Rahardian Anggada SP

2023-71-557

LAPORAN PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA

DISUSUN OLEH :

RAHARDIAN ANGGADA SP

202371557
C
D3 TEKNIK LISTRIK
KELOMPOK 3
RIEKE

INSTITUT TEKNOLOGI PLN

MENARA PLN, JL. LINGKAR LUAR BARAT,
DURI KOSAMBI, CENGKARENG, JAKARTA BARAT 11750
Telp. 021-5440342, 5440344, ext 1306
Website : www.itpln.ac.id
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
MODUL IV
KARAKTERISTIK KERJA TRANSISTOR

I. TUJUAN

1. Mempelajari karakteristik input maupun karakteristik output dari Bipolar Junction Transistor
(BJT).
2. Mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.

II. ALAT DAN PERLENGKAPAN

1. 1 Unit PC.

2. Software NI Multisim.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557

III. TEORI MODUL

3.1. Karakteristik DC

Pada dasarnya ada 2 karakteristik untuk transistor yaitu karakteristik output (I C VS

VCE) dan karakteristik input (IB VS VCE).

a. Karakteristik Output
Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan arus kolektor pada
konfigurasi common emitter dengan arus basis sebagai parameter. Secara umum grafik
karakteristik output terlihat seperti gambar di bawah ini:

Gambar 61. Karakteristik Output

|IB1| < |IB2| < |IB3| < |IB4| < |IB5|

b. Karakteristik Input
Karakteristik input adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada
konfigurasi common emitter untuk tegangan kolektor yang tertentu. Kurva IB – VBE
tersebut mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik forward dari dioda. Secara

umum bentuk grafik karakteristik input terlihat dalam bentuk seperti gambar di bawah

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
ini:

Gambar 62. Karakteristik Input

3.2. Transitor Sebagai Saklar

Penggunaan transistor sebagai saklar artinya mengoperasikan transistor pada

salah satu kondisi yaitu saturasi atau cut-off. Jika sebuah transistor berada dalam
keadaan saturasi maka transistor berlaku seperti saklar tertutup antara kolektor dan
emitter. Jika transistor cut- off transistor berlaku seperti saklar terbuka.
Pengaturan on – off transistor dengan mengatur level tegangan pada basis
transistor tersebut. Jika arus basis lebih besar atau sama dengan arus basis saat saturasi,
titik kerja transistor berada pada ujung atas garis beban DC, dalam kondisi ini transistor
berlaku sebagai saklar tertutup. Sebaliknya jika arus basis nol, titik kerja transistor
berada pada titik (P) dalam kondisi ini transistor berlaku sebagai saklar terbuka. Dapat
dilihat pada gambar dibawah berikut:

Gambar 63. Garis Beban DC

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter.
Parameter – parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun
parameter dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif

cut–off. Kurva karakteristik kolektor dapat dilihat pada gambar dibawah berikut.

Gambar 64. Kurva Karakteristik Kolektor Transistor

 Daerah Jenuh
Merupakan daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (Vk). Daerah jenuh
terjadi bila sambungan emitor-basis dan sambungan basis-kolektor forward bias. Pada
daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor
emitter (VCE) untuk transistor silikon adalah 0,7 Volt dan untuk transistor germanium
adalah 0.3 Volt.

 Daerah Aktif
Sebuah daerah yang berkisar dari tegangan lutut (Vk) sampai dengan tegangan
dadal (breakdown) serta nilainya IB berada diatas ICO atau nilai arus pada basis tidak sama
dengan arus basis saat saturasi. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor-basis diberi
forward bias dan kolektor-basis reverse bias. Penguatan sinyal terjadi saat transistor
berada dalam aktif

 Daerah Cut-off
Terletak ketika nilai IB dibawah nilai ICO. Sambungan emitor-basis dan kolektor-
basis keduanya berada pada reverse bias. Dimana dalam hal ini nilai IE = 0, IC = ICO = IB.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557

IV. TEORI TAMBAHAN

Transistor adalah salah satu komponen yang selalu ada di setiap rangkaian elektronika, seperti
radio, televisi, handphone, lampu flip-flop dll. Fungsi dari komponen ini sangatlah penting.
Kebanyakan, transistor digunakan untuk kebutuhan penyambungan dan pemutusan (switching),
seperti halnya saklar. Yaitu untuk memutus atau menyambungkan arus listrik. Selain itu transistor
juga berfungsi sebagai penguat (amplifier), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal, dan banyak lagi.
Keinginan kita untuk merubah fungsi transistor ini adalah dari pemilihan jenis transistor atau
dengan cara perangkaian sirkit transistor itu sendiri. Dengan banyaknya fungsi itu, komponen
transistor banyak sekali digunakan di dalam rangkaian elektronika.
Jenis-jenis transistor dibedakan berdasarkan arus inputnya BJT (Bipolar Junction Transistor)
atau tegangan inputnya FET (Field Effect Transistor). Yang membedakan transistor dengan
komponen lain, adalah memiliki 3 kaki utama, yaitu Base (B), Collector, (C) dan Emitter (E). dimana
base terdapat arus yang sangat kecil, yang berguna untuk mengatur arus dan tegangan yang ada pada
Emitor, pada keluaran arus Kolektor. Sehingga apabila terdapat arus pada basis, tegangan yang besar
pada kolektor akan mengalir menuju emitor.
Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara lain Germanium, Silikon, Galium Arsenide.
Sedangkan kemasan dari transistor itu sendiri biasanya terbuat dari Plastik, Metal, Surface Mount,
dan ada juga beberapa transistor yang dikemas dalam satu wadah yang disebut IC (Intregeted Circuit).
Contoh penggunaan transistor dalam rangkaian analog, adalah digunakan untuk fungsi amplifier
(penguat), rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat
sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan
tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic
gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
Sejarah Transistor
Di pertengahan 1940-an sekelompok ilmuwan yang bekerja di Bell Telephone Labs di Murray
Hill, New Jersey, merintis penemuan divais untuk menggantikan teknologi tabung hampa (vacuum
tube) saat itu. Tabung hampa menjadi satu-satunya teknologi saat itu untuk menguatkan sinyal atau
sebagai saklar dalam elektronika. Masalahnya ialah tabung hampa sangat mahal, mengkonsumsi
banyak daya listrik, panas, dan tak-relieable, sehingga perlu perawatan ekstra.
Para ilmuwan tersebut (yang berhasil menemukan transistor pada 1947) ialah John Bardeen,
Walter Brattain, dan William Shockley. Bardeen (Ph.D. dalam matematika dan fisika dari Princeton
University) merupakan spesialis dalam sifat menghantarkan elektron dari
semikonduktor. Brattain (Ph.D., ahli dalam struktur atom zat padat pada permukaan dan fisika zat

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
padat). Shockley (Ph.D., pemimpin riset transistor di Bell Labs).
Jenis-jenis Transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
Materi semikonduktor : Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
Kemasan fisik : Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC
Tipe : UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET
Polaritas : NPN atau N-channel, PNP atau P-channel

Maximum kapasitas daya : Low Power, Medium Power, High Power

Maximum frekuensi kerja : Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave
Aplikasi : Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dll

Bipolar junction transistor (BJT)

Bipolar junction transistor (BJT) adalah jenis transistor yang memiliki tiga kaki, yaitu (Basis,
Kolektor, dan Emitor) dan di pisah menjadi dua arah aliran, positif dan negatif. Aliran positif dan
negatif diantara Basis dan Emitor terdapat tegangan dari 0v sampai 6v tergantung pada besar tegangan
sumber yang dipakai. Dan besar tegangan tersebut merupakan parameter utama transistor tipe BJT.
Tidak seperti Field Effect transistor (FET), arus yang dialirkan hanya terdapat pada satu jenis
pembawaan (Elektron atau Holes). Di BJT, arus dialirkan dari dua tipe pembawaan (Elektron dan
Holes), hal tersebut yang dinamakan dengan Bipolar.
Ada dua jenis tipe transistor BJT, yaitu tipe PNP dan NPN. Dimana NPN, terdapat dua daerah
negatif yang dipisah dengan satu daerah positif. Dan PNP, terdapat dua daerah positif yang dipisah
dengan daerah negatif.

