Bagian I No. 4.

Daerah operasi JFET (melalui grafik)

(Herman,2008.11)

Gambar 1.3. mmenunjukkan hubungan arus ID dan VDS yang masih mengikuti hukum ohm. Pada kondisi
seperti yang ditunjukkan gambar 1.3. dengan VGS = 0 dan VDS > 0, aliran elektron sepenuhnya hanya
tergantung pada resistansi kanal antara S dan D.

(Herman, 2008.13)

Gambar 1.5 adalah kurva karakteristik JFET kanal-N secara lengkap yang memperlihatkan jika VGS
dinaikkan terus kea rah negatif, maka pada suatu tegangan VGS negatif tertentu arus ID akan tetap
bernilai nol walaupun tegangan VDS dinaikkan. Tegangan VGS ini disebut dengan VGS (Off) atau
tegangan pinch-off (Vp). Hal ini karena daerah pengosongan pada kedua sisi saling bersentuhan.

Selanjutnya tegangan Vp = -4 Volt. Pada kurva bisa dilihat pada tegangan VDS saat VGS = 0 dan ID = IDSS.
Juga bisa dilihat tegangan VGS saat ID =0 meskipun VDS dinaikkan terus, yaitu VGS (off). Pada kondisi ini
harga Vp pada JFET kanal-N akan bernilai negatif dan pada kanal-P JFET akan bernilai positif.

Pada karakteristik transfer dan ouput JFET yang dapat dicari menggunakan persamaan Shockley. Dimana
karakteristik ini adalah hubungan antara arus drain ID dengan tegangan gate source (VGS) setelah
mencapai titik pinch-off. Walaupun harga VDS konstan, sebenarnya kurva karakteristik transfer ini tidak
bergantung pada nilai VDS. Hal ini karena setelah mencapai titik pinc-off, arus ID tetap konstan
walaupun tegangan VDS dinaikkan.

Pada gambar 1.7. ini merupakan hasil dari kurva karakteristik output pada gambar 1.5. dengan nilai IDSS
dan Vp yang telah diketahui dari buku data, maka hubungan ID dan VGS dapat diketahui. Dengan
memasukkan harga VGS ke dalam persamaan Shockley.

Berdasarkan gambar 1.7. terdapat empat wilayah operasi yang berbeda :

1. Daerah ohmik, ketika VGS = 0 maka lapisan penipisan channel akan sangat kecil dan JFET
bertindak seperti resistor yang dikontrol tegangan. Pada kondisi ini VDS yang diperlukan adalah
sebesar nilai Vp. Bila VGS dibuat semakin negatif, maka VDS yang diperlukan akan semakin kecil.
Hubungan VDS (sat) dinyatakan dengan persamaan :
VDS (sat) = VGS = Vp
2. Wilayah Cutt-OFF atau pinch-off (terjepit), merupakan tegangan gerbang-source, VGS cukup
untuk menyebabkan JFET bertindak sebagai rangkaian terbuka karena resistansi channel
maksimum.
3. Daerah Saturasi atau wilayah aktif, JFET menjadi konduktor yang baik dan dikendalikan oleh
tegangan gerbang source (VGS) sementara tegangan source-drain (VDS) memiliki sedikit atau
tidak ada efek. Pada daerah ini JFET hanya bertindak sebagai penguat. Pada derah ini arus ID
jenuh dan tergantung dari harga VGS dan tidak bergantung dari harga VDS yang sesuai dengan
persaamaan Shockley.
4. Wilyah breakdown- tegangan antara drain source (VDS) cukup tinggi untuk menyebabkan
channel JFET rusak dan melewatkan arus maksimum yang tidak terkontrol.

Kurva karakteristik untuk JFET P-Channel akan sama dengan gambar 1.7, kecuali arus drain (ID)
berkurang dengan meningkatnya tegangan gate-source positif VGS. Dimana arus drain akan sama
dengan nol ketika VGS = Vp untuk operasi normal, VGS bias berada di suatu tempat antara Vp dan 0.

Kegiatan 2, Nomor 2 :
Besaran-besaran listrik yang diterapkan pada MOSFET :

1. VDS (tegangan drain source ) adalah besar tegangan maksimum antara drain source,terjadi
karena arus lewat saluran yang berupa hambatan.
2. ID (sat) (arus jenuh saluran ): nilainya adalah ID (sat) = VDD/RD. ini merupakan arus yang mengalir
melalui saluran, besarnya saluran dikendalikan oleh tegangan VGS. ID juga merupakan arus
maksimal yang mengalir pada drain.
3. P (daya) : apabila nilai daya besar missal 1,6 KW maka akan bisa dibuat VMOS atau Mosfet
dengan daya besar.
4. RDS (hambatan drain source)
5. VDD ( tegangan cutt off)
6. RD ( tahanan drain)
7. VGS (tegangan gate-source) : tegangan panjar untuk e-mosfet, yaitu batasan jangka tegangan di
antara gate dan source. Biasanya dinyatakan dalam batasan – dan +.
8. RG (hambatan gate) : apabila 2 RG diparalelkan pada rangkaian sehingga nilainya besar di atas
1M yang akan mempengaruhi nilai VGS. Dimana semakin besar nilai hambatan maka VGS akan
semakin kecil dan keadaan perputaran motor semakin lambat.

Kesimpulan :

Secara umum besaran yang terdapat pada MOSFET adalah V, I, dan R. namun, memiliki variable ujung
yang berbeda tergantung pada kondisi atau daerah mana besaran tersebut bekerja.

Kesimpulan JFET

Transistor JFET terdiri dari dua jenis yaitu saluran N dan saluran P dengan pin Source, Drain dan Gate.
JFET memiliki dua dioda yaitu dioda gate-source dan dioda gate-drain. Pada operasi normal JFET, dioda
gatesource dibias balik, dimana tegangan gate mengendalikan kanal (arus drain). Arus drain maksimum
jika tegangan gate-source nol. Tegangan pinchoff membagi daerah JFET pada daerah ohmik dan daerah
aktif untuk VGS nol. Aplikasi JFET antara lain dapat digunakan sebagai penguat, saklar analog JFET,
sebagai resistor pengendali tegangan (daerah ohmik).

Kesimpulan MOSFET :

MOSFET terbagi atas MOSFET perkurangan (D-MOSFET) dan MOSFET pertambahan (E-MOSFET) dengan
jenis yaitu saluran N dan saluran P. Pin MOSFET terdiri dari Drain, Gate, Source dan Substrat (source dan
substrat biasanya dalam satu pin). Gate D-MOSFET dilindungi sehingga menghasilkan hambatan
masukan yang sangat tinggi. Pada E-MOSFET jika tegangan gate sama dengan tegangan ambang, lapisan
pembalik tipe n menghubungkan sumber ke saluran. Jika tegangan gate< tegangan ambang, E-MOSFET
konduksi secara berat. Secara umum E-MOSFET sebagai alat pensaklaran yang beroperasi antara
saturasi dan cutoff. Jika dibiaskan pada daerah ohmik, maka E-MOSFET berfungsi sebagai hambatan
kecil. Secara luas E-MOSFET digunakan sebagai pensaklaran digital khususnya dalam sistem teknologi
komputer karena dalam operasinya dapat berperan sebagai resistor besar dan sebagai saklar.