I.

Pendahuluan

A. Latar Belakang

Transistor merupakan komponen kunci dalam desain sirkuit elektronik modern. Dalam
perkembangannya, dua jenis transistor yang populer adalah Jeft (Junction Field-Effect
Transistor) dan MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Makalah ini
akan membahas perbedaan, karakteristik, dan aplikasi Jeft dan MOSFET dalam konteks
elektronika.

B. Tujuan Makalah

Tujuan makalah ini adalah untuk memberikan pemahaman mendalam tentang Jeft dan
MOSFET, serta membandingkan keduanya dalam hal struktur, prinsip kerja, karakteristik,
dan aplikasi mereka. Hal ini akan membantu pembaca memahami perbedaan dan memilih
transistor yang paling sesuai untuk aplikasi tertentu.

C. Ruang Lingkup Makalah

Makalah ini akan membahas Jeft dan MOSFET secara terpisah, dengan menjelaskan prinsip
kerja, struktur, karakteristik, dan aplikasi khusus dari masing-masing transistor.
Perbandingan antara Jeft dan MOSFET juga akan dibahas secara mendalam.

II. Jeft (Junction Field-Effect Transistor)

A. Pengenalan Jeft

1. Sejarah dan perkembangan Jeft.

JFET telah diramalkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 dan pertengahan
tahun 1930-an, teori operasinya telah cukup untuk mendapatkan paten. Tetapi, pada waktu
itu tidak mungkin untuk membuat kristal terkotori dengan ketelitian yang cukup untuk
menunjukkan efek JFET. Pada tahun 1947, peneliti John Bardeen, Walter Houser Brattain,
dan William Shockley mencoba untuk membuat JFET ketika mereka menemukan transistor
titik kontak. JFET praktis pertama dibuat beberapa tahun kemudian.

2. Prinsip kerja Jeft.

Prinsip kerja JFET didasarkan pada pengendalian medan listrik di dalam saluran konduksi
yang terbentuk antara dua terminal yang disebut Source (Sumber) dan Drain (Saluran) oleh
tegangan yang diterapkan pada terminal ketiga yang disebut Gate (Gerbang).
Ada dua tipe JFET, yaitu tipe N (N-channel) dan tipe P (P-channel), tergantung pada polaritas
bahan semikonduktor yang digunakan. Prinsip kerja untuk keduanya serupa, hanya berbeda
dalam arah aliran arus dan polaritas tegangan.

Pada JFET tipe N, ketika tegangan negatif diterapkan pada Gate relatif terhadap Source,
medan listrik terbentuk di sekitar junction dan mengurangi lebar saluran konduksi. Ini
menyebabkan hambatan saluran meningkat, sehingga mengurangi arus yang mengalir dari
Drain ke Source. Sebaliknya, ketika tegangan positif diterapkan pada Gate, medan listrik
mengecilkan hambatan saluran dan memungkinkan aliran arus yang lebih besar.

Pada JFET tipe P, prinsipnya mirip dengan JFET tipe N, tetapi dengan polaritas tegangan yang
berbeda. Ketika tegangan positif diterapkan pada Gate relatif terhadap Source, medan listrik
yang terbentuk mengurangi hambatan saluran dan memungkinkan aliran arus dari Drain ke
Source. Ketika tegangan negatif diterapkan pada Gate, hambatan saluran meningkat dan
menghambat arus.

3. Jenis Jeft: P-Channel dan N-Channel.

JFET (Junction Field-Effect Transistor) tersedia dalam dua jenis utama, yaitu JFET tipe N (N-
channel) dan JFET tipe P (P-channel). Perbedaan antara keduanya terletak pada polaritas
bahan semikonduktor yang digunakan dalam pembuatan JFET.

a. JFET tipe N (N-channel):

- Pada JFET tipe N, saluran konduksi terbentuk oleh bahan semikonduktor tipe N
(berkonsentrasi lebih banyak elektron) di antara dua junction (perbatasan) P-N.

- Ketika tegangan negatif diterapkan pada terminal Gate terhadap terminal Source, medan
listrik terbentuk di sekitar junction Gate-Source dan mengurangi lebar saluran konduksi.

- Medan listrik ini mengurangi jumlah elektron yang dapat mengalir melalui saluran
konduksi, sehingga mengendalikan arus yang mengalir dari Drain ke Source.

- JFET tipe N digunakan dalam aplikasi di mana sinyal negatif dikendalikan, dan arus negatif
lebih diinginkan daripada arus positif.

b. JFET tipe P (P-channel):

- Pada JFET tipe P, saluran konduksi terbentuk oleh bahan semikonduktor tipe P
(berkonsentrasi lebih banyak lubang) di antara dua junction (perbatasan) P-N.
 - Ketika tegangan positif diterapkan pada terminal Gate terhadap terminal Source, medan
listrik terbentuk di sekitar junction Gate-Source dan mengurangi hambatan saluran
konduksi.

- Medan listrik ini mengurangi hambatan saluran, memungkinkan aliran arus dari Drain ke
Source.

- JFET tipe P digunakan dalam aplikasi di mana sinyal positif dikendalikan, dan arus positif
lebih diinginkan daripada arus negatif.

Keduanya, JFET tipe N dan JFET tipe P, memiliki karakteristik operasi yang mirip dalam hal
prinsip kerja. Namun, polaritas dan arah arusnya berbeda, dan hal ini perlu diperhatikan
saat merancang dan menggunakan rangkaian yang melibatkan JFET.

B. Struktur dan Karakteristik Jeft

1. Struktur fisik Jeft.

JFET (Junction Field-Effect Transistor) memiliki struktur fisik dasar yang terdiri dari tiga
terminal: Gate (G), Source (S), dan Drain (D). Struktur fisik JFET biasanya dibuat
menggunakan material semikonduktor, seperti silikon atau germanium.

Struktur fisik JFET tipe N (N-channel) dan JFET tipe P (P-channel) memiliki perbedaan dalam
orientasi junction antara bahan semikonduktor tipe P dan N di dalamnya.

Untuk JFET tipe N:

- Bagian tengah struktur JFET terdiri dari bahan semikonduktor tipe N, yang disebut N-
channel.

- Di antara N-channel, terdapat dua junction (perbatasan): junction antara N-channel dan
bahan semikonduktor tipe P di sisi Source (S), dan junction antara N-channel dan bahan
semikonduktor tipe P di sisi Drain (D).

- Terminal Gate (G) berfungsi untuk mengontrol lebar saluran konduksi di N-channel dengan
mengatur medan listrik di sekitar junction Gate-Source.

Untuk JFET tipe P:

- Bagian tengah struktur JFET terdiri dari bahan semikonduktor tipe P, yang disebut P-
channel.

- Di antara P-channel, terdapat dua junction (perbatasan): junction antara P-channel dan
bahan semikonduktor tipe N di sisi Source (S), dan junction antara P-channel dan bahan
semikonduktor tipe N di sisi Drain (D).
- Terminal Gate (G) berfungsi untuk mengontrol hambatan saluran konduksi di P-channel
dengan mengatur medan listrik di sekitar junction Gate-Source.

Struktur fisik JFET memungkinkan pengendalian arus yang mengalir antara terminal
Source dan Drain melalui pengaturan tegangan di terminal Gate. Arus mengalir melalui
saluran konduksi yang ada di antara Source dan Drain, dan lebar saluran konduksi atau
hambatan saluran dapat dikendalikan oleh medan listrik yang dihasilkan oleh tegangan di
terminal Gate.

Penting untuk dicatat bahwa struktur fisik JFET dapat bervariasi tergantung pada desain dan
fabrikasi yang digunakan oleh produsen, tetapi prinsip dasar operasi JFET tetap sama
dengan struktur tiga terminal: Gate, Source, dan Drain.

2. Karakteristik elektrik Jeft.

Berikut adalah beberapa karakteristik elektrik umum dari JFET (Junction Field-Effect
Transistor):

a. Arus Drain-Source (ID):

- JFET memiliki kemampuan untuk mengalirkan arus dari terminal Drain ke terminal
Source.

- Arus ID pada JFET tergantung pada tegangan Gate-Source (VGS) dan hambatan saluran
(RS).

b. Tegangan Gate-Source (VGS):

- Tegangan antara terminal Gate dan Source pada JFET mengontrol arus Drain-Source (ID).

- Pada JFET tipe N, ID meningkat ketika VGS semakin negatif.

- Pada JFET tipe P, ID meningkat ketika VGS semakin positif.

c. Transkonduktansi (gm):

- Transkonduktansi adalah ukuran sensitivitas perubahan arus Drain-Source (ID) terhadap

perubahan tegangan Gate-Source (VGS).

- Transkonduktansi pada JFET dinyatakan dalam satuan Siemens (S) atau milliSiemens
(mS).

d. Hambatan Saluran (RDson atau RDS):

- Hambatan saluran (RDson atau RDS) adalah resistansi saluran JFET ketika VGS tertentu.

- Hambatan saluran pada JFET dapat mempengaruhi tegangan jatuh dan efisiensi daya
perangkat.
e. Tegangan Drain-Breakdown (BVDS):

- Tegangan Drain-Breakdown adalah tegangan maksimum yang dapat ditoleransi oleh JFET
tanpa terjadi kerusakan pada perangkat.

f. Kapasitansi Gate-Drain (CGD) dan Kapasitansi Gate-Source (CGS):

- JFET memiliki kapasitansi antara terminal Gate-Drain (CGD) dan terminal Gate-Source
(CGS).

- Kapasitansi ini dapat mempengaruhi respons frekuensi perangkat dan dapat

diperhitungkan dalam desain sirkuit.

g. Range Frekuensi:

- JFET memiliki range frekuensi kerja tertentu, yang tergantung pada konstruksi dan
parameter perangkat.

- Range frekuensi JFET dapat mencakup aplikasi yang berkisar dari frekuensi rendah hingga
frekuensi tinggi tergantung pada tipe dan desainnya.

Karakteristik elektrik JFET dapat bervariasi tergantung pada tipe JFET, desain, dan parameter
perangkat lainnya. Penting untuk memahami karakteristik spesifik dari JFET yang digunakan
dalam rangkaian untuk mengoptimalkan kinerja dan aplikasi yang diinginkan.

C. Kelebihan dan Kekurangan JFET

Kelebihan dan kekurangan JFET

Kelebihan JFET (Junction Field-Effect Transistor):

1. Impedansi Input yang Tinggi: JFET memiliki impedansi input yang sangat tinggi, sehingga
tidak memerlukan arus gate input yang signifikan. Hal ini menghasilkan konsumsi daya yang
rendah dan kebocoran arus input yang kecil.

2. Stabilitas yang Baik: JFET memiliki stabilitas yang baik terhadap perubahan suhu dan
tegangan. Hal ini menjadikannya cocok untuk digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan
kestabilan sinyal yang tinggi.

3. Noise yang Rendah: JFET memiliki kebisingan (noise) yang rendah dibandingkan dengan
transistor bipolar. Oleh karena itu, JFET sering digunakan dalam aplikasi yang memerlukan
sensitivitas yang tinggi, seperti dalam rangkaian penguat audio.

4. Kegunaan sebagai Penguat VHF/UHF: JFET memiliki karakteristik yang baik dalam rentang
frekuensi VHF (Very High Frequency) dan UHF (Ultra High Frequency). Oleh karena itu, JFET
sering digunakan dalam aplikasi penguat dan mixer pada perangkat elektronik yang
beroperasi pada frekuensi tersebut.

Kekurangan JFET:

1. Tegangan Terbatas: JFET memiliki tegangan drain-source maksimum yang terbatas, yang
dikenal sebagai tegangan breakdown (BVDS). Jika tegangan melebihi nilai BVDS, JFET dapat
mengalami breakdown dan merusak perangkat.

2. Pemilihan Polarisasi: JFET memerlukan pemilihan polarisasi yang tepat untuk menghindari
kerusakan atau degradasi kinerja perangkat. Kesalahan dalam polarisasi dapat
menyebabkan JFET tidak berfungsi dengan baik atau mengalami kerusakan.

3. Tegangan Threshold yang Variabel: JFET memiliki tegangan threshold yang bervariasi
antara perangkat yang satu dengan yang lain. Hal ini dapat menyebabkan variasi dalam
karakteristik dan kinerja antara perangkat JFET yang berbeda.

4. Resistansi Saluran yang Besar: JFET memiliki resistansi saluran yang relatif besar
dibandingkan dengan MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Hal ini
mengakibatkan daya yang dihabiskan lebih besar dalam kondisi normal.

Penting untuk mempertimbangkan kelebihan dan kekurangan JFET dalam merancang dan
memilih perangkat sesuai dengan kebutuhan aplikasi.

3. Aplikasi khusus Jeft.

JFET (Junction Field-Effect Transistor) memiliki beragam aplikasi dalam dunia elektronika.
Beberapa aplikasi umum JFET meliputi:

1. Penguat Sinyal: JFET digunakan dalam berbagai rangkaian penguat sinyal, baik dalam
aplikasi audio maupun frekuensi radio. Kelebihan JFET dalam kebisingan yang rendah dan
impedansi input yang tinggi menjadikannya ideal untuk aplikasi penguatan sinyal dengan
kebutuhan sensitivitas yang tinggi.

2. Saklar Analog: JFET dapat digunakan sebagai saklar analog yang dapat mengendalikan
aliran arus dalam rentang tegangan yang luas. Dalam aplikasi seperti switch dan pengaturan
gain variabel, JFET dapat mengontrol aliran arus dengan presisi yang tinggi.
3. Pendeteksi Sinyal: JFET dapat digunakan sebagai detektor sinyal dalam aplikasi
komunikasi, seperti penerima radio dan TV. Dalam rangkaian detektor AM atau FM, JFET
digunakan untuk mengambil sinyal dari antena dan mengubahnya menjadi sinyal audio yang
dapat diproses lebih lanjut.

4. Mixer Frekuensi: JFET dapat digunakan dalam rangkaian mixer frekuensi untuk
menggabungkan sinyal-sinyal dengan frekuensi yang berbeda. Dalam aplikasi radio dan
komunikasi nirkabel, JFET digunakan untuk mengubah frekuensi sinyal-sinyal tersebut agar
dapat dikombinasikan.

5. Stabilisator Arus Konstan: JFET dapat digunakan sebagai stabilisator arus konstan dalam
rangkaian regulator tegangan. Dengan memanfaatkan karakteristik JFET yang
mempertahankan arus drain konstan dalam rentang tegangan tertentu, JFET digunakan
untuk menjaga arus yang stabil pada beban yang berubah-ubah.

6. Sensor Suhu: JFET dapat digunakan sebagai sensor suhu dalam aplikasi pengukuran dan
kontrol suhu. Perubahan suhu akan mempengaruhi hambatan internal JFET, yang dapat
diukur dan digunakan untuk memantau suhu dalam sistem.

7. Elektronika Musik: JFET digunakan dalam alat musik elektronik, seperti efek gitar dan
synthesizer. Dalam aplikasi ini, JFET digunakan untuk memproses dan memodulasi sinyal
audio untuk menciptakan efek suara yang diinginkan.

Kelebihan JFET dalam kebisingan rendah, impedansi input yang tinggi, dan karakteristik yang
stabil menjadikannya cocok untuk berbagai aplikasi di atas. Namun, pemilihan perangkat
JFET yang tepat dan pemahaman yang baik tentang karakteristiknya sangat penting untuk
memastikan kinerja yang optimal dalam setiap aplikasi.

III. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

A. Pengenalan MOSFET

1. Sejarah dan perkembangan MOSFET.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah jenis transistor yang

penting dalam dunia elektronika modern. Berikut adalah sejarah perkembangan MOSFET:

. Awal Pengembangan: MOSFET dikembangkan pada tahun 1959 oleh Mohamed M. Atalla
dan Dawon Kahng di Bell Labs. Mereka memperkenalkan konsep MOS (Metal-Oxide-
Semiconductor) sebagai alternatif yang lebih baik dibandingkan dengan teknologi transistor
saat itu.

Pengenalan MOSFET Enhancemen (Enhancement-Mode): Pada tahun 1960-an, sejumlah

peneliti seperti John Atalla dan Dawon Kahng, Carl Frosch, dan Chih-Tang Sah
mengembangkan MOSFET enhancement-mode yang dapat dinyalakan dengan tegangan
positif pada gate. MOSFET enhancement-mode ini memiliki karakteristik yang lebih baik dan
lebih mudah digunakan dalam berbagai aplikasi.

MOSFET Depletion-Mode: Pada akhir tahun 1960-an dan awal 1970-an, MOSFET depletion-
mode mulai dikembangkan. MOSFET depletion-mode membutuhkan tegangan negatif pada
gate untuk mematikan aliran arus, dan sering digunakan dalam aplikasi yang memerlukan
perangkat elektronik yang bersifat normally-on.

MOSFET Power: Pengembangan MOSFET power dimulai pada tahun 1970-an. MOSFET
power memiliki kemampuan untuk menangani daya yang lebih besar dibandingkan dengan
MOSFET yang digunakan pada aplikasi logika atau sinyal rendah. MOSFET power banyak
digunakan dalam sistem daya seperti pengatur voltase, pengubah frekuensi, dan rangkaian
daya tinggi.

Advancements dalam Teknologi MOSFET: Seiring berjalannya waktu, MOSFET terus

mengalami perkembangan dalam hal ukuran, kecepatan, efisiensi, dan karakteristik lainnya.
Terobosan seperti pengurangan ukuran transistor (scaling) dan pengenalan MOSFET
berbasis silikon-on-insulator (SOI) telah meningkatkan kinerja dan efisiensi MOSFET.

MOSFET Terintegrasi: MOSFET juga menjadi komponen penting dalam pengembangan

sirkuit terintegrasi seperti mikrokontroler, mikroprosesor, dan ASIC (Application-Specific
Integrated Circuit). Integrasi MOSFET dalam teknologi semikonduktor telah memungkinkan
perkembangan sistem elektronik yang semakin canggih dan kompak.

Pengembangan MOSFET terus berlanjut hingga saat ini dengan upaya untuk meningkatkan
efisiensi energi, mengurangi kebocoran arus, meningkatkan kecepatan, dan menghadapi
tantangan teknologi terkini seperti perangkat semikonduktor berbasis nanoteknologi.
MOSFET telah menjadi bagian integral dari revolusi digital dan terus digunakan dalam
berbagai aplikasi elektronik modern.

2. Prinsip kerja MOSFET.

Prinsip kerja MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) didasarkan pada

pengendalian medan listrik di dalam kanal semikonduktor oleh medan listrik di gate.
MOSFET merupakan transistor tipe field-effect yang memiliki tiga terminal, yaitu source
(sumber), drain (saluran), dan gate (gerbang).

Pada MOSFET, kanal semikonduktor yang terletak di antara terminal source dan drain
dikendalikan oleh tegangan yang diterapkan pada terminal gate. Prinsip kerja MOSFET dapat
dijelaskan dalam dua mode operasi, yaitu mode cut-off dan mode saturasi.
1. Mode Cut-off: Ketika tegangan pada terminal gate MOSFET berada di bawah ambang
tegangan gate-source (Vth), MOSFET berada dalam mode cut-off. Pada mode ini, kanal
semikonduktor tidak terbentuk, sehingga tidak ada aliran arus antara terminal source dan
drain.

2. Mode Saturasi: Ketika tegangan pada terminal gate MOSFET melebihi ambang tegangan
gate-source (Vth), MOSFET berada dalam mode saturasi. Pada mode ini, kanal
semikonduktor terbentuk dan memungkinkan aliran arus antara terminal source dan drain.

Dalam mode saturasi, terdapat dua jenis MOSFET, yaitu MOSFET enhancement-mode dan
depletion-mode.

- MOSFET Enhancement-Mode: Pada MOSFET enhancement-mode, kanal semikonduktor

hanya terbentuk ketika tegangan gate-source melebihi ambang tegangan Vth. Ketika
tegangan gate-source positif, kanal semikonduktor terbentuk dan arus dapat mengalir dari
source ke drain. Ketika tegangan gate-source bernilai nol atau negatif, MOSFET dalam mode
cut-off dan tidak ada arus yang mengalir.

- MOSFET Depletion-Mode: Pada MOSFET depletion-mode, kanal semikonduktor terbentuk

secara default saat MOSFET dalam keadaan tanpa tegangan di gate. Ketika tegangan gate-
source bernilai nol, kanal semikonduktor terbentuk sepenuhnya dan arus mengalir dari
source ke drain. Untuk mematikan aliran arus, tegangan gate-source harus negatif.

Prinsip kerja MOSFET memungkinkan pengendalian aliran arus antara terminal source dan
drain dengan mengendalikan tegangan pada terminal gate. MOSFET digunakan dalam
berbagai aplikasi elektronik seperti amplifier, switch, regulator tegangan, dan memori
semikonduktor.

3. Jenis MOSFET: N-Channel dan P-Channel.

MOSFET P-Channel:

Enhancement-mode P-Channel MOSFET (PMOS): Jenis ini membutuhkan tegangan gate-

source negatif untuk mengontrol aliran arus. Ketika tegangan gate-source negatif, kanal
semikonduktor terbuka, memungkinkan arus mengalir antara terminal source dan drain.

Depletion-mode P-Channel MOSFET: Jenis ini membutuhkan tegangan gate-source positif

untuk mengontrol aliran arus. Ketika tegangan gate-source positif, kanal semikonduktor
terhambat, mengurangi aliran arus antara terminal source dan drain.

MOSFET N-Channel:
Enhancement-mode N-Channel MOSFET (NMOS): Jenis ini membutuhkan tegangan gate-
source positif untuk mengontrol aliran arus. Ketika tegangan gate-source positif, kanal
semikonduktor terbuka, memungkinkan arus mengalir dari terminal drain ke source.

Depletion-mode N-Channel MOSFET: Jenis ini membutuhkan tegangan gate-source negatif

untuk mengontrol aliran arus. Ketika tegangan gate-source negatif, kanal semikonduktor
terhambat, mengurangi aliran arus antara terminal drain dan source.

Selain itu, terdapat MOSFET p-channel dan n-channel dengan variasi lainnya seperti MOSFET
p-channel dan n-channel dengan teknologi high voltage, low voltage, high current, low
power, dan lain sebagainya. Jenis MOSFET yang digunakan tergantung pada kebutuhan
spesifik dari suatu aplikasi elektronik.

B. Struktur dan Karakteristik MOSFET

1. Struktur fisik MOSFET.

Struktur fisik MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) terdiri dari tiga

bagian utama:

1. Substrat (Substrate): Substrat merupakan bahan dasar yang biasanya terbuat dari bahan
semikonduktor seperti silikon (Si). Pada MOSFET n-channel, substrat ini memiliki tipe doping
yang berlawanan dengan tipe doping kanal n yang terbentuk di atasnya, sedangkan pada
MOSFET p-channel, substrat memiliki tipe doping yang berlawanan dengan tipe doping
kanal p yang terbentuk di atasnya.

2. Gate: Bagian gate terletak di atas substrat dan diisolasi dari substrat oleh lapisan oksida
tipis yang disebut gate oxide. Biasanya, gate terbuat dari logam seperti aluminium (Al) atau
polisilikon (polycrystalline silicon, polysilicon). Tegangan yang diberikan pada gate
mengontrol aliran arus antara source dan drain.

3. Kanal (Channel): Kanal adalah lapisan semikonduktor yang terbentuk di antara source dan
drain di atas substrat. Pada MOSFET n-channel, kanal adalah daerah dengan tipe doping n
yang terbentuk di atas substrat p-type. Pada MOSFET p-channel, kanal adalah daerah
dengan tipe doping p yang terbentuk di atas substrat n-type.

Selain tiga komponen utama tersebut, MOSFET juga memiliki terminal-source, drain, dan
body. Terminal-source terhubung ke ujung kanal yang terdop, terminal-drain terhubung ke
ujung kanal yang tidak terdop, dan body adalah terminal terhubung ke substrat.

Struktur fisik MOSFET juga dapat bervariasi tergantung pada jenis MOSFET dan proses
fabrikasi yang digunakan. Ada variasi MOSFET seperti MOSFET berlapisan-ganda (Double-
Gate MOSFET) yang memiliki dua gate, MOSFET vertikal dengan struktur tumpukan, dan
MOSFET dengan teknologi canggih seperti MOSFET FinFET atau MOSFET Nanowire.
C. Kelebihan dan Kekurangan MOSFET

1. Kelebihan MOSFET.

Kelebihan MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):

Efisiensi Tinggi: MOSFET memiliki efisiensi yang tinggi dalam mengontrol arus listrik. Hal ini
membuatnya cocok untuk digunakan dalam aplikasi daya tinggi dengan kehilangan daya
yang rendah.

