LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA ANALOG 2
KARAKTERISTIK FIELD EFFECT TRANSISTOR

Disusun oleh:
Ghiffari Hendana (141344013)
Partner:
Ajeng Fitria Febrianty (141344003)
Cynthia Nur Shaumawati (141344006)
Kenza Isa Mahardika (141344015)

Kelas: 2NK-1
Tanggal Praktikum: 11-12-2015
Tanggal Pengumpulan: 18-12-2015

D-IV
TEKNIK TELEKOMUNIKASI
POLITEKNIK NEGERI BANDUNG

I.Judul
PRAKTIKUM KARAKTERISTIK FIELD EFFECT TRANSISTOR

II. TUJUAN
1. Dapat memahami karakteristik dari Field Effect Transistor (FET) dilihat dari kurva
karaterstik yang dihasilkan dari praktikum.

III. LANDASAN TEORI

FET

Field Effect Transistor atau yang biasa disebut dengan istilah FET merupakan suatu
transistor yang bekerja bergantung dari satu pembawa muatan, apakah itu elektron ataupun
hole. Transistor berjenis ini memiliki prinsip kerja tegangan sebagai pengendalinya, berbeda
dengan BJT yang mengandalkan arus sebagai pengendalinya. Transistor jenis ini juga dikenal
dengan nama Unipolar Junction Transistor dikarenakan bekerja hanya bergantung pada satu
pembawa muatan saja.
Transistor jenis ini memiliki tiga kaki-kaki, yaitu Drain (d); Gate (g) dan juga Source
(s). FET dan transistor bipolar memiliki beberapa perbedaan yang mendasar selain perbedaan
nama kaki-kaki pada komponennya. Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut
adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB).
Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus
input adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.

Kurva karakteristik FET

Kelebihan FET (Field Effect Transistor)

Dibandingkan dengan BJT, FET memiliki beberapa kelebihan diantaranya adalah:
1. hambatan dalam input sangat besar, yaitu sekitar ~ 106 untuk JFET (Junction FET)
dan ~ 108 untuk MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
2. noisenya kecil, karena karena pembawa muatan pada FET tidak melewati hubungan
p-n sama sekali.
3. densitas FET sangat tinggi sehingga dapat dibentuk rangkaian integrasi lebih padat
4. lebih stabil terhadap suhu

Kekurangan FET (Field Effect Transistor)

Disamping itu kekurangan FET dibandingkan dengan BJT adalah:
1. kecepatan switchingnya lebih rendah/lambat
2. tidak mampu menanggani daya besar, walaupun saat ini sudah ada FET yang mampu
bekerja untuk daya besar.

Pada tegangan yang lebih tinggi, karakteristik diperumit oleh adanya ketidak simetrian
daerah deplesi. S akan lebih positif terhadap G dan D akan lebih positif terhadap S.
Karenanya dekat ujung D dan saluran menjadi paling positif terhadap G, panjar mundur
menjadi terbesar, dan daerah deplesi menjadi paling lebar. Dengan menurunnya vDS, panjar
mundur meninggi sampai kedua daerah deplesi hampir bertemu, terdapat kecenderungan
untuk mencomot (pinch-off) saluran konduksi. Pada gambar diatas, tegangan pinch-off vp
untuk = 0 vGS adalah sekitar 5 V.
Di atas pinch-off , kenaikan vDS akan menurunkan lebar saluran, membuat offset
kenaikan kerapatan arus akibat kenaikan tegangan D-S, dan kurva iD akan menjadi datar.
Karena tegangan saluran-G menentukan lebar lapisan deplesi, dengan adanya tegangan
negatif yang dikenakan pada G, pinch-off terjadi tegangan D-S yang rendah dan arus D
berharga rendah. Perhatikan bahwa untuk vGS = 0 pada gambar diatas, harga vDS 5V
memberikan tegangan saluran-G sebesar 5 V dan pinch-off terjadi; jika vGS = -4V, pinch-off
terjadi pada vDS 2V dimana tegangan saluran-G sama dengan Vp.
Di atas pinch-off kurva arus relatif datar sampai tegangan G-D mencapai suatu harga
terjadinya patahan avalanche. Bagian kurva karakteristik i-v dimana iD hampir tidak
tergantung pada vDS disebut arus-tetap atau daerah jenuh (saturation region).

Kurva Karakteristik FET

Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter.
Parameter parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun parameter dapat
berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif dan cut- off.
Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee)
VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis berprasikap maju. Pada
daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai I B. Tegangan jenuh kolektor emiter,
VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 volt sedangkan untuk transistor germanium adalah
0,1 volt.
Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break down)
VBR serta di atas IBICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi prasikap maju dan
sambungan kolektor diberi prasikap balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan
arus balik. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat aktif.
Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan sambungan
kolektor berprasikap balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB.
Sumber :

http://zonaelektro.net/fet-field-effect-transistor/
http://google.com
http://elektronika-dasar.web.id/karakteristik-junction-field-effect-transistor-jfet/
http://restupraharaputra.blogspot.co.id/2014/09/transistor.html

IV. ALAT DAN BAHAN

1. Power Supply

1 buah

2. Osiloskop

1 buah

3. Function Generator

1 buah

4. Kabel Capit Buaya/Banana Plug

1 set

5. Kabel BNC

1 set

6. Jumper

1 set

7. Protoboard

1 set

8. Multimeter Analog

1 buah

9. Multimeter Digital

1 buah

10. Resistor

1K

1 buah

11.