NPN

Transistor NPN

Pada transistor jenis NPN terdapat arah arus aliran yang berbeda dengan transistor jenis PNP,

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
dimana NPN mengalir arus dari kolektor ke emitor. Dan pada NPN, untuk mengalirkan arus tersebut
dibutuhkan sambungan ke sumber positif (+) pada kaki basis. Cara kerja NPN adalah ketika tegangan
yang mengenai kaki basis, hingga dititik saturasi, maka akan menginduksi arus dari kaki kolektor ke
emitor. Dan transistor akan berlogika 1 (aktif). Dan apabila arus yang melalui basis berkurang, maka
arus yang mengalir pada kolektor ke emitor akan berkurang, hingga titik cutoff. Penurunan ini

sangatlah cepat karena perbandingan penguatan yang terjadi antara basis dan kolektor melebihi 200
kali.
Contoh gambar rangkaian penggunaan transistor NPN:

PNP

Transistor PNP

Pada PNP, terjadi hal sebaliknya ketika arus mengalir pada kaki basis, maka transistor berlogika
0 (off). Arus akan mengalir apabila kaki basis diberi sambungan ke ground (-) hal ini akan
menginduksi arus pada kaki emitor ke kolektor, hal yang berbeda dengan NPN, yaitu arus mengalir
pada kolektor ke emitor. Penggunaan transistor jenis ini mulai jarang digunakan. Dibanding dengan

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
NPN, transistor jenis PNP mulai sulit ditemukan dipasaran.

Contoh gambar rangkaian penggunaan transistor PNP:

Karakteristik dan Daerah kerja

Transistor BJT digunakan untuk 3 penggunaan berbeda: mode cut off, mode linear amplifier,
dan mode saturasi. Penggunaan fungsi transistor bisa menggunakan karakteristik dari masing-masing
daerah kerja ini. Selain untuk membuat fungsi daripada transistor, karakteristik transistor juga dapat
digunakan untuk menganalisa arus dan tegangan transistor.

Sirkuit sederhana transistor PNP

Karakteristik daerah kerja Transistor

Karakteristik dari masing-masing daerah operasi transistor tersebut dapat diringkas sebagai
berikut:
 Daerah Potong (cutoff):
Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan elektron,
sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor
ke Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).

 Daerah Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju.
Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus Basis,
IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi komponen yang tidak dapat dikendalikan.
Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus diberi prateganan mundur, dengan tegangan
melebihi VCE(sat), yaitu tegangan yang menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
 Daerah Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur. Terjadi
sifat-sifat yang diinginkan, dimana:

Atau

sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya. Transistor menjadi komponen yang dapat
dikendalikan.
 Daerah Breakdown
Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-nya, BVCEO
(tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol). Sehingga arus
Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.

Contoh sederhana penggunaan transistor tipe NPN dengan fungsi switching

Contoh penggunaan transistor NPN

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
Ketika saklar (switch) diaktifakan, maka terdapat arus yang mengalir pada resistor 1k dan
menuju basis transistor. Ketika basis transistor terdapat arus, maka arus yang berada pada kolektor
juga mengalir pada emitor yang mengakibatkan lampu menyala, karena lampu berada pada aliran
tertutup (close circuit).
Field Effect Transistor (FET)
Field Effect Transistor adalah jenis transistor yang dapat digunakan untuk menghasilkan sinyal
untuk mengontrol komponen yang lain. Komponen Transistor efek medan (field-effect transistor =
FET) mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET
dan transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua
jenis transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (Ic) dikendalikan oleh arus
input (Ib). Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (Vgs), karena
arus input adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.

Transistor efek medan mempunyai keunggulan lebih stabil terhadap temperatur dan
konstruksinya lebih kecil serta pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga amat
bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas
saja, sehingga FET cenderung membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari pada transistor bipolar.
Namun umumnya transistor bipolar lebih peka terhadap input, atau dengan kata lain penguatannya
lebih besar. Disamping itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang lebih baik dan respon
frekuensi yang lebih lebar. Jenis dari transistor FET itu sendiri adalah JFET dan MOFET.

Junction Field Effect Transistor (JFET)

Keluarga FET yang penting lainnya adalah JFET (Junction Field Efect Transistor) dan
MOSFET (Metal-Oxide Semiconduktor Field-Effect Transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan Kanal
N. JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol arus antara dua
terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-P, sebagaimana transistor
terdapat jenis NPN dan PNP. Pada umumnya penjelasan tentang JFET adalah kanal-N, karena kanal-
P adalah kebalikannya.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557

Cara kerja JFET

jika channel antara source dengan drain cukup lebar maka elektrok akan mengalir dari source
ke drain, hal ini sama seperti hukum GGL. dimana beda potensial tinggi ke potensial rendah. Dan jika
channel ini menyempit, maka aliran elektron akan berkurang atau berhenti sama sekali. Lebar channel
sangat ditentukan oleh Vgs (Tegangan antara Gate dengan Source). Ilustrasinya seperti gambar
berikut:

Drain harus lebih positif dari source sedangkan gate harus lebih negatif dari source. Jika
tegangan gate cukup negatif, maka lapisan pengosongan akan saling bersentuhan sehingga saluran
akan terjepit sehingga Id = 0. Tegangan Vgs ini kadang-kadang disebut sebagai tegangan pinch-off
(pinch-off voltage) dan besarnya tegangan ini ditentukan oleh karakteristik JFET.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
Sambungan gate dengan source merupakan diode silicon yang diberi prategangan terbalik
sehingga idealnya tidak ada arus yang mengalir. Dengan demikian maka Is = Id. Karena tidak ada
arus yang mengalir ke gate maka resistansi masukan JFET sangat tinggi (puluhan sampai ratusan
Mega OHM).

Contoh pemasangan JFET

Penggunaan JFET sangat sesuai untuk aplikasi yang membutuhkan resistansi masukan yang
tinggi. Sedangkan kekurangannya adalah untuk menghasilkan perubahan Id yang besar, diperlukan
perubahan Vg yang besar.
Metal Oxide Semikonduktor Field Effect Transistor (MOSFET)

Transistor MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconduktor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari
bahan semiconduktor (silicon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari
ketidak murnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe–N
(NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS).
Bahan silicon digunakan sebagai landasan (subsrat) dari penguras (drain), dan sumber (source),
dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara subsrat dan gerbangnya
dibatasi oleh oksida silicon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan diatas sisi kiri dari kanal,
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar
Junction Transistor) yaitu menghasilkan daya rendah.

Cara kerja MOSFET dibedakan menjadi dua yaitu:

Transistor mode depletion

1. Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)

Pada transistor mode depletion, antara drain dan source terdapat saluran yang menghubungkan
dua terminal tersebut, dimana saluran tersebut terdapat fungsi sebagai saluran tempat mengalirnya
elektron bebas. Lebar dari saluran itu sendiri dapat dikendalikan oleh tegangan gerbang. Transistor
MOSFET mode pengosongan terdiri dari tipe-N dan tipe-P.

Transistor mode Enchancement

2. Transistor Mode Peningkatan (transistor Mode Enchancement)

Transistor mode enchancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain dan source
nya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO2 pada terminal gate. Transistor MOSFET mode
peningkatan terdiri dari tipe-N dan Tipe-P.
Dilihat dari jenis saluran yang digunakan, transistor MOSFET dapat dikelompokkan menjadi tiga,
antara lain:
1. NMOS
2. PMOS
3. CMOS

Sumber:http://werden-forscher.blogspot.com/2015/03/pengertian-transistor-jenis-dan.html

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
V. LANGKAH PERCOBAAN

5.1. Karakteristik Kerja Transistor

1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.

Gambar 65. Percobaan Karakteristik Kerja Transistor

2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini. Maximum Value: 12 V
Minimum Value :0V
Increment : 10%
3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.
4. Atur Tegangan Kolektor (VCC) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser
slider ke kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 65 digunakan tombol
‘A’).
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai
Tegangan Kolektor (VCC) dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557

5.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.

Gambar 66. Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini. Maximum Value: 50 uA

Minimum Value :0A
Increment : 20%
3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.
4. Atur Arus Basis (IB) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke
kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 66 digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus
Basis (IB) dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
5.3. Pengukuran VBE
1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.

Gambar 67. Percobaan Pengukuran VBE

2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini. Maximum Value: 50 µA

Minimum Value :0A
Increment : 10%
3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.
4. Atur Arus Basis (IB) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke
kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 67 digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus Basis (IB)
dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
5.4. Pengukuran VCE jenuh
1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.

Gambar 68. Percobaan Pengukuran VCE Jenuh

2. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.

