DAFTAR ISI

DAFTAR ISI.................................................................................................................................... ii
IDENTITAS MODUL .................................................................................................................... iii
......................................................................................................................................................... iv
PETA KONSEP.............................................................................................................................. iv
KOMPETENSI DASAR (KD) DAN INDIKATOR PENCAPAIAN KOMPETENSI (IPK) ....... vi
URAIAN MATERI.......................................................................................................................... 1
A. Tema Modul ......................................................................................................................... 1
B. Tujuan Pembelajaran .......................................................................................................... 1
C. Uraian Materi ...................................................................................................................... 1
D. Langkah Pembelajaran PBL ............................................................................................. 21
E. FORUM DISKUSI ............................................................................................................. 22
PENUTUP...................................................................................................................................... 23
A. Rangkuman ........................................................................................................................ 23
B. Tes Formatif ....................................................................................................................... 23
DAFTAR PUSTAKA .................................................................................................................... 24

ii
IDENTITAS MODUL

Mata Pelajaran : Aircraft Electronic

Kelas/Semester : XI/Ganjil
Alokasi Waktu : 1 Kali Pertemuan
Sekolah : SMK PENERBANGAN TECHNO TERAPAN MAKASSAR
Materi : Dioda Semikonduktor

iii
PETA KONSEP

Dioda
Semikonduktor

Teori Macam-macam Rangkaian

Semikonduktor Dioda Penyearah

Penyearah
Karakteristik Dioda Setengah
Gelombang

Penyearah
Mengukur Dioda
Gelombang Penuh

iv
PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL

Untuk memperoleh hasil belajar secara maksimal, dalam menggunakan modul ini maka
langkah-langkah yang perlu dilaksanakan antara lain :
1. Membaca dan memahami uraian-uraian materi yang ada pada modul ini. Apabila ada
materi yang kurang jelas, siswa dapat bertanya pada guru pengampu kegiatan belajar.
2. Kerjakan tugas diskusi dan praktikum yang diberikan dengan merujuk pada materi modul.
3. Kerjakan setiap tugas formatif untuk mengetahui seberapa besar pemahaman yang telah
dimiliki terhadap materi-materi yang dibahasa pada modul ini.
4. Untuk kegiatan belajar yang terdiri dari teori dan praktik, perhatikanlah hal-hal berikut :
a. Perhatikan petunjuk-petunjuk keselamatan kerja yang berlaku.
b. Pahami setiap langkah kerja (prosedur praktikum) dengan baik.
c. Sebelum melaksanakan praktikum, identifikasi (tentukan) peralatan dan bahan yang
diperlukan dengan cermat.
d. Gunakan alat sesuai prosedur pemakaian yang benar.
e. Untuk melakukan kegiatan praktikum yang belum jelas, harus meminta ijin guru
terlebih dahulu.
f. Setelah selesai, kembalikan alat dan bahan ke tempat semula
g. Jika belum menguasai level materi yang diharapkan, ulangi lagi pada kegiatan
belajar sebelumnya atau bertanyalah kepada guru yang mengampu kegiatan
pembelajaran yang bersangkutan.

v
 KOMPETENSI DASAR (KD) DAN INDIKATOR PENCAPAIAN
KOMPETENSI (IPK)

INDIKATOR PENCAPAIAN
NO. KOMPETENSI DASAR (KD)
KOMPETENSI (IPK)
PENGETAHUAN:
1. 3.4 Menganalisis karakteristik 3.4.1 Menganalisis berbagai macam
macam-macam dioda dioda
3.4.2 Membandingkan karakteristik
macam-macam dioda
KETERAMPILAN:
2. 4.4 Menyajikan karakteristik 4.4.1 Mempraktekkan pengukuran
macam-macam dioda macam-macam dioda
4.4.2 Menyajikan karakteristik diode
berdasarkan hasil pengukuran

vi
 URAIAN MATERI

A. Tema Modul

Dioda Semikonduktor

B. Tujuan Pembelajaran
1. Melalui kegiatan diskusi, siswa dapat mengidentifikasi macam-macam dioda
2. Melalui kegiatan diskusi, siswa dapat membedakan dioda berdasarkan
karakteristiknya
3. Melalui kegiatan mengamati video pengukuran diode, siswa dapat melakukan
pengukuran diode dengan tepat.
4. Setelah kegiatan pengukuran diode, siswa dapat menyajikan karakteristik diode
berdasarkan hasil pengukuran.

C. Uraian Materi
1. Teori Semikonduktor
Operasi semua komponen benda padat seperti diode,LED, Transistor Bipolkar
dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya (solid state) didasarkan atas
sifat-sifat semikonduktor. Secara umum semikonduktor adalah bahan yang sifat-
sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat
kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh
temperature, cahaya atau medan magnet, tetapi pada semikonduktor sifat-sifat
tersebut sangat sensitive.
Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih meiliki sifat-sifat kimia dan fisika
yang sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel dasar, yaitu: neutron,
proton, dan electron. Dalam struktur atom, proton dan neutron membentuk inti atom
yang bermuatan positif sedangkan elektron-elektron yang bermuatan negatif
mengelilingi inti. Elektron-elektron ini tersusun berlapis-lapis. Struktur atom
dengan model Bohr dari bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan
adalah silicon dan germanium, terlihat pada gambar 1.1.

1
 Gambar 1.1 Struktur atom
(a)silikon;(b)germanium

Seperti ditunjukkan pada gambar

1.1 atom silikon mempunyai elektron
yang mengorbit (yang mengelilingi
inti) sebanyak 14 dan atom
germanium mempunyai 32 elektron.
Pada atom yang seimbang (netral)
jumlah elektron dalam orbit sama dengan jumlah proton dalam inti. Muatan listrik
sebuah elektron adalah: -1.602-19 C dan muatan sebuah proton adalah: + 1.602-19 C.
Elektron yang menempati lapisan terluar disebut sebagai elektron valensi. Atom
silikon dan germanium masing-masing mempunyai empat elektron valensi. Oleh
karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom
tetra-valent (bervalensi empat). Empat elektron valensi tersebut terikat dalam
struktur kisi-kisi, sehingga setiap elektron valensi akan membentuk ikatan kovalen
dengan elektron valensi dari atom-atom yang bersebelahan. Struktur kisi-kisi kristal
silikon murni dapat digambarkan secara dua dimensi guna memudahkan
pembahasan. Lihat gambar 1.2.

Gambar 1.2 Struktur kristal silicon dengan ikatan kovalen

Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur kristal, namun bisa saja elektron
valensi tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju daerah konduksi apabila

2|P a ge
diberikan energi panas. Bila energi panas tersebut cukup kuat untuk memisahkan
elektron dari ikatan kovalen maka elektron tersebut menjadi bebas atau disebut
dengan elektron bebas. Pada suhu ruang terdapat kurang lebih 1.5 x 1010 elektron
bebas dalam 1 cm3 bahan silikon murni (intrinsik) dan 2.5 x 1013 elektron bebas
pada germanium. Semakin besar energi panas yang diberikan semakin banyak
jumlah elektron bebas yang keluar dari ikatan kovalen, dengan kata lain
konduktivitas bahan meningkat.
Setiap elektron yang menempati suatu orbit tertentu dalam struktur atom
tunggal (atau terisolasi) akan mempunyai level energi tertentu. Semakin jauh posisi
orbit suatu elektron, maka semakin besar level energinya. Oleh karena itu elektron
yang menduduki posisi orbit terluar dalam suatu struktur atom atau yang disebut
dengan elektron valensi, akan mempunyai level energi terbesar. Sebaliknya
elektron yang paling dekat dengan inti mempunyai level energi terkecil. Level
energidari atom tunggal dapat dilihat pada gambar 1.3.

Gambar 1.3 Level energi

Di antara level energi

individual yang dimiliki
elektron pada orbit tertentu
terdapat celah energi yang
mana tidak dimungkinkan
adanya elektron mengorbit.
Oleh karena itu celah ini disebut juga dengan daerah terlarang. Suatu elektron tidak
dapat mengorbit pada daerah terlarang, tetapi bisa melewatinya dengan cepat.
Misalnya bila suatu elektron pada orbit tertentu mendapatkan energi tambahan dari
luar (seperti energi panas), sehingga level energi elektron tersebut bertambah besar,
maka elektron akan meloncat ke orbit berikutnya yang lebih luar yakni dengan cepat
melewati daerah terlarang. Hal ini berlaku juga sebaliknya, yaitu apabila suatu
elektron dipaksa kembali ke orbit yang lebih dalam, maka elektron akan
mengeluarkan energi. Dengan kata lain, elektron yang berpindah ke orbit lebih luar
akan membutuhkan energi, sedangkan bila berpindah ke orbit lebih dalam akan
mengeluarkan energi. Besarnya energi dari suatu elektron dinyatakan dengan satuan
elektron volt (eV). Hal ini disebabkan karena definisi energi merupakan persamaan:

3|P a ge
 Dengan potensial listrik sebesar 1 V dan muatan elektron sebesar 1.602-19 C,
maka energi dari sebuah elektron dapat dicari:
W = (1.602-19 C) (1 V) = 1.602-19 J
Hasil tersebut menunjukkan bahwa untuk memindahkan sebuah elektron
melalui beda potensial sebesar 1 V diperlukan energi sebesar 1.602-19 J. Atau
dengan kata lain:
1 eV = 1.602-19 J
Bila atom-atom tunggal dalam suatu bahan saling berdekatan (dalam
kenyatannya memang mesti demikian) sehingga membentuk suatu kisi-kisi kristal,
maka atom-atom akan berinteraksi dengan mempunyai ikatan kovalen. Karena
setiap elektron valensi level energinya tidak tepat sama, maka level energi jutaan
elektron valensi dari suatu bahan akan membentuk range energi atau yang disebut
dengan pita energi valensi atau pita valensi. Gambar 1.4 menunjukkan diagram pita
energi dari bahan isolator, semikonduktor dan konduktor.
Suatu energi bila diberikan kepada elektron valensi, maka elektron tersebut
akan meloncat keluar. Oleh karena elektron valensi terletak pada orbit terluar dari
struktur atom, maka elektron tersebut akan meloncat ke daerah pita konduksi. Pita
konduksi merupakan level energi dimana elektron terlepas dari ikatan inti atom atau
menjadi elektron bebas. Jarak energi antara pita valensi dan pita konduksi disebut
dengan pita celah atau daerah terlarang.
Seberapa besar perbedaan energi, Eg, (jarak energi) antara pita valensi dan pita
konduksi pada suatu bahan akan menentukan apakah bahan tersebut termasuk
isolator, semikonduktor atau konduktor. Eg adalah energi yang diperlukan oleh
elektron valensi untuk berpindah dari pita valensi ke pita konduksi. Eg dinyatakan
dalam satuan eV (elektron volt). Semakin besar Eg, semakin besar energi yang
dibutuhkan elektron valensi untuk berpindah ke pita konduksi. Pada bahan-bahan
isolator jarak antara pita valensi dan pita konduksi (daerah terlarang) sangat jauh.

4|P a ge
Pada suhu ruang hanya ada sedikit sekali (atau tidak ada) elektron valensi yang
sampai keluar ke pita konduksi. Sehingga pada bahan-bahan ini tidak
dimungkinkan terjadinya aliran arus listrik. Diperlukan Eg paling tidak 5 eV untuk
mengeluarkan elektron valensi ke pita konduksi.

