Pendahuluan

Kebanyakan amplifier atau penguat yang digunakan

dalam rangkaian untuk telekomunkasi dapat dianggap
sebagai small signal amplifier (penguat sinyal kecil).
Kebanyakan amplifier atau penguat yang digunakan
dalam rangkaian untuk telekomunkasi dapat dianggap
sebagai small signal amplifier (penguat sinyal kecil).
Ditempatkan pada awal satu sistem penguat, yang
biasa disebut sebagai pre-amplifier, misalnya, penguat
RF pada sistem penerima pada umumnya, LNA (low
noise amplifier) pada sistem penerima satelit.

maka perhatian khusus harus diberikan pada penguat
sinyal kecil ini, yaitu, sangat diharapkan dia tidak
menjadi sumber noise tambahan, sehingga harus
dirancang dengan menggunakan komponen aktif yang
low noise
Pengukuran Gain
Gain atau penguatan adalah fungsi dasar
sebuah penguat, yang didefinisikan
sebagai perbandingan antara sinyal input
dan output penguat
Gain atau penguatan adalah fungsi dasar
sebuah penguat, yang didefinisikan
sebagai perbandingan antara sinyal input
dan output penguat
Gain = 20 log
|
|
.
|

\
|
in
out
V
V
dB
PENGUAT TRANSISTOR
Dalam penguat transistor thermal runaway yang dapat
menyebabkan titik kerja bergeser (tidak stabil) kearah
saturasi.
disebabkan karena arus bocor yang terjadi pada junction
collector akan naik 2 x lipat untuk setiap kenaikan suhu
junction 10
O
C. Sementara arus tersebut merupakan bagian
dari arus kolektor, I
C

|
.
|

\
|
o
o
1 o 1
CO
I
I
C
= ( I
B
+ I
C
) + I
CO

I
B
+
= I
B
+ I
CEO

= faktor penguatan arus common-base
I
CO
= arus reverse bocor pada junction collector
= faktor penguatan arus common-emitter
=
Adakalanya tahapan penguat sinyal kecil terdiri dari dua
atau lebih, yang masing-ma-sing tahap mempunyai nilai
penguatan yang berbeda



Untuk menentukan overall-gain beberapa tahap penguat
itu, cukup dengan menambah-kan nilai gain tiap tahap
yang ada.
overall-gain yang diberi-kan beberapa tahap tersebut
adalah, (10 + 30 + 0) = 40 dB.
Seandainya satu tahap dian-taranya mempunyai nilai gain
dalam satuan dBm, maka nilai tersebut dapat juga lang-
sung dijumlahkan dengan nilai gain dalam satuan dB.



+10 dB +30 dB +0 dB
in
out
Penguat Transistor
Penguat transistor mempunyai fenomena yang disebut
dengan thermal runaway yang dapat menyebab-kan
titik kerja bergeser (tidak stabil) kearah saturasi yang
terjadi pada junction collector akan naik 2 x lipat
untuk setiap kenaikan su-hu junction 10
O
C.
arus tersebut merupakan bagian dari arus kolektor, I
C
,
seperti ditunjukkan dengan hubungan
|
.
|

\
|
o
o
1 o 1
CO
I
I
C
= ( I
B
+ I
C
) + I
CO

=
I
B
+
= I
B
+ I
CEO

= faktor penguatan arus
common-base
I
CO
= arus reverse bocor pada
junction collector
= faktor penguatan arus
common-emitter
pengoperasian komponen transistor sebagai satu penguat
harus menggunakan rangkaian pencatuan awal (bias) yang
dapat mela-kukan kompensasi perubahan arus kolektor
akibat thermal runaway tersebut.
Terdapat tiga macam rangkaian bias untuk transistor,
yaitu, fixed-bias, collector-to-base bias, dan self-bias
R
C
R
B
+V
CC
R
C
R
1
+V
CC
R
C
R
B
+V
CC
R
2
R
E
ketiga konfigurasi rangkaian bias tersebut, yang
mempunyai stabilitas rangkaian paling adalah bentuk yang
ketiga, yaitu self-bias.
Pada bentuk yang ketiga tersebut, faktor stabilitas dapat
ditentukan pada awal rancangan secara lebih bebas,
faktor stabilitas banyak ditentukan hanya pada nilai tran-
sistor yang digunakan, terutama pada konfigurasi fixed-
bias.
Faktor stabilitas, S, sendiri didefinisikan sebagai, nilai
perubahan arus kolektor terhadap perubahan arus bocor,
yang dinyatakan,

~
CO
C
I
I
A
A
S = oI
C
/ oI
C
O



Makin kecil nilai faktor stabilitas, makin baik stabilitas
rangkaian terhadap fenomena thermal-runaway, satu
definisi yang terbalik sebetulnya.
Sebagai penguat sinyal kecil, maka konfigurasi yang
banyak digunakan adalah bentuk rangkaian bias
kedua, yaitu collector-to-base bias
Collector-to-Base bias
Pada Collector to Base Bias bahwa loop terjadi pada
rangkaian basis dan rangkaian kolektor.

R
C
R
B
+V
CC
I
C
I
B
I
B
I
C
+I
B
Dari kedua loop tersebut, dapat tertentu nilai
resistansi R
B
dan R
C
sebagai rumus
R
C
=
CQ BQ
CQ CC
I I
V V
+

dimana,V
CQ
= tegangan kolektor-emiter titik kerja
I
CQ
= arus kolektor pada titik kerja
I
BQ
= arus basis pada titik kerja
resistansi basis, R
B
, tertentu dari loop rangkaian basis
yang nilainya dinyatakan pada berikut,
R
B
=
BQ
BE CQ
I
V V
dimana, V
BE
= 0,7 volt untuk transistor silikon
= 0,2 volt untuk transistor germanium

Faktor stabilitas ditentukan dengan melakukan
deferensiasi persamaan sebelumnyaterha-dap I
CO

sesuai definisi faktor stabilitas persamaan S.
Persamaan ini dituliskan kembali sebagai berikut,
I
C
= I
B
+ I
CEO

I
C
=

I
B
+ (1 + ) I
CO

Hasilnya adalah,
S =
( )
|
|
.
|

\
|
+
+
+
B C
C
R R
R
. 1
1
|
|
Contoh Soal
Dirancang satu penguat awal dengan konfigurasi collector-
to-base bias. Transistor yang digunakan mempunyai = 50,
dengan titik kerja yang dipilih pada V
CQ
= 4,6 volt, I
CQ
=
21 mA, dan I
BQ
= 0,4 mA (bekerja pada kelas-A), serta catu
tegangan sebesar 10 volt. Tentukan nilai R
C
dan R
B
, serta
faktor stabilitas rang-kaian tersebut.

Rangkaian Pengganti
Pada perhitungan rangkaian
transistor yang sebelumnya
hanya perhitungan rangkaian-dc
untuk menentukan nilai
resistansi yang menempatkan
titik ker-ja (titik-Q) pada nilai
tegangan kolektor dan arus
kolektor tertentu sesuai kelas p-
nguat yang dipilih.
Untuk kelas-A, maka titik kerja
diletakkan relatif ditengah-
tengah garis beban-dc seperti
ditunjukkan

Selain garis beban dc terdapat juga garis-beban ac,
yang merupakan slope yang besarnya sama dengan
(1/R
beban-ac)
.
R
beban-ac
merupakan nilai paralel R
C
dengan resistansi
beban penguat tersebut yang tentunya lebih kecil dari
R
C
, sehingga kemiringan sedikit lebih curam.
Dengan batasan garis-beban ac ini, maka bentuk
gelombang tegangan sinyal output dan input, serta
arus input,

Rangkaian Pengganti
Rangkaian pengganti transistor digunakan untuk menentukan
berapa gain untuk tegangan maupun arus, serta berapa
impedansi input dan outputnya yang perhitung-annya
berdasarkan sinyal input maupun output,
rangkaian pengganti ini dapat disebut sebagai rangkaian ac
transistor
Dalam hal rangkaian collector-to-base bias, resistansi R
B

maupun R
C
diperhitungkan dalam rangkaian pengganti, karena
kedua resistansi itu dilalui oleh sinyal.
rangkaian pengganti sinyal kecil dan frekuensi rendah (< pita
frekuensi RF), terdapat dua macam, yaitu
Rangkaian pengganti hybrid
Rangkaian pengganti model-T
Rangkaian pengganti model hybrid-


Rangkaian pengganti hybrid
Suatu penguat transistor 1-tahap sebenarnya adalah
termasuk rangkaian dua kutub (two-port active network)
atau rangkaian empat jepitan (four terminal network) yang
dilukiskan secara diagram blo
Parameter v
1,
i
1,
v
2
dan i
2
membentuk persamaan
Rangkaian
Dua Kutub
+ +
_ _
v
1
v
2
i
2
i
1
sisi output
(output port)
sisi input
(input port)
v
1
= h
11
i
1
+ h
12
v
2

i
2
= h
21
i
1
+ h
22
v
2

h
11
, h
12
, h
21
, dan h
22
, dinamakan parameter
hybrid
Notasi lain untuk indeks parameter hybrid tersebut
11 = i (singkatan dari input)
12 = r (singkatan dari reverse transfer)
21 = f (singkatan dari forward transfer)
22 = o (singkatan dari output)
Indeks tambahan yang menunjukkan konfigurasi
penguat transistor, adalah, b, e, atau c.
h
11b
= h
ib
= tahanan input dengan konfigurasi
common base
h
21e
= h
fe
= penguatan arus dengan konfigurasi
common emitter
h
22c
= h
oc
= konduktansi output dengan konfigurasi
common collector



+
+
_
_
_
_
+
+
V
s
I
1 I
2
I
L
V
1 V
2
Z
L
h
i
h
o
h
r
V
2
h
f
I
1
R
s
V
1
= h
i
I
1
+ h
r
V
2

I
2
= h
f
I
1
+ h
o
V
2

Penguatan Arus, A
I

A
I
= I
L
/ I
1
= - I
2
/ I
1

V
2
= - I
2
Z
L
I
2
= h
f
I
1
h
o
I
2
Z
L

I
1
= (1 + h
o
Z
L
) I
2
/ h
f

A
I
=
L o
f
Z h
h
+

1

Impedansi Input, Z
i

Z
i
= V
1
/ I
1
sedang, V
2
= - I
2
Z
L
= A
I
I
1
Z
L
disubstitusikan ke V
1

= h
i
I
1
+ h
r
V
2
sehingga menjadi

Z
i
= h
i
+ h
r
A
I
Z
L
Penguatan Tegangan, A
V
A
V
= V
2
/ V
1
= A
I
I
1
Z
L
/ V
1
,
Sehingga,
A
V
=
i
L I
Z
Z A
Admitansi Output, Y
o
Y
o
= I
2
/ V
2
dengan V
s
= nol
Dengan mensubstitusikan persamaan I
2
= h
f
I
1
+ h
o
V
2
ke
dalam nilai Y
o
di atas, diperoleh,
Y
o
= h
f
I
1
/ V
2
+ ho
Dengan V
s
= 0 pada rangkaian pada loop sebelah kiri
adalah,
R
s
I
1
+ h
i
I
1
+ h
r
V
2
= 0,
sehingga
I
1
/ V
2
= - h
r
/( h
i
+ R
s
),
kemudian disubstitusikan ke nilai Y
o
, dan diperoleh,
Y
o
= h
o
-
s i
r f
R h
h h
+
Penguatan Tegangan Total, A
Vs

A
Vs
= V
2
/ V
s

= V
2
V
1
/ V
1
V
s
= A
V
V
1
/ V
s

Dari gambar bahwa, V
1
= Z
i
V
s
/ (R
s
+
Z
i
), sehingga penguatan tegangan total
(overall gain) adalah, A
Vs
=
atau

A
Vs
=
s i
i V
R Z
Z A
+
s i
L I
R Z
Z A
+
Dengan bantuan gambar di atas, penguatan arus total dapat
diturunkan, sehingga diperoleh

A
Is
=
s i
s I
R Z
R A
+

Beberapa persamaan yang telah diturunkan tersebut berlaku
untuk semua konfigu-rasi, CB, CE, maupun CC, hanya
tentunya nilai parameter hybrid ketiga konfi-gurasi itu
berbeda
Contoh Soal
1. Seandainya transistor gambar di atas dirangkaikan dengan
konfigurasi CE, dan para-meter hybrid (nilai tipikal) adalah,
hie = 1100
hre = 2,5 x 10
-4

hfe = 50
hoe = 25 A/volt,
sedang tahanan beban sama besar nilainya dengan tahanan dalam
sumber, yaitu 1000 . Tentukan penguatan arus, penguatan
tegangan, serta impedansi input dan outputnya ?
+
+
_
_
_
_
+
+
V
s
I
1 I
2
I
L
V
1 V
2
Z
L
h
i
h
o
h
r
V
2
h
f
I
1
R
s
Penyelesaian :
A
I
= = - 50 / (1 + 25x10
-6
x10
3
) = - 48,78


Z
i
= h
i
+ h
r
A
I
Z
L
= 1100 2,5x10
-4
x48,78x10
3
= 1087,8

A
V
= = - 48,78x10
3
/ 1087,8 = - 44,84

A
Vs
= = - 44,84x1087,8 / 2087,8 = - 23,36


A
Is
= = - 48,78x10
3
/ 2087,8 = - 23,36


Y
o
= h
o
- = 25x10
-6
50x2,5x10
-4
/ (1100+1000)

= 19x10
-6
mho = 19 A/volt Z
o
= 1/Y
o
= 52,5 k

i
L I
Z
Z A
L o
f
Z h
h
+

1
s i
i V
R Z
Z A
+
s i
s I
R Z
R A
+
s i
r f
R h
h h
+
Rangkaian Pengganti Hybrid

r
bb'
r
b'c
r
b'e
V
b'e
r
ce
g
m
V
b'e
B
E
E
C
B'
I
c
I
b
r
ce
= resistansi output
r
bc
= resistansi umpan balik
r
bb
= r
x
= resistansi penyebaran
r
be
= r

