LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA

(TKF 2310)
MODUL EA-08
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)

Senin, 30 November 2020

Muhammad Iqbal Rozananda Putra
(19/446524/TK/49629)

Asisten :
Nude Alfathama (18/425017/TK/46712)

LABORATORIUM SENSOR DAN SISTEM TELEKONTROL DEPARTEMEN

TEKNIK NUKLIR & TEKNIK FISIKA
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS GADJAH MADA YOGYAKARTA
2020
 A. Tujuan
Memahami operasi fisis dari FET sebagai switch dalam rangkaian digital sederhana.

B. Hasil Percobaan
Tabel 1. Hasil Percobaan 1 : Mengukur harga IDSS dan VGS(OFF)
JFET IDSS VGS(OFF)
2N3819 10 mA -0.99 V

Tabel 2. Hasil Percobaan 2 : JFET Analog Switch

JFET RDS Perhitungan vout Pengukuran vout
S1 Terbuka S1 Tertutup S1 Terbuka S1 Tertutup
2N3819 99 Ω 10.8 mVp-p 118 mVp-p 8 mVp-p 118 mVp-p

Tabel 3. Hasil Percobaan 3 : Mengukur VGS(TH) dan minimum VGS(ON)

MOSFET VGS(TH) VGS(ON)
IRF520 2.005 V 2.526 V
Catatan : Saat mengukur VGS(TH) dan VGS(ON), micrometer yang digunakan untuk mengukur ID
berada pada orde miliampere.

Tabel 4. Hasil Percobaan 4 : Gerbang AND

Masukan tegangan, Vdriver (volt) Nilai tegangan VGS (Volt)
5 2.15
8 3.02
10 5.01
12 7.01
15 10

Kondisi Saklar vout , saat Vdriver = 15 V

S1 S2
Terbuka Terbuka 0V
Terbuka Tertutup 0V
Tertutup Terbuka 0V
Tertutup Tertutup 5V
 Tabel 5. Hasil Percobaan 5 : Gerbang OR
Kondisi Saklar vout, saat Vdriver = 15 V
S1 S2
Terbuka Terbuka 0V
Terbuka Tertutup 5V
Tertutup Terbuka 5V
Tertutup Tertutup 5V

C. Pembahasan
Field Effect Transistor (FET) adalah komponen elektronika aktif yang menggunakan medan
listrik untuk mengendalikan konduktivitasnya. FET adalah komponen yang memiliki 3 terminal
kaki, yaitu, gate, drain, dan source.
Pada percobaan, pertama, parameter yang diukur adalah IDSS dan VGS(OFF). IDSS adalah arus
drain maksimum yang mengalir pada saat VGS bernilai sama dengan nol. Cara mendapatkannya
adalah dengan mengukur arus pada kaki drain pada saat nilai VGS sama dengan nol. Angka yang
terukur pada amperemeter di kaki drain adalah nilai IDSS. Lalu untuk mendapatkan VGS(OFF) adalah
dengan mengatur VGG dengan menaikkan bias negatifnya sehingga arus drain yang terukur bernilai
1uA atau mendekati nol. Nilai VGG saat keadaan tersebut merupakan nilai dari VGS(OFF).
Pada percobaan 2, diukur RDS atau hambatan drain-source. Nilai RDS didapat dari
percobaan pertama, yaitu dengan membagi nilai VGS(OFF) dengan nilai IDSS. Selain itu, dari
rangkaian percobaan 2 JFET analog switch, diukur pula tegangan keluaran saat keadaan saklar
tertutup dan terbuka. Saat saklar terbuka, didapatkan nilai tegangan keluarannya adalah 8 mVp-p
dan saat saklar tertutup adalah sebesar 118 mVp-p. Nilai dari perhitungan pun tidak berbeda jauh
dari nilai yag didapat dari simulasi. Dari percobaan ini, dapat disimpulkan bahwa rangkaian JFET
dapat diaplikasikan sebagai rangkaian switch.
Percobaan 3 mengukur VGS(TH) dan VGS(ON). VGS(TH) adalah tegangan gate-source saat arus
drain mulai naik. Sementara itu, VGS(ON) adalah tegangan gate-source saat arus drain mulai konstan.
Pada percobaan ini, nilai VGS(TH) dan VGS(ON) berturut-turut adalah 2.005 V dan 2.526 V. Multimeter
yang digunakan untuk mengukur arus drain berorde miliampere.
Selain JFET, MOSFET dapat pula diaplikasikan sebagai rangkaian switch. Aplikasi
tersebut digunakan pada percobaan 4. Mula-mula pada percobaan ini, dicari nilai tegangan VGS
dengan memvariasikan tegangan driver. Tegangan driver adalah tegangan yang membuat
rangkaian memiliki nilai VGS(ON) lebih kecil dari minimal VGS(ON). Setelah itu, dengan
menggunakan nilai tegangan driver sebesar 15 V, dapat ditemukan nilai tegangan keluaran dari
gerbang logika AND. Gerbang AND adalah gerbang logika yang memerlukan 2 masukan atau
lebih. Gerbang AND akan menghasilkan keluaran 0 jika salah satu masukan bernilai 0 dan akan
bernilai 1 hanya jika semua masukan bernilai 1.
Gerbang logika OR digunakan untuk percobaan 5. Gerbang logika OR adalah gerbang
logika yang memerlukan 2 atau lebih masukan. Gerbang OR akan menghasilkan keluaran 1 jika
salah satu masukan bernilai 1 dan akan bernilai 0 hanya jika semua masukan bernilai 0. Pada
percobaan 5 ini tegangan keluaran yang didapat adalah 0 volt ketika kedua saklar terbuka, dan
bernilai 5 volt ketika salah satu atau kedua saklar pada keadaan tertutup.
Selain rangkaian switching, MOSFET juga dapat berfungsi sebagai penguat karena
mempunyai impedansi input yang tinggi, sebagai pembangkit sinyal, dan sebagai pencampur 2
macam tegangan AC. Salah satu aplikasi rangkaian MOSFET adalah sebagai pengendali
kecepatan motor. Berikut ini adalah contoh rangkaiannya

