungkin karena cut-off
Contoh 5.6
◼ Untuk I D 2 = 0,5mA

VS = 6  0,5 = 3V

VGS = 5 − 3 = 2V

VD = 10 − 6  0,5 = 7V

VDS > VGS-Vt asumsi benar

Contoh 5.7
◼ Rancang agar transistor
saturasi dengan arus 0,5mA
dan VD 3V bila kp’W/L
1mA/V2 dan Vtn 1V, l dapat
abaikan.
Contoh 5.7
◼ Saturasi
1 ' W
ID =
2
k p VOV
2 L
1
0,5m =  1m  VOV
2

2
VOV = 1V

VSG = Vtp + VOV = 1 + 1 = 2V

VG = 5 − VSG = 5 − 2 = 3V

RG 2
◼ Dari nilai DC VG = 5
RG1 + RG 2 ◼ Untuk nilai RD
pilih
RG 2 = 2 M VD 3
RD = = = 6k
RG 2 = 3M I D 0,5m
Contoh 5.7
◼ Batas saturasi
VSD = VSG − Vtp = 2 − 1 = 1V

atau
VD = 5 − VSG = 5 − 1 = 4V

4V
◼ Batas resistansi RD
VD 4
RD = = = 8k
I D 0,5m 0,5mA
Contoh 5.8
◼ NMOS dan PMOS berikut
matched dengan
kn’W/L=kp’W/L 1mA/V2 dan
Vtn=-Vtp=1V. Anggap l=0,
carilah arus drain iDN dan iDP
dan tegangan vO untuk vI 0.
+2.5, dan -2,5V
 Contoh 5.8
◼ Saat vI = 0V dengan
transistor matched iDN =
iDP sehingga vO = 0V
1 ' W
I DN = I DP =
2
k p VOV
2 L

I DN = I DP =  1m  (2,5 − 1) = 1,125mA
1 2

2
 Contoh 5.8
◼ Saat vI = +2,5V dengan
transistor PMOS cut-off
◼ Transistor NMOS akan
selalu mendapat VD
negatif.
W 2
I DN = k n' (
 GS
V − Vtn )VDS −
1
VDS 
L 2 
 2
= 1m (5 − 1)(vO + 2,5) − (vO + 2,5) 
vO 1
−
10k  2 
vO1 = −2,45V vO 2 = 5,65V
v
10
1
2
(
− O = 4(vO + 2,5) − vO2 + 5vO + 6,25 )
Jadi vO=-2,45V
v − 3,2vO − 13,75 = 0
2
O (vO2 tidak memenuhi anggapan trioda)
Contoh 5.8
◼ Saat vI = -2,5V dengan
transistor NMOS cut-off
◼ Transistor PMOS akan
selalu mendapat VD
positif.

◼ Cara sama dengan

sebelumnya dengan
polatritas terbalik