PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR 1

KARAKTERISTIK DIODA

OLEH:

NAMA : IRMA FADILAH

NIM : A1C317005

KELOMPOK : 1 ( SATU)

LABORATORIUM PENDIDIKAN FISIKA

JURUSAN PENDIDIKAN MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN

UNIVERSITAS JAMBI

2018
 PERCOBAAN IV

I. Judul : Karakteristik Dioda

II. Tujuan : setelah melakukan praktikum, mahasiswa dapat:
1. Mengidentifikasi karakteristik dioda.
2. Menganalisis rangkaian bias maju dan bias mundur pada dioda.
3. Melukiskan grafik karakteristik dioda dengan benar.

III. Landasan Teori

Dioda adalah komponen elektronik yang terbuat dari unsur semikonduktor.

Fungsi Dioda sangat penting didalam rangkaian elektronika. Karena dioda adalah
komponen semikonduktor yang terdiri dari penyambung P-N. Dioda merupakan
gabungan dari dua kata elektroda, yaitu anoda dan katoda. Sifat lain dari dioda adalah
menghantarkan arus pada tegangan maju dan menghambat arus pada aliran tegangan
balik (Badaruni, dkk. 2018: 176).
Menurut Sujana (2007: 15-16), Karakteristik kurva diode, hubungan antara
besarnya arus yang mengalir melalui diode dengan tegangan VA-K dapat dilihat pada
kurva dibawah ini, gambar dibawah menunjukkan dua macam kurva, yakni diode
germanium (Ge) dan diode silicon (S). pada saat diode diberi bias maju, yakni bila
VA-K positif, maka arus ID akan naik dengan cepat setelah VA-K mencapai tegangan
cut-in (Vy). Tegangan cut-in Vy ini kira-kira sebesar 0,2 volt untuk diode germanium
dan 0,6 volt untuk diode silicon. Pemberian tegangan baterai sebesarini, maka
potensial penghalang (burier potensial), pada persambungan akan teratasi. Sehingga
arus diode mulai mengalir dengan cepat. Bagian kiri bawah dari grafik dibawah ini
merupakan kurva karakteristik diode saat mendapatkan bias mundur.
Hubungan arus diode (ID) dengan tegangan diode (VD) dapat dinyatakan dalam
persamaan matematis yang dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu:

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 [𝑒 (𝑉𝐷 ⁄𝑛 .𝑉𝑇) − 1]

Menurut Keppens, dkk. (2008: 2), For moderate voltages in the range of 2 to
2.5 V, an exponential increase in the current is observed. If the diode current is
dominated by diffusion processes, the forward current-voltage characteristic of an

ideal p-n junction is given by the Shockley equation

𝑒𝑈𝑓
𝐼 = 𝐼𝐷 exp ( )
𝑘𝑇

The quantities ID, e, k, and T represent the diffusion saturation current under reverse-
bias conditions, the elementary charge, the Boltzmann constant, and the temperature
of the diode junction, respectively. However, if the current is dominated by space
charge recombination, the forward current voltage behavior should be described by

𝑒𝑈𝑓
𝐼 = 𝐼𝑅 exp ( )
2𝑘𝑇
with IR being the recombination saturation current. Because both current mechanisms
are expected to be present at the same time, experimental I-Uf characteristics are
commonly modeled by the experimental Shockley equation

𝑒𝑈𝑓
𝐼 = 𝐼𝑆 exp ( )
𝑛𝑘𝑇

where n is the ideality factor of the diode, which has a theoretical value between 1
and 2. IS represents the effective saturation current as a combination of ID and IR.

Menurut Sutrisno (1986: 87-88), Tampak pengaruh suhu terhadap lengkungan

ciri diode terdapat pada tegangan potong dan pada arus penjenuhan. Jika suhu
dinaikkan, tegangan berkurang, tetapi arus penjenuhan bertambah, dan kemiringan
lengkung ciri pada tegangan mundur pun bertambah. Pengaruh suhu oleh fungsi
eksponensial 𝑒 𝑞𝑣ℎ⁄𝑘𝑇 yang berasal dari arus injeksi tidaklah telalu besar. Kenaikan
suhu menaikkan pula eksitasi termik, sehingga rapat elektron instrinsik ni bertambah.
Dengan terjadinya rekombinasi, berlakulah hubungan

𝑃𝑛 = 𝑃𝑖 2

Dengan P adalah rapat lubang ekstrinsik.

Menurut Istradi (2017:14-16), ada dua jenis diode daya yang biasa digunakan,
yaitu:

 Dioda bipolar (P-N Junction)

 Dioda Schottky, dimana diode ini mempunyai tegangan jatuh yang lebih
rendah dibandingkan diode bipolar (0.3 V) dan tegangan breakdown yang
lebih rendah dari diode biasa.
 Berikut ini contoh beberapa karakteristik diode yang diambil dari datasheet
diode:

Properti IN4001 IN914 IN4148

Tegangan (VRRM) 50 V 100 V 100 V
Arus (IF AVE) 1A 200 mA 150 mA
Tegangan 50 V 100 V 100 V
Breakdown (VR)
Kerugian Daya 3W 500 mW 440 mW

IV. Alat dan Bahan

1. Power Supply = 1 unit

2. Multimeter = 1 unit

3. Dioda = 1 buah

4. Resistor = 1 kΩ 1 buah

V. Prosedur percobaan
 Forward bias
1. Persiapkan semua peralatan dan bahan-bahan yang diperlukan saat
melaksanakan percobaan.

2. Periksa semua bahan dan peralatan, pastikan semua dalam kondisi yang baik.

3. Siapkan sebuah dioda dan resistor sebesar 1k ohm yang akan digunakan
dalam praktikum ini.

4. Gunakan multimeter untuk mengukur besar resistansi resistor. Jangan

tempelkan anggota tubuh pada probe multimeter atau resistor karena hal ini
dapat menimbulkan bias pembacaan.

5. Gunakan multimeter untuk mengecek dioda yang akan digunakan dapat

berfungsi dengan baik.
6. Susun rangkaian seperti seperti gambar dibawah ini pada breadboard.

7. Pastikan jumper serta kabel telah dalam posisi yang baik dan benar. Pastikan
dengan benar agar tidak terjadi shorting!
8. Nyalakan power supply dan atur tegangan input yang diinginkan dengan
menggunakan power supply. Untuk memudahkan mengetahui tegangan
dengan tepat sebaiknya gunakan multimeter, pastikan memakai mode
tegangan DC.
9. Ukurlah tegangan pada dioda (VD) dan arus yang mengalir pada dioda (ID)
dengan menggunakan multimeter.
10. Ubah tegangan pada power supply sesuai dengan yang ada pada tabel 4.1
11. Pada setiap perubahan tegangan ukur kembali VD dan ID.
12. Catat hasil percobaan pada table kerja 4.1!
 Reverse Bias
Ulangi percobaan pada percobaan diatas namun dengan bentuk rangkaian
seperti pada gambar dibawah ini!
 Pastikan posisi dioda dan power supply benar. Catat hasil percobaan pada table
kerja 4.2!

VI. Data Hasil

 Forward Bias
VSumber (Volt) VD (Volt) ID (A)
0.8 0.79 0
1 0.99 0

 Reverse Bias
VSumber (Volt) VD (Volt) ID (A)
0.8 0.4 0.38
1 0.4 0.49

VII. Pembahasan

Pada praktikum ini praktikan melakukan percobaan tentang karakteristik

diode. Tujuan diadakannya praktikun ini yaitu agar mahasiswa dapat
mengidentifikasi karakteristik diode; menganalisis rangkaian bias maju dan bias
mundur pada diode; dan dapat melukiskan grafik karakteristik diode dengan
benar.

Diode adalah komponen elektronika yang terbuat dari unsur semikonduktor.

Fungsi diode ini sangat penting didalam rangkaian elektronika. Karena diode
adalah komponen semikonduktor yang terdiri dari penyambung P-N.

Karakteristik diode sendiri merupakan sebuah kurva yang memperlihatkan

hubungan anatara tegangan dan arus yang ada pada sebuah diode. Pada
karakteristik diode diberikan tegangan input yang bervariasi. Diode dapat diberi
perlakuan dengan bias maju dan bias mundur. Untuk mengetahui karakteristik
diode dapat dilakukan dengan cara memasang diode seri dengan sebuah catu daya
DC dan sebuah resistor. Dari rangkaian percobaan tersebut dapat diukur tegangan
diode dengan variasi sumber tegangan yang diberikan.

Pada percobaan ini praktikan melakukan percobaan sebanyak dua kali dengan
memvariasikan tegangan yang diberikan pada percobaan forward bias dan reverse
bias. Tegangan yang diberikan yaitu 0.8 volt dan 1 volt yang di rangakai seperti
gambar dibawah ini :

 Untuk Forward Bias

 Untuk Reverse Bias

Dari rangkaian pengujian tersebut dapat dibuat kurva karakteristik diode yang
merupakan fungsi dari arus ID, yaitu arus yang melalui diode, terhadap tegangan
VD, yaitu beda tegangan antara titik a dan titik b.
Dari hasil prcobaan diketahui pada rangkaian forward bias:
 Untuk Vsumber O.8 volt diperoleh VD sebesar 0.79 volt dan ID sebesar 0
Ampere.
 Untuk Vsumber 1 volt diperoleh VD sebesar 0.99 volt dan ID sebesar 0 Ampere.
Sedangkan pada rangkaian reverse bias diperoleh data hasil :
 Untuk Vsumber O.8 volt diperoleh VD sebesar 0.4 volt dan ID sebesar 0.38
Ampere.
 Untuk Vsumber 1 volt diperoleh VD sebesar 0.4 volt dan ID sebesar 0.49
Ampere.

Dari hasil percobaan ini dapat diketahui bahwa pada rangkaian forward bias,
semakin besar sumber tegangan yang diberikan maka semakin besar pula
tegangan VD yang dihasilkan dan nilai ID pada kedua sumber yang berbeda akan
sama. Sedangkan pada rangkaian reverse, VD yang diperoleh akan sama besar
dan ID yang dihasilkan akan semakin besar untuk Vsumber yang besar.

VIII. Kesimpulan

Berdasarkan praktikum yang telah praktikan lakukan dapat disimpulkan

bahwa:

1. Karakteristik diode merupakan sebuah grafik yang memperlihatkan hubungan

antara arus yang mengalir pada diode dengan tegangannya.
2. Bias maju merupakan pemberian tegangan positif yang dihubungkan dengan
bagian positif pada diode (anoda) dan pemberian tegangan negatif yang
dihubungkan dengan dengan bagian neegatif diode (katoda). Pada saat diberi
bias maju, maka arus akan mengalir dengan cepat setelah tegangan mencapai
suatu tengangan tertentu (cut in). Dengan pemberian tengan sebesar cut in,
maka potensial pengahalang pada persambungan dioda akan teratasi, sehingga
arus yang mengalir pada dioda akan dapat mengalir dengan cepat. Sedangkan
bias mundur merupakan kebalikan dari bias maju, yaitu pemberian tegangan
negatip yang dihubungkan dengan bagian pasitip pada dioda (anoda) dan
pemberian tegangan positip yang dihubungkan dengan negatif dioda (katoda).
saat dioda diberikan bias mundur, maka akan ada istilah besar arus jenuh
mundur. Apabila tegangan yang diberikan pada saat bias mundur di naikkan
 terus, maka pada suatu tegangan tertentu dioda akan mengalami tegangan
break down. Tegangan break down terjadi ketika arus akan naik dengan tiba-
tiba, tegangan breakdown ini harus selalu dihindari karena akan merusak
diode.
3. Kurva atau grafik karakteristik diode
 DAFTAR PUSTAKA

Badaruni, D. S., J. O. Wuwung., dan D. J. Mamahit. 2018. Perencanaan dan

Pembuatan Trainer Praktikum Dasar Elektronika di Laboratorium Elektronika
dan Instrumentasi. Jurnal Teknik Elektro dan Komputer Vol 7 (2). ISSN: 2301-
8402.

Istardi, Didi. 2017. Pengenalan Elektronika Daya-Penyearah AC-DC. Edisi Pertama.

Andi: Yogyakarta.

Keppens., W. R. Ryckaert., G. Deconinck., dan P. Hanselaer. 2008. High Power

Light-Emitting Diode Junction Temperature Determination From Current-
Voltage Characteristics. Journal of Applied Physics 104.093104.

Surjono, H. D. 2007. Elektronika: Teori dan Penerapan. Cerdas Ulet Kreatif: Patrang
Jember.

Sutrisno. 1986. Elektronika Teori Dasar dan Penerapannya. Cetakan Pertama. ITB:
Bandung.
 LAMPIRAN

1. Lampiran Hitung
 Forward Bias
1) Vsumber = 0.8 Volt
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
0.79 𝑉
𝑅𝐷 =
0𝐴
𝑅𝐷 = ∞
2) Vsumber = 1 Volt
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
0.99 𝑉
𝑅𝐷 =
0𝐴
𝑅𝐷 = ∞
 Reverse Bias
1) Vsumber = 0.8 Volt
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
0.4 𝑉
𝑅𝐷 =
0.38 𝐴
𝑅𝐷 = 1.05 Ω
2) Vsumber = 1 Volt
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
0.4 𝑉
𝑅𝐷 =
0.49 𝐴
𝑅𝐷 = 0.82 Ω
2. Lampiran Gambar
 PERCOBAAN VII

I. Judul : Transistor Sebagai Penguat Tegangan (Common Emitter)

II. Tujuan : 1. Setelah melakukan praktikum, praktikkan dapat
mengidentifikasi
karakteristik Transistor sebagai penguat dengan benar.
2. Setelah melakukan praktikum, praktikkan dapat
membedakan prinsip transistor sebagai penguat dengan
transistor sebagai saklar dengan benar.
3. Setelah melakukan praktikum, praktikkan dapat
menghitung penguatan rangkaian dengan benar.
III. Landasan Teori
Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah
bahan type p dan diapit oleh dua bahan tipe n (transistor NPN) atau terdiri atas
sebuah bahan tipe n dan diapit oleh dua bahan tipe p (transistor PNP). Ketiga
terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor (E), Basis (B) dan Kolektor
(C). Emitor merupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping
sangat tinggi. Bahan kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang.
Sedangkan basis adalah bahan dengan doping yang sangat rendah. Apabila
pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka semua arus
akan nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana terjadi pada
persambungan dioda, maka pada persambungan emiter dan basis (JE) serta
pada persambungan basis dan kolektor (JC) terdapat daerah pengosongan.
Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah pengosongan pada
persambungan emitor-basis menjadi semakin sempit karena mendapatkan bias
maju. Sedangkan daerah pengosongan pada persambungan basis-kolektor
menjadi semakin melebar karena mendapat bias mundur (Surjono,2007:55-
57).
Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang
menggambarkan kerja transistor. Akan ditinjau dari tiga kurva karakteristik
yaitu kolektor, kurva basis dan kurva beta (β). Pemilihan titik kerja bertujuan
agar transistor bekerja di daerah yang diinginkan. Pada untai penguat,
transistor, transistor dirancang untuk bekerja di daerah aktif, sehingga sinyal
keluaran (tegangan atau arus kolektor) merupakan reproduksi sinyal masukan
yang diperkuat. Dalam pemilihan titik kerja VCC, RB dan RC dipilih agar
transistor tidak melampaui batas jangkauan (rating)nya, yaitu : 1. Lesapan
(dispasi) kolektor maksimum, PC (maks), 2. Tegangan kolektor emitter
maksimum, VCC(maks), 3. Arus kolektor maksimum, IC (maks) dan 4.
Tegangan basis emitter maksimu, VBE (maks). Kapsitor C1 dan C2 adalah
kapasitor kapling yang digunakan untuk melewatkan sinyal. Arus DC tidak
dapat lewat kapasitor kopling tersebut, sehingga arus dan tegangan prasikap
tidak berpengaruh (Widodo,2002:49-54).
Menurut Blocher (2004:110-111), masukan untuk rangkaian penguat
didapatkan dari sumber voltase sebelah kiri dalam skema rangkaian. Sumber
voltase ini merupakan voltase DC yang konstan sebesar 0,7 V yang
dijumlahkan dengan satu sinyal voltase AC, VS dengan amplitude kecil. Input
dari penguat adalah sambungan antara basis dan emitor. RS adalah resistor
yang menunjukkan resistivitas dalam sumber voltase masukan tersebut.
Kolektor disambungkan dengan voltase DC sebesar Vb (voltase baterai/voltase
sumber) melalui resistor RC. Bagian negative dari sumber voltase ini
merupakan GND dan disambungkan dengan emitor. Output dari rangkaian
adalah sambungan antara kolektor dan GND (ground). Rangkaian seperti ini
disebut common emitter amplifier karena emitor dipakain sebagai sambungan
bersama untuk input dan output.
Cara kerja rangkaian electrosurgery unit diatas yaitu pada saat trafo
power supply mendapatkan supply tegangan PLN sebesar 220VAC kemudian
diturunkan melalui trafo step-down dengan keluaran tegangan 32VAC, lalu di
searahkan meluli diode sehingga gelombang rangkaian akan berubah menjadi
VDC, maka akan mengalir tegangan VDC menuju transistor LM 317 dimana
digunakan untuk regulator tegangan yang akan di atur oleh resistor variable,
 dan sebagian tegangan akan mengalir ke transistor MJ 2955 dimana transistor
ini digunakan sebagai penguat arus sehingga dalam rangkaian akan
mengeluarkan arus sesuai dengan data sheet yang diperoleh dari transistor
tersebut. Lalu kemudian tegangan akan mengalir menuju rangkaian pencacah
frequency dimana dalam rangkaian ini tegangan DC akan dicacah melalui
transistor 2N3055 dimana transistor ini merupakan jenis transistor daya dan
kemudian tegangan dikuatkan melalui trafo step-up, hasil dari keluaran
tegangan pada trafo tersebut digunakan untuk cutting pada probe positive &
probe negative (Firmansyah,dkk,2016:122-123).
The transistor size are summarized and he over all channel area is 2677
𝜇𝑚2. The transistor sizing started from the ouput stage, which is designed to
drive a 16 Ω resistive load in parallel with a 680 pF capacitive load, which we
shall name it condition 1, with maximized GBW and PM and ultimately
achieves rail to rail input/otput range. The figure 4 is the micrograph of the
fabricated chip. Due to the constraint of the 1/0 pad frame of the multi process
wafer (MPW). Process most of the silicon area is occupied by the large
current flow metal connection (ShamTam,2018:6).
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi
semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan
inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari
sirkuit sumber listriknya (Zain dan Yatra,2012:87).

IV. Alat dan Bahan

1. Kit Komponen(toolbox)
2. Multimeter = 1 unit
3. Osiloskop = 1 unit
4. Signal Generator = 1 unit
5. Kabel Jumper = 1 meter
 6. Catu Daya = 1 unit
7. Breadboard = 1 unit
8. Resistor (1 kΩ) = 2 buah
9. Resistor (10kΩ) = 2 buah
10. Kapasitor 47 nF = 2 buah
11. Kapasitor 16 nF = 1 buah
12. Transistor NPN/PNP = 1 buah

V. Prosedur Percobaan
Percobaan mengukur penguatan rangkaian common emitter
1. Persiapkan semua peralatan dan bahan-bahan yang diperlukan saat
melaksanakan percobaan.
2. Periksa semua bahan dan peralatan, pastikan semua dalam kondisi yang
baik.
3. Buatlah rangkaian common emitter sepertigambar dibawah ini!