Pada bahan semikonduktor lebar daerah terlarang relatif kecil. Pada suhu
mutlak 0° Kelvin, tidak ada elektron valensi yang keluar ke pita konduksi, sehingga
pada suhu ini bahan semikonduktor merupakan isolator yang baik. Namun pada
suhu ruang, energi panas mampu memindahkan sebagian elektron valensi ke pita
konduksi (menjadi elektron bebas). Pada bahan silikon dan germanium masing-
masing Eg-nya adalah 1.1 eV dan 0.67 eV.
Tempat yang ditinggalkan elektron valensi ini disebut dengan hole. Pada
gambar 1.4 dilukiskan dengan lingkaran kosong. Meskipun hole ini secara fisik
adalah kosong, namun secara listrik bermuatan positip, karena ditinggalkan oleh
elektron yang bermuatan negatip. Level energi suatu hole adalah terletak pada pita

5|P a ge
 valensi, yaitu tempat asalnya elektron valensi. Apabila ada elektron valensi
berpindah dan menempati suatu hole dari atom sebelahnya, maka hole menjadi
tersisi dan tempat dari elektron yang berpindah tersebut menjadi kosong atau hole.
Dengan demikian arah gerakan hole (seolah-olah) berlawanan dengan arah gerakan
elektron.
Sedangkan pada bahan konduktor pita valensi dan pita konduksi saling
tumpang tindih. Elektron-elektron valensi sekaligus menempati pada pita konduksi.
Oleh karena itu pada bahan konduktor meskipun pada suhu 0° K, cukup banyak
elektron valensi yang berada di pita konduksi (elektron bebas).
2. Semikonduktor type n
Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan bahan
bervalensi lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan
semikonduktor intrinsik, jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama.
Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah, karena terbatasnya jumlah
pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas tersebut.
Jika bahan silikon didoping dengan bahan ketidak murnian (impuritas)
bervalensi lima (penta-valens), maka diperoleh semikonduktor tipe n. Bahan dopan
yang bervalensi lima ini misalnya antimoni, arsenik, dan pospor. Struktur kisi-kisi
kristal bahan silikon type n dapat dilihat pada gambar 1.5.
Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi menda
patkan pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron valensi
yang kelima tidak mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron kelima
ini dengan inti menjadi lemah dan mudah menjadi elektron bebas. Karena setiap
atom dopan ini menyumbang sebuah elektron, maka atom yang bervalensi lima
disebut dengan atom donor. Dan electron “bebas” sumbangan dari atom dopan
inipun dapat dikontrol jumlahnya atau konsentrasinya.

6|P a ge
 Meskipun bahan silikon type n ini mengandung elektron bebas (pembawa
mayoritas) cukup banyak, namun secara keseluruhan kristal ini tetap netral karena
jumlah muatan positip pada inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan
elektronnya. Pada bahan type n disamping jumlah elektron bebasnya (pembawa
mayoritas) meningkat, ternyata jumlah holenya (pembawa minoritas) menurun.
Hal ini disebabkan karena dengan bertambahnya jumlah elektron bebas, maka
kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi (bergabungnya Kembali elektron
dengan hole) semakin meningkat. Sehingga jumlah holenya menurun.
Level energi dari elektron bebas sumbangan atom donor dapat digambarkan
seperti pada gambar 1.6. Jarak antara pita konduksi dengan level energi donor
sangat kecil yaitu 0.05 eV untuk silikon dan 0.01 eV untuk germanium. Oleh karena
itu pada suhu ruang saja, maka semua elektron donor sudah bisa mencapai pita
konduksi dan menjadi elektron bebas.

7|P a ge
 Bahan semikonduktor type n dapat dilukiskan seperti pada gambar 1.7. Karena
atom-atom donor telah ditinggalkan oleh elektron valensinya (yakni menjadi
elektron bebas), maka menjadi ion yang bermuatan positip. Sehingga digambarkan
dengan tanda positip. Sedangkan elektron bebasnya menjadi pembawa mayoritas.
Dan pembawa minoritasnya berupa hole.

3. Semikonduktor type p
Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan
impuritas (ketidak-murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor
type p. Bahan dopan yang bervalensi tiga tersebut misalnya boron, galium, dan
indium. Struktur kisi-kisi kristal semikonduktor (silikon) type p adalah seperti
gambar 1.8.
Karena atom dopan mempunyai tiga elektron valensi, dalam gambar 1.8 adalah
atom Boron (B) , maka hanya tiga ikatan kovalen yang bisa dipenuhi. Sedangkan
tempat yang seharusnya membentuk ikatan kovalen keempat menjadi kosong
8|P a ge
(membentuk hole) dan bisa ditempati oleh elektron valensi lain. Dengan demikian
sebuah atom bervalensi tiga akan menyumbangkan sebuah hole. Atom bervalensi
tiga (trivalent) disebut juga atom akseptor, karena atom ini siap untuk menerima
elektron.
Seperti halnya pada semikonduktor type n, secara keseluruhan kristal
semikonduktor type n ini adalah netral. Karena jumlah hole dan elektronnya sama.
Pada bahan type p, hole merupakan pembawa muatan mayoritas. Karena dengan
penambahan atom dopan akan meningkatkan jumlah hole sebagai pembawa
muatan. Sedangkan pembawa minoritasnya adalah elektron.

9|P a ge
4. Dioda Semikonduktor
Dioda semikonduktor adalah komponen aktif elektronika dan dirancang khusus
sesuai keperluan pada rangkaian elektronika. Salah satu penerapannya yaitu sebagai
penyearah tegangan bolak balik, penyetabil tegangan, proteksi tegangan balik
induksi, dan lain-lain. Karakteristik dioda semikonduktor dibahas tuntas pada
bagian berikutnya.
5. Sifat Dasar dari Dioda
Sifat dasar dioda pada tegangan bolak balik adalah seperti ditunjukkan pada
gambar 1.10 , diode akan menghantar pada saat arah forward (maju) dimana Anoda
(material P) diberi tegangan positif, sedangkan katoda (material N) dihubungkan
pada tegangan negatif. Gambar 1.10. bagian atas menunjukkan jika tegangan AC
dihubungkan ke Anoda dan katoda terhubung ke beban, maka tegangan pada beban
nampak seperti pada gambar 1.10 (diode akan menyearahkan simpangan positif)
dan jika tegangan AC dihubungkan ke katoda dan Anoda terhubung ke beban,
maka tegangan pada beban Nampak seperti pada gambar 1.10 bawah (diode akan
menyearahkan simpangan negatif)

Gambar 1.10 Sifat dasar diode

6. Harga Batas Dioda

Yang dimaksud dengan harga batas dari dioda adalah batas kemampuan arus
dan tegangan maksimum dari suatu dioda, sedangkan peak inverse voltage adalah
batas tegangan reverse (break down voltage) dari dioda.
Contoh : Dioda 1N4001 dengan melihat data book dari dioda maka harga batas
tegangan dan arus dapat diketahui harga batas arus = 1 Ampere dan harga batas
tegangan= 50 Volt
Contoh Penerapannya :

10 | P a g e
 Untuk peralatan elektronika yang membutuhkan arus di bawah 1 Amper dengan
tegangan di bawah 50 V maka dioda penyearah yang digunakan cukup dengan
memakai dioda dengan type 1N 4001.

Tabel 1.1 Datasheet Dioda 1N4001

7. Karakteristik Dioda
Ada dua karakteristik dioda yaitu, saat arah Forward (maju) yang ditunjukkan
pada gambar 1.11 dan saat Reverse (mundur), yang ditunjukkan pada gambar 1.12,
secara umum karakteristik ini untuk mengetahui hubungan antara tegangan UAK
yang ditunjukkan dengan pembacaan Volt meter dan arus diode yang ditunjukkan
oleh Amper meter.

