MODUL 2

Karakteristik BJP

Yengki Herisko (119130058)

Asisten : Bima Arifanto (118130143)
Tanggal Percobaan : 30/09/2021
EL3102_A-7_Praktikum_Elektronika
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera
Abstrak Pada praktikum kali ini membahas II. Teori Dasar
mengenai Karakteristik BJP dan secara online melalui A. Transistor
google meet dan percobaannya menggunakan aplikasi Transistor merupakan komponen dasar
Proteus atau bisa juga Multisim. yang biasanya digunakan untuk sistem penguat. Saat
digunakan sebagai penguat, transistor harus berada
di daerah kerja aktif. Nilai ambang pada transistor
merupakan nilai saat arus mulai mengalir pada basis,
Kata kunci AC, DC, Tegangan, Frekuensi.
yang artinya tegangan pada basis telah melebihi
potensial barrier minimum. Hasil bagi antara sinyal
I. Pendahuluan
output dengan sinyal input inilah yang disebut
Transistor merupakan salah satu komponen
sebagai factor penguatan arus. Dalam
elektronika paling penting. Terdapat dua jenis transistor
penggunaannya transistor dapat berfungsi sebagai
berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu
saklar dengan memanfaatkan daerah penjenuhan
bipolar dan unipolar. Dalam hal ini akan kita pelajari
atau daerah saturasi, dan daerah penyumbatan atau
transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri atas dua jenis
cut-off. Pada daerah saturasi nilai resistansi pada
bergantung susunan bahan yang digunakan, yaitu jenis
penyambungan kolektor dan emitor akan sama
NPN dan PNP.
dengan nol di keadaan standar. Sedangkan pada
Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh daerah penyumbatan, nilai resistensi penyambungan
dengan pengukuran arus dan tegangan pada rangkaian kolektor dan emitor akan sama dengan tak hingga
dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter atau terminal kolektor dan emitter terbuka yang
terhubung dengan ground). menyebakan tegangan pada kolektor dan emitor
Adapun tujuan dari percobaan ini adalah : sama dengan tegangan sumber.[1]

1. Memahami karakteristik transistor BJT B. Jenis-jenis Transisto

2. Memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit
3. Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan
Jenis-Jenis Transistor dan cara kerja
transistor pada umumnya dibagi menjadi dua jenis
yaitu; Transistor Bipolar (dwi kutub) dan Transistor
Efek Medan (FET – Field Effect Transistor).
Transistor Bipolar adalah jenis transistor yang paling
banyak di gunakan pada rangkaian elektronika.
Jenis-Jenis Transistor ini terbagi atas 3 bagian
lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua
formasi lapisan yaitu lapisan P-N-P (Positif-Negatif-
Positif) dan lapisan N-P-N (Negatif-Positif-Negatif).
Sehingga menurut dua formasi lapisan tersebut
transistor bipolar dibedakan kedalam dua jenis yaitu
transistor PNP dan transistor NPN[2]

III. Metodologi Praktikum

A. Alat dan Bahan
1. Sumber tegangan DC
2. Kit Percobaan Karakteristik Transisitor dan
Rangkaian Bias
3. Sumber arus konstan
4. Multimeter (2 buah)
5. Osiloskop

B. Karakteristik Input Transistor Ic-Vbe

D. Easy Effect

Ubah setting generator sinyal

Pilihlah Ib yang kemiringan kurva
cukup besar

Susun rangkaian
Pada Kurva pilih dua titik kordinat
yang mudah dibaca

Hubungkan osiloskop
Hitung nilai tegangan early

Tempatkan tegangan Xmin pada garis

grid paling kiri dan Ymin paling bawah Pilih nilai aurs basis yang lain

C. Karakteristik Output Transistor Ic-Vbe

E. Pengaruh Bias Pada Penguat Transistor

Ubah setting sinyal generator

Setting generator

Susun rangkaian

Buat rangkaian

Hubungkan osiloskop

Hubungkan osiloskop dan setting

Gunakan Osiloskop

Gunakan multimeter

Apabila kurva tampak sebagai dua

garis naik atau turunkan frekuensi
Setting Ib=25µA,Rc=82

Amati kurva arus dan ubah-ubah nilai

Ib Baca dan catat Vce

Susun rangkaian penyearah gelombang

penuh 2 dioda Ulangi Langkah tadi untuk Ib= 200µA
dan 400µA

Ulangi langkah dan analisis

Ubah nilai Rc = 5K dan ulangi
langkah tadi
 Transistor IB IC IB IC
2N2222A 25μA 2,54mA 25Μa 25×
10−4mA
BD139 25μA 1,69mA 25μA 25×
10−4mA

IV. Hasil dan Analisi Transistor Pengamatan Perhitunagn

A. Hasil VBE VCE VBE VCe
1. Karakteristik Input Transistor Ic-Vbe 2N2222A 4,68 8,24V 8,485V 8,24V
V
BD139 4,65V 8,33V 8,485V 8,33V
PERCOBAAN PERHITUNGAN

IB IC VCE
VB IB IC V V Peritungan:
E CE BE 𝛽 = 100
Ib= 25μA
2N22 65,5 20,7 3,3 1,13 2,12 21,2 3,3 1,13
22A 7 4 V 1V × mA V 1V Ic= 𝛽 × 𝐼𝑏
mA mA 10−
2
= 100×25× 10−6= 25× 10−4𝐴
𝑚𝐴
BD 385, 21,2 3,26 1,13 2,07 20,7 3,26 1,13 Vbe = Vc-Ve
139 7 2m V 1V × mA V 1V Vbe= 8,485-Ve
mA A 10− Vbe= 8,485V
2
𝑚𝐴
Vbe= 8,485V
Vce = Vc-Ve
PERHITUNGAN: Vce = 8,33-0
Vce = 8,33V
8,48 − 0
𝐼𝑐 = = 8,48 × 10−2𝑉
β = 100 100
VBE=0,7V 3. Effect Early
VBE=VB-VC Perhitungan :
Ic1=24,869μA
0,7=0,8-VC Ic2= 24,994μA
Vce1 = 33,357 mV
VC=0,1V
Vce2 = 406,897 mV
Vpp = 12V
IC= = Va = Vce2.Ic1 – Vce1.Ic2
Ic2-Ic1
IE= Va= 0,506 × 24,86910−6 − 0,33 × 24,99410−6
24,99410−6 − 24,86910−6
Va = -0,0027 V
B. Analisis
IE=
Dari hasil percobaan kita dapat menyimpulkan bahwa
kurva karakteristik keluaran transistor dibagi menjadi tiga
daerah yaitu daerah saturasi, daerah cut-off dan daerah
VCE=VC-VE aktif. Untuk kurva karakteristik dari transfer arus konstan
menunjukkan grafik sebanding antara IC dan IB yang
=0,1V merupakan grafik fungsi liniear. sedangkan faktor
penguat sebesar beta = 64. Untuk karakteristik transfer
arus konstan berdasarkan perbandingan IC dengan IB,
faktor penguat sama dengan nilai yang dihitung
IB=
Simpulan
2. Karakteristik Output Ic-Vbe
V. Simpulan
1. Praktikan memahami karakteristik transistor
Pengamatan Perhitunagn BJT
2. Praktikan memahami teknik bias dengan
rangkaian distrik
3. Praktikan memahami teknik bias dengan
sumbu arus konstan

VI. DAFTAR PUSTAKA

[1] Daryanto.200.Pengatahuan Teknik

Elektronika.Bandung:Bumi Aksara

[2] Sutrisno.1968.Elektronika Teori

Dasar dan Penerapannya.Bandung:
Penerbit ITB
LAMPIRAN