MODUL BJT

MUHAMMAD LUTHFI HABIBI (13115137) (2)

Asisten: Muhammad Ilhariri (13114137)
Tanggal Percobaan: 26 Februari 2018
MS3204 - Praktikum Mekatronika I
Laboratorium Teknik Produksi – Fakultas Teknik Mesin dan Dirgantara ITB

terminal tersebut adalah Emiter (E), Kolektor (C), dan

1. ABSTRAK
Basis (B)
Pada praktikum ini dilakukan percobaan untuk memahami
kurva karakteristik kolektor dari BJT. Selain itu, tujuan dari
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil
percobaan ini menghitung besarnya β berdasarkan hasil percobaan.
Dari data yang telah dambil kita buat grafik untuk mengetahui pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan
karakteristik dan menhitung β
arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor.
Kata Kunci: β, BJT, arus
Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor
2. PENDAHULUAN sebagai penguat elektronik.

Prinsip kerja dari komponen ini juga sering

BJT merupakan komponen yang
difungsikan sebagai saklar dengan mendapatkan
pengaplikasiannya sangat sering kita jumpai pada
manfaat dari cut-off dan kondisi jenuh dari transistor
kehidupan sehari-hari. Salah satu manfaat dari bjt
itu sendiri, yang mana kedua keadaan tersebut bisa
adalah pengaturan arus besar dengan menggunakan
didapat dgn mengatur besarnya arus yg melewati
arus kecil shingga orang yang mengatur arus bisa
basis dari transistor.
terhindar dari arus besar dan bahaya.
BJT terdiri dari 3 bagian semikonduktor yang
Sebagai mahasiswa teknik mesin , kita
diperlukan untuk memahami tentang karakteristik terpisah oleh dua pn junctions. Tiga daerah tersebut

dan kegunaan BJT baik dalam kehidupan sehari-hari adalah emitter, base dan collector. Istilah Bipolar
mengacu pada penggunaan kedua holes dan elektron
maupun dalam dunia kerja nantinya.
sebagai pembawa arus pada struktur transistor. BJT
3. STUDI PUSTAKA bekerja pada keadaan forward-reverse bias.
Transistor adalah
komponen semikonduktor yang dipakai sebagai
penguat, pemotong (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistor dapat
berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan
arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET),
memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat
dari sirkuit sumber listriknya.

BJT (Bipolar Junction Transistor) .

Transistor jenis ini merupakan komponen Gambar 2.2 Jenis BJT (npn dan pnp).
yang mempunyai 2 dioda, terminal positif atau
negatifnya berdempet sehingga ada 3 terminal. Ketiga
Laporan Praktikum – Laboratorium Teknik Produksi – FTMD ITB 1
 Gambar 2.5 Simbol BJT.

Gambar 2.3 Keadaan kerja BJT.

BJT berpoperasi menggunakan prinsip yang tidak

berjauh berbeda dengan dioda yaitu dengan
memanfaatkan daerah deplesi. Gambar di bawah ini
Analisis rangkaian BJT :
menggambarkan bagaimana proses aliran elektron
pada BJT.

Gambar 2.6 Simbol rangkaian BJT.

IB : arus base dc

IE : arus emitter dc

Gambar 2.4 Gambaran aliran elektron pada BJT.
Semikonduktor jenis n, memiliki densitas
konduksi elektron bebas yang sangat tinggi. Elektron
IC : arus kolektor dc
VBE : tegangan dc antara base dengan emiter
VCB : tegangan dc antara kolektor dengan base

bebas ini sangat mudah berdifusi melalui BE junction
ke bagian p daerah base. Base memiliki densitias holes
yang kecil sebagai pembawa utama (lingkaran putih
pada gambar). Karena elektron mengalir ke arah n
VCE : tegangan dc antara kolektor dengan emiter
VBB : tegangan supply pada base
VCC : tegangan supply pada kolektor

kolektor, maka arus akan cenderung untuk mengalir Daerah kerja BJT :
ke n emitter.

