ELEKTRODINAMIKA

SESI-5
 KONDUKTOR,
DIELEKTRIK, DAN
KAPASITANSI
 5.1 ARUS DAN KERAPATAN ARUS
Muatan listrik yang bergerak membentuk arus. Satuan arus ialah
ampere (A) yang didefinisikan sebagai laju aliran muatan yang
melalui titik acuan (atau menembus suatu bidang acuan) sebesar
satu coulomb per detik. Arus diberi lambang I, maka

dQ
I
dt

Pertambahan arus I yang melalui pertambahan permukaan S

yang normal pada kerapatan arus ialah
I  J N S
Dan dalam hal kerapatan arusnya tidak tegak
lurus terhadap permukaan.
I  J  S
Arus total diperoleh dengan mengintegrasi

I   J  dS
S
arus resultannya ialah
Q x
I   v S
t t
Jika kita ambil limit terhadap waktu, kita
dapatkan

I  v S vx
Dengan vx menyatakan komponen kecepatan v.
Jika dinyatakan dalam kerapatan arus, kita
v
dapatkan.
J x v x
Dan umumnya

J x  v v
5.2 KEMALARAN ARUS
Arus yang menembus permukaan tertutup ialah

I   J  dS
s

Dan prinsip kekekalan muatan menyatakan

dQi
I  J  dS  
s dt
bentuk diferensial atau bentuk titiknya diperoleh dengan
mengubah integral permukaan menjadi integral volume melalui
teorema divergensi

 J  dS   V  J  dv
s vol

Dan menyatakan muatan yang terlingkungi Qi dengan integral

volume dari kerapatan muatan

vol V  J  dv   dt
d

vol
v dv

Apabila permukaannya tetap maka turunannya muncul dalam

tanda integral
v
 V  J  dv  
vol vol

t
dv
 Maka
v
V  J  dv   v
t
Dan bentuk titiknya
v
VJ 
t
kita perhatikan kerapatan arus yang arahnya keluar secara
radial
1 t A
J  e ar 2
r m
Dengan t=1 s, maka arus max pada r=5 m
 1 1 

I  J r S   e  4 5  23.1 A
2

5 
Pada saat sama dan r=6 m, maka

 1 1 

I   e  4 6  27.7 A
2

6 
Arus nya lebih besar di r=6 daripada di r=5.Kemudian tinjaulah
Persamaan kontinuitas

v  1 t  1   2 1 t  1 t
  V  J  V   e ar   2  r e   e
t  r  r r  r  r 2
Maka konstanta integralnya

v    2 e dt  K r   2 e  K r 
1 t 1 t
r r
Jika v  0 dan t  , maka K(r) = 0
 1
v  e t
r2
Dengan menggunakan J = vv , maka kecepatannya

1 t
Jr e
vr   r r m
v
s
1 t
2
e
r
Beberapa gaya mempercepat kerapatan muatan dalam arah
keluar
 5.3 KONDUKTOR LOGAM
Dalam medan E, elektron yang bermuatan Q = -e akan mengalami gaya

F = -eE
Mobilitas diukur dalam m2 per V-detik

vd   e E
Dapat diperoleh

J    e e E
Hubungan antara J dan E

J = σE
Konduktivitas dinyatakan dalam kerapatan muatan dan
mobilitas elektron

    e e
Karena serbasama maka

I  s J  dS  JS

Dan a a
Vab    E  dL   E   dL   E  Lba  E  Lab
b b
Atau
V = EL
Jadi
1 V
J   E  
S L

atau

L
V  I
S
Resistansi dari tabung adalah

L
R 
S
Resistansi dalam medan yang tidak serbasama

a
Vab  b E  dL
R 
I  E  dS s
5.4 SIFAT KONDUKTOR DAN SYARAT BATAS
Medan elektronikanya

 E  dL  0
Sepanjang lintasan tertutup abcda, maka integralnya


b

c
  0
d a

a b c d

Dengan E=0dalam konduktor, didapatkan

1 1
Et w  EN , pada h  EN , pada h  0
b2 a2
Karena h dapat diabaikan, maka
Dan menghasilkan

Et w  Et0 = 0
Dengan memakai hukum Gauss

 D  dS  Q
Dan diintegrasikan pada permukaan yang berbeda

   0
atas bawah pinggir
Kedua suku terakhir didapati = 0, maka

DN S  Q   S S
atau
DN = ρS
Syarat batas yang dicari untuk batas ruang hampa konduktor
dalam elektrostatika

Dt  Et  0
EN 0 EN   S
Untuk meringkas prinsip yang dipakai pada konduktor
dalam medan elektrostatik, kita nyatakan bahwa :
1. Intensitas medan listrik statik dalam konduktor
aialah nol
2. Intensitas medan listrik statik pada permukaan
konduktor mempunyai arah normal terhadap permukaan
3. Permukaan konduktor merupakan permukaan
sepotensial
5.5 METODE SANTIR
Dua muatan yang sama besar tetapi tandanya berlawanan dapat
diganti dengan sebuah muatan dan bidang datr konduktor tanpa
mengubah medan diatas permukaan V = 0

+Q
+Q

-Q +Q

Bidang datar konduktor V=0

Permukaan sepotensial V=0

-Q
Suatu konfigurasi bidang datar konduktor dapat diganti oleh
konfigurasi muatan yang diketahui tersebut ditambah dengan
konfigurasi santirnya, tanpa bidang konduktor tersebut

+1 +1
ρL ρL

Bidang Datar Konduktor V=0 Permukaan Sepotensial V=0

+1
-ρL

-4
5.6 SEMIKONDUKTOR
Pada bahan semikonduktor intrinsik seperti germanium atau silikon murni
ada dua jenis pembawa arus yaitu elektron dan lubang (hole). Elektronnya
datang dari bagian atas pita valensi penuh yang menerima energi yang cukup
(biasanya energi termal) untuk menyeberangi pita terlarang yang relatif kecil
ke pita produksi. Jurang pita energi yang terlarang biasanya dalam orde satu
elektronvolt. Kekosongan yang ditinggalkan elektron tersebut menjadi tingkat
energi yang tak terisi pada pita valensi yang dapat juga berpindah dari satu
atom ke atom lainnya dalm kristal. Kekosongan ini disebut lubang , banyak
sifat semikonduktor dapat digambarkan dengan memperlakukan lubang
tersebut seakan-akan bermuatan positif e dengan mobilitas μh dan masa
efektif yang hampir sama dengan masa efektif elektron. Kedua jenis pembawa
ini bergerak dalam medan listrik dan arah geraknya berlawanan ; jadi masing-
masing akan memberi sumbangan pada arus total. Konduktivitasnya
merupakan fungsi dari konsentrasi lubang, konsentrasi elektron dan mobilitas

    e e   h  h
Untuk germanium murni, mobilitas elektronnya 0,36 dan
mobilitas lubangnya 0,17 ; sedangkan untuk silikon,
mobilitasnya ialah 0,12 dan 0,025. Satuannya adalah meter
persegi per volt detik dan besarnya berkisar antara 10 sampai
100 kali mobilitas dalam alumunium, tembaga, perak dan
konduktor logam lainnya. Mobilitas tersebut berlaku untuk
temperatur 300 K. Konsentrasi elektron dan lubang sangat
tergantung pada temperatur. Pada 300 K, kerapatan muang ruang
elektron dan lubang adalah 3,0 C/m3 pada germanium intrinsik ;
sedangkan pada silikon, besarnya 0,0024 C/m3. Harga tersebut
menyebabkan konduktivitas sebesar 1,6 Ω/m pada germanium
dan pada silikon 0,0035 Ω/m. Bila temperaturnya naik,
mobilitasnya turun, tetapi kerapatan muatan naik sangat cepat.
Hasilnya, konduktivitas bertambah dengan faktor 10 bila
temperaturnya naik dari 300 ke 330 K dan berkurang dengan
faktor 10 ketika temperaturnya turun dari 300 ke sekitar 275 K.
Konduktivitas semikonduktor intrinsik bertambah terhadap
temperatur, sedangkan konduktivitas konduktor logam menurun
terhadap temperatur. Semikonduktor intrinsik juga memenuhi
hukum Ohm bnetuk titik ; ini berarti konduktivitasnya hampir
tetap terhadap kerapatan arus dan terhadap arah kerapatan arus
tersebut. Banyaknya pembawa muatan dan konduktivitas dapat
dinaikkan berlipat ganda dengan menambah ketidakmurniannya.
Bahan donor menyediakan elektron tambahan dan membentuk
semikonduktor tipe-n (jenis-n) , sedangkan akseptor
menyediakan lubang
tambahan dan membentuk semikonduktor tipe-p (jenis-
p). Proses seperti ini dikenal sebagai “doping” . Dan
konsentrasi donor pada silikon hanya 1 bagian dalam
107 , tetapi menyebabkan penambahan konduktivitas
dengan faktor 105. Harga konduktivitas berubah
sangat besar dari bahan isolator ke semikonduktor
terus ke konduktor yang baik. Jika dinyatakan dalam
ohm per meter, harga σ berkisar 10-17 untuk kuatrz
yang dilebur, 10-7 untuk isolator plastik, dam kira-kira
1 untuk semikonduktor sampai 108 untuk konduktor
logam pada temperatur kamar. Harga-harga tersebut
meliputi jangkauan sampai orde sebesar dua puluh
lima kali.
 5.7 SIFAT BAHAN DIELEKTRIK
Kedua jenis dwikutub yang digambarkan dengan momen dwikutub p
seperti yang dikembangkan dalam pasal 4.7, persamaan (37)
p  Qd
Dengan Q menyatakan muatan fositif dari pasangan muatan yang
membentuk dwikutub dan d merupakan vektor dari muatan negatif
dengan muatan positif.
Jika terdapat n dwikutub per satuan volume dan kita meninjau
volume ∆v, maka ada n ∆v dwikutub. Dan momen dwikutubnya
didapat dengan menjumlahkannya secara vektor,
n v
ptotal   pi
i 1

