Elektronika C Kelompok 3

Bipolar Junction
Transistor

Transistor
Elektronika C Kelompok 3

Biodata 1 Rahmawati Tyastuti

Diri 2 5001201091

3 Elektronika C

4 kelompok 3
Elektronika C Kelompok 3

Review Jurnal
Study & Application of Bipolar Junction Transistor
BJT

Dalam dioda tersusun oleh dua keping

semikonduktor

Jika dua dioda digabung akan memberikan dua

PN junction yang terhubung secara seri saling
membagi BJT
P dan N
Elektronika C Kelompok 3

Daerah 1 Daerah Aktif

Transistor
Saturasi
2

3 Cut-Off
Perusahaan MDM 1 Juni 2021

Tipe Dasar Transistor

PNP dan NPN

KARAKTERISTIK STATIS TRANSISTOR

Common Base configuration Memiliki penguat tegangan tetapi tidak penguat arus
1

Common emitte configuration Memiliki penguat tegangan dan penguat arus

2

3 Common collector Memiliki penguat arus tetapi tidak penguat tegangan

configuration
Aplikasi Transistor Sebagai Aplikasi Transistor Sebagai
Penguat Saklar

LightiOperated Switct
Sirkuit ini dirancang untuk menyalakan bohlam di lingkungan yang
• Transistor dapat digunakan sebagi penguat untuk memperkuat
terang dan mematikannya dalam gelap. Salah satu komponen pada
arus. Hal ini karena perubahan arus base yang kecil,
pembagi potensial adalah light-dependent resistor (LDR). Ketika
menyebabkan perubahan arus collector yang besar
ditempatkan di DARKNESS, resistensinya besar. Transistor
• Contohnya mikrofon. Gelombang suara yang diumpanka ke
dimatikan. Ketika LDR diterangi oleh cahaya terang, resistansinya
mikrofon menyebabkan diafragma mikrofon bergetar
turun ke nilai kecil yang menghasilkan tegangan suplai lebih
banyak dan menaikkan arus basis. Transistor dihidupkan, arus
kolektor mengalir dan bohlam menyala
Elektronika C Kelompok 3

Bipolar 1
Mengetahui karakteristik BJT berdasarkan
arus Ic, Ib, dan tegangan antara emitor-

Junction
collector Vce dan tegangan antara basis-emitor
Vbe

Transistor
Mengetahui nilai konstanta penguatan arus
2
(hfe) pada transistor BJT

E5
TUJUAN
METODOLOGI

Alat dan Bahan Langkah Kerja

Kabel disiapkan terlebih dahulu alat dan bahan yang akan digunakan, setelah itu, rangkaian dirangkai
Power jumper pada project board. Selanjutnya, untuk mencari nilai-nilai besaran pada daerah cut-off, Pertama-
Potensiome tama yang dilakukan adalah kabel jumper yang terhubung pada potensiometer basis dilepas dan
Supply Resistor ter dihubungkan ke negatif sumber tegangan. Kemudian I𝐵, I𝐶 , Vce, dan Vbe diukur dengan
multimeter dan catat hasilnya. Untuk mengetahui di mana titik saturasi dari transistor, langkah
pertama yang dilakukan adalah kabel jumper yang sebelumnya terhubung pada negatif power
supply dipindahkan ke positif. Kemudian, arus 𝐼𝐶 diukur dengan multimeter sampai terdapat
arus yang mengalir pada transistor. Selanjutnya potensiometer diputar sampai saat 𝐼𝐵 tidak
Project bertambah lagi. Lalu 𝐼𝐵, 𝐼𝐶 , dan tegangan Vce dan 𝑉be diukur dan dicatat hasilnya
Multimeter
board
Transistor

Skema Alat
 Pembahasan Pada praktikum kali ini transistor diamati dalam tiga
daerah kerjanya, yaitu pada saat kondisi aktif, saturasi,
dan cut-off.

pada kondisi cut-off, dimana dalam keadaan ini

Dimana secara teori apabila pada daerah aktif,
arus IC haruslah konstan terhadap berapapun
nilai VCE, dan arus collector (IC) akan
sebanding dengan arus basis (IB). Pada
percobaan yang dilakukan dalam kondisi aktif
ini didapatkan hasil Ib dan Ic dimana Ib
divariasikan sebesar 0.01mA, 0.02 mA, 0.03
mA, 0.04mA, dan 0.05 mA. Juga didapatkan
hasil Ic sesuai dengan variasi Ib nya sebesar
1.9 mA, 2.5 mA, 3.2 mA, 3.9 mA, dan 4.4 mA.
pada kondisi saturasi jenuh, dimana dalam
kondisi ini transistor akan mengalirkan arus
secara maksimum dari collector ke emitter
sehingga transistor tersebut seolah-olah
memendek pada collector-emitter. Pada kondisi
saturasi jenuh ini transistor dikatakan
menghantar secara maksimum, sehingga nilai
VCE pada keadaan saturasi jenuh sama dengan
0. Pada percobaan dalam kondisi saturasi jenuh
ini pula didapatkan hasil percobaan berupa IB
sebesar 2.5 mA, nilai IC sebesar 7.5 mA dan nilai
VBB sebesar 0,7volt
transistor menghambat atau menutup hubungan
pada collector-emitter. Daerah cut-off ini sendiri
sering disebut sebagai daerah mati karena pada
daerah ini transistor tidak dapat mengalirkan arus
dari collector ke emitter. Sehingga pada
percobaan dalam kondisi cut-off ini diperoleh Ib
dan Ic sama dengan 0. Hal ini dikarenakan dalam
keadaan ini base diberi tegangan mundur
terhadap emitter sehingga transistor akan dalam
kondisi mati (cut-off) yang menyebabkan tidak
adanya arus yang mengalir dari collector ke
emitter. Pada percobaan dalam kondisi cut-off ini
pula didapatkan nilai Vce dan Vcb sebesar 6.04
mA. Sehingga dapat dikatakan dalam kondisi cut-
off besar nilai Vce sama dengan besar nilai Vcb
 HASIL Pada praktikum kali ini transistor diamati dalam tiga
daerah kerjanya, yaitu pada saat kondisi aktif, saturasi,
dan cut-off.

Dari percobaan Bipolar Junction Transistor yang telah dilakukan, dapat ditarik kesimpulan bahwa : 1. BJT memiliki
tiga daerah operasi, dimana karakteristik pada kondisi pertama, yaitu cut-off, adalah IB = 0, IC = 0, VBE = 0, dan
VCE = sumber tegangan. Kemudian, pada kondisi kedua, saturation, adalah ketika IC maksimum, VCE ≈ 0 dan
berapapun nilai IB, nilai IC akan tetap. Terakhir, kondisi aktif, dimana hfe = IC/IB dan nilai IB>0. Nilai hfe
pengukuran dengan multimeter adalah 150 dan nilai hfe rata-rata hasil perhitungan diperoleh sebesar 45.11.
Elektronika C Kelompok 3

Terima kasih!

Rahmawati T.