YAYASAN PENDIDIKAN TEKNOLOGI PADANG

INSTITUT TEKNOLOGI PADANG

UJIAN TENGAH SEMESTER GENAP
TAHUN AKADEMIK 2013/2014

Mata Uji : Elektronika Dasar Tanggal :

Penguji : ALFITH, S.Pd, M.Pd Waktu : 90 Menit
Program : Teknik Elektro S 1 Sifat Ujian : Tutup Buku

Soal.

Bobot 30 1. Gambar Rangkaian untuk soal nomor 1

Transistor pada gambar diatas mempunyai β = 100 dan vBE = 0,7 V pada iC =1mA.
Rancanglah rangkaian sehingga arus 2 mA mengalir melalui collector dan tegangan pada
collector = +5 V .

Bobot 40 2. Sebuah rangkaian CE menggunakan sebuah BJT yang mempunyai IS = 10-15 A, sebuah
resistansi collector RC = 6,8 kΩ dan catu daya VCC = 10 V.
a. Tentukan harga tegangan bias VBE yang diperlukan untuk mengoperasikan transistor
pada VCE = 3,2 V. Berapakah harga IC nya?
b. Carilah penguatan tegangan Av pada titik bias. Jika sebuah sinyal masukan sinusoida
dengan amplitudo 5 mV ditumpangkan pada VBE, carilah amplitudo sinyal keluaran
sinusoida.
c. Carilah kenaikan positif vBE (di atas VBE) yang mendorong transistor ke daerah jenuh,
dimana vCE= 0,3 V.
d. Carilah kenaikan negatif vBE yang mendorong transistor ke daerah 1% cut off (vO = 0,99
VCC)
Bobot 30 3. Transistor pada gambar berikut ini mempunyai β berkisar antara 50 – 150.
Carilah harga RB yang menyebabkan transistor pada keadaan jenuh dengan faktor
‘overdrive’ lebih besar dari 10.

© Februari 2014, Alfith, S.Pd, M.Pd “Selamat Ujian, Semoga Sukses”

 YAYASAN PENDIDIKAN TEKNOLOGI PADANG
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG
UJIAN TENGAH SEMESTER GENAP
TAHUN AKADEMIK 2013/2014
Kunci Soal :
Jawaban soal 1:

VC = 5 V → CBJ reverse bias → BJT pada mode aktif

VC = 5 V → VRC = 15 – 5 = 10 V
IC = 2 mA → RC = 5 kΩ
vBE = 0,7 V pada iC = 1 mA → harga vBE pada iC = 2 mA:
2
VBE  0,7  ln   0,717 V
1
VB = 0 V → VE = -0,717 V
β = 100 → α = 100/101 =0,99
IC 2
IE    2,02 mA
 0,99

Harga RE diperoleh dari:

V   15
RE  E
IE
 0,717  15
  7,07 k
2,02

Jawaban soal 2 :
VCC  VCE
a) I  VCC  VCE b) Av  
C VT
RC
.
10  3,2 10  3,2
  1 mA   272 V/V
6,8 0,025

1 10 3  10 15 eVBE VT
V o  272  0,005  1,36 V
VBE  690,8 mV

© Februari 2014, Alfith, S.Pd, M.Pd “Selamat Ujian, Semoga Sukses”

 YAYASAN PENDIDIKAN TEKNOLOGI PADANG
INSTITUT TEKNOLOGI PADANG
UJIAN TENGAH SEMESTER GENAP
TAHUN AKADEMIK 2013/2014
c) Untuk vCE = 0,3 V
10  0,3
iC   1,617 mA
6,8

Untuk menaikkan iC dari 1 mA ke 1,617 mA, vBE harus dinaikkan:

 1,617 
vBE  VT ln 
 1 
 12 mV

d) Untuk vo = 0,99 VCC = 9,9 V

10  9,9
iC   0,0147 mA
6,8

Untuk menurunkan iC dari 1 mA ke 0,0147 mA, vBE harus diturunkan

 0,0147 
vBE  VT ln 
 1 
  105,5 mV

Jawaban soal 3 :
Transistor dalam keadaan jenuh, tegangan collector:
VC = VCEsat ≈ 0,2 V
Arus collector:
 10  0,2
I Csat   9,8 mA
1

Untuk membuat transistor jenuh dengan β yang paling rendah, diperlukan arus base paling
sedikit:
I 9,8
I B ( EOS )  Csat   0,196 mA
 min 50
Untuk faktor ‘overdrive’ = 10, arus base harus:
IB = 10 x 0,196 = 1,96 mA
Jadi RB yang diperlukan:
 5  0,7
 1,96
RB
4,3
RB   2,2 k
1,94

© Februari 2014, Alfith, S.Pd, M.Pd “Selamat Ujian, Semoga Sukses”