MOS Field-Effect

Transistors (MOSFETs)

1
 Struktur dan Cara Kerja
Devais MOSFET

©2012 Mervin T Hutabarat

Struktur Fisik
◼ Tampak perspektif ◼ Potongan melintang

◼ Nilai Tipikal Teknologi Saat

L 0,03-1um, W 0,1-100um,
tox 1-10nm
3
Tegangan Gate Nol
◼ Tegangan gate nol
drain-source
membentuk dioda back-
to-back
◼ Arus drain-source
sangat kecil (nol)

4
 Pembentukan Kanal
◼ Saat gate mendapat tegangan
positif, elektron terkumpul di
bawah elektroda gate
◼ Bila tegangan melampaui Vt
terbentuk kanal dari drain ke
source akibat inversi pembawa
muatan
◼ Devais dengan kanal terbentuk n
disebut MOSFET kanal n
◼ Tegangan efektif atau overdrive
gate
vOV = vGS − Vt
 ox
◼ Muatan dalam kanal Q = Cox (WL )vOV Cox =
tox 5
 MOSFET dengan vDS kecil
◼ Arus kecil mengalir dari drain
ke source (elektron dari source
ke drain) akibat drift
◼ Muatan per satuan panjang
kanal
Q
= CoxWvOV
satuan panjang kanal
◼ Medan listik sepanjang kanal
vDS
E =
L
◼ Laju drift elektron ◼ Arus drain
vOV vDS =  nCox (vGS − Vt )vDS
vDS W W
laju drift elektron =  n E =  n iD =  nCox
L L L 6
 MOSFET dengan vDS kecil
◼ Arus drain ◼ Plot arus tegangan

iD =  nCox
W
(vGS − Vt )vDS
L
◼ Transkonduktansi gDS
vOV =  nCox (vGS − Vt )
W W
g DS =  nCox
L L
◼ Penentu arus
Parameter transkondutansi proses
W
k n' =  nCox dan Aspect Ratio
L
Perilaku mendekati sifat linier
Parameter transkonduktansi MOSFET resitansi
W W 1 1 1
k n = k n' =  nCox rDS = = =
L L g DS  C W v
n ox OV  C
n ox
W
(vGS − Vt )
7

L L
 Saat vDS diperbesar
◼ Tegangan pada ujung kanal
source
vGS = Vt + VOV
◼ Tegangan pada ujung kanal
drain
vGD = vGS − vDS = Vt + VOV − vDS

◼ Kedalaman kanal tidak sama

pada source dan drain
dankanal yang terbentuk
‘tapered’. Source lebih dalam
karena overdrive voltage lebih
besar
8
Perubahan Kanal oleh VDS

9
Kurva iD vs vDS untuk VGS > Vt

10
Operasi VDS besar (>=VOV)

11
Struktur Devais PMOS
◼ Tanpa tegangan ◼ Dengan tegangan VSB

12
Penampang CMOS

13
 Lay Out CMOS
Potongan
melintang

Layout

14
 Penurunan Persamaan Arus -
Tegangan

15

©2012 Mervin T Hutabarat

Equipotential pada arah y (melebar) Kapasitansi gate-channel
(dielektrik SiO2) per
satuan area (1)
 ox
Cox =
tox

(2)

Muatan tersimpan dalam

Kapasitor (3)
Q = CV

Muatan tersimpan dalam

“potongan” equipotensial
(4)
Figure 4.8 Derivation of the iD–vDS characteristic of the NMOS transistor. dq = −Cox (W dx )vGS − v( x) − Vt 
16
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith
 Muatan pada celah potongan dq = −Cox (W dx )vGS − v( x) − Vt  sehingga

= −Cox W vGS − v( x) − Vt 
dq
dx

Medan listrik pada

“potongan”
dv( x )
E (x ) = −
dx

Laju elektron (drift)

Karena medan listrik
dv( x )
= − n E (x ) = − n
dx
dt dx
Arus drift pada celah “potongan”
dq dq dx
i= =
dt dx dt
dv( x )
Figure 4.8 Derivation of the iD–vDS characteristic of the NMOS transistor. i = −  n Cox W vGS − v( x) − Vt 
dx
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 17
 Arus drain yang disebabkan arus drift pada celah “potongan”
dv( x )
iD = −i =  n Cox W vGS − v( x) − Vt 
dx
dapat disusun menjadi

iD dx =  n Cox W vGS − v( x) − Vt dv(x )

Integrasi dengan batas source

dan drain atau x antar 0 dan L
dan tegangan 0 dan vDS
L v DS

 iD dx =  n Cox W vGS − v( x) − Vt dv(x )

0 0

memberikan
W 1 2 
iD = ( n Cox )  (vGS − Vt )v DS − vDS 
L 2 

Untuk saturasi vDsat = vGS − Vt arus drain menjadi iD =

1
(n Cox )W (vGS − Vt )2
2 L
18
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith
 iD =
1
(n Cox )W (vGS − Vt )2
2 L
1 W
iD = k n' (vGS − Vt )2
2 L

W 1 2 
iD = ( n Cox )  (v GS − Vt )v DS − vDS  definisi konstanta
L 2 
W 1 2  kn' =  n Cox
iD = kn' (v − V )v − vDS 
L 
GS t DS
2 
19
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith