ELEKTRONIKA

Bab 3 TEORI DIODA

Oleh :
Rinna Hariyati, ST
2013

Electronics Principle’s 7th edition by Albert Malvino

PENDAHULUAN
Materi Perkuliahan Elektronika adalah :
1. Introduction :
Hkm Kirchhoff, Hkm Ohm, Analisis Loop & Mesh, Analisis Node
(Simpul), Analisis Thevenin dan Norton

Rinna Hariyati
2. Dioda
Teori Semikonduktor, Teori Dioda, Rangkaian Dioda, Dioda-dioda
Khusus,
3. Transistor
Bipolar Junction Transistor, Fundamental Transistor, Transistor Biasing
(transistor NPN dan PNP), AC Model, Voltage Amplifier, CC & CB Amplifier,
dan Power Amplifier.

2
Teori Dioda
Pda bab ini kita mempelajari dioda. Setelah membahas tentang kurva
dioda kita membahas tentang pendekatan-pendekatan pada
perhitungan dioda.
1. Pendekatan I : dioda ideal
2. Pendekatan II : pendekatan dengan perhitungan tegangan dioda

Rinna Hariyati
3. Pendekatan III : dengan perhitungan tegangan dioda dan
hambatan dalam.

3
Dioda
Dioda adalah devais nonlinier karena grafik arus terhadap
tegangannya tidak berupa garis lurus.

Rinna Hariyati
4
(a) Symbol dioda; (b) devais dioda; (c) rangkaian dioda
Kurva Dioda
Gambar di bawah ini menampilkan kurva dioda :

Rinna Hariyati
1. Forward region
2. Knee Voltage (Tegangan Lutut) : 𝑉𝐾 ≈ 0,7 𝑉
3. Bulk resistance : 𝑅𝐵 = 𝑅𝑃 + 𝑅𝑁
4. Power Dissipation (disipasi daya) : 𝑃𝐷 = 𝑉𝐷 𝐼𝐷
5
Untuk daya maksimum : 𝑃𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑚𝑎𝑥
Teori Dioda
Contoh I :
Pada gambar (a), apakah dioda pada rangkaian forward bias atau reverse bias?
Penyelesaian :

Rinna Hariyati
Tegangan jatuh di R2 adalah positif, maka rangkaian mendorong arus untuk
mengalir melintasi resistor. Akan tetapi gambar tersebut akan mudah dipahami
dengan rangkaian Thevenin yang terlihat pada gambar (b). Pada rangkaian seri
tersebut, kita dapat lihat sumber DC mengalir. Sehingga tampak bahwa dioda 6
tersebut forward bias .
Teori Dioda
Contoh 2 :
Sebuah dioda memiliki rating daya 5 W. Jika tegangan dioda sebesar 1.2 V dan
arus dioda 1.75 A, berapakan disipasi daya? Apakah dioda akan rusak?
Penyelesaian :
𝑃𝐷 = 1.2 𝑉 1.75 𝐴 = 2.1 𝑊

Rinna Hariyati
Disipasi daya kurang dari rating daya, sehingga dioda tidak akan rusak.

Latihan Contoh 2 :
Berapakah disipasi daya jika tegangan dioda 1.1 V dan arus dioda 2 A?

7
Dioda Ideal
Pada gambar grafik
forward region dari dioda.
Terlihat arus dioda ID vs
tegangan dioda VD.
Perhatikan bagaimana arus

Rinna Hariyati
mendekati nol sampai
dengan tegangan dioda
mendekati barrier
potensial (tegangan
pembatas). Sekitar 0.6
samapai 0.7 V arus dioda
meningkat. Ketika
Gambar kurva dioda
tegangan lebih besar dari
0.8 V, arus dioda 8
meningkat secara signifikan
dan grafik hampir linier.
Pendekatan I
Pendekatan yang paling sederhana disebut dioda ideal.

Rinna Hariyati
(a) Kurva dioda ideal; (b) dioda ideal sebagai saklar

9
Pendekatan I
Contoh 3 :
Dengan pendekatan dioda ideal, hitunglah tegangan dan arus pada beban
pada gambar (a) !

Rinna Hariyati
Penyelesaian:
Ketika dioda forward bias, dioda seperti saklar yang tertutup. Maka kita dapat
menhitung tegangan pada beban sebesar
𝑉𝐿 = 10 𝑉
10 𝑉 10
Dengan hukum Ohm, maka arus pada beban : 𝐼𝐿 = 1 𝑘Ω = 10 mA
Pendekatan I
Contoh 4 :
Hitunglah tegangan dan arus beban pada gambar (b) dengan pendekatan dioda ideal !
Penyelesaian :