3. Saat saklar (S1) berada di posisi 1, amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada
multimeter DC serta kondisi LED. Catat pada Data Pengamatan.
4. Ubah posisi saklar (S1) pada posisi 2 dengan mengklik saklar atau dengan menekan
Tombol Key (Pada Gambar 68 digunakan tombol ‘Space’).
5. Amati kembali nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC serta kondisi
LED. Catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol stop.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557

VI. DATA PENGAMATAN

6.1. Karakteristik Kerja Transistor
IB = 40 µA
VCC (Volt) IC (mA) VCE (V)
2 11,72 0,827
4 12,026 2,797
6 12,331 4,767
8 12,636 6,736
10 12,941 8,706
12 13,247 10,675

6.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

VCC = 12 Volt
IB (µA) IC (mA) VCE (V)
10 3,275 11,672
20 6,694 11,331
30 10,025 10,998
40 13,247 10,675
50 16,357 10,364

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
6.3. Pengukuran VBE
IB (µA) VBE (mV)
10 668.013
20 689.216
30 702.337
40 712.147
50 720.126

6.4. Pengukuran VCE Jenuh

Posisi IB IC VBE VCE Ket

1 11.029 mA 25.012 mA 816.272 mV 33.138 mV Nyala
2 278.315 fA 3,819 nA 136.808 pV 3.756 V Mati

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
VII. TUGAS AKHIR
1. Dari percobaan 4.5.1 buatlah kurva karakteristik keluaran transistor!

KURVA K A RA KT E RI ST I K K E LUARA N
T RA NS ISTO R
IC (mA)
13,5
13,247
13 12,941
12,636
12,5
12,331
12 12,026
11,72
11,5

11

10,5 VCE (V)

0,827 2,797 4,767 6,736 8,706 10,675

2. Dari percobaan 4.5.2 tentukan harga beta (β) untuk setiap nilai IB!

β=
,
= = 372,5

β=

,
= = 334,7

β=

,
= = 334,16

β=
,
= = 331,175

β=
,
= = 327,14

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
3. Dari percobaan 4.5.3 buatlah kurva karakteristik masukan transistor!

IB (µA)
Kurva Karakteristik Masukan Transistor

60

50 50

40 40

30 30

20 20

10 10

0 VBE
668.013 689.216 702.337 712.147 720.126

4. Jelaskan hubungan kerja antara arus dan tegangan dari percobaan 4.5.4 sekaligus cara kerja
transistor tersebut sebagai saklar?

VCC menjadi sumber tegangan utama yang di pasang secara paralel terhadap transistor kaki
colector-emitter menjadi tegangan VCE. VCC sekaligus menjadi arus untuk Ic sekaligus Ib.
Kerja transistor saklar sebagai berikut :
Saklar 1: di kondisi pertama ada arus yang mengalir ke kaki basis ke kolektor dan emitter
sehingga membuat lampu LED menyala.
Saklar 2 : di kondisi kedua ini arus terputus karena arus basis tidak mengalir ke kolektor
dan emitter sehingga lampu LED tidak menyala

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
VIII. ANALISA
Pada praktikum kali ini membahas tentang Modul IV yang berjudul “Karakteristik Kerja
Transistor”. Tujuan dalam percobaan praktikum ini adalah yang pertama dapat mempelajari
karakteristik input maupun karakteristik output dari Bipolar Junction Transistor (BJT), dan yang
kedua dapat mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh. Apakah transistor
itu? Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki tiga kaki elektroda,
yaitu basis (dasar), kolektor (pengumpul), dan emitor (pemancar) yang berfungsi sebagai penguat,
pemutus dan penyambung (switching), stabilitasi tegangan pada rangkaian, dan lain sebagainya.
Selain itu, transistor juga dapat digunakan sebagai kran listrik sehingga dapat mengalirkan listrik
dengan sangat akurat. Transistor itu sendiri berasal dari kata transfer resistor, yang dimana
“transfer” itu artinya pemindahan dan “resistor” itu artinya penghambat. Pada dasarnya ada 2
karakteristik untuk transistor yaitu karakteristik output (𝑰𝑪 VS 𝑽𝑪𝑬 ) dan karakteristik input (𝑰𝑩 VS
𝑽𝑪𝑬 ). Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan arus kolektor pada konfigurasi
common emitter dengan arus basis sebagai parameter, sedangkan Karakteristik input adalah
hubungan antara tegangan dan arus basis pada konfigurasi common emitter untuk tegangan
kolektor yang tertentu. Kurva IB – VBE tersebut mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik
forward dari dioda. Transistor Persimpangan Bipolar (juga dikenal sebagai BJT) adalah jenis
perangkat semikonduktor khusus dengan tiga terminal yang terbuat dari sambungan pn. Mereka
mampu memperkuat sinyal juga mereka mengontrol arus yaitu, mereka disebut sebagai perangkat
yang dikendalikan arus.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
Ketiga terminal tersebut adalah Base, Collector & Emitter. Jenis jenis dari transistor BJT ada
dua yaitu transistor NPN dan transistor PNP. Untuk transistor PNP adalah jenis transistor yang
memiliki dua daerah p dan satu daerah n. Wilayah n diapit di antara dua wilayah p, sedangankan jika
transistor NPN adalah jenis Transistor Persimpangan Bipolar (BJT) yang terdiri dari tiga terminal dan
tiga lapisan dan berfungsi sebagai penguat atau sakelar elektronik. Bipolar junction transistor
memiliki kelebihan serta kekurangan juga. Untuk kelebihannya yaitu BJT memiliki penguatan
tegangan yang lebih baik, BJT memiliki rapat arus yang tinggi, Bandwidth Lebih Tinggi serta BJT
memberikan kinerja yang stabil pada frekuensi yang lebih tinggi. Sedangkan untuk kekurangannya
sendiri yaitu Transistor Bipolar Junction memiliki stabilitas termal yang rendah. Biasanya
menghasilkan lebih banyak suara. Jadi sirkuit rawan kebisingan. BJT memiliki frekuensi switching
kecil serta waktu peralihan BJT tidak terlalu cepat. Ada begitu banyak pengaplikasian BJT, beberapa
di antaranya adalah pada sirkuit logika, BJT digunakan, transistor persimpangan bipolar digunakan
sebagai penguat. Transistor jenis BJT ini dimanfaatkan sebagai sakelar. Untuk mendesain sirkuit
kliping, transistor persimpangan bipolar lebih disukai untuk sirkuit pembentuk gelombang serta pada
sirkuit demodulasi, BJT juga digunakan.
Penggunaan transistor sebagai saklar artinya mengoperasikan transistor pada salah satu kondisi
yaitu saturasi atau cut-off. Jika sebuah transistor berada dalam keadaan saturasi maka transistor
berlaku seperti saklar tertutup antara kolektor dan emitter. Jika transistor cut-off transistor berlaku
seperti saklar terbuka. Pengaturan on – off transistor dengan mengatur level tegangan pada basis
transistor tersebut. Jika arus basis lebih besar atau sama dengan arus basis saat saturasi, titik kerja
transistor berada pada ujung atas garis beban DC, dalam kondisi ini transistor berlaku sebagai saklar
tertutup. Sebaliknya jika arus basis nol, titik kerja transistor berada pada titik (P) dalam kondisi ini
transistor berlaku sebagai saklar terbuka.
Dalam praktikum ini terdapat 2 macam alat dan perlengkapan yang dibutuhkan, diantaranya
yaitu: Pertama adalah 1 unit PC yang digunakan untuk menjalankan aplikasi, dan Kedua adalah
software NI Multisim yang digunakan untuk memodelkan sebuah rangkaian listrik baik analog
maupun digital serta mensimulasikan rangkaiannnya.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
Dari percobaan praktikum dengan menggunakan software Ni Multisim, terdapat 4 rangkaian
yang telah disusun dan terdapat hasil pengamatannya. Percobaan pertama yaitu karakteristik kerja
transistor. Yang dimana pada percobaan 1 ini, akan membuktikan rumus dari V CC yaitu VCC = Vce +
Ic.Rc, dari hasil data yang telah didapatkan bahwa Ketika V CC nya dinaikkan sebesar 2 V hingga 12
V, maka nilai pada kolektor dan emitor juga akan naik atau semakin besar, maka pada percobaan ini
dapat membuktikan rumus dari VCC itu sendiri yaitu VCC = Vce + Ic.Rc. Yang dimana Ketika VCC nya
dinaikkan maka Vce nya juga naik karna berbanding lurus dan juga arusnya semakin naik karna
berbanding lurus dengan VCC -nya.
Percobaan kedua yaitu karakteristik penguat arus DC transistor. Yang dimana pada percobaan
2 ini, berdasarkan data yang telah didapatkan bahwasannya ketika arus pada basisnya dinaikkan maka
arus yang terbaca pada kolektor juga akan naik. Hal ini berarti menunjukkan bahwa arus basis (IB)
adalah penguat untuk Ic, atau transistor bekerja sebagai penguat arus dan untuk tegangan pada
kolektor emitornya (VCE) itu semakin kecil.
Percobaan ketiga yaitu pengukuran VBE. Yang dimana pada percobaan 3 ini, pengukuran 𝐕𝐁𝐄
menggunakan DC_Interactive_Current, sebuah hambatan sebesar 10 kΩ, DC_Power sebesar 5 Volt,
transistor BC107BP, dan 1 buah multimeter. Pada saat 𝐈𝐂 nya 10 𝛍𝐀, 𝐕𝐁𝐄 yang di dapatkan sebesar
668,013 mV. Pada saat 𝐈𝐂 nya 20 𝛍𝐀, 𝐕𝐁𝐄 yang di dapatkan sebesar 689,216 mV. Pada saat 𝐈𝐂 nya
30 𝛍𝐀, 𝐕𝐁𝐄 yang di dapatkan sebesar 702,337 mV. Pada saat 𝐈𝐂 nya 40 𝛍𝐀, 𝐕𝐁𝐄 yang di dapatkan
sebesar 712,147 mV. Pada saat 𝐈𝐂 nya 50 𝛍𝐀, 𝐕𝐁𝐄 yang didapatkan sebesar 720,126 mV. Pada
percobaan ketiga ini kita menentukan transistor jenis apa yang digunakan dengan cara melihat V BE.
Pada percobaan ini berkisar diantara 0,6-0,7 berarti transistor yang digunakan adalah berbahan silicon.
Percobaan keempat yaitu pengukuran VCE jenuh. Yang dimana pada percobaan 4 ini, kita akan
melihat transistor sebagai saklar. Terdapat dua kondisi, jika dalam kondisi saturasi lampunya akan
hidup dan saat cut off lampunya akan mati. Dalam keadaan kondisi yang pertama terdapat arus yang
mengalir dari sumber tegangan ke saklar dan menggerakkan kaki basis sehingga ada arus yang
mengalir dari kolektor ke emitter, maka dengan demikian LED nya dapat menyala. Sedangkan saat
dalam kondisi kedua saklarnya terbuka sehingga arus tidak dapat mengalir ke kaki basis, jadi tidak
ada arus yang mengalir dari kolektor ke emitter sehingga LED nya tidak menyala. Walaupun LED
tidak menyala, masih terdapat nilai data yang dapat diambil tetapi nilainya sangat kecil sekali,
mengapa demikian karena nilai yang terdapat pada kondisi kedua ini merupakan nilai dari arus bocor.
Jadi dapar disimpulkan pada kondisi pertama ini merupakan kondisi saat saturasi sedangkan pada
kondisi kedua itu merupakan kondisi cut off.
Saat melakukan praktikum, mungkin saja terdapat hal – hal yang tidak diinginkan seperti kurang
telitinya saat membaca dan menyalin hasil data pengamatan pada software NI Multisim, kesalahan

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
pada saat menyusun rangkaian percobaan pada software NI Multisim, dan juga adanya error pada
software NI Multisim tersebut.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557
IX. KESIMPULAN

Dari percobaan praktikum modul IV yang berjudul “Karakteristik Kerja Transistor“ dapat
disimpulkan beberapa hal yaitu:

1. BJT (Bipolar Junction Transistor) merupakan transistor yang menggunakan electron dan lubang
electron sebagai pembawa muatan. Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan
arus kolektor pada konfigurasi common emitter dengan arus basis sebagai parameter sedangkan
Karakteristik input adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada konfigurasi common
emitter untuk tegangan kolektor yang tertentu. Kurva IB – VBE tersebut mempunyai bentuk yang
sama dengan karakteristik forward dari dioda.

2. Berdasarkan dari data hasil percobaan yang diperoleh dapat disimpulkan bahwa jika pada kurva
karakteristik output, besar arus yang megalir pada kolektor berbanding lurus dengan nilai arus
pada basis begitupun dengan faktor pengikutnya. Sedangkan kurva karakteristik input itu adalah
semakin besar nilai tegangan yang diberikan pada kaki emitor basis dan kaki emitor kolektor
maka arus yang mengalir pada basis juga semakin besar karena lapisan deplesi terdorong hingga
menyempit akibat pemberian bias maju dari sumber. Jadi dengan demikian kita dapat
mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN
 Rahardian Anggada SP
2023-71-557

Laboratorium Dasar Teknik Elektro

Institut Teknologi PLN