= resistansi penyebaran
g
m
= transkonduktansi
R
2
V
in
C
2
V
out
Model transistor ini digunakan untuk membahas
tanggapan frekuensi tinggi satu pe-nguat transisitor.
Disebut juga sebagai rangkaian pengganti Giacolleto
Akibat frekuensi tinggi, maka kapasitansi junction
merupakan komponen parasitic yang tidak dapat
diabaikan, sehingga parallel dengan resistansi r
bc
dan
r
be
terdapat masing-masing C
c
= C dan C
e
= C

.
Dan karena nilai r
ce
>> dan r
bc
>>, maka rangkaian
pengganti untuk frekuensi tinggi menjadi sebagai
berikut.

r
bb'
C
c
r
b'e
V
b'e
g
m
V
b'e
B
E
E
C
B'
I
c
I
b
C
e
Dan karena efek Miller, rangkaian pengganti
sebelumnya menjadi yang digambarkan lengkap
dengan sumber dan beban R
L
.

(R
S
-r
bb'
)
Cc[(K-1)/K]
r
b'e
V
b'e
g
m
V
b'e
B
E E
C
B'
C
e C
c
[1-K]
R
L
Pada tanggapan frekuensi tinggi, sebuah penguat
transistor berperilaku sebagai filter pelintas bawah
(LPF, low pass filter), dengan frekuensi cutoff, f
H
=
1/2R
2
C
2
, dimana, R
2
adalah resistansi lingkar-input,
dan C
2
adalah kapasitansi input.
Kedua komponen, resistansi dan kapasitansi tersebut
tersusun seperti digambarkan sebagai berikut.

R
2
V
in C
2 V
out
Untuk rangkaian pengganti Hibrida-, nilai-nilai R
2
,
dan C
2
(yang sudah mem-perhitungkan efek Miller)
masing-masing adalah
m
fe
g
h
26
) (mA I
C
R
2
= R
S
// r
be

dimana :
R
S
= R
S
+ r
bb

r
bb
= h
ie
r
be


r
be
=

g
m
=
mho C
2
= C
e
+ C
c
( 1 + g
m
R
L
) --
Pada umumnya parameter yang diberikan oleh
pabrikan untuk transistor frekuensi tinggi adalah, h
fe
,
f
T
, h
ie
, dan C
c
, sehingga untuk menentukan parameter
yang lain guna mencari nilai f
H
, digunakan rumus-
rumus tersebut, dan rumus berikut ini,

C
e

T
m
f
g
t 2

dimana :
g
m
= transkonduktansi
f
T
=satu nilai frekuensi pada saat penguatan arus CE mencapai
har-ga satu, dengan output hubung singkat.
Sementara f
T
sendiri, yang disebut gain-bandwidth
product, ditentukan besar-nya dari hubungan,
f
T
h
fe
. f
dimana :
f

= satu nilai frekuensi pada saat penguatan arus

= 0,707 h
fe



i
A
Dari rumus terakhir ini, dapat dikatakan bahwa, bila dua
transistor yang mem-punyai f
T
sama, maka transistor
dengan h
fe
yang rendah akan mempunyai band-width yang
lebar.
Terdapat parameter lain pada transistor frekuensi tinggi,
yang menentukan ciri transistor ini, yaitu f
max
. f
max
adalah
frekuensi osilasi maksimum bila transistor tersebut
digunakan sebagai osilator atau pengolah sinyal RF.
f
max
didefinisikan sebagai satu nilai frekuensi pada saat
penguatan daya penguat RF (konfigurasi CE) menjadi satu.
Nilai frekuensi f
max
tertentu dari rumus,
f
max
=
C bb
T
C r
f
'
8t

Contoh Soal
Spesifikasi pabrikan untuk transistor silikon tipe 2N 3647 yang
dirancang, meliputi,
f
T
= 350 MHz
h
fe
= 150
h
oe
= 0,1 mS
C
ob
= 4 pF
Dari data yang diberikan tersebut, tentukan parameter
rangkaian Hibrida-, bila transistor dioperasikan pada I
CQ
= 300
mA ?
Penyelesaian :


Karena data r
bb
tidak diberikan, maka dapat diambil nilai 10 .
Rangkaian pengganti model-T
Untuk sinyal dengan frekuensi rendah, rangkaian
pengganti model-T ini tidak digu-nakan, melainkan hanya
untuk analisa rangkaian transistor yang bekerja dengan
frekuensi RF.
Untuk frekuensi rendah hanya rangkaian pengganti hybrid
yang digunakan karena lebih sederhana, yaitu mempunyai
rangkaian yang sama untuk semua konfigurasi penguat
transistor
r
b
'
r
bb
'
r
e
r
c
r
b
o i
e
B B
C E
B'
i
c
i
e