MOSFET Sebagai Saklar

Aplikasi dari Enhancement MOSFET pada ummumnya digunakan sebagai penyaklaran

(switching) elektronik.
Operasi MOSFET
D

VDS
G

VGS

n-kanal
N kanal MOSFET
Dengan makin besar VGS, akan makin besar konduktivitas dari kanal,
Dan akan makin besar mengalirnya arus dari Drain ke Source

Terdapat 3 daerah kerja untuk MOS, yaitu:

• Cut off, pada VGS ≤ VT
• Saturasi, pada (VGS -VT) ≤ VDS
• Daerah Linier atau Resistif , pada (VGS -VT) ≥ VDS

MOS Sebagai Resistor:

Drain dihubungkan langsung ke Gate secara permanen
VDD

VDS = VGS
VDS > (VGS -VT) Berada dalam daerah aktif (konduksi)
Karean VGS= VDS, maka merupakan tegangan pd non-linear resistor, jd pd grafik I-V,
Harga r = V/I , dan I = 0,5 β ( V- VT)2 V > VT
I=0 V ≤ VT
Dari pers diatas, maka harga tahanan sinyal kecil untuk setiap I adalah:
1
r= untuk V > VT
√2βI
2 VT
Dan harga tahanan dc adalah r = + untuk V > VT
√βI I
N-Kanal MOSFET
Tegangan supply positip VDD menyebabkan positip arus mengalir dari Drain ke Source
Terdapat 2 level tegangan merupakan fungsi dari tegangan Threshold VT , yaitu:
- Level rendah, antara 0 ke VT
- Level tinggi, antara VT hingga VDD
N kanal gate memakai logic positip

P-Kanal MOSFET
Tegangan supply negatip VDD menyebabkan positip arus mengalir dari Source ke Drain
Terdapat 2 level tegangan merupakan fungsi dari tegangan Threshold VT , yaitu:
- Level rendah, antara 0 hingga negatip VT
- Level tinggi, antara negatip VT hingga negatip VDD
P kanal gate memakai logic negatip
N-MOS Inverter:

VDD
D VDD

G S R
Output Output
D
D
G G
Input S
Input S

Q1 sebagai resistor
Bila input rendah dibawah VT , Q2 akan OFF, karena Q1 selalu ON, maka tegangan
output akan tinggi (VDD –VT)
Bila tegangan output tinggi diatas VT, Q2 akan ON, dan arus akan mengalir dari VDD
melalui R (Q1 sebagai resistor) ke Q2, dengan demikian output akan rendah.
Resistansi Q1 di design 10x lebih besar dari resistansi Q2, yang berarti bahwa β1
besarnya 10 kali β2

VGS1= VDD - VON

ID1= ½ β1(VGS1 -VT)2 = ½ β1 [(VDD –VON) -VT]2
Dan arus MOSFET pd daerah resistif,
ID = β1[(VGS -VT) VDS – 0,5 VDS2]
Dengan VGS2= VDD - VT, maka
ID2 = β2 [(VDD -VT -VT) VON – 0,5 VON2]
Dan ID1 = ID2, jadi
½ β1 [(VDD –VON) -VT]2 = β2 [(VDD -2VT) VON – 0,5 VON2]
Maka VON dapat dihasilkan.

Contoh:
NMOS Inverter pd gbr diatas mempunyai VT1= VT2= 2V, β1 =0,025x10-3, β2 =0,25x10-3,
VDD= 10V. Tentukan output tinggi dan output rendahnya
Jawab:
Output tinggi = (VDD –VT) =10 – 2 = 8V
Output rendah adalah
½ β1 [(VDD –VON) -VT]2 = β2 [(VDD -2VT) VON – 0,5 VON2]
½ (0,025 x10-3) (10 – VON – 2)2 = 0,25 x10-3 [(10 – 4) VON – 0,5 VON2]
0,0125 (8 - VON)2 = 0,25 (6VON – 0,5VON)2
11VON2 – 136 VON + 64 = 0
Dengan rumus abc, didapat :
136 ± √( 1362 −4𝑥11𝑥64)
VON = = 11,87 dan 0,49
22
Jadi VON = 0,49V.
CMOS (Complementary MOS):
Menggunakan N kanal dan P kanal
- N kanal konduksi bila VGS positip ( > + VT )
- P kanal konduksi bila VGS negatip ( < - VT )
- Keduanya OFF, bila VGS = 0 atau
N kanal OFF, bila VGS positip ( < + VT )
P kanal OFF, bila VGS negatip ( > -VT )

CMOS Inverter:
Misal NMOS dan PMOS mempunyai |VT| = 2V, yaitu
NMOS mempunyai VT = 2V dan PMOS mempunyai VT = -2V
Bila Vin rendah (=0V), N kanal VGS = 0V dan P kanal VGS = -VDD, maka P kanal akan
konduksi dan N kanal tidak konduksi (OFF), karena itu Vo = VDD
Bila Vin tinggi (=VDD), untuk P kanal VGS = 0V, dan untuk N kanal VGS = VDD, maka P
kanal OFF dan N kanal ON, karena itu Vo = 0V.
VDD

S
G
D

Output
Input D

G
S