Laporan Praktikum – Laboratorium Teknik Produksi – FTMD ITB 2


Gambar 2.7 Kurva karakterisik kolektor BJT.
Gambar 2.8 Daerah kerja BJT.
Daerah Jenuh Transistor
Daerah kerja transistor saat jenuh adalah
keadaan dimana transistor mengalirkan arus secara
maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor
tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor –
emitor. Keadaan ini akan didapat bila basis transistor
diberi arus yang cukup besar hingga transistor menjadi
jenuh dan fungsinya menjadi saklar yang menutup.
Laporan Praktikum – Laboratorium Teknik Produksi – FTMD ITB
Gambar 2.9 Keadaan saturasi.
Daerah Mati Transistor
Daerah cut off merupakan daerah kerja
transistor dimana keadaan transistor menyumbat pada
hubungan kolektor – emito dan pada daerah kerja ini
transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor
ke emitor. Pada daerah cut off transistor dapat di
analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan
kolektor – emitor.
Gambar 2.10 Keadaan cut-off.
Daerah Aktif Transistor
Pada daerah kerja ini transistor biasanya
digunakan sebagai penguat sinyal. Transistor
dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor
selelu mengalirkan arus dari kolektor ke emitor
walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini
ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang
tidak cacat. Daerah aktif terletak antara daerah jenuh
(saturasi) dan daerah mati (Cut off).
3
 5. Catat Vcc yang terukur pada mikrometer setiap
rentang IB dengan merubah VCE dari 2 V sampai 16
V.

5. HASIL DAN ANALISIS

[Data dan Analisis Setiap Percobaan]
Ib Vce Vcc Vrc Rc Ic
(mA) (V) (V) (V) (Ω) (mA)
0,02 0 0 0 300 0,0 0
Gambar 2.11 Daerah aktif suatu BJT pada IB tertentu. 0,02 0,2 2,6 2,19 300 7,3 365
0,02 0,4 3,5 2,7 300 9,0 450
0,02 0,6 3,6 2,83 300 9,4 472
0,02 0,8 4 2,87 300 9,6 478
4. METODOLOGI
0,02 1 4,4 3,1 300 10,3 517
Alat dan bahan 0,02 2 5,9 3,19 300 10,6 532
1. 2 DC Power supply 0,02 4 7,7 3,36 300 11,2 560
2. Digital Multimeter 0,02 6 9,8 3,46 300 11,5 577
0,02 8 11,8 2,76 300 9,2 460
3. Breadboard
0,02 10 14,3 3,75 300 12,5 625
4. Transistor 2N3904 0,02 12 16,1 3,75 300 12,5 625
5. Resistor 300Ω dan 30 kΩ 0,02 14 18,6 4,16 300 13,9 693
Prosedur Percobaan 0,02 16 21,8 4,49 300 15,0 748
0,02 18 23 4,92 300 16,4 820
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar di bawah
0,02 20 24,9 4,6 300 15,3 767
ini dengan Rb = 30k Ω Rc =300Ω Ib Vcc Ic
(mA) Vce (V) Vrc Rc (mA) B
0,04 0 0 0 300 0,0 0
0,04 0,2 3,3 2,52 300 8,4 210
0,04 0,4 4,6 3,79 300 12,6 316
0,04 0,6 5,1 3,91 300 13,0 326
0,04 0,8 5,6 4,08 300 13,6 340
0,04 1 5,7 4,15 300 13,8 346
0,04 2 7,2 4,3 300 14,3 358
0,04 4 9 4,65 300 15,5 388
0,04 6 11,4 4,77 300 15,9 398
2. Ukurlah nilai IB , Ic , dan VCE . Untuk pengukuran 0,04 8 13,9 5,16 300 17,2 430
arus Ic bisa melalui perhitungan tanpa dikur terlebih 0,04 10 16,3 5,47 300 18,2 456
0,04 12 18,3 5,66 300 18,9 472
dahulu
0,04 14 21,2 6,27 300 20,9 523
3. Ambil data IB , dari rentang 20 μA – 80 μA dengan 0,04 16 23,3 6,57 300 21,9 548
rentang sebesar 20 μA. 0,04 18 25,7 6,89 300 23,0 574
4. Pada data arus tersebut, atur VCE pada power 0,04 20 27,8 6,72 300 22,4 560
Ib Vcc Ic
supply dari rentang 2 V – 16 V dengan kenaikan
(mA) Vce (V) Vrc Rc (mA) B
sebesar 2 V. 0,06 0 0 0 300 0,0 0
0,06 0,2 4,1 3,33 300 11,1 185

Laporan Praktikum – Laboratorium Teknik Produksi – FTMD ITB 4

 0,06 0,4 5,9 4,75 300 15,8 264 0,1 17,18 31,5 13,58 300 45,3 453
0,06 0,6 6,6 5,27 300 17,6 293
0,06 0,8 7 5,33 300 17,8 296
0,06 1 7,2 5,77 300 19,2 321 Kurva Karakteristik Kolektor Ic Vs
0,06 2 9 6,19 300 20,6 344
Vec
0,06 4 10,9 6,41 300 21,4 356
50.0
0,06 6 13,6 6,99 300 23,3 388 Ib = 0.02
0,06 8 16,4 7,67 300 25,6 426 40.0 mA
Ib = 0.04
0,06 10 19 8,34 300 27,8 463 mA

Ic (mA)
30.0
0,06 12 21,2 8,17 300 27,2 454 Ib = 0.06
20.0 mA
0,06 14 23,8 8,84 300 29,5 491 Ib = 0.08
0,06 16 25,9 9,29 300 31,0 516 10.0 mA
0,06 18 29 10,09 300 33,6 561 Ib = 0.1
0.0
mA
0,06 20 30,8 10,33 300 34,4 574 0 10 20 30
Ib Vcc Ic Vce (V)
(mA) Vce (V) Vrc Rc (mA) B
0,08 0 0 0 300 0,0 0 Dari grafik diatas daerah saturasi berada pada Ic 3,35-
0,08 0,2 4,7 3,85 300 12,8 160 16 mA dan Vce 0,2-0,6 V.
0,08 0,4 6,6 5,47 300 18,2 228
0,08 0,6 7,4 5,96 300 19,9 248 kurva Beta (Ib = 0.02 mA)
1000
0,08 0,8 8,2 6,71 300 22,4 280
800
0,08 1 8,7 7 300 23,3 292 Ib = 0.02 mA
Ib (mA)

0,08 2 10,4 7,58 300 25,3 316 600

Ib = 0.04 mA
0,08 4 12,9 8,16 300 27,2 340 400
Ib = 0.06 mA
0,08 6 15,6 8,86 300 29,5 369 200 Ib = 0.08 mA
0,08 8 18,3 9,47 300 31,6 395
0 Ib = 0.1 mA
0,08 10 20,7 10,12 300 33,7 422 0.0 20.0 40.0 60.0
0,08 12 23,4 10,58 300 35,3 441 Ic (mA)
0,08 14 25,6 10,93 300 36,4 455
0,08 16 28,5 11,55 300 38,5 481
data sheet 2N3409, besar DC gain
0,08 18 30,4 12,1 300 40,3 504
0,08 19,1 31,5 11,93 300 39,8 497 maksimumnya adalah 300. Data yang praktikan
Ib Vcc Ic peroleh dapat diterima karena nilai β berada pada
(mA) Vce (V) Vrc Rc (mA) B
kondisi minimum dan maksimum dari data sheet
0,1 0 0 0 300 0,0 0
0,1 0,2 4,8 3,96 300 13,2 132 2N3409.
0,1 0,4 7,1 6,19 300 20,6 206 Besar gain data yang didapatkan tidak stabil
0,1 0,6 8,1 6,84 300 22,8 228 karena pada arus masuk lebih besar dari operasi
0,1 0,8 9 7,63 300 25,4 254
mundur sehingga nilinya berubah-ubah. . Nilai gain
0,1 1 9,5 7,88 300 26,3 263
0,1 2 11,8 9,06 300 30,2 302 juga dipengaruhi oleh nilai arus pada base dan arus
0,1 4 14,5 9,72 300 32,4 324 yang dihasilkan oleh collector.
0,1 6 17,5 10,67 300 35,6 356
0,1 8 20,4 11,52 300 38,4 384
0,1 10 23 12,23 300 40,8 408 6. KESIMPULAN
0,1 12 25,7 12,76 300 42,5 425
1. Karakteristik
0,1 14 28,3 13,47 300 44,9 449
0,1 16 31,1 14,1 300 47,0 470

Laporan Praktikum – Laboratorium Teknik Produksi – FTMD ITB 5

 Kurva Karakteristik Kolektor Ic Vs
Vec
50.0 Ib = 0.02
40.0 mA
Ib = 0.04
Ic (mA)

30.0 mA
Ib = 0.06
20.0 mA
Ib = 0.08
10.0 mA
Ib = 0.1
0.0
mA
0 10 20 30
Vce (V)

Dari grafik diatas daerah saturasi berada

pada Ic 3,35- 16 mA dan Vce 0,2-0,6 V.

2. Dari grafik didapat nilai DC gain yang

berbeda-beda tiap masukan dan keluaran
yang berubah-ubah.
Ibmin (20 µA) , βrata-rata = 543
Ib 40 µA, βrata-rata = 390
Ib 60 µA, βrata-rata = 371
Ib 80 µA, βrata-rata = 339
Ib 100 µA, βrata-rata = 310
Jika dirata-ratakan semua nilai tersebut hasil
dari βdc sebesar 391

DAFTAR PUSTAKA
[1] Sedra, A. and Smith, K., Microelectronic Circuits 6th ed,
Oxford University Press, USA, 2010.

Laporan Praktikum – Laboratorium Teknik Produksi – FTMD ITB 6