28

BAB VI
FIELD EFFECT TRANSISTOR
Tujuan
1. Mahasiswa mampu memahami dan menjelaskan prinsip kerja JFET dan MOSFET.
2. Mahasiswa mampu memahami DC bias pada JFET dan MOSFET
3. Mahasiswa mampu memahami prinsip kerja JFET dan MOSFET sebagai penguat
Landasan Teori
FET (Field Effect Trasistor) merupakan komponen aktif elektronika yang biasa
dipergunakan sebagai penguat dan juga sebagai rangkaian switching. FET merupakan
jenis transistor yang memakai efek medan listrik dalam aplikasinya sebagai amplifier
ataupun sebagai switching dan merupakan komponen unipolar. MOSFET memiliki tiga
kaki terminal yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S). Terminal gate berfungsi sebagai
elemen pengontrol pada MOSFET.
Berdasarkan konstruksinya, ada beberapa jenis FET, di antaranya JFET (Junction
– FET) dan MOSFET (Metal Oxide Semicondutor – FET), di mana MOSFET sendiri
terbagi lagi ke dalam dua jenis, yaitu depletion-type dan enhancement-type. Kedua
tipe/jenis MOSFET ini ditentukan saat akan melakukan fabrikasi (Gambar 7.1). Seperti
jenis transistor pada umunya, ada juga beberapa jenis JFET maupun MOSFET
(depletion-type) berdasarkan substratnya, yaitu n-channel JFET/D-MOSFET (p-
substrate) dan p- channel JFET/D-MOSFET (n-substrate).

Gambar 6.1 Struktur JFET

MOSFET memiliki tiga wilayah operasi, yaitu cut off, ohmic/triode, dan
aktif/saturation, berikut merupakan penjelasan dari tiga wilayah operasi :
1. Wilayah cut off adalah wilayah MOSFET di mana tegangan gate (VGS)=0. Pada
keadaan ini, tegangan VDS bernilai maksimum sedangkan nilai IDS = 0. Ketika
VGS > 0 tetapi VGS < VGS(th) , maka MOSFET tetap dalam keadaan cut off.
2. Wilayah ohmic/triode adalah wilayah MOSFET beroperasi ketika VDS < VGS - VTH
dan VGS < VTH. Wilayah ohmic juga dikenal sebagai wilayah resistansi konstan, di
mana resistansi seperti itu disebut (RDS(on))

MODUL PRAKTIKUM PRODI DIPLOMA IV

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN TERAPAN
PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA
 29

3. Wilayah aktif/saturation adalah wilayah MOSFET yang memiliki karakteristik arus

drain yang konstan, yang dikendalikan oleh tegangan gate. MOSFET bekerja di wilayah
saturasi ketika VDS > VGS - VTH dan VGS < VTH [6]. Daerah atau wilayah operasi
MOSFET yang digunakan sebagai penyakelaran adalah cut-off dan ohmic. Keadaan cut
off adalah keadaan di mana MOSFET seperti sakelar terbuka yaitu nilai tegangan gate
(VGS) < VGS(th) dan ID = 0. Sedangkan keadaan ohmic adalah keadaan di mana
MOSFET seperti sakelar tertutup yaitu nilai tegangan gate (VGS) > VGS(th) dan ID
bernilai maksimum.
Penyakelaran pada MOSFET memiliki dua konfigurasi yaitu low side switching dan
high side switching. Low side switching menggunakan N-channel MOSFET, sedangkan
high side switching menggunakan P-channel MOSFET.

Alat Dan Bahan

Alat dan bahan yang digunakan dalam praktikum ini adalah sebagai berikut :
1) Function Generator 1 buah
2) Project Board 1 buah
3) Oscilloscope 1 buah
4) Multimeter 1 buah
5) Kapasitor secukupnya
6) Resistor secukupnya
7) BS170 secukupnya
8) 2N5457 secukupnya

Prosedur Percobaan

a. Merangkai rangkaian seperti pada gambar.

b. Mengukur Vgs, Vds, Id, dengan Vin = -3 V – 0 V.

c. Mengukur Vout (Vds) saat Vin -3 mV- 0 V.
d. Membuat tabel dari hasil praktikum.
e. Membuat kesimpulan.

MODUL PRAKTIKUM PRODI DIPLOMA IV

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN TERAPAN
PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA
 30

Data Hasil Percobaan (Worksheet)

Tabel 5.1 Data Hasil Percobaan Karakteristik Input

VCE 0 2 4 6 8 10
VBE IB

200
300
400
500

600
700

750

Tabel 5.2 Data Hasil Percobaan Karakteristik Output

IB 0 10 20 30 40 60
VBE IC
200
300
400
500
600
700
750

MODUL PRAKTIKUM PRODI DIPLOMA IV

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN TERAPAN
PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA
 31

Analisis Data dan Pembahasan

MODUL PRAKTIKUM PRODI DIPLOMA IV

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN TERAPAN
PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA
 32

Kesimpulan

MODUL PRAKTIKUM PRODI DIPLOMA IV

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN TERAPAN
PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA