TUGAS MAKALAH

ELEKTRONIKA DAYA
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

Disusun Oleh :

Andreas Christovipnaldo (062.14.002)

R. Cahaya Gumilang (062 14 006)
Nanda Putra Pratama (062 14 012)
Reza Iswadi Anwar 9062 14 035)
Juliansyah Kennedy (062 14 045)
 KATA PENGANTAR

Assalamualaikum Wr. Wb.

Puji Syukur kehadirat Allah SWT yang telah melimpahkan rahmat dan hidayah-Nya,
serta senantiasa memberikan kesehatan, kemampuan, dan kekuatan kepada penulis sehingga
dapat menyelesaikan penyusunan laporan ini dengan tepat waktu.

Penulisan laporan ini yang berjudul Bipolar Junction Transistor bertujuan untuk
mengetahui dan memahami bagaimana karakteristik dari BJT dan kegunaannya dikehidupan.
Walaupun banyak kendala penulis hadapi tetapi akhirnya penulis bisa menyelesaikannya.
Selain itu, penyusunan laporan ini ditulis untuk memenuhi persyaratan perkuliahan yaitu
Kerja Praktek Lapangan.

Penulis menyadari bahwa dalam penulisan laporan ini tidak terlepas dari bantuan berbagai
pihak mulai dari tahap persiapan, pelaksanaan, dan penyusunan laporan.

Penulis menyadari bahwa dalam penyusunan laporan ini masih ada kekurangan, karena
sebagai manusia biasa tentu saja tidak luput dari kesalahan. Oleh karena itu, penulis
mengharapkan kritik dan saran yang membangun dari berbagai pihak yang dapat digunakan
untuk menyempurnakan laporan ini.

Wassalamualaikum wr. wb.

Jakarta, Maret 2017

Penulis
DAFTAR ISI
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Sejarah transistor pada awalnya di temukan oleh William Shockley dan John Barden
pada tahun 1948. Transistor awal mulanya di pakai dalam praktek pada tahun 1958. Pada saat
ini ada dua jenis tipe transistor, yaitu transistor tipe P N P dan transistor jenis N P N.
Dalam rangkaian difital, transistor di gunakan sebagai saklar untuk kecepatan tinggi.
Beberapa transistor juga dapat di rangkaian sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic
gate, memory dan komponen lainnya.

Kebanyakan ahli sejarah mengira bahwa dunia elektronika dimulai ketika Thomas
Alpha Edison menemukan bahwa filamen panas memancarkan elektron (1883). Untuk
merealisasi nilai komersial dari penemuan Edision, Fleming mengembangkan dioda hampa
(1904). Deforest menambahkan elektroda ketiga untuk mendapatkan trioda hampa (1906).
Sampai 1950, tabung hampa mendominasi elektronik; mereka digunakan dalam penyearah,
penguat, osilator, modulator, dan lain-lainnya.

Ada beberapa alasan yang menyebabkan berkurangnya penggunaan tabung hampa

dimasa sekarang ini. Hal ini dapat dilihat dari perbedaannya yang sangat mencolok jika
dibandingkan dengan transistor begitu pula dengan kelebihan dan kekurangannya.

Perbedaan tabung hampa dengan transistor adalah sebagai berikut:

1. Pada tabung hampa:

Tabung hampa mempunyai fisik besar dan kurang praktis. Tabung hampa mempunyai tiga
kaki yang terdiri dari Anoda, Katoda, dan Kasa kemudi. Tabung hampa banyak terbuat dari
kaca sehingga rangkaian di dalamnya tampak dengan nyata. Tabung hampa tidak tahan
terhadap goncangan. Memerlukan Tegangan atau energi yang cukup besar.