Kecepatan Tinggi: MOSFET memiliki waktu respons yang cepat, sehingga mampu beralih
antara kondisi on dan off dengan cepat. Ini membuatnya ideal untuk aplikasi yang
membutuhkan pengendalian arus yang cepat, seperti dalam rangkaian switch-mode dan
pemrosesan sinyal tinggi.

Beban Kapasitif: MOSFET dapat menangani beban kapasitif dengan baik, artinya MOSFET
dapat digunakan untuk mengendalikan perangkat yang memiliki beban kapasitif seperti
motor dan kapasitor tanpa merusak MOSFET itu sendiri.

Tegangan Operasi Rendah: MOSFET dapat beroperasi pada tegangan rendah, yang
menjadikannya cocok untuk aplikasi yang membutuhkan tegangan rendah seperti perangkat
mobile atau baterai.

Daya Tahan Terhadap Radiasi: MOSFET memiliki daya tahan yang baik terhadap radiasi,
sehingga dapat digunakan dalam lingkungan yang terpapar radiasi seperti di industri nuklir
atau aplikasi antariksa.

2. Kekurangan MOSFET.

Kekurangan MOSFET:

Rentang Tegangan Terbatas: MOSFET memiliki rentang tegangan terbatas, terutama dalam
aplikasi daya tinggi. Jika tegangan melebihi batas yang ditentukan, MOSFET dapat
mengalami kegagalan atau kerusakan.

Sensitif terhadap Transien Listrik: MOSFET dapat menjadi sensitif terhadap transien listrik
yang dapat terjadi dalam sistem. Hal ini dapat menyebabkan MOSFET rusak jika tidak
dilindungi dengan baik.
Rentang Suhu Terbatas: MOSFET memiliki rentang suhu operasi terbatas. Jika suhu melebihi
batas yang ditentukan, performa MOSFET dapat terpengaruh atau bahkan dapat rusak.

Hambatan On-Resistance: MOSFET memiliki resistansi on-state yang kecil saat beroperasi
dalam mode on, tetapi resistansi ini tidak nol. Hal ini menghasilkan daya yang kecil tetapi
tidak sepenuhnya hilang di dalam MOSFET saat beroperasi dalam mode on.

Biaya: MOSFET dapat memiliki biaya yang relatif lebih tinggi dibandingkan dengan transistor
bipolar. Namun, ini dapat dikompensasi dengan keandalan dan efisiensi yang tinggi yang
ditawarkan oleh MOSFET.

3. Aplikasi khusus MOSFET.

Mosfet memiliki berbagai aplikasi dalam berbagai bidang. Beberapa contoh pengaplikasian
Mosfet termasuk:

1. Sirkuit Daya: Mosfet digunakan secara luas dalam sirkuit daya seperti inverter, konverter
DC-DC, penguat audio, dan regulator daya. Mosfet mampu menangani daya tinggi dengan
efisiensi yang baik.

2. Pemrosesan Sinyal: Mosfet digunakan dalam pemrosesan sinyal audio dan video,
amplifier, mixer, dan switch audio. Mosfet memberikan distorsi yang rendah dan kecepatan
respons yang tinggi, sehingga cocok untuk aplikasi pemrosesan sinyal yang membutuhkan
kualitas audio atau video yang baik.

3. Elektronika Kendaraan: Mosfet digunakan dalam sistem kendali motor, sistem pengisian
baterai, dan sistem pengendalian transmisi dalam kendaraan. Mosfet memberikan efisiensi
yang tinggi dan kemampuan pengendalian yang baik dalam aplikasi kendaraan.

4. Komunikasi Wireless: Mosfet digunakan dalam penguat daya RF (Radio Frequency) untuk
sistem komunikasi nirkabel seperti ponsel, pemancar FM, dan perangkat komunikasi satelit.
Mosfet mampu menghasilkan daya RF tinggi dengan efisiensi yang baik.