Rinna Hariyati
Satu cara untuk memecahkan permasalahan ini adalah dengan analisis rangkaian
Thevenin pada rangkaian dioda.dengan dioda berada di belakang sumber tegangan,
dengan pembagian tegangan :
3𝑘Ω
𝑉𝑇ℎ = ∙ 36𝑉 = 12 𝑉
6+3 𝑘Ω
Dan tahanan Thevenin :
𝑅𝑇ℎ = 6 𝑘Ω||3 𝑘Ω = 2 𝑘Ω
sekarang didapat rangkaian seri, dioda forward bias. Divisualisasikan saklar tertutup.
Sehingga dihitung :
12 𝑉
𝐼𝐿 = = 4 𝑚𝐴
3 𝑘Ω 11
Dan
𝑉𝐿 = 4 𝑚𝐴 1 𝑘Ω = 4 𝑉
Pendekatan II
Pada gambar (a) berikut adalah grafik arus vs tegangan untuk
pendekatan II. Pada grafik terlihat bahwa arus tidak ada sampai
dengan muncul tegangan 0.7 V melintasi dioda. Setelahnya, hanya 0.7
V yang muncul pada dioda, berapa pun besar arusnya.

Rinna Hariyati
Gambar grafik dan rangkaian pengganti pada pendekatan II
Pada gambar (b) ditampilkan rangkaian pengganti pendekatan II untuk
dioda silicon. Pemahamannya, bahwa dioda silicon dihubungkan
secara seri dengan sumber tegangan 0.7 V. Jika tegangan thevenin
kurang dari 0.7 V, saklar akan terbuka. Pada kondisi ini tidak ada arus 12
yang melintasi dioda.
Pendekatan II
Contoh 5 :

Gunakan pendekatan II untuk menghitung

tegangan beban, arus beban, dan disipasi
daya !

Rinna Hariyati
Penyelesaian :

Ketika dioda forward bias, ini sama dengan baterei 0.7 V. Artinya bahwa
tegangan beban sama dengan tegangan jatuh pada dioda :
𝑉𝐿 = 10 𝑉 − 0.7 𝑉 = 9.3 𝑉
Dengan hkm Ohm, arus beban :
9.3 𝑉
𝐼𝐿 = = 9.3 𝑚𝐴
1 𝑘Ω
Daya pada dioda adalah : 13
𝑃𝐷 = 0.7 𝑉 9.3 𝑚𝐴 = 6.51 mW
Pendekatan II
Contoh 6 :
Hitung tegangan beban, arus beban, dan daya pada dioda untuk gambar
berikut ini dengan menggunakan pendekatan II !
Penyelesaian :

Rinna Hariyati
Rangkaian

pengganti

Sekali lagi, kita mengubah rangkaian pertama menjadi rangkaian Thevenin

seperti rangkaian sebelah kanan. Sebagaimana sebelumnya, tegangan
Thevenin adalah 12 V dan hambatan Thevenin adalah 2 kΩ.
12 𝑉 −0.7 𝑉
Ketika tegangan dioda 0.7 V, arus beban : 𝐼𝐿 = = 3.77 𝑚𝐴
3 𝑘Ω
Tegangan pada beban : 𝑉𝐿 = 3.77 𝑚𝐴 1 𝑘Ω = 3.77 𝑉 14
Dan daya pada dioda : 𝑃𝐷 = 0.7 𝑉 3.77 𝑚𝐴 = 2.64 𝑚𝑊
Pendekatan III
Pada pendekatan III pada dioda, kita memasukkan nilai hambatan bulk RB.

Rinna Hariyati
(a) Kurva dioda; (b) rangkaian pengganti
Gambar grafik dan rangkaian Pengganti pendekatan III

Rangkaian pengganti untuk pendekatan III adalah saklar yang diseri dengan
barrier potensial (tegangan pembatas) 0.7 V dan resistansi RB (lihat gambar b)
ketika tegangan dioda lebih besar dari 0.7 V, dioda terhubung. Selama
terhubung, tegangan total yang melintasi dioda adalah :
𝑉𝐷 = 0.7 𝑉 + 𝐼𝐷 𝑅𝐵
Sering kali RB kurang dari 1 Ω, dan kita dapat secara aman mengabaikannya 15
dalam perhitungan, apabila :
𝑅𝐵 < 0.01𝑅𝑇ℎ
Pendekatan III
Contoh 7 :
Dioda 1N4001 pada gambar memiliki RB sebesar 0.23 Ω. Berapakah tegangan
beban, arus beban dan daya pada dioda ?
Penyelesaian :

Rinna Hariyati
Rangkaian

Pengganti

Dengan mengubah rangkaian pendekatan III, seperti pada gambar sebelah

kanan. RB cukup kecil untuk diabaikan karena kurang dari 1 100 dari hambatan
bebannya. Pada kasus ini kita menggunakan pendekatan II untuk memecahkan
permasalahan tersebut. Seperti pada contoh 6, kita dapatkan dari perhitungan
tegangan beban, arus beban dan daya pada dioda adalah 9.3 V, 9.3 mA dan
6.51 W. 16
Pendekatan III
Contoh 8 :
Dengan soal yang sama (contoh 7), ubah hambatan beban menjadi 10 Ω.
Penyelesaian :
Rangkaian