Gambar 1. Rangkaian Pengendali Kecepatan Motor

(sumber : https://sinaupedia.com/pengertian-mosfet/ )

D. Penilaian peer to peer teman sekelompok

Abdillah Thoha : 90/100
Achmad Bayu Firdaus : 90/100
Akbar Maulana : 90/100
Muhammad Andhika Pratama : 90/100
Nur Estu Nugraha : 90/100
Rizky Aksa Katresna : 90/100
Sagita Kusumawardhani : 90/100

E. Kesimpulan
Rangkaian FET adalah rangkaian yang mampu diaplikasikan menjadi rangkaian switching.
Selain itu, MOSFET dapat diaplikasikan sebagai rangkaian gerbang logika.
 F. Daftar Pustaka
Kho, D., 2020. Pengertian Field Effect Transistor (FET) Dan Jenis-Jenisnya - Teknik
Elektronika. [online] Teknik Elektronika. Available at: <https://teknikelektronika.com/pengertian-
field-effect-transistor-fet-dan-jenis-jenisnya/> [Accessed 28 November 2020].
Kho, D., 2020. Pengertian Gerbang Logika Dasar Beserta Jenis Dan Simbolnya. [online]
Teknik Elektronika. Available at: <https://teknikelektronika.com/pengertian-gerbang-logika-
dasar-simbol/> [Accessed 28 November 2020].
Sinaupedia. 2020. Mengenal Pengertian MOSFET Beserta Penjelasannya. [online] Available
at: <https://sinaupedia.com/pengertian-mosfet/> [Accessed 28 November 2020].
Bundet.com. 2020. Macam Jenis Konfigurasi Rangkaian JFET - Bundet. [online] Available
at:<https://bundet.com/d/1068-macam-jenis-konfigurasi-rangkaian-jfet> [Accessed 28 November
2020].
Malvino, Albert Paul. 2007. Electronic Principles, Seventh Edition, McGraw-Hill.USA.

G. Lampiran
Tautan video praktikum
https://drive.google.com/open?id=1cJzM5Y2FMIMyJw-ytEgng5MhknSWNX-x

Screenshot hasil rangkaian

Gambar 2. Rangkaian percobaan 1

Gambar 3. Rangkaian percobaan 2

Gambar 4. Rangkaian percobaan 3

Gambar 5. Rangkaian percobaan 4

Gambar 6. Rangkaian percobaan 5
Perhitungan
 LAPORAN SEMENTARA
Field Effect Transistor (FET)

Tabel 1. Hasil Percobaan 1 : Mengukur harga IDSS dan VGS(OFF)

JFET IDSS VGS(OFF)
2N3819 10 mA -0.99 V

Kesimpulan :
Nilai VGS(OFF) yang didapatkan dipengaruhi oleh arus drain terukur.

Tabel 2. Hasil Percobaan 2 : JFET Analog Switch

JFET RDS Perhitungan vout Pengukuran vout
S1 Terbuka S1 Tertutup S1 Terbuka S1 Tertutup
2N3819 99 Ω 10.8 mVp-p 118 mVp-p 8 mVp-p 118 mVp-p

Kesimpulan :
Nilai RDS didapat dari percobaan pertama. Rangkaian JFET dapat diaplikasikan sebagai saklar.

Tabel 3. Hasil Percobaan 3 : Mengukur VGS(TH) dan minimum VGS(ON)

MOSFET VGS(TH) VGS(ON)
IRF520 2.005 V 2.526 V
Catatan : Saat mengukur VGS(TH) dan VGS(ON), micrometer yang digunakan untuk mengukur ID
berada pada orde miliampere.

Kesimpulan :
Nilai VGS dipengaruhi oleh arus drain.

Tabel 4. Hasil Percobaan 4 : Gerbang AND

Masukan tegangan, Vdriver (volt) Nilai tegangan VGS (Volt)
5 2.15
8 3.02
10 5.01
12 7.01
15 10

Kondisi Saklar vout , saat Vdriver = 15 V

S1 S2
Terbuka Terbuka 0V
Terbuka Tertutup 0V
 Tertutup Terbuka 0V
Tertutup Tertutup 5V

Kesimpulan :
Nilai VGS dipengaruhi oleh tegangan driver. Dari percobaan tersebut, MOSFET dapat
diaplikasikan sebagai rangkaian gerbang AND.

Tabel 5. Hasil Percobaan 5 : Gerbang OR

Kondisi Saklar vout, saat Vdriver = 15 V
S1 S2
Terbuka Terbuka 0V
Terbuka Tertutup 5V
Tertutup Terbuka 5V
Tertutup Tertutup 5V

Kesimpulan :
MOSFET dapat diaplikasikan sebagai rangkaian gerbang OR.