TUGAS RUTIN

ELEKTRONIKA DASAR

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)

DOSEN PENGAMPU:
Drs. KHAIRUL AMDANI, M. Si

DISUSUN OLEH

NAMA : YUNI SHARA PAULINA SIMBOLON

NIM : 4171121038
KELAS : PENDIDIKAN FISIKA D 2017

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

JURUSAN PENDIDIKAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI MEDAN
MEDAN, 2019
 KATA PENGANTAR
Puji syukur penulis ucapkan kehadirat Tuhan Yang Maha Esa, karena atas berkat
rahmat Nya maka penulis dapat menyelesaikan makalah ini. Makalah ini disusun untuk
memenuhi salah satu tugas mata kuliah Elektronika Dasar.
Penulis mengucapkan terimakasih kepada Bapak Drs. Khairul Amdani, M. Si selaku
dosen pembimbing mata kuliah. Makalah ini berisi tentang ringkasan salah satu komponen
elektronika, yaitu, transistor.
Makalah ini dilengkapi dengan pendahuluan yang menjelaskan latar belakang dan
tujuan penyusunan makalah, serta ringkasan tentang Field Effect Transistor (FET).
Penulis menyadari bahwa makalah ini masih jauh dari kesempurnaan. Oleh karena
itu, Penulis menerima kritik dan saran dari pembaca demi perbaikan makalah ini. Semoga
makalah ini dapat bermanfaat bagi penulis dan pembaca.

Medan, 23 Mei 2019

Penulis

DAFTAR ISI

Kata Pengantar.......................................................................................................................1
Daftar Isi.................................................................................................................................2
BAB I Pendahuluan................................................................................................................3
1.1 Latar Belakang.............................................................................................................3

1
 1.2 Rumusan Masalah........................................................................................................3
1.3 Tujuan..........................................................................................................................3
BAB II ISI
2.1 Defenisi FET................................................................................................................4
2.2 Klasifikasi FET............................................................................................................4
2.3 Karakteristik FET........................................................................................................5
2.4 Defenisi JFET..............................................................................................................6
2.5 Simbol JFET................................................................................................................7
2.6 Dasar Pembentukan MOSFET....................................................................................7
2.7 Macam Macam MOSFET...........................................................................................9
2.8 Cara Kerja De MOSFET............................................................................................11
2.9 Cara Kerja E MOSFET..............................................................................................12
BAB III Penutup
3.1 Kesimpulan................................................................................................................14
3.2 Saran..........................................................................................................................14
Daftar Pustaka

BAB I
PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Sejarah transistor pada awalnya di temukan oleh William Shockley dan John Barden
pada tahun 1948. Transistor awal mulanya di pakai dalam praktek pada tahun 1958. Pada
saat ini ada dua jenis tipe transistor, yaitu transistor tipe P – N – P dan transistor jenis N – P
– N. Dalam rangkaian difital, transistor di gunakan sebagai saklar untuk kecepatan tinggi.
Beberapa transistor juga dapat di rangkaian sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai
logic gate, memory dan komponen lainnya.
JFET adalah tipe dari transistor jenis FET. Dan transistor jenis FET (Transistor
efek–medan) adalahsalah satu jenis transistor menggunakan medan listrik untuk

2
mengendalikan konduktifitas suatu kanaldari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan
semikonduktor. FET kadang-kadang disebut sebagaitransistor ekakutub untuk membedakan
operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya denganoperasi dua pembawa muatan
pada transistor dwikutub (BJT)

1.2. Rumusan Masalah

Rumusan masalah dalam pembuatan makalah ini adalah :
1. Apa itu Field Effect Transistor?
2. Bagaimana karakteristik Field Effect Transistor?
3. Bagaimana prinsip dan cara kerja Field Effect Transistor?

1.3. Tujuan
Adapun Tujuan dari pembahasan JFET adalah agar mahasiswa mengetahui lebih
dalam tentang JFET,seperti:
1. Memahami defenisi Junction Field Effect Transistor
2. Memahami simbol dan struktur Junction Field Effect Transistor
3. Memahami karakteristik Junction Field Effect Transistor
4. Memahami prinsip dan cara kerja Field Effect Transistor

BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Defenisi FED

Field Effect Transistor atau transistor efek medan atau yang lebih dikenal dengan
FET, adalah suatu komponen semi konduktor yang bekerja berdasarkan pengaturan arus
dengan medan listrik. FET termasuk jenis komponen aktif. FET disebut unifolar junction
transistor atau UJT, karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan
mayoritas, sedangkan transistor yang telah dibahas merupakan bipolar junction transistor
atau BJT karena bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas dan
minoritas.Terdapat FET-FET untuk aplikasi daya rendah, daya menengah, dan daya tinggi
yang semuanya memiliki kemasan yang menyerupai BJT.

FET memiliki tiga buah terminal, yaitu Source (sumber), Drain (buangan), dan Gate
(gerbang). Ketiga terminal ini dapat disetarakan dengan terminal emitor, kolektor, dan basis
pada sebuah BJT, namun terdapat beberapa perbedaan yang cukup penting. Perbedaan

3
terpenting dari sudut pandang praktis, antara kedua kelompok ini adalah bahwa hampir
tidak ada arus yang mengalir menuju terminal gate sebuah FET.

Pada penggunaan normal, FET disambungkan di dalam rangkaian dengan cara yang
sama sebagaimana halnya sebuah BJT. Terminal source adalah terminal yang paling negatif
dan terminal drain adalah yang paling positif. Ketika tegangan diberikan ke terminal gate,
arus yang disebut arus drain akan mengalir masuk melewati terminal drain dan keluar
melalui terminal source.

2.2 Klasifikasi FED

FET dapat diklasifikasikan menjadi dua macam, yaitu:
1. Junction Field Effect Transistor disingkat JFET atau FET saja.
2. Metal Oxida Semikonduktor FET disingkat MOSFET.

2.3 Karakteristik FED

Transistor efek medan (field-effect transistor = FET) mempunyai fungsi yang hampir
sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan transistor bipolar
terdapat beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua jenis transistor
tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus
input (IB). Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input
(VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam
orde puluhan megaohm.
Transistor efek medan,FET,field effect transistor,transistor FET,teori FET,teori
transistor efek medan,definisi FET,definisi field effect transistor,pengertian transistor
FET,karakteristik FET,jenis FET,keluarga FET,keunggulan FET Disamping itu, FET lebih
stabil terhadap temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta pembuatannya lebih mudah
dari transistor bipolar, sehingga amat bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian
terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung
membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari pada transistor bipolar. Namun umumnya
transistor bipolar lebih peka terhadap input atau dengan kata lain penguatannya lebih besar.

4
Disamping itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang lebih baik dan respon frekuensi
yang lebih lebar.
Namun umumnya transistor bipolar lebih peka terhadap input atau dengan kata
penguatannya lebih besar. Disamping itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang lebih
baik dan respon frekuensi yang lebih lebar. Keluarga Transistor efek medan (field-effect
transistor = FET) yang penting untuk diketaui adalah :
 JFET (junction field-effect transistor)
 MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor).
Transistor efek medan (FET) jenis JFET dibagi dalam 2 tipe, yaitu
JFET kanal-P dan JFET kanal-N. Transistor efek medan (FET) tipe MOSFET dibagi dalam
2 jenis yaitu :
 MOSFET tipe pengosongan (D-MOSFET = Depletion-mode metal-oxide semiconductor
FET.
 MOSFET tipe peningkatan (E-MOSFET = Enhancement-mode metal-oxide
semiconductor FET).
2.4 Defenisi JFED

Gambar dibawah menunjukkan struktur transistor JFET kanal n dan kanal p. Kanal n
dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p.
Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri dan
kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi implant ini
terhubung satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate.

Struktur JFET (a) kanal-n (b) kanal-p

Istilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini
yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk antara

5
semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron dan hole di sekitar daerah
perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil
tergantung dari tegangan antara gate dengan source. Pada gambar di atas, lapisan deplesi
ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri dan kanan.
Keluarga FET yang penting adalah JFET (junction field-effect transistor) dan
MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan
kanal-N. JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol
arus antara dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-P,
sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan PNP. Pada umumnya penjelasan tentang
JFET (junction field-effect transistor) adalah kanal-N, karena untuk kanal-P adalah
kebalikannya.
2.5 Simbol JFET
Untuk mengambarkan JFET pada skema rangkaian elektronika, bisa dipakai simbol
seperti pada gambar di bawah berikut.

Simbol komponen (a)JFET-n (b)JFET-p

Karena struktur yang sama, terminal drain dan source untuk aplikasi frekuensi rendah
dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak demikian untuk aplikasi frekuensi tinggi.
Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi tinggi memperhitungkan kapasitansi bahan antara
gate dengan drain dan juga antara gate dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya
ada perbedaan kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate dengan source.
2.6 Dasar Pembentukan MOSFET
Mosfet adalah singkatan dari (Metal – Oxide Semi Conductor FET atau FET
semikonduktor Oksida Logam). Mosfet mempunyai kaki-kaki :
Sumber (Source) = S
Cerat (Drain) = D
Gerbang (Gate) = G
Adapun susunan pembentukan Mosfet dapat digambarkan sebagai berikut:

6
1. Semikonduktor konruktor type N diberi terminal cerat (D) dan sumber (S)
2. Kedalamnya ditambahkan semikonduktor type P yang dinamakan Substrate
3. Kemudian pada bagian lain di lekatkan lapisan oksida logam tipis (Si O2) dan
dinamakan gerbang (gate) Si O2 bersifat isolator.

7
 Pada gambar 40(e) menunjukkan antara Substrate dan source digabungkan dan
didapatkan sebagai Source (S). Ini biasa dilakukan oleh pabrik pembuatnya.
Jadi di pasaran banyak dijumpai Mosfet dengan 3 kaki. Tetapi biasa juga Mosfet
mempunyai 4 kaki. Untuk mosfet 4 kaki, biasa dipastikan mempunyai 2 gerbang (G1 dan
G2), kaki-kaki yang lain adalah Drain (D) dan Source (S).

2.7 Macam- Macam MOSFET

MOSFET adalah singkatan dari Metal Oxida Semikonduktor FET, dan sering juga
disebut Insulated Gate FET. Hal ini disebabkan karena gate pada MOSFET tidak langsung
berhubungan dengan saluran, tetapi diisolasi oleh suatu lapisan oksida logam yang tipis
(biasanya Silikon Oksida).
Untuk mempelajari sifat-sifat dasar Mosfet, harus mengenal macam-macam mosfet
yang dibedakan menjadi dua jenis. Dua macam MOSFET yang dikenal, yaitu:

a. Depletion Enhanchement MOSFET (DE MOSFET).

b. Enhachement MOSFET (E MOSFET).

8
 Kedua jenis Mosfet tersebut dibedakan berdasarkan cara pemberian lapisan
Substratenya. Pada Depletion Mosfet lapisan substrate dipasang dalam kanal tidak
menyentuh oksida logam (Si O2) sehingga ada sisa kanal yang sempit.
Pada jenis kedua Enhancement Mosfet. Lapisan substrate dipasang pada kanal
langsung menembus lapisan oksida logam (Si O2) sehingga kanal tertutup sedang anatara
Drain dan Source terpisah oleh substrate. Bahan yang digunakan sebagai kanal dan
substrate sama-sama semikonduktor tapi tipe berlawanan
DE MOSFET adalah semacam MOSFET yang dapat beroperasi dengan depletion
action (aksi pengosongan) dan enhanchement action (aksi peningkatan). E MOSFET adalah
semacam MOSFET yang hanya beroperasi dengan enhanchement action (aksi peningkatan)
saja. Sesuai dengan kanalnya DE MOSFET dapat dibedakan menjadi DE MOSFET kanal P
dan kanal N, begitu juga dengan E MOSFET kanal P dan kanal N. Susunan dan simbol dari
macam-macam MOSFET ini dapat dilihat pada gambar 42 berikut ini:

9
2.8 Cara Kerja De MOSFET

Gambar di atas merupakan rangkaian kerja DE MOSFET Kanal N, dengan kerja

sebagai berikut:
a. Tegangan positif maupun negatif yang diberikan pada gate tidak akan menyebabkan
adanya metal oxida antara gate dan saluran.
b. Bila gate diberi tegangan negatif, maka muatan negatif pada gate ini akan menolak
elektron-elektron yang ada pada saluran, sehingga arus drain ID akan berkurang.
c. Pada tegangan gate tertentu, semua elektron bebas pada saluran akan terusir, sehingga
menyebabkan tidak mengalirnya arus drain ID. Karena itu operasi dengan tegangan gate
negatif disebut depletion action (aksi pengosongan).

10
d. Bila gate diberi tegangan positif, maka muatan positif ini akan menarik electron-elektron
bebas pada saluran antara gate dan substrat. Hal ini akan meningkatkan arus drain ID,
karena itu operasi ini dinamakan enhanchement action (aksi peningkatan).
e. Karena MOSFET ini dapat beroperasi dengan depletion action dan enhancement action,
maka MOSFET ini dikatakan DE MOSFET ( Depletion Enhanchement MOSFET).
DE MOSFET dapat bekerja dalam mode depletion dan mode enhancement. Gambar
13 menunjukan operasi DE MOSFET dengan konstruksi yang disederhanakan. Jika VGS =
0Volt (gate dan source dihubung singkat), maka nilai ID = IDSS. Jika VGS negatif maka
diinduksikan muatan positif ke dalam kanal tipe N melewati SiO 2 dari kapasitor gate. Arus
yang melewati kanal adalah pembawa mayoritas (elektron untuk bahan tipe N), muatan
positif induksi ini akan berekombinasi dengan pembawa mayoritas sehingga pembawa
mayoritas berkurang. Hal ini menyebabkan lebar kanal berkurang dan resistansi kanal
bertambah dan nilai ID akan lebih kecil daripada IDSS.
Jika VGS positif maka akan diinduksikan muatan negatif sehingga konduktivitas
kanal bertambah (resistansi kanal berkurang) dan nilai ID lebih besar dari pada IDSS. Mode
operasi ini disebut mode enhancement. Jika VGS positif lubang-lubang pada substrat tipe P
ditolak sedangkan elektron-elektron bidang konduksi sebagai pembawa minoritas disubstrat
ditarik ke kanal sehingga lebar kanal menjadi besar dan ID >> IDSS.