Pengganti 10 Ω
10 Ω

Rinna Hariyati
Dari gambar sebelumnya, dengan mengubah RL total dari hambatannya :
𝑅𝑇 = 0.23 Ω + 10 Ω = 10.23 Ω
Tegangan total yang melintasi RT : 𝑉𝑇 = 10 𝑉 − 0.7 𝑉 = 9.3 𝑉
9.3 𝑉
Oleh sebab itu, arus beban : 𝐼𝐿 = = 0.909 𝐴
10.23 Ω
Sehingga tegangan beban : 𝑉𝐿 = 0.909 𝐴 10Ω = 9.09𝑉
Untuk menghitung daya pada dioda, oleh sebab itu tegangan dioda :
𝑉𝐷 = 10 𝑉 − 9.09 𝑉 = 0.91 𝑉
Atau kita gunakan persamaan : 𝑉𝐷 = 0.7𝑉 + 0.909𝐴 0.23Ω = 0.909𝑉
Perbedaan dari jawaban terakhir bisa disebabkan dari pembulatan. Daya pada dioda : 17
𝑃𝐷 = 0.909𝑉 0.909𝐴 = 0.826𝑊
Pendekatan Dioda
Tabel Pendekatan Dioda
Firts or Ideal Second or Third
Practical
When Used Troubleshooting Analysis at High-level or
or quick analysis technician level engineering-level

Rinna Hariyati
analysis
Kurva Dioda

Rangkaian
Pengganti
18
Pengaruh Suhu
Pengaruh suhu akan lebih terlihat pada saat dioda berada dalam
kondisi bias mundur daripada bias maju karena adanya penambahan
arus mundur.

Untuk diode Germanium setiap kenaikan suhu 10°C arus mundur

Rinna Hariyati
menjadi 2 kali lipat, sedangkan Silikon arus mundur menjadi 2 kali lipat
setiap kenaikan 7°C.

19
DC Resistansi Dioda
1. Resistansi Forward (RF)
Contoh : Untuk dioda 1N914, memiliki pasangan arus dan tegangan : 10
mA pada 0.65 V; 30 mA pada 0.75 V; dan 50 mA pada 0.85V. Maka DC
resistansi :
0.65 𝑉 0.75 𝑉 0.85 𝑉
𝑅𝐹1 = = 65 Ω; 𝑅𝐹2 = 30 𝑚𝐴 = 25 Ω; 𝑅𝐹3 = = 17 Ω

Rinna Hariyati
10𝑚𝐴 50𝑚𝐴

2. Resistansi Reverse (RR)

Sama seperti sebelumnya, diketahui pasangan arus reverse dan
tegangan untuk 1N914 : 25 nA pada 20 V; 5 A pada 75 V.
20 𝑉 75 𝑉
𝑅𝑅1 = 25 𝑛𝐴 = 800𝑀Ω ; 𝑅𝑅2 = = 15𝑀Ω
5𝜇𝐴

Perhatikan : dr resistansi menurun setelah kita mendekati tegangan 20

breakdown
Garis Beban
Persamaan untuk garis beban :

Rinna Hariyati
Gambar rangkaian dioda sederhana

𝑉𝑆 −𝑉𝐷
Pada gambar (a) didapat persamaan : 𝐼𝐷 =
𝑅𝑆

21
Garis Beban
Contoh :
Pada gambar (b), jika sumber tegangan 2 V dan
resistansi 100Ω, maka :
2𝑉 − 𝑉𝐷
𝐼𝐷 =
100Ω
2𝑉−0
Jika VD sama dengan nol, maka 𝐼𝐷 = 100Ω = 20𝑚𝐴

Rinna Hariyati
Plot titik ini (ID = 20 mA, VD = 0) didapat titik yang vertikal dengan sumbu axis.
Titik ini disebut juga dengan saturasi, ka ini menunjukkan arus maksimum
untuk 2 V tegangan jatuh pada 100 Ω.
Bagaimana jika ambil titik yang lain, misal VD sama dengan 2 V. Maka :
2𝑉 −2𝑉
𝐼𝐷 = =0
100Ω
Ketika kita plot titik ini (ID = 0, VD = 2 V), kita mendapatkan titik horizontal pada
axis. Pada titik ini disebut juga dengan cutoff karena menunjukkan arus 22
minimum.
Garis Beban dan Titik Kerja (the Q point)
Garis beban dan titik kerja terlihat pada gambar di bawah ini :

Rinna Hariyati
Gambar Q point pada perpotongan kurva dioda dan garis beban

Titik kerja (Q point) adalah sebuah titik pada grafik yang ditujukan
23
untuk dioda dan rangkaiannya. Dengan membaca koordinat Q point,
kita dapati arusnya 12.5 mA dan tegangan diodanya 0.75 V.
 Tugas I

Rinna Hariyati
24
Referensi
1. Electronics Principle’s 7th edition by Albert Malvino
2. Prinsip-prinsip Elektronika, Malvino. Terjemahan Barmawi
3. Prinsip-prinsip Elektronika, Malvino. Terjamahan
4. Electronic Circuits, Norbert R. Malik & Norb Malik

Rinna Hariyati
25
 Rinna Hariyati
TERIMA KASIH
otsukaresamadeshita

26