Gambar 1.11 Rangkaian diode bias

forward

11 | P a g e
Gambar 1.12 Rangkaian diode bias reverse

Pada arah maju kutub positif dari baterai dihubungkan ke Anoda melalui amper
meter untuk mengukur arus yang mengalir di dioda, dan Katoda dihubungkan ke
beban 470Ω dan ke kutub negatif. Pada kaki Anoda dan Katoda dipasang Volt meter
untuk mengetahui tegangan pada Dioda. Pertama tama tegangan diatur (dinaikkan)
secara perlahan lahan mulai dari 0V dan secara bersamaan dilihat perubahan pada
amper meternya (A), jika tegangan dinaikkan secara perlahan akan didapatkan data
pengukuran arus Dioda dan jika di gambarkan hubungan antara tegangan arus
didapatkan gambar karakteristik dioda seperti pada gambar 1.13, dan jika hubungan
reverse akan didapatkan karakteristik seperti pada gambar 1.14 dan jika
digabungkan dari keduanya akan didapatkan seperti pada gambar 1.15.

Gambar 1.13 Kurva karakteristik diode forward bias

12 | P a g e
 Gambar 1.14 Kurva karakteristik diode bias reverse
Bila kurva karakteristik forward dan reverse bias digabungkan, maka
dihasilkan kurva karakteristik dioda seperti gambar di bawah :

Gambar 1.15 Karakteristik diode

8. Jenis-jenis dioda
Jenis-jenis dioda digunakan pada rangkaian elektronika banyak macamnya,
masing-masing dari jenis dioda itu memiliki fungsi dan peran tersendiri baik dalam
pemrosesan sinyal, arus dan tegangan. Sering kita ketahui bahwa fungsi dioda

13 | P a g e
hanyalah sebagai penyearah tegangan dan hal-hal yang berhubungan dengan
penyaring tegangan pada power supply. Namun jika ditinjau lebih jauh lagi,
ternyata fungsi-fungsi dioda ada banyak sekali tergantung dari jenis dioda yang
digunakan, beberapa diantaranya adalah sebagai pencahayaan, kontrol arus, dan
detektor sinyal.
Untuk lebih mengenal jenis-jenis diode ini, berikut adalah jenis-jenis diode dan
simbolnya:

14 | P a g e
15 | P a g e
9. Cara Mengukur Dioda
Untuk mengetahui apakah sebuah Dioda dapat bekerja dengan baik sesuai
dengan fungsinya, maka diperlukan pengukuran terhadap Dioda tersebut dengan
menggunakan Multimeter (AVO Meter).
Cara Mengukur Dioda dengan Multimeter Analog
a. Aturkan Posisi Saklar pada Posisi OHM (Ω) x1k atau x100
b. Hubungkan Probe Merah pada Terminal Katoda (tanda gelang)
c. Hubungkan Probe Hitam pada Terminal Anoda.
d. Baca hasil Pengukuran di Display Multimeter
e. Jarum pada Display Multimeter harus bergerak ke kanan
f. Balikan Probe Merah ke Terminal Anoda dan Probe Hitam pada Terminal
Katoda (tanda gelang).
g. Baca hasil Pengukuran di Display Multimeter
h. Jarum harus tidak bergerak.
**
Jika Jarum bergerak, maka Dioda tersebut berkemungkinan sudah rusak.

Cara Mengukur Dioda dengan menggunakan Multimeter Digital (Fungsi Ohm

/ Ohmmeter)
a. Aturkan Posisi Saklar pada Posisi OHM (Ω)
b. Hubungkan Probe Hitam pada Terminal Katoda (tanda gelang)

16 | P a g e
 c. Hubungkan Probe Merah pada Terminal Anoda.
d. Baca hasil pengukuran di Display Multimeter
e. Display harus menunjukan nilai tertentu (Misalnya 0.64MOhm)
f. Balikan Probe Hitam ke Terminal Anoda dan Probe Merah ke Katoda
g. Baca hasil pengukuran di Display Multimeter
h. Nilai Resistansinya adalah Infinity (tak terhingga) atau Open Circuit.
**
Jika terdapat Nilai tertentu, maka Dioda tersebut berkemungkinan sudah
Rusak.

Untuk penjelasan lebih lanjut , silahkan amati video pada link berikut untuk
proses pengukuran diode.
https://www.youtube.com/watch?v=SBxHJ3oRVKY

17 | P a g e
 Penyearah Setengah Gelombang
Penyearah setengah gelombang (half wave rectifer) hanya menggunakan 1 buah
diode sebagai komponen utama dalam menyearahkan gelombang AC. Prinsip kerja
dari penyearah setengah gelombang ini adalah mengambil sisi sinyal positif dari
gelombang AC dari transformator. Pada saat transformator memberikan output sisi
positif dari gelombang AC maka diode dalam keadaan forward bias sehingga sisi
positif dari gelombang AC tersebut dilewatkan dan pada saat transformator
memberikan sinyal sisi negatif gelombang AC maka dioda dalam posisi reverse
bias, sehingga sinyal sisi negatif tegangan AC tersebut ditahan atau tidak
dilewatkan seperti terlihat pada gambar sinyal output penyearah setengah
gelombang berikut.

10. Penyearah Gelombang Penuh

Penyearah gelombang penuh dapat dibuat dengan 2 macam yaitu,
menggunakan 4 diode dan 2 diode. Untuk membuat penyearah gelombang penuh
dengan 4 diode menggunakan transformator non-CT seperti terlihat pada gambar
berikut :

18 | P a g e
 Prinsip kerja dari penyearah gelombang penuh dengan 4 diode diatas dimulai
pada saat output transformator memberikan level tegangan sisi positif, maka D1,
D4 pada posisi forward bias dan D2, D3 pada posisi reverse bias sehingga level
tegangan sisi puncak positif tersebut akan di leawatkan melalui D1 ke D4.
Kemudian pada saat output transformator memberikan level tegangan sisi puncak
negatif maka D2, D4 pada posisi forward bias dan D1, D2 pada posisi reverse bias
sehingan level tegangan sisi negatif tersebut dialirkan melalui D2, D4. Untuk lebih
jelasnya dapat dilihat pada grafik output berikut.

19 | P a g e
Tugas
Berdasarkan berita
tersebut, kerusakan pada
peralatan elektronik dapat
berakibat fatal. Penyebab
kerusakan pada peralatan
elektronik sangat bermacam-
macam. Salah satu penyebab
kerusakan pada peralatan
elektronik adalah kesalahan
fungsi dari diode. Bagaimana
mendeteksi kerusakan pada
diode.
Dari informasi tersebut,
buatlah kelompok belajar
yang berisikan 3 orang siswa
untuk mendiskusikan
permasalahan-permasalahan
yang dapat timbul pada
peralatan elektronik yang
diakibatkan kerusakan fungsi
diode. Carilah pemecahan
masalah untuk masalah
tersebut. Sumber informasi
bisa diambil dari berbagai
sumber, baik dari media cetak maupun media elektronik.