polarisasi P didefinisikan sebagai momen dwikutub per satuan volume,

n v
1
P  lim
v0 v
 i 1
pi

Dengan satuan coulomb per meter persegi.

Jadi karena ada n molekul/m3 muatan total neto yang melewati unsur
permukaan dalam arah ke atas ialah nQd cos  S, atau

Qb  nQd  S

dengan subskrip pada Qb untuk mengingatkan kita bahwa muatannya terikat

(bound) bukan muatan bebas. Dinyatakan dalam pengutuban (polarisasi), kita
peroleh

Qb  P  S
Jika ditafsirkan S sebagai unsur dari permukaan tertutup dalam
bahan dielektrik, maka arah S adalah keluar, dan pertambahan
neto muatan terikat di dalam permukaan tertutup dapat kita
peroleh dengan integrasi
Qb    P  dS
s

Mula-mula kita tulis hukum Gauss dalam fungsi Eo E dan QT

muatan total yang terlingkung, baik yang terikat maupun yang
bebas.

Qr   0 E  dS
s
Dengan
Qr  Qb  Q
kombinasikan ketiga persamaan terakhir, kita dapatkan rumusan
untuk muatan bebas yang terlingkung.

Q  Qr  Qb   0 E  P   dS
s
Sekarang kita dapat mendefinisikan D dalam bentuk yang lebih
umum daripada dalam Bab 3.

D  0 E  P
Di situ terlihat ada penambahan suku pada D jika ada pengutuban
dalam bahan. Jadi
Q   D  dS
s

Q menyatakan muatan bebas yang terlingkung

Dengan memakai beberapa bentuk kerapatan muatan ruang, kita
dapatkan

Qb   b dv
v

Q   v dv
v

QT   T dv
v
Dengan pertolongteorema divergensi, kita dapat mengalihkan
(20), (21) dan (24) kebentuk yang setara dengan hubungan
divergensi,
  P   b
  0 E  T
  D  v

Hubungan linear antara P dan E adalah

P  e 0 E
Dengan menggunakan hubungan dalam (23), kita dapatkan
D  0 E   e 0 E  e  1 0 E
Ekspresi di dalam kurung sekarang didefinisikan sebagai
R   e  1
Ini adalah besaran tak berdimensi lainnya dan disebut sebagai
permitivitas relatif, atau tetapan dielektrik bahan. jadi.

D  0R E D  E
Dengan
  R 0
Kita dapatkan bahwa tiap-tiap komponen D dapat
merupakan suatu fungsi dari setiap komponen E dan D
= E menjadi suatu persamaan matriks dengan D dan E
masing-masing adalah matriks dengan kolom 3 x 1 dan
 matriks bujur sangkar 3 x 3. Ekspansi persamaan
matriks ini menghasilkan

Dx xx Ex  xy Ey  xz Ez

Dy yx Ex  yy Ey  yz Ez
Dz zx Ex  zy Ey  zz Ez
Ringkasnya, sekarang kita mempunyai hubungan antara D dan E
yang bergantung dari bahan dielektrik yang ada.
Dengan
D  E

