Nama : Daffa Ariesta Fathul Barri

Kelas : 2 TE

NPM : 1051902

Tugas Rangkuman Elektronika Daya

1. Transistor
- Proses Pembuatan ( Fabrikasi )
Pembuatan (pabrikasi) transistor bipolar dapat dilakukan dengan dua teknik, yaitu
struktur transistor-alloy melalui difusi dan struktur transistor planar. Gambar dibawah
menunjukkan struktur transistoralloy n-p-n. Kolektor terbuat dari chip semikonduktor
tipe-n dengan ketebalan kurang dari 1 mm2. Daerah basis dibuat dengan proses difusi
kemudian dibuat kontak logam untuk dihubungkan dengan kaki basis. Daerah emitor
dibuat dengan teknik alloy pada daerah basis. Sebagai hasilnya berupa sebuah
pasangan sambungan p-n yang dipisahkan oleh daerah basis kira-kira setebal kertas.
Untuk struktur planar, suatu lapisan tipe-n dengan tingkat doping rendah
ditumbuhkan di atas substrat n+ (tanda + menunjukkan tingkat doping sangat tinggi).
Setelah melalui proses oksidasi pada permukaan, sebuah jendela (window) dibuka
dengan proses penggerusan (etching) dan suatu pengotor (p) dimasukkan ke kristal
dengan proses difusi untuk membentuk sambungan (junction). Sekali lagi setelah
melalui reoksidasi, sebuah jendela kecil dibuka untuk proses difusi pembentukan
daerah emitor (n).
- Kurva Karakteristik

-
 - Contoh Pemakaian
Aplikasi/penggunaan transistor pada sistem kelistrikan sepeda motor bisa ditemukan
dalam rangkaian sistem pengapian semi transistor maupun full transistor, sistem
tanda belok yang menggunakan flasher tipe transistor, sistem pengisian yang
menggunakan pengaturan tegangan secara elektronik, dan sebagainya.

2. JFET
- Proses Pembuatan ( Fabrikasi )
Transistor JFET-n dibuat di atas satu lempengan semikonduktor tipe-p
sebagai subtrat (subtrate) atau dasar (base). Untuk membuat kanal n, di atas subtrat
di-implant semikonduktor tipe n yaitu dengan memberikan doping elektron. Kanal-n
ini akan menjadi drain dan source. Kemudian di atas kanal-n dibuat implant tipe-p,
caranya adalah dengan memberi doping p (hole). Implant tipe p ini yang menjadi
gate. Gate dan subtrat disambungkan secara internal.
- Kurva Karakteristik

- Contoh Pemakaian
Radio Frequency Amplifier
JFET baik dalam operasi Sinyal Arus Rendah karena merupakan perangkat
semikonduktor yang dikendalikan tegangan. Memiliki tingkat kebisingan yang sangat
rendah. Digunakan sebagai Penguat RF bagian Penerima Komunikasi.

3. MOSFET
- Proses Pembuatan ( Fabrikasi )
Proses fabrikasi MOSFET menggunakan pengoksidaan selimut - medan untuk
pengasingan transistor, rintang foto positif bagi proses lithografi, boron dan fosforan
sebagai dopan untuk proses resapan dan aluminum bagi proses penglogaman.
Keselumhan proses ini melibatkan empat jenis topeng ; topeng telaga (salir dan
sumber), topeng get, topeng tingkap sentuhan dan topeng logam.
 - Kurva Karakteristik

- Contoh Pemakaian
Rangkaian MOSFET Sebagai Switch
Karena MOSFET juga bisa bekerja selayaknya Transistor, maka MOSFET juga bisa
diguanakan sebagai switch. Pada MOSFET N-Channel, ketika ada tegangan pada
Gate, maka tegangan dari Source akan mengalir ke Drain. begitu juga sebalik nya.
Ketika tidak ada Tegangan pada Gate maka tegangan dari source tidak akan
mengalir.

4. IGBT
- Proses Pembuatan ( Fabrikasi )
Transistor bipolar gerbang terisolasi, juga dikenal sebagai IGBT, adalah
persimpangan antara transistor persimpangan bipolar konvensional (BJT) dan
transistor efek medan (MOSFET), membuatnya ideal untuk perangkat switching
semikonduktor. Transistor IGBT menggunakan bagian terbaik dari dua transistor
umum ini, impedansi input tinggi dan kecepatan switching MOSFET yang tinggi
dengan tegangan saturasi rendah dari transistor bipolar, dan menggabungkannya
untuk menghasilkan jenis lain dari perangkat switching transistor, yaitu, Menangani
emulator kolektor besar. arus tanpa gerbang drive saat ini. Transistor bipolar gerbang
terisolasi (IGBT) menggabungkan gerbang terisolasi MOSFET (maka bagian
pertama dari namanya) dengan karakteristik kinerja keluaran dari transistor bipolar
konvensional (maka bagian kedua dari namanya). Hasil dari kombinasi hybrid ini
adalah "transistor IGBT" memiliki karakteristik switching dan konduksi keluaran
dari transistor bipolar, tetapi dikontrol tegangan seperti MOSFET.
 - Kurva Karakteristik
- Kurva Karakteristik

- Contoh Pemakaian
Aplikasi IGBT Untuk Kontrol Motor Induksi 3 PhasaRangkaian Cycloconverter
gambar-10.48 dimana tegangan AC 3 phasa disearahkan menjadi tegangan DC oleh
enam buah Diode. Selanjutnya sembilan buah IGBT membentuk konfigurasi yang
akan menghasilkan tegangan AC 3 phasa dengan tegangan dan frekuensi yang dapat
diatur, dengan mengatur waktu ON oleh generator PWM. Rangkaian VVVF ini
dipakai pada KRL merk HOLEC di Jabotabek.

5. Dioda
- Proses Pembuatan ( Fabrikasi )
Dioda adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 1 buah junction,
sering disebut sebagai komponen 2 lapis (lapis N dan P). Dioda merupakan suatu
semikonduktor yang hanya dapat menghantar arus listrik dan tegangan pada satu arah
saja. Bahan pokok untuk pembuatan dioda adalah Germanium (Ge) dan
Silikon/Silsilum (Si).
- Kurva Karakteristik
 - Contoh Pemakaian
Aplikasi dioda sebagai rangkaian penjepit (clamping circuits)
Rangkaian clamper adalah rangkaian yang berfungsi untuk menjepit atau menggeser
tegangan puncak dari sinyal menjadi ke level tertentu yang diinginkan. Tegangan
puncak yang diubah atau di geser bisa puncak positif atau negatif sinyal. Rangkaian
clamper disebut juga dengan rangkaian level shifter atau DC restorer. Berikut adalah
contoh rangkaian penjepit sinyal dengan menggunakan dioda.

6. Thyristor
- Cara Pembuatan ( Fabrikasi )
Thyristor adalah komponen yang terbuat dari bahan semiconductor silicon.
Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N junction yang dimilikinya lebih
kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS. Komponen thyristor lebih
digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai penguat arus atau tegangan
seperti halnya transistor.
Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN. Jika dipilah, struktur ini dapat
dilihat sebagai dua buah struktur junction PNP dan NPN yang tersambung di tengah
seperti pada gambar b diatas. Ini adalah dua buah transistor PNP dan NPN yang
tersambung pada masing-masing kolektor dan base. Jika divisualisasikan sebagai
transistor Q1 dan Q2, maka struktur thyristor ini dapat diperlihatkan seperti pada
gambar yang berikut ini. Gambar Visualisasi Dengan Transistor.
- Kurva Karakteristik

- Contoh Pemakaian
- Secara umum, aplikasi Thyristor adalah  :
• Mengontrol kecepatan dan frekuensi
• Penyearahan
• Pengubahan daya
• Manipulasi robot
• Kontrol temperatur
• Kontrol cahaya