Kesimpulannya adalah bahwa DE MOSFET dapat beroperasi (bekerja) dengan

memberikan tegangan gate positif maupun negatif. Penjabaran di atas merupakan

11
prinsip/cara kerja DE MOSFET kanal N, sedangkan untuk DE MOSFET kanal P semua
polaritas baik tegangan maupun arus adalah kebalikan dari DE MOSFET kanal N.

2.9 Cara Kerja E MOSFET

Perhatikan gambar di atas:

a. Substrat (St) menutup seluruh jalan (saluran) antara Source (S) dan Drain (D). E
MOSFET ini adalah sejenis MOSFET yang hanya bekerja dengan aksi peningkatan saja.
b. Pada saat VGS = nol, tidak ada arus drain ID yang mengalir walaupun VDD ada
tegangannya, karena bahan P tidak mempunyai pembawa muatan.
c. Apabila Gate diberi tegangan positif yang cukup besar, maka akan mengalirlah arus
drain ID. Bila gate mendapat tegangan positif maka akan terinduksikan muatan negatif
pada substrat. Muatan negatif ini adalah berupa ion-ion negatif yang ada pada bahan P
tersebut.
d. Selanjutnya bila tegangan positif pada gate dinaikkan hingga mencapai suatu harga
tertentu, maka elektron-elektron bebas akan membentuk lapisan tipis yang berfungsi
sebagai pembawa muatan yang mengakibatkan arus drain ID naik.
E MOSFET hanya dapat beroperasi dalam mode enhancement, maka tegangan gate
harus positif terhadap source. Pada saat VGS=0Volt, maka tidak ada kanal yang
menghubungkan source dan drain. Ketika VGS positif, maka lubang-lubang bidang valensi
pada substrat ditolak dan elektron-elektron pembawa minoritas pada substrat tipe P ditarik
ke arah gate dan kanal N antara source dan drain. Jika nilai VGS diperbesar maka kanal
menjadi lebih lebar dan ID bertambah. Sebaliknya jika VGS diperkecil maka kanal menjadi

12
sempit dan arus drain berkurang. Tegangan VGS minimum untuk membuat E MOSFET
menghantar disebut tegangan ambang (threshold) VGS(th). (Widodo,2002:87)

BAB III
PENUTUP
3.1 Kesimpulan
Transistor unipolar adalah FET (Field Effect Transistor) yang terdiri dari JFET kanal
N, JFET kanal P, MOSFET kanal N, dan MOSFET kanal P. FET, adalah suatu komponen
semi konduktor yang bekerja berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik.
Keluarga FET yang penting adalah JFET (junction field-effect transistor) dan
MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan
kanal-N. JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol
arus antara dua terminal lainnya.
MOSFET adalah singkatan dari Metal Oxida Semikonduktor FET, dan sering juga
disebut Insulated Gate FET. Dua macam MOSFET yang dikenal, yaitu:
a. Depletion Enhanchement MOSFET (DE MOSFET).
b. Enhachement MOSFET (E MOSFET).

3.2 Saran
Demikian makalah yang telah penulis susun , semoga dapat bermanfaat bagi pembaca
dan para mahasiswa pendidikan Fisika lainnya. Apabila ada saran dan kritik yang ingin di
sampaikan, penulis dengan senamg hati menerimanya.

13
 DAFTAR PUSTAKA
Rollands Roy. (2000). Komponen Dasar Elektronika Jakarta: Erlangga

Bishop Owen. (2004). Dasar-Dasar Elektronika. Jakarta: Erlangga

Malvino Albert Paul. (2004). Prinsip-Prinsip Elektronika. Edisi Pertama. Jakarta: Salemba
Teknika

http://dien-elcom.blogspot.com/2012/08/pengertian-dan-jenis-transistor.html
http://kit-electronic.blogspot.com/2012/11/fungsi-transistor-dan-cara-kerjanya.html

14