3K3

1 buah

12. Potensiometer

1K

1 buah

13.

220

1 buah

14. Transistor FET

BF224

1 buah

V. LANGKAH KERJA

a. Siapkan alat dan komponen yang diperlukan (tertera pada

halaman sebelumnya);
b. Rangkai rangkaian seperti pada gambar di atas;
c. Berikan input tegangan sebesar + 15 Volt DC dan 15 Volt DC;
d. Ukur ID dengan VDS dan VGS pada titik yang telah tertera dan
juga sesuai dengan nilai yang tertera pada tabel pengujian;
e. Ukur ID dengan VGS sesuai tabel pengujian dan dengan V DS 7
Volt;
f. Hitung nilai transconductance dari JFET dengan formula berikut
ini :
gm=

g. Catat

ID
ID 2ID 1
=
VGS VGS 2VGS 1

hasil

pada

tabel

pengujian

di

bagian

Data

Hasil

yang

telah

Pengukuran;
h. Bereskan/rapihkan
digunakan.

kembali

alat

dan

bahan

VI. Hasil
1.

Tabel Karakteristik Output ID = f (VDS) | VGS konstan

VGS = 0

VDS

VGS =
-0,25V

15
10
5
3
2
1,5
1
0,5
0

6,5
6,3
6
5,75
5,5
5
4,4
1,7
0

5,25
5
4,7
4,5
4,25
4
3,25
1,75
0

VGS =
-0,5V

VGS =
-0,75 V
ID (mA)
4
3
3,9
2,9
3,75
2,75
3,5
2,5
3,25
2,3
3,1
2,2
2,52
2,1
1,45
1,6
0
0

VGS = -1
V

VGS =
-1,25V

2,2
2
1,9
1,8
1,75
1,4
1,5
1,2
0

1,35
1,3
1,18
1,1
1,5
1
0,93
0,72
0

Karakteristik Output ID
16
14
12
10
8
6
4
2
0

2.

Karakteristik Output ID

Tabel Karakteristik Transfer ID = f (VGS) | VDS konstan 7 Volt

VGS
ID

0V

-0,25V

-0,5V

3.1

-0,75
V
6

-1 V

-1,25V

6.25

6.25

-1,5
V
6.25

karakteristik transfer ID
7
6
5

karakteristik transfer
ID

4
3
2
1
0
0

3.

-0.25 -0.5 -0.75

-1

-1.25 -1.5

Menghitung factor transconductance (gm)

VGS
(Volt)
I
D

0.25

0.25

0.25

-0.65

1.15

0.25

1.0

0.8

0.45

-2

3.5

0.7

0.25

0.25

0.4

0.13
8

(mA)
gm

3.2

1.8

3.07

3.04

2.8

1.6

0.55
2

(mA/v)

Faktor Transconductance
1.5
1
faktor
transconductance

0.5
0
-2
-0.5
-1

0.4

0.45

0.7

0.8

3.5

VGS

VII. ANALISA
Permasalahan 1 :
Arus yang diukur setelah mengganti nilai tahanan berubah drastis.
Solusi 1 :
Setelah diselidiki ternyata kerusakan terjadi pada potensiometer, dimana saat diputar
perlahan tahanan langsung berubah drastis. Hal tersebut menunjukan bahwa
potensiometer tersebut telah jebol dan tidak dapat digunakan untuk praktikum
kembali.

Permasalahan 2 :
Amplitudo yang tampil di layar osiloskop terkadang berubah-ubah nilainya tanpa
merubah pengaturan lainnya.
Solusi 2 :
Setelah transistor FET diganti dengan komponen yang baru akhirnya sinyal/tegangan
input yang diukur menggunakan osiloskop dapat tampil menjadi nilai yang
seharusnya (tidak berubah-ubah amplitudonya).

VIII. KESIMPULAN
Kesimpulan yang dapat kami ambil dari percobaan kali ini yaitu pada saat kami
melakukan percobaan karakteristik output ID, nilainya dari hasil pengukuran ID yaitu
berbanding lurus dengan nilai VGS dan juga VDS. Di saat nilai VGS dan VDS mengecil, maka
nilai ID pun akan ikut mengecil, begitu juga sebaliknya saat nilai VGS dan VDS membesar maka
nilai ID pun ikut membesar. Tetapi pada saat VGS diberi tegangan sebesar 0V, nilai ID akan
tetap berada di 0A tidak tergantung dengan berapapun tegangan VDS yang diberikan.
Pada percobaan lainnya kami pun masih mengalami keraguan pada hasil praktikum
yang telah dikerjakan dikarenakan kami mengerjakannya di hari yang berbeda dan kami pun
mendapatkan beberapa komponen yang sudah tidak berfungsi dengan baik, seperti Transistor
FET dan juga Potensiometer sudah tidak berfungsi dengan baik. Hal tersebut terbukti saat
kami melakukan pengujian komponen tersebut pada saat praktikum.