20 | P a g e
D. Langkah Pembelajaran PBL
NO LANGKAH KERJA
1. Orientasi peserta didik pada
masalah
2. Mengorganisasikan peserta
didik
3. Membimbing penyelidikan
individu maupun kelompok
4. Mengembangkan dan
menyajikan hasil karya
5. Menganalisis dan
mengevaluasi proses
pemecahan masalah
AKTIFITAS PESERTA DIDIK
Kelompok mengamati dan memahami masalah yang
disampaikan guru atau yang diperoleh dari modul
bahan ajar
Peserta didik berdiskusi dan membagi tugas untuk
mencari informasi yang diperlukan untuk
menyelesaiakan masalah. Dengan pendekatan
TPACK, guru membimbing siswa dalam mencari
sumber informasi.
Peserta didik melakukan penyelidikan /
mengumpulkan data dengan memanfaatkan
teknologi yang ada.
Hasil diskusi kelompok dalam memecahkan masalah
yang ada disajikan dalam bentuk presentasi
menggunakan media teknologi.
Setiap kelompok melakukan presentasi menyajikan
hasil karya dan kelompok yang lain memberikan
tanggapan dan apresiasi. Kegiatan dilanjutkan
membuat rangkuman hasil presentasi dan diskusi
dengan kelompok yang lain.
21 | P a g e
E. FORUM DISKUSI

Forum diskusi dilaksanakan pada sesi penyajian karya kelompok. Diskusikan bersama
anggota kelompok lain, dengan adanya permasalahan kerusakan komponen pada tv. Kerusakan
yang disebkan oleh kerusakan diode pada televisi dapat brakibat fatal. Untuk mencegah akibat
fatal yang ditimbulkan oleh kerusakan komponen dioda, identifikasi ciri-ciri kerusakan
komponen diode dan cari solusi yang tepat untuk mengatasi masalah tersebut!

22 | P a g e
 PENUTUP
A. Rangkuman
1. Dioda semikonduktor merupakan komponen aktif elektronika, dirancang khusus untuk
keperluan pada rangkaian elektronika. Beberapa contoh penerapannya yaitu penearah
tegangan AC (bolak-balik), proteksi tegangan balik beban induktor, penyetabil
tegangan (seperti pada dioda zener), dan lain sebagainya.
2. Dioda dibentuk dari susunan dua buah bahan semikonduktor tipe-P dan tipe-N,
digabung menjadi satu kesatuan membentuk junction PN.
3. Dioda memiliki sifat penghantar (ON) saat material tipe-P berupa Anoda diberi
tegangan positif (+). Dan material tipe-N dihubungkan ke beban diarahkan ke tegangan
negatif. Rangkaian ini dinamakan forward bias atau panjar maju.
4. Dioda memiliki sifat tidak menghantar (OFF) saat material tipe-P diberi tegangan
negatif (-) dan material tipe-N diberi tegangan positif (+). Rangkaian dengan model ini
dinamakan reverse bias atau panjar terbalik.
5. Dioda berfungsi mengubah sinyal AC menjadi DC (searah). Tegangan junction pada
dioda panjar maju (forward bias) dengan bahan dasar silikon yaitu 0,7 volt. Sedangkan,
jika berbahan dasar germanium, maka tegangan junction-nya 0,3 volt.
6. Jenis-jenis diode yang ada berupa (1)diode penyearah;(2)diode led;(3)diode
foto;(4)diode Zener;(5)diode laser;(6)diode Schottky;(7)diode peltier;(8)diode
tunnel;(9)diode varactor;(10)diode kristal;(11)diode scr.

B. Tes Formatif
1. Sebutkan dua bahan semikonduktor yang banyak digunakan untuk pembuatan dioda!
2. Jelaskan pengertian diode semikonduktor!
3. Jelaskan prinsip kerja diode rectifier!
4. Pada pengukuran diode menggunakan multimeter analog, jelaskan kondisi yang dapat
membuat jarum pada multimeter tersebut bergerak ke kanan!
5. Sebutkan lima jenis diodan beserta fungsinya!

23
 DAFTAR PUSTAKA

Dwi Surjono, Herman. Elektronika : Teori dan Penerapannya. Cerdas Ulet Kreatif
Publisher,2011
Nugroho, Ahmad Fajar. Aircraft Electronic. Direktorat Pembinaan SMK KEMDIKBUD RI,
2019
https://skemaku.com/jenis-jenis-dioda-dan-fungsi-dioda-pada-rangkaian-elektronika/,
diakses pada 23 September 2021

24