Kerapatan fluks listrik ini masih berpautan dengan muatan bebas

melalui bentuk titik atau bentuk integral hukum Gauss:

  R 0
  D  r
5.8 SYARAT BATAS BAHAN DIELEKTRIK SEMPURNA

Kita tinjau dahulu permukaan batas dua jenis bahan dielektrik yang
premitivitasnya 1 dan 2 dan menempati daerah 1dan 2 seperti
yang terlihat pada gambar 5. 10.
Pertama kita tinjau komponen tangensial dengan memakai

 E.dL  0
Mengelilingi lintasan tertutup kecil pada ruas kiri
persamaan , maka kita dapatkan

Etan I w  Etan 2 w  0

Kontribusi kecil pada integral garis yang datang dari

kompenen normal E sepanjang bagian yang panjangnya
h menjadi sangat kecil ketika h mengecil dan lintasan
tertutupnya menyempit pada permukaan sehingga
Kontribusi kecil pada integral garis yang datang dari
komponen normal E sepanjang bagian yang panjangnya
h menjadi sangat kecil ketika h mengecil dan lintasan
tertutupnya menyempit pada permukaan. Sehingga
Etan 1 = Etan 2
hukum tegangan Kirchoff masih berlaku untuk kasus ini.
Tentu saja kita sudah memperlihatkan bahwa beda
potensial antara dua titik pada perbatasan terpisah
sejarak w sama saja di bawah atau di atas perbatasan.
Jika intensitas medan listrik tangensial malar melalui
perbatasan, maka D tangensial akan tak malar, karena

Dtan1 Dtan 2
 Etan1  Etan 2 
Atau 1 2
Dt an 1 1

Dt an 2 2
sisinya diambil sangat pendek , dan fluks yang
meninggalkan permukaan atas dan bawah ialah

DN 1S  DN 2 S  Q  PS S
Sehingga
DN 1  DN 2   S

. Muatan ini harus sengaja diletakan disitu, sehingga

mengimbangi muatan total dalam dan pada badan
dielektrik tersebut. kecuali hal khusus maka ia harus
menganggup s = 0 pada perbatasan dan
DN 1  DN 2
Atau komponen normal D harus malar. Sehingga
1 E N 1   2 E N 2
Dan E normal takmalar
karena komponen normal D malar
DN 1  D1 cos1  D2 cos 2  DN 2
Dtan1 D1 sin 1 1
Rasio komponen tangensial diberikan  
Dtan 2 D2 sin  2  2
Atau
 2 D1 sin 1  1D2 sin  2
pembagian persamaan ini (35) menghasilkan
tan 1 1

tan  2 2
Dalam gambar 5.11 kita anggap
Arah E yang dekat dengan perbatasan sama dengan arah D,
karena D=E.
Besar D dalam daerah 2 didapat dari (35) dan (36)
2
 
D2  D1 cos2 1   2  sin 2 1
besar E2 ialah  1 

 1  2
E2  E1 sin 1    cos 1
2

 2 
Kedua komponen D dan E yang tangensial keduanya harus nol
supaya memenuhi hubungan

Dan
 E.dL  0
D = E
Akhirnya pemakaian hukum Gauss ,

 D.dS  Q
S

D dan E keduanya mempunyai arah yang tegak lurus terhadap

permukaan konduktor, serta Dn = ps dan En = ps . syarat batas
yang telah kita kembangkan untuk perbatasan ruang bebas-
konduktor berlaku juga untuk perbatasan konduktor-dielektrik
jika kita mengganti 0 dengan . jadi
Dt = Et = 0
DN = EN = S
hukum Omh
J = E
persamaan kemalaran
v
.J  
t
j dan  berpautan dengan muatan bebas saja ,
v  v
.E   atau . D  
t  t
Jika mediumnya serbasama sehingga
 v
.D  
 t
kita pakai persamaan pertama Maxwell untuk mendapatkan
 v
v  
 t
5.9 KAPASITANSI
KAPASITANSI Q
C=
V0

nyatakan Q sebagai integral permukaan pada konduktor positif,

dan kita peroleh Vo dengan membawa satuan muatan positif dari
permukaan negatif ke muatan positif.

 E.dS
S
C= 
  E.dL

 menyatakan permitivitas dielektrik serbasama, dan
D = PSaz
Muatan pada bidang bawah harus positif,
DN = Dz = pS
Sama dengan kerapatan muatan permukaan di situ. Pada bidang
atas,
DN = Dz
Dan muatan permukaannya negatif dari muatan permukaan pada
bidang bawah.
Beda potensial antara bidang bawah dan atas ialah

S S

bawah
E.dL  
0
Vo =  dz  d
atas d  
muatan total pada masing-masing bidang besarnya takberhingga,
maka kapasitansinya takberhingga. Jawaban yang praktis
diperoleh jika kita tinjau bidang yang luasnya S yang dimensi
linearnya jauh lebih besar dari jarak d. medan listrik dan
distribusi muatannya hampir serbasama pada setiap titik yang
cukup jauh dari pinggiran, dan kontribusi dari daerah pinggir
tersebut kepada kapasitas totalnya sangat kecil, hal ini
memungkinkan kita untuk menuliskan hasil yang sudah dikenal.
Q = PSS
S
Vo = d

Q S
C= 
V0 d
Kapasitansi parsial antara tiap pasangan konduktor. Hal ini
dibahas secara sangat menarik dalam pekerjaan Maxwell.
Akhirnya, energi total yang tersimpan dalam kapasitor ialah

1 1 S d S2
1 S
2
1 S pS d 2
2
WE =  E 2 dv    dzdS  Sd 
2 vol 2 0 0  2
2  2 d 2

Atau 2
1 1 1 Q
WE = CV02  QV0 
2 2 2 C
merupakan rumusan yang sudah dikenal. Persamaan (45) juga
menunjukkan bahwa energi yang tersimpan dalam kapasitor
dengan beda potensial tetap akan bertambah jika tetapan
dielektrik mediumnya bertambah.
5.10 BEBERAPA CONTOH KAPASITANSI
contoh pertama kita ambil kabel sesumbu (koaksial) atau
kapasitor sesumbu dengan jari-jari dalam a, jari-jari b, dan
panjang L, beda potensialnya telah diketahui dari persamaan
(11), pasal 4.3 dan kuantitas tersebut dibagi dengan muatan total
PLL, jika panjangnya L. jadi,

2L
C=
1n(b / a )

tinjau kapasitor bola yang dibentuk oleh dua kulit – bola-

konduktor sesumbu berjari-jari a dan b, b > a. rumusan medan
listrik telah diperoleh melalui hukum Gauss,
Q
Er =
4r 2
daerah antara kedua bola diisi dengan dielektrik yang
permitivitasnya E rumusan beda potensialnya diperoleh dengan
melakukan integral garis. Jadi,
Q 1 1
Vab =  
4r  a b 

Q menyatakan muatan total pada bola dalam, dan kapasitasnya

menjadi
Q 4
C= 
Vab 1 1

a b
Jika bola luarnya menjadi besar tak berhingga, kapasitansi
konduktor bola yang terisolasi,
C = 4
Untuk yang berdiameter 1 cm, atau bola sebesar kelereng
C = 0,556 pF
Dalam ruang hampa.
Dengan menutup bola tersebut dengan lapisan dielektrik yang
berbeda yang mempunyai  = 1, berkisar dari r = a ke r = r1,
Q
D = 4r 2

Er = Q (a < r < r1)

Q Q
4 0 r 2 = 4 1r 2 (r1 < r)

Sehingga beda potensialnya menjadi

a Qdr r2 Qdr
Va – V1 =  
b 41r 2 a 4 0 r 2

Q 1 1 1 1 
=      
4  1  a r1   0 r1 
Sehingga
4
C=
1 1 1 1
   
1 
a r1 
  0 r1

beda potensial antara kedua keping adalah Vo. Intensitasnya

medan listrik dalam kedua daerah tersebut. E2 dan E2, keduanya
serbasama dan Vo = E1, d1 + E2 d2. Pada permukaan batas, E
normal dan Dn1 = Dn2, atau 1 E1 = 2 E2. Dengan meniadakan E2
dalam hubungan Vo tersebut, kita peroleh
V0
E1 =
d1  d 2 (1 /  2 )

besarnya kerapatan muatan permukaan ialah

V0
PS1 = D1  1E1 
d1 d2

1 2
D1 = D2, besar muatan permukaan pada masing-masing keping
sama. Kapasitansinya menjadi