4. Berikan tegangan VCC sebesar 12V (RB=10k, RC=1k, RE=1k), potensiometer

(RV) 10k, kapasitor (bagian basis dan emitter) adalah 47μF, kapasitor
 (bagian output) adalah 16 μF, praktikan diperbolehkan menggunakan nilai
komponen yang berbeda dengan mencatatkannya).
5. Pada potensiometer(Rv) hubungkan hanya pada kaki 2 dan 3, atau 1 dan 2.
Kemudian kaki-kaki tersebut dihubungkan pada multimeter dan atur
potensiometer (Rv) agar VCE bernilai 6 Volt
6. Ukur beda tegangan pada resistor RC, lalu hitung arus IC.
7. Ukur nilai tegangan VBEdan arus IBdengan menggunakan multimeter.
8. Berikan sinyal input pada rangkaian berupa sinyal sinusoidal dengan
amplitudo input dari 50mV sampai 250mV dengan selang 50mV. Atur
besarnya tegangan dan besar frekuensi agar signal dapat teramati dengan
baik pada layar osiloskop.
9. Ukur dan catat besarnya tegangan output (Vout) dan tegangan input (Vin).
Amati sinyal input dan sinyal output, apakah terjadi perbedaan fasa atau
tidak.

VI. Data hasil

Nilai (sertakan satuan)

VCC 12 Volt
VCE 12,7 Volt
VBE 0,7 Volt
IB -0,01 A
IC 0,05 A
VIn 5,5 Volt
VOut 16,8 Volt

Hasil penguatan yang diperoleh (VOut/VIn) = 16,8/5,5 = 3,05 Kali

 Gambar sinyal input dan output pada osiloskop

VII. Pembahasan
Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah
bahan type P dan diapit oleh dua bahan tipe N (transistor NPN) atau terdiri atas
sebuah bahan tipe N dan diapit oleh dua bahan tipe P (transistor PNP).
Transistor memiliki tiga kaki, yaitu kolektor (C), basis (B) dan emitor (E).
Emitor adalah bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat tinggi,
Kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang dan Basis diberi doping
yang sangat rendah. Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias
dari luar, maka semua arus akan nol atau tidak ada arus yang mengalir,
sedangkan apabila diberi tegangan bias aktif, maka pengosongan pada
persambungan emitor-basis menjadi semakin sempit karena mendapatkan bias
maju, sementara daerah pengosongan pada persambungan basis-kolektor
menjadi semakin melebar karena mendapat bias mundur. Adapun karakteristik
transistor dapat disajikan dengan transistor akan ditinjau tiga kurva, yaitu
kolektor,kurva basis dan kurva beta.
Seperti yang diketahui bahwa transistor dapat memperbedar level sinyal
keluaran sampai beberapa kali sinyal masukan. Adapun kelebihan dari sebuah
transistor tidak hanya dapat menguatkan sinyal tetapi juga bias sebagai penguat
arus, daya dan tegangan. Sehingga agar suatu transistor dapat bekerja sebagai
penguat secara optimal, maka harus dibutuhkan titik penguat transistor dan juga
harus sama dengan yang ditentukan oleh garis beban AC/DC.
 Adapun pada praktikum tentang transistor sebagai penguat dibutuhkan kit
komponen, multimeter, osiloskop, sinyal generator, kabel jumper, catu daya,
breadboard, resistor 1 kΩ, kapasitor 47 nF, 10 nF dan transistor tipe NPN dan
PNP. Pada praktikum kami melakkan percobaan untuk mengukur VCC, VCE, dan
VBE. Di mana nilai masing-masingnya sebesar 12 volt, 12,7 volt dan 0,7 volt.
Sementara IB dan IC masing-masing sebesar – 0,01 A dan 0,05 A. Sedangkan
tegangan masukan (VIn) sebesar 5,5 Volt dan tegangan keluaran (VOut) sebesar
16, 8 Volt. Sehingga diperoleh besar penguatan pada transistor sebesar 3,05
kali. Hal ini sesuai dengan teori yang ada di mana transistor berfungsi sebagai
penguat.
Sehingga dapat disimpulkan bahwa semakin besar arus yang mengalir,
maka semakin besar tegangannya. Sedangkan hasil tegangan masukan akan
lebih kecil dari hasil tegangan keluaran. Hal ini disebabkan oleh transistor yang
berfungsi sebagai penguat. Adapun untuk mengukur tegangan dapat dilakukan
dengan kaki emitor digroundkan, lalu input diletakkan ke basis dan output
diletakkan pada kaki kolektor. Adapun alasan VOut lebih besar dari VIn karena
ketika arus mengalir dari sumber menuju kapsitor, maka kapasitor akan
menyimpan muatan yang mengalir dari sumber sampai penuh d dalam kapasitor
dan kemudian dialirkan, sehingga tegangan keluaran lebih besar sedangkan
tegangan masukan lebih kecil karena arus yang diterima seadanya dari sumber
arus.
Adapun karakteristik dari transistor sebagai penguat, yaitu : sinyal
outputnya berbalik fasa 180° terhadap sinyal input, sering dipakai pada penguat
frekuensi rendah, mempunyai stabilitas penguatan yang rendsh karena
bergantung pada kestabilan suhu dan bias transistor.

