FET dan MOSFET

Sebagai Penguat Daya

PENYUSUN : WAHYU HERI SANTOSO
NIM : 20532299031

TUGAS PPG DALAM JABATAN 2021

UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA

Modul Rangkaian Elektronika

PENDAHULUAN

Setelah mempelajari ini di harapkan siswa mampu mengetahui karkteristik komponen FET dan
MOSFET. FET dan MOSFET sebagai penguat, sudah bukan barang yang tabu lagi di dunia
rangkaian elektronika bahwa komponen tersebut dapat kita gunakan untuk berbagai macam
keperluan salah satunya sebut saja salah satu fungsinya yaitu FET dan MOSFET yang digunakan
sebagai penguat. Nah penggunaan ini biasanya paling banyak digunakan di rangkaian rangkaian
elektronika yang sifatnya masih analog misalnya saja ketika diggunakan sebagai penguat yaitu
penguat daya.
Field Effect Transistor (FET) atau transistor Efek Medan ini diciptakan dan di patenkan oleh
Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1926 dan juga oleh Oscar Hell di tahun 1935.

Modul Rangkaian Elektronika

PETA KONSEP

Istilah istilah yang digunakan pada modul ini :

1. FET : Field Effect Transistor

2. MOSFET : Metal-Oxide Semiconductor FET
3. Gate ( G ) : Kaki Input
4. Source ( S ) : Kaki Sumber
5. Drain ( D ) : Kaki Output
6. VG : Tegangan Gate
7. ID : Arus Drain
8. Lapisan Insulasi : Lapisan yang berfungsi untuk meredam panas
9. Av : Penguatan Tegangan
10. Zi : Impedansi Input
11. Zo : Impedansi Output
12. RD : Resistansi pada drain
13. RS : Resistansi Source

Modul Rangkaian Elektronika

PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL
A. PETUNJUK BAGI PESERTA DIDIK

Untuk memperoleh hasil yang diinginkan oleh peserta didik diharapkan :

1. Bacalah dengan seksama semua isi modul bahan ajar ini dengan teliti dan dipahami sehingga
nanti bisa mengetahui pengertian dan struktur fet dan mosfet.
2. Kerjakan tugas-tugas praktikum yang diberikan dengan merujuk penjelasan yang tertuang
didalam modul ini.
3. Kerjakan tes Formatif yang ada didalam modul ini untuk mengukur kemampuan pemahaman
peserta didik terhadap isi materi modul ini, kemudian bandingkan hasil jawaban kalian
dengan kunci jawaban yang sudah diberikan.

B. PETUNJUK BAGI GURU

Untuk memperoleh hasil yang diinginkan oleh peserta didik diharapkan :
1. Membantu siswa dalam merencanakan proses belajar
2. Membimbing siswa melalui tugas-tugas pelatihan yang dijelaskan dalam tahap belajar.
3. Membantu siswa dalam memahami konsep belajar, praktekum, dan menjawab pertanyaan
siswa mengenai proses belajar.
4. Membantu siswa dalam menentukan dan mengakses sumber belajar tambahan lain yang
diperlukan siswa.
5. Membimbing siswa dalam melakukan presentasi hasil praktikum yang ada pada modul
bahan ajar tesebut.

TUJUAN AKHIR
1. Melalui pengamatan dan diskusi, peserta didik dapat mengenal komponen FET dan
MOSFET.
2. Melalui pengamatan dan diskusi, peserta didik dapat menjelaskan karakteristik komponen
FET dan MOSFET.
3. Melalui diskusi dan tanya jawab peserta didik dapat menyebutkan parameter/Spesifikasi FET
dan MOSFET dengan benar.
4. Melalui diskusi kelompok peserta didik dapat menyebutkan