Q S S 1 1
C=   
V0 V0 d d 1 1
1
 2

 1S  2 S C1 C2
5.11 KAPASITANSI SALURAN DUA KAWAT

pilih R10 = R20 ini berarti kita menempatkan acuan nol pada
jarak yang sam dari masing-masing garis. Permukaan ini terletak
pada bidang – datar x = 0. Dengan menyatakan R1 dan R2 dalam
x, dan y, kita dapatkan

L ( x  a)  y 2
L x  a   y
2 2
V= 1n  1n
2 ( x  a)  y
2 2
4 x  a 2  y 2
Pilih permukaan sepotensial V = V1, kita definisikan K1 sebagai
parameter takberdiamensi yang merupakan fungsi dari potensial
V1.
4v1 / L
K1 = e
Maka:
K1 =
x  a 2  y 2
x  a   y 2
2

Setelah pengalian dan pengumpulan suku yang berpangkat sama,

kita peroleh
K1  1
x2 – 2ax  y2  a2  0
K1  1
lengkapkan pangkat kuadratnya,
2
 2a K1 
2
 K1  1 
 x  a   y  
2 
 K1  1   K1  1 
 
Yang menunjukkan bahwa permukaan sepotensial V = V1 tidak
tergantung pada z (atau merupakan tabung) dan memotong
bidang xy pada lingkaran yang berjari-jari b,
b= 2a K1
K1  1
yang berpusat di x = h, y = 0, dengan
K1  1
h= a
K1  1

sebuah biadang konduktor berpotensial nol pada x = 0, dan

sebuah tabung konduktor berjari-jari b dan berpotensial Vo yang
sumbunya terletak pada jarak h dari bidang tersebut di atas. Kita
pecahkan dua persamaan terakhir untuk a dan K1 yang
dinyatakan dalam b dan h.
a=
h2  b2
dan
h h2  b2
K1 
b
Tetapi potensial tabung adalah Vo. jadi (53) menjadi

K1  e 2V0 / PL
Sehingga
PL = 4V0
1nK1

jika diketahui h, b dan Vo . kita dapat menetukan a, PL dan

parameter K1. Kapasitansi antara tabung dan bidang sekarang
dapat ditentukan. Untuk panjang L dalam arah z, kita dapatkan
C = LL 
4L

2L
V0 1nK1 1n K1

Atau
2L 2L
C=

1n (h  h  b )b
2 2

cosh1

( h / b)
Lingkaran hitam pekat dalam gambar 5.17 memperlihatkan
penampang lintang tabung berjejari 5 m pada potensial 100 V
dalam ruang hampa, dimana sumbunya terletak 13 m dari
bidang berpotensial nol. Jadi b = 5. h = 13, Vo = 100 dan secara
cepat kita dapatkan lokasi muatan garis setara dari (54).
a= h 2  b 2  132  52  12
2m
nilai parameter potensial K1 dari (55).
K1 = 25

Kekuatan muatan garis setara dari (56),

h  h2  b2 13  12
PL = K1    5, nC/m
b 5
Dan kapasitas antara tabung dan bidang dari (57)
C=
4V0 4x8.854 x10 12 x100
  3.46
1nK1 1n25
2 2x8.854 x10 12
1
 1
 34.6 pF/m
cosh (h / b) cosh (13 / 5)
Kita juga dapat menetukan tabung yang menyatakan permukaan
sepotensial 50 V dengan mencari nilai baru untuk K1, h dan b.
pertama-tama kita pakai (53) untuk mendapatkan

4V1 / L 4x 8.854x1012 x 50 / 3.46 x109

K1 = e e  5.00

Maka jejari barunya adalah

2a K1 2 x12 5
  13.42
b = K1  1 5 1 m

dan nilai h menjadi

K1  1 5 1
h= a  12  18 m
K1  1 5 1

tabung ini diperlihatkan dengan lingkaran berwarna dalam

Gambar 5.17.
intensitas medan listrik dapat ditemukan dengan mengambil
gradien medan potensialnya, seperti pada (52).
 L ( x  a)2  y 2 
E =    4 1n ( x  a ) 2  y 2 
 
Jadi
pL  2( x  a)ax  2 ya y 2( x  a)ax  2 ya y 
E=    
4  ( x  a)  y
2 2
( x  a) 2  y 2 
Dan
PL  ( x  a)ax  ya y ( x  a)ax  ya y 
D = E     
2  ( x  a)  y
2 2
( x  a)2  y 2 

Jika kita evaluasi Dx pada x = h – b , y = 0, kita peroleh Psmaks

PS maks =  Dx , x  h  b , y  0  pL  h  b  a  h  b  a 
 2
2  (h  b  a ) 2
(h  b  a) 
Untuk contoh kita,

3.46 x10 9  13  5  12 13  5  12 
PS maks =   2
 0.1650 nC/m2
2  (13  5  12) (13  5  12) 
2

Dengan cara yang sama PS min = Dx, x = h + b, y = 0, dan

PS min = 3.46 x10 9 13  5  12 13  5  12 

    0.0734 nC/m2
2  30
2
6 2


Jadi, PS maks = 2,25 PS min

Jika kita pakai (57) untuk soal konduktor dengan b < h, maka
2L
C= (b << h)
1n(2h / b)
 z
Q  v v z
Q  v v

y
y
x
L
S S L
x
x

Pertambahan muatan Q = SL yang berpindah sejarak x dalam waktu t, menimbulkan
kerapatan arus yang limitnya Jx = vx.
 KONDUKTIVITAS

I  JS LUAS  S
E
V
L

Kerapatan arus serbasama J dan intensitas medan listrik E pada tabung

yang panjangnya L dan luas penampangnya S. di sini V = IR, dengan R =
L/S.
 RUANG HAMPA

D EN E

DN s a w b
h
h h
Et
D d w c

Lintasan tertutup dan permukaan Gauss yang sesuai digunakan untuk

menentukan syarat batas pada perbatasan konduktor – ruang hampa : Et =
0 dan Dn = ps
 y

1
1 2 3
0 X
X2 – Y2 = 3
-1 v = 300 v
P(2,-1,3)
-2
XY = -2
-3

Bila diberikan titik P (2, -1, 3) dan medan potensial V = 100 (x2 –y2), maka kita dapatkan permukaan
sepotensial yang melalui P yaitu x2 – y2 = 3, dan garis medan yang melalui P adalah xy = -2.
 +Q +Q

-Q

+Q +Q

PERMUKAAN SEPOTENSIAL v = 0 BIDANG DATAR KONDUKTOR v = 0

-Q

(a) (b)

(a) Dua muatan yang sama besar tetapi tandanya berlawanan dapat diganti dengan (b) sebuah
muatan dan bidang-datar konduktor tanpa mengubah medan di atas permukaan V = 0
 -4
-4
+1
+1
ρL ρL

BIDANG DATAR KONDUKTOR V = 0 BIDANG DATAR KONDUKTOR V = 0

- ρL
-1

+4

(a) Suatu konfigurasi muatan di atas bidang-datar konduktor

dapat diganti oleh (b) konfigurasi muatan yang diketahui
tersebut ditambah dengan konfigurasi santirnya, tanpa
bidang konduktor tersebut.
 z z

30 nC/m 30 nC/m
BIDANG KONDUKTOR R+

y y
P
P(2,5,0) R-
-30 nC/m

x
x

(a) (b)

(a) Sebuah muatan garis di atas bidang konduktor (b) konduktor dihilangkan, dan bayangan
muatan garis ditambahkan.
 BAHAN DIELEKTRIK

∆s E

(a)
+

+ + + +
+
+ + + - ½ d cos θ
+ +
- - + + - - ½ d cos θ
-
- - - -
- - -
(b)

(a) unsur pertambahan permukaan S ditunjukkan berada dalam dielektrik

dalam medan listrik E.
(b) molekul takberkutub membentuk momen dwikutub p dan pengutuban P.
ada peralihan neto muatan terikat melewati S.
 DN 1
DAERAH 1
∆S
Etan 1

Etan 2

DAERAH 2 DN1

Perbatasan antara dilektrik yang permitivitasnya ε1 dan ε2. Kemalaran Dn diperlihatkan

dengan permukaan Gauss di sebelah kanan, dan kemalaran Etan dengan integral sekeliling
lintasan tertutup di sebelah kiri.
 D1
DN1

ε1 Dtan 1

D2 DN2
ε2
Dtan 2

Pembiasan D pada perbatasan dielektrik. Untuk kasus ini ε1 lebih besar dari ε2 ; E1 dan E2
searah dengan D1 dan D2, dengan D1> D2 dan E1< E2.
 PERMUKAAN
-ρs
KONDUKTOR
KERAPATAN
PERMUKAAN
MUATAN
BERSAMA
PERMUKAAN
KONDUKTOR +ρs

Persoalan kapasitor keping-keping kapasitas per satuan luas

permukaan ialah e/d.