MAKALAH TRANSISTOR

MOSFET DAN IGBT

DISUSUN OLEH :

NAMA : HASBYALLOOHU
NIM : 2211093030
KELAS : IA TRIL

POLITEKNIK NEGERI PADANG

TAHUN 2022/2023
 KATA PENGANTAR

Puji syukur saya ucapkan atas kehadirat allah swt,atas segala rahmat
dan karunianya sehingga makalah ini dapat disusun sampai
selesai,makalah ini kiranya tidak selesai tanpa bantuan dari beberapa
pihak yang mendukung.terima kasih saya ucapkan kepada bapak
Fitriadi MT,yang senantiasa membimbing saya di dalam kelas,tanpa
adanya bimbingan dari beliau saya tidak akan mendapat ilmu yang
sangat bermanfaat dan sangat berguna di masa yang akan datang.
Kami sangat berharap makalah ini dapat berguna dalam rangka
menambah wawasan serta pemahaman kita mengenai
transistor,mosvet,dan juga igbt.semoga makalah sederhana ini dapat
dipahami oleh penmbacanya.bila mana ada kesalahan kata yang tidak
pada tempatnya,maupun kesalahan dalam penulisan,izinkanlah saya
meminta maaf yang sebesar-besarnya.sebab pepatah mengatakan tiada
manusia yang luput dari kesalahan.

PADANG,29 0KTOBER 2022

PENYUSUN

HASBYALLOOHU

DAFTAR ISI
KATA
PENGANTAR……………………………………………………………………
DAFTAR
ISI…………………………………………………………………………………
BAB 1
PENDAHULUAN………………………………………………………………..
1.1 Latar
belakang…………………………………………………………………………..
1.2 Tujuan dan
Manfaat………………………………………………………………………….
BAB 2
PEMBAHASAN…………………………………………………………………
2.1 Pengertian
Transistor………………………………………………………………………..
2.2 Fungsi
transistor…………………………………………………………………………
2.3 Pengertian
Mosfet…………………………………………………………………………….
2.4 Tujuan Dan Manfaat
mosfet………………………………………………………………
2.5 Pengertian
IGBT……………………………………………………………………………
BAB 3
PENUTUP………………………………………………………………………
DAFTAR
PUSTAKA………………………………………………………………………
 BAB 1
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Sejarah transistor pada awalnya di temukan oleh William Shockley dan John
Barden pada tahun 1948. Transistor awal mulanya di pakai dalam praktek pada
tahun 1958. Pada saat ini ada dua jenis tipe transistor, yaitu transistor tipe P – N
– P dan transistor jenis N – P – N. Dalam rangkaian difital, transistor di
gunakan sebagai saklar untuk kecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat
di rangkaian sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memory
dan komponen lainnya. Kebanyakan ahli sejarah mengira bahwa dunia
elektronika dimulai ketika Thomas Alpha Edison menemukan bahwa filamen
panas memancarkan elektron (1883). Untuk merealisasi nilai komersial dari
penemuan Edision, Fleming mengembangkan dioda hampa (1904). Deforest
menambahkan elektroda ketiga untuk mendapatkan trioda hampa (1906).
Sampai 1950, tabung hampa mendominasi elektronik; mereka digunakan dalam
penyearah, penguat, osilator, modulator, dan lain-lainnya. Ada beberapa alasan
yang menyebabkan berkurangnya penggunaan tabung hampa dimasa sekarang
ini. Hal ini dapat dilihat dari perbedaannya yang sangat mencolok jika
dibandingkan dengan transistor begitu pula dengan kelebihan dan
kekurangannya. Perbedaan tabung hampa dengan transistor adalah sebagai
berikut:
1. Pada tabung hampa:
Tabung hampa mempunyai fisik besar dan kurang praktis. Tabung hampa
mempunyai tiga kaki yang terdiri dari Anoda, Katoda, dan Kasa kemudi.
Tabung hampa banyak terbuat dari kaca sehingga rangkaian di dalamnya
tampak dengan nyata. Tabung hampa tidak tahan terhadap goncangan.
Memerlukan Tegangan atau energi yang cukup besar. 2

2. Pada transistor:
 Bentuk fisik kecil dan praktis. Transistor mempunyai tiga kaki yan terdirti
dari: Basis, Kolektor, dan Emitor. Rangkaian dalam transistor tak kelihatan dari
luar karena terbungkus plat atau mika. Transistor than terhadap goncangan.
Transistor hanya membutuhkan tegangan atau energi listrik yang minimum,
hanya kira-kira beberapa volt saja. Sejak ditemukannya transistor maka
terjadilah revolusi di dalam dunia elektronika, karena transistor memiliki
keuntungan yang lebih dibanding tabung hampa. Namun pada dasarnya, antara
tabung hampa dengan transistor hampir sama dengan tabung elektroda atau
tabung elektron. Persamaan ialah pada kakinya sebagai berikut: Katoda =
Emitor Anoda = Kolektor Kasa kemudi = Basis Transistor daya memiliki
karakteristik kontrol untuk menyala dan mati. Transistor digunakan sebagai
elemen saklar, dioperasikan dalam wilayah satu rasi, menghasilkan dalam drop
tegangan kondisi on yang rendah. Kecepatan pensaklaran transisitor modem
lebih tinggi daripada thyristor dan transisitor secara normal digunakan dalam
aplikasi daya rendah sampai menengah. Pada umumnya transisitor berfungsi
sebagai suatu switching (kontak on-off). Adapun kerja transistor yang berfungsi
sebagai switching ini, selalu berada pada daerah jenuh (saturasi) dan daerah cut
off.

1.3 Tujuan Dan Manfaat

Tujuan dari dibuatnya makalah ini adalah untuk memberikan informasi
mengenai karakteristik dan penerapan transisitor sebagai saklar Manfaat nya
adalah agar Mahasiswa dapat memahami dan menjelaskan karakteristik dari
transistor sebagai saklar.

BAB 2
 PEMBAHASAN

2.1 Pengertian Transistor

Transistor adalah komponen elektronika terbuat dari alat semikonduktor yang
banyak di pakai sebagai penguat, pemotong (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal dan masih banyak lagi fungsi lainnya. Pengertian Transistor
pada alat semikonduktor mempunyai 3 elektroda (triode), yaitu dasar (basis),
pengumpul (kolektor) dan pemancar (emitor). Pada dasarnya transistor juga
memiliki banyak kegunaan, salah satunya adalah berfungsi semacam kran
listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET)
memungkinkan mengalirkan arus listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber
listriknya. Tegangan yang memiliki satu terminal contohnya adalah Emitor yang
dapat di pakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar dari pada
input basis. Dalam sebuah rangkaian analog, komponen transistor dapat di
gunakan dalam penguat (amplifier). Komponen yang terdapat dalam rangkaian
analog antara lain pengeras suara, sumber listrik stabil dan penguat sinyal radio.
Jadi pengertian transistor dapat di bilang sebagai pemindahan atau peralihan
bahan setengah penghantar menjadi penghantar pada suhu tertentu. Pengertian
transistor merupakan komponen yang sangat penting dan di perlukan untuk
sebuah rangkaian elektronika. Tegangan yang terdapat pada transistor
merupakan tegangan satu terminal, misalnya emitor yang dapat di pakai untuk
mengatur arus dan tegangan inputnya, memungkinkan pengaliran listrik yang
sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Cara kerja transistor hampir mirip
dengan cara kerja resistor, yang juga memiliki tipe tipe dasar yang modern.
Pada saat ini ada 2 tipe dasar transistor modern, yaitu tipe 5 Bipolar Junction
Transistor (BJT) dan tipe Field Effect Transistor (FET) yang memiliki cara
kerja berbeda beda tergantung dari kedua jenis tersebut.

2.2 Fungsi transistor

 Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus
inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik
yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya, transistor
memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektot (C)

Adapun jenis-jenis komponen transistor dan fungsinya adalah sebagai berikut :

2.3 Pengertian mosfet
2.1 Pengertian MOSFET
MOSFET adalah perangkat
empat terminal dengan sumber
(S), gerbang (G), saluran (D),
dan basis (B) terminal, basis
(atau substrat) dari MOSFET
sering terhubung ke sumber
terminal,
membuatnya menjadi
perangkat tiga terminal seperti
transistor efek medan lainnya.
Karena dua
terminal ini biasanya
terhubung satu sama lain
(hubung pendek) secara
internal, hanya tiga
terminal muncul dalam
diagram listrik. MOSFET
adalah jauh transistor paling
umum di kedua
sirkuit digital dan analog,
meskipun bipolar junction
transistor pada satu waktu
yang jauh lebih
umum.
Logam-oksida-semikonduktor
transistor efek medan
(MOSFET, MOS-FET, atau
MOS
FET) adalah jenis
transistor digunakan untuk
memperkuat atau beralih
sinyal elektronik.
MOSFET menunjukkan
gerbang (G), Basis (B),
sumber (S) dan Drain (D)
terminal. Gerbang
dipisahkan dari basis dengan
lapisan isolasi (putih). Dalam
transistor efek medan (FET),
modus
penipisan dan modus
tambahan dua jenis transistor
utama, sesuai dengan apakah
transistor dalam
keadaan ON atau negara OFF
nol gerbang-sumber tegangan.
Keuntungan utama dari
MOSFET lebih transistor
biasa adalah bahwa ia
memerlukan
sangat sedikit saat ini untuk
mengaktifkan (kurang dari
1mA), sementara memberikan
yang jauh
lebih tinggi saat ini untuk
beban (10 sampai 50A atau
lebih). Namun, MOSFET
memerlukan
tegangan gerbang tinggi (3-
4V) untuk mengaktifkan.
2.2 Jenis - Jenis MOSFET
MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect
Transistor) adalah suatu
transistor dari bahan
semikonduktor (silikon)
dengan tingkat konsentrasi
ketidakmurnian
tertentu. Tingkat dari
ketidakmurnian ini akan
menentukan jenis transistor
tersebut, yaitu
transistor MOSFET tipe-N
(NMOS) dan transistor
MOSFET tipe-P (PMOS).
Bahan silicon
ini yang akan digunakan
sebagai landasan (substrat)
penguras (drain), sumber
(source),
dan gerbang (gate).
Selanjutnya transistor ini
dibuat sedemikian rupa agar
antara substrat
dan gerbangnya dibatasi oleh
oksida silicon yang sangat
tipis. Oksida ini diendapkan di
atas
sisi kiri kanal, sehingga
transistor MOSFET akan
mempunyai kelebihan
dibanding dengan
transistor BJT (Bipolar
Junction Transistor), yaitu
menghasilkan disipasi daya
yang

2.1 Pengertian MOSFET
MOSFET adalah perangkat
empat terminal dengan sumber
(S), gerbang (G), saluran (D),
dan basis (B) terminal, basis
(atau substrat) dari MOSFET
sering terhubung ke sumber
terminal,
membuatnya menjadi
perangkat tiga terminal seperti
transistor efek medan lainnya.
Karena dua
terminal ini biasanya
terhubung satu sama lain
(hubung pendek) secara
internal, hanya tiga
terminal muncul dalam
diagram listrik. MOSFET
adalah jauh transistor paling
umum di kedua
sirkuit digital dan analog,
meskipun bipolar junction
transistor pada satu waktu
yang jauh lebih
umum.
Logam-oksida-semikonduktor
transistor efek medan
(MOSFET, MOS-FET, atau
MOS
FET) adalah jenis
transistor digunakan untuk
memperkuat atau beralih
sinyal elektronik.
MOSFET menunjukkan
gerbang (G), Basis (B),
sumber (S) dan Drain (D)
terminal. Gerbang
dipisahkan dari basis dengan
lapisan isolasi (putih). Dalam
transistor efek medan (FET),
modus
penipisan dan modus
tambahan dua jenis transistor
utama, sesuai dengan apakah
transistor dalam
keadaan ON atau negara OFF
nol gerbang-sumber tegangan.
Keuntungan utama dari
MOSFET lebih transistor
biasa adalah bahwa ia
memerlukan
sangat sedikit saat ini untuk
mengaktifkan (kurang dari
1mA), sementara memberikan
yang jauh
lebih tinggi saat ini untuk
beban (10 sampai 50A atau
lebih). Namun, MOSFET
memerlukan
tegangan gerbang tinggi (3-
4V) untuk mengaktifkan.
2.2 Jenis - Jenis MOSFET
MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect
Transistor) adalah suatu
transistor dari bahan
semikonduktor (silikon)
dengan tingkat konsentrasi
ketidakmurnian
tertentu. Tingkat dari
ketidakmurnian ini akan
menentukan jenis transistor
tersebut, yaitu
transistor MOSFET tipe-N
(NMOS) dan transistor
MOSFET tipe-P (PMOS).
Bahan silicon
ini yang akan digunakan
sebagai landasan (substrat)
penguras (drain), sumber
(source),
dan gerbang (gate).
Selanjutnya transistor ini
dibuat sedemikian rupa agar
antara substrat
dan gerbangnya dibatasi oleh
oksida silicon yang sangat
tipis. Oksida ini diendapkan di
atas
sisi kiri kanal, sehingga
transistor MOSFET akan
mempunyai kelebihan
dibanding dengan
transistor BJT (Bipolar
Junction Transistor), yaitu
menghasilkan disipasi
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu
transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi
ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan
jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor
MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan sebagai landasan (substrat)
dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya
transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi
oleh oksida silikon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari
kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding
dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan
disipasi daya yang rendah.
2.4 fungsi dan kegunaan mosfet
Adapun fungsi mosfet yaitu sebagai berikut :
1. Rangkaian radio kontrol pada mobil RC, drone atau mainan hobby RC
lainnya karena bentuknya yang kecil namun dengan kemampuan
mengontrol arus daya yang besar.
2. Rangkaian kontrol torsi dan kecepatan pada motor
3. Rangkaian kontrol pada dunia industri
4. Proyek arduino dan robotic
5. untuk power sistem, BMS baterai kendaraan listrik.
2.5 pengertian IGBT

Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan

Karakteristik IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor atau Transistor IGBT
adalah Transistor sakelar daya yang menggabungkan keunggulan dua jenis
Transistor yaitu MOSFET (Metal oxide Field effect transistor) dan BJT (Bipolar
Junction Transistor) yang digunakan dalam rangkaian Catu Daya dan
Rangkaian Pengendalian Motor. Transistor IGBT ini memiliki keunggulan
kecepatan Switching (sakelar) yang tinggi dengan impedansi tinggi seperti
halnya MOSFET. Di sisi lain, IGBT juga memiliki gain tinggi dan tegangan
saturasi rendah seperti yang terdapat pada Transistor Bipolar (BJT).

Seperti yang disebutkan pada namanya, Insulated Gate Bipolar Transistor

menggabungkan teknologi Gerbang Terisolasi (Insulated Gate) dari MOSFET
dengan Karakteristik kinerja Output dari Transistor Bipolar konvensional
(Bipolar Transistor). Hasil dari kombinasi hibrid ini yaitu Transitor IGBT
memiliki karakteristik switching dan konduksi output dari transistor bipolar
tetapi dikendalikan oleh Tegangan (medan listrik) seperti MOSFET. Dalam
bahasa Indonesia, Transistor IGBT dapat diterjemahkan menjadi Transistor
Bipolar Gerbang Terisolasi atau Transistor Dwikutub Gerbang-Terisolasi.

IGBT pada umumnya digunakan dalam aplikasi yang berkaitan dengan

elektronika daya (power) seperti inverter, konverter dan catu daya listrik yang
memerlukan sebuah perangkat switching solid state berkecepatan tinggi dengan
gain daya yang tinggi. Keuntungan yang diperoleh dari perangkat transistor
bipolar gerbang terisolasi (IGBT) atas BJT atau MOSFET adalah dapat
menawarkan gain daya dan kecepatan switching yang lebih tinggi serta dapat
beroperasi di tegangan dan arus yang lebih tinggi dengan kerugian input (Input
Losses) yang lebih rendah. Insulated Gate Bipolar Transistor ini pada dasarnya
dirancang khusus untuk memenuhi kebutuhan daya tinggi.untuk mendapatkan
efek MOSFET dan BJT seperti yang disebut diatas, sebuah MOSFET
diintegrasikan dengan sebuah Transistor Bipolar sehingga membentuk
konfigurasi Darlington seperti pada gambar dibawah ini.

Seperti yang kita lihat pada gambar diatas, Insulated Gate Bipolar
Transistor atau IGBT Transistor adalah transistor yang memiliki tiga terminal,
sebuah MOSFET Kanal-N dihubungkan secara seri dengan sebuah Transistor
Bipolar tipe PNP yang membentuk konfigurasi Darlington dan kemudian
dikemas menjadi sebuah komponen elektronik yang kita sebut sebagai
Transistor IGBT ini.

Tiga terminal yang terdapat pada Transistor IGBT diberi nama Kolektor
(Collector), Emitor (Emitter) dan Gerbang (Gate). Dua terminalnya yaitu
Kolektor dan Emittor adalah jalur konduktansi yang melewatkan arus,
sedangkan terminal satunya lagi adalah terminal Gerbang atau Gate yang
berfungsi sebagai pengendali.

BAB 3
PENUTUP

3.1 Kesimpulan

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron

sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah
doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistor
ada dua jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu
antara emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu,
sebuah transistor seperti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu
dioda emitter-basis, atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-
basis, atau disingkat dengan dioda kolektor. Bagian emitter-basis dari transistor
merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias maju maka kita
mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda biasa. Saat
tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus
basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus
basis (Ib) akan naik secara cepat.
3.2 Saran

Saran saya pada teman teman setelah membaca makalah ini yang berjudul
Transistor sebagai saklar, Teman – teman dapat mempelajari Transistor yang di
bahas dalam makalah ini, Kemudian jika ada salah dalam penulisan, saya atas
selaku penulis minta maaf sebesar besarnya.

DAFTAR PUSTAKA

Hasby, Hasbyallohu. “TRANSISTOR

MOSFET DAN IGBT”
” www.liputan6.com. Diakses pada kamis 29 Oktober
2022. https://www.liputan6.com/regional/read/3634211/transistor-
mosfet-dan-IGBT.