VIII. Kesimpulan
Berdasarkan hasil praktikum yang telah dilakukan dapat disimpulkan
bahwa :
1. Karakteristik dari transistor sebagai penguat, yaitu : sinyal outputnya
berbalik fasa 180° terhadap sinyal input, sering dipakai pada penguat
frekuensi rendah, mempunyai stabilitas penguatan yang rendsh karena
bergantung pada kestabilan suhu dan bias transistor.
2. Prinsip kerja transistor sebagai penguat adalah transistor bekerja pada
wilayah antara titik jenuh dan titik kondisi terbuka (cut-off), tetapi
tidak pada kondisi keduanya. Sedangkan prinsip transistor sebagai
saklar adalah transistor akan bekerja pada kondisi terbuka (cut-off)
apabila arus basis dilalui oleh arus yang sangat kecil sehingga bekerja
seperti saklar yang terbuka dan kondisi jenuh jika basis transitor diberi
arus yang cukup besar sehingga bekerja seperti saklar yang tertutup.
3. Mencari penguatan rangkaian dapat menggunakan rumus :
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵

𝑉𝑜𝑢𝑡
𝛽=
𝑉𝑖𝑛
 DAFTAR PUSTAKA

Blocher, Richard. 2004. Dasar Elektronika. Yogyakarta: Andi Offset.

Firmansyah,Teguh,dkk. 2016. Rancangan Bangun Low Power Elektric
Surgery (Pisau Bedah Listrik) pada Frekuensi 10 KHz. Jurnal Nasional
Teknik Elektro. Vol.5. No.1. ISSN:2302-2949.
Sham Tam, Wingg. 2018. Design Methodology of Double Nuling Resistors
Nested-Miller Compesation of Multistage Amplifier. Journal Science
Direct. ISSN: 2589-2088.
Surjono,H.D. 2007. Elektronika : Teori dan Penerapan. Jember: Cerdas Ulet
Kreatif.
Widodo, T.S. 2002. Elektronika Dasar. Jakarta: Salemba Teknika.
Zain, R.H dan Yatra, A.R. 2012. Aplikasi Pagar Elektrik Pada Keamanan
Fasilitas Lembaga Permasyarakatan dilengkapi Alarm Deteksi
Pemutusan Arus Listrik Dan Sensor Menggunakan Jaringan Komputer.
Jurnal Momentum. Vol.13. No.2. ISSN: 1693-752X
 LAMPIRAN
1. Lampiran Hitung
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
0,05 𝐴
𝛽= = −5
−0,01𝐴
𝑉𝑜𝑢𝑡
𝛽=
𝑉𝑖𝑛
16,8 𝑉𝑜𝑙𝑡
𝛽= = 3,05
5,5 𝑉𝑜𝑙𝑡

2. Lampiran gambar

Rangkaian transitor sebagai penguat

Bentuk gelombang