2. Pada transistor:

Bentuk fisik kecil dan praktis. Transistor mempunyai tiga kaki yan terdirti dari: Basis,
Kolektor, dan Emitor. Rangkaian dalam transistor tak kelihatan dari luar karena terbungkus
plat atau mika. Transistor than terhadap goncangan.
 Transistor hanya membutuhkan tegangan atau energi listrik yang minimum, hanya
kira-kira beberapa volt saja. Sejak ditemukannya transistor maka terjadilah revolusi di dalam
dunia elektronika, karena transistor memiliki keuntungan yang lebih dibanding tabung
hampa. Namun pada dasarnya, antara tabung hampa dengan transistor hampir sama dengan
tabung elektroda atau tabung elektron.

1.2. Rumusan Masalah

1) Bagaimana struktur Bipolar Junction Transistor?

2) Bagaimana prinsip kerja Bipolar Junction Transistor?

1.3. Tujuan

Tujuan dari pembuatan makalah tentang Bipolar Junction Transistor adalah

mengetahui bagaimana struktur dan karakteristik dari BJT dan prinsip kerja dari sebuah BJT
serta manfaat penggunaan sebuah BJT dalam kehidupan sehari-hari yang bisa diaplikasikan.

1.4. Manfaat

Manfaat dari makalah ini adalah bisa menjelaskan kembali apa manfaat dari BJT serta
pengaplikasian langsung untuk alat-alat yang menggunakan BJT
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1. Pengertian BJT

Bipolar Junction Transistor (BJT) adalah perangkat semikonduktor pertama yang

memungkinkan untuk kontrol penuh atas perputaran yang berfungsi untuk mematikan
operasi. Transistor BJT sering disebut transistor saja, transistor berdasarkan susunan
semikonduktor pembentuknya dapat dibagi menjadi 2 tipe transistor yaitu : tipe PNP (Positif
Negatif Positif) dan Tipe NPN (Negatif Positif Negatif ). Gambar 2.1. berikut ini
menunjukan perbedaan simbol transistor NPN dan Transistor PNP.

Gambar 2.1. Struktur NPN dan PNP

Kaki emitor (e) adalah kaki yang memiliki tanda anak panah. Kaki basis (b) adalah
kaki tengah pada simbol dan sisanya kaki kolektor (c). Transistor terbuat dari gabungan 3
jenis semikonduktor. Untuk transistor NPN tersusun oleh semikonduktor tipe P yang diapit
oleh 2 buah semikonduktor tipe N, sedangkan transistor PNP terbuat dari semikonduktor tipe
N yang diapit oleh 2 buah semikonduktor tipe P seperti pada gambar 1. Kedua tipe transistor
ini dapat disamakan dengan gabungan 2 buah dioda seperti pada gambar 2 berikut ini.
 Gambar 2.2. Gabungan 2 buah diode dapat digunakan untuk menjelaskan transistor

Transistor mempunyai 3 kaki yaitu kaki emitor, kaki kolektor dan kaki basis, artinya
di dalam transistor juga terdapat 3 buah area yaitu area emitor, area kolektor dan area basis.
Gambar 3 menunjukan 3 area yang terdapat di dalam transistor.

Gambar 2.3. Konstruksi Transistor NPN

Gambar 3 menunjukan konstruksi transistor NPN. Terlihat lapisan tipis

semikonduktor tipe P yang diapit oleh 2 semikonduktor tipe N. Semikonduktor tipe N yang
lebih kecil akan menjadi daerah emitor. Pada semikonduktor tipe N yang menjadi daerah
emitor ini disisipkan lebih banyak logam pengotor dibandingkan dengan semokonduktor tipe
N yang menjadi daerah kolektor, sehingga pada daerah emitor lebih banyak terdapat elektron
bebas dibandingkan dengan daerah kolektor, walaupun kedua daerah ini dibuat dari bahan
yang sama yaitu semikonduktor tipe N. Semokonduktor tipe P yang menjadi daerah basis
dibuat tipis dan banyak mengandung muatan positif (lubang).
 Untuk menjelaskan cara kerja transistor ketiga daerah ini dapat digambar seperti pada
gambar 2.4. berikut ini.

Gambar 2.4. Sketsa tiga daerah pada transistor

Bila 2 semikonduktor yang berbeda misalnya tipe N dan tipe P disambung, maka pada
bagian sambungan akan timbul lapisan penyangga atau lebih tepat disebut depletion layer.
Pada transistor karena dibuat dari sambungan 3 jenis semikondutor, maka terdapat 2 lapisan
penyangga (depletion layer) yaitu antara sambungan daerah emitor dengan basis dan
sambungan antara basis dengan kolektor. Karena daerah emitor memiliki elektron bebas lebih
banyak, maka tebal lapisan deplesi antara sambungan emitor-basis akan lebih tebal
dibandingkan dengan sambungan basis kolektor. Besar tegangan untuk melewati lapisan
penyangga ini adalah 0,7 V untuk semikonduktor dari bahan silikon dan 0,3 V untuk
semikonduktor dari bahan germanium. Tegangan ini identik dengan tegangan Knee (Vknee)
pada dioda.
2.2. Prinsip Kerja BJT

Transistor tipe BJT baru akan bisa bekerja jika kaki-kakinya diberi tegangan bias. Ada
banyak metode yang dapat digunakan untuk memberi tegangan bias dan masing-masing
metode memiliki kelebihan dan kekurangannya sendiri-sendiri. Pada pokok bahasan ini akan
dibahas proses pemberian tegangan bias pada kaki basis atau disebut bias basis. Gambar
berikut ini menunjukan rangkaian pemberi tegangan bias pada transistor NPN.

Gambar 2.5. Forward-Reverse Bias pada BJT

Gambar 2.5. menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan pnp dalam mode
operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua rangkaian, sambungan base-emiter (BE)
dibias maju (forward-biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur
(reverse-biased).

Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada transistor npn
(gambar 2.6.). Ketika base dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu
dengan tegangan negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan
mengurangi tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk
melewati daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan mengalami
rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui device dibawa oleh hole
pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emiter (daerah tipe-n ). Karena derajat doping
pada emiter (daerah tipe n) lebih besar daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa
lebih banyak oleh elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu melewati sambungan
pn sebagai kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun
sangat kecil dan dapat diabaikan.
 Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena daerah base
berdoping sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi seluruhnya tetapi berdifusi
ke dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu negatif dan kolektor dicatu positif (reverse
bias), maka depletion BC akan melebar. Pada daerah depletion BC, elektron yang mengalir
dari emiter ke base akan terpampat pada daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor
terdapat muatan minoritas (ion positif) maka pada daerah sambungan BC akan terbentuk
medan listrik oleh gaya tarik menarik antara ion positif dan ion negatif sehingga elektron
tertarik kedaerah kolektor. Arus listrik kemudian akan mengalir melalui device.

Gambar 2.6. Prinsip kerja NPN BJT

Sama halnya dengan transistor NPN, hanya pada transistor PNP polaritas tegangan
dibalik seperti pada gambar 2.7. berikut ini.
 Gambar 2.7. Pemberian tegangan forward bias pada PNP dan NPN BJT

Pada transistor PNP kaki kolektor dihubungkan ke kutub negatif sumber tegangan
(VCC) dan kaki emitor dihubungkan ke kutub positif sumber tegangan. Kutub negatif
tegangan bias (VBB) dihubungkan ke kaki basis dan kutub positif tegangan bias bersama
dengan kutub positif sumber tegangan dihubungkan menjadi ground. Bila pada transistor
NPN yang menjadi ground adalah kutub negatif, maka pada transistor PNP yang menjadi
ground adalah kutub positif.
 BAB III
PENUTUP

3.1 Kesimpulan

Berdasarkan dari penjelasan di atas, maka BJT adalah transistor yang paling umum
digunakan semua orang dan keberadaannya sangat dibutuhkan seperti pengunaan pada saklar
dan lain-lain. BJT dibagi menjadi 2 tipe yaitu tipe P-N-P dan N-P-N.
 DAFTAR PUSTAKA

https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistor-bjt/

http://mainlistrik.blogspot.co.id/2014/03/bipolar-junction-transistor-bjt.html