5. Elektronika Medis: Mosfet digunakan dalam perangkat medis seperti alat pemantau
jantung, perangkat pengendali suhu, dan alat bantu pendengaran. Mosfet memberikan
stabilitas, keandalan, dan kemampuan pengendalian yang diperlukan dalam aplikasi medis.

6. Sistem Tenaga Surya: Mosfet digunakan dalam pengendalian daya dalam sistem tenaga
surya, termasuk pengisian baterai surya, inverter tenaga surya, dan pengendali MPPT
(Maximum Power Point Tracking). Mosfet memberikan efisiensi yang tinggi dalam
mengubah energi surya menjadi listrik.

7. Elektronika Komputer: Mosfet digunakan dalam sirkuit pemrosesan data, memori, dan
pengendalian daya dalam komputer dan perangkat penyimpanan data. Mosfet memberikan
kecepatan tinggi dan efisiensi dalam aplikasi komputer.
8. Elektronika Industri: Mosfet digunakan dalam kontrol motor industri, sirkuit daya industri,
dan sistem kontrol otomatis dalam aplikasi industri. Mosfet memberikan pengendalian yang
akurat dan efisiensi tinggi dalam lingkungan industri yang berat dalam mengontrol daya dan
sinyal, sehingga menjadi komponen penting dalam elektronika modern.

IV. Kesimpulan

Ringkasan dari perbandingan Jeft dan MOSFET, serta pentingnya memilih transistor yang
sesuai dengan aplikasi elektronik yang diinginkan.

Berikut adalah ringkasan perbandingan antara JFET dan MOSFET:

1. Struktur: JFET menggunakan junction (junction PN) sebagai pengendali arus, sedangkan
MOSFET menggunakan lapisan oksida (oxide) sebagai isolator antara gate dan channel.

2. Tipe: Baik JFET maupun MOSFET memiliki tipe P-channel dan N-channel.

3. Prinsip Kerja: MOSFET mengendalikan arus melalui medan listrik yang dihasilkan oleh
tegangan gate-channel, sedangkan JFET mengendalikan arus melalui medan listrik yang
dihasilkan oleh tegangan gate-source.

4. Impedansi Input: MOSFET memiliki impedansi input yang tinggi, sedangkan JFET memiliki
impedansi input yang rendah.

5. Karakteristik: Karakteristik MOSFET dan JFET meliputi transfer characteristic, drain current
vs. drain-to-source voltage, dan transfer conductance.

6. Kelebihan MOSFET: Efisiensi tinggi, impedansi input yang tinggi, daya rendah, dan
pengendalian arus yang baik.

7. Kelebihan JFET: Impedansi input yang rendah, kebisingan rendah, dan kualitas audio yang
baik.

8. Kekurangan MOSFET: Kepekaan terhadap transient voltage, kompleksitas dalam desain

sirkuit, dan biaya yang relatif tinggi.

9. Kekurangan JFET: Tegangan operasi terbatas dan impedansi output yang tinggi.

10. Aplikasi: Baik JFET maupun MOSFET digunakan dalam berbagai aplikasi elektronika,
seperti sirkuit daya, pemrosesan sinyal, kendaraan, komunikasi nirkabel, elektronika medis,
tenaga surya, komputer, dan industri. Pemilihan antara JFET dan MOSFET tergantung
pada persyaratan sirkuit dan aplikasi yang spesifik. Penting untuk memahami karakteristik,
kelebihan, dan kekurangan keduanya untuk memilih transistor yang tepat sesuai dengan
kebutuhan desain elektronika.
V. Daftar Pustaka

Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2016). Microelectronic Circuits: International Version. Oxford
University Press.

Streetman, B. G., & Banerjee, S. K. (2015). Solid State Electronic Devices (7th Edition).
Pearson.

Razavi, B. (2016). Fundamentals of Microelectronics (2nd Edition). Wiley.

Baliga, B. J. (2011). Power Semiconductor Devices. Springer.

Millman, J., & Halkias, C. (2010). Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and
Systems. McGraw-Hill Education.

Electronic Devices and Circuit Theory, Boylestad and Nashelsky, Prentice-Hall.

Electronic Devices and Circuit Theory, Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Pearson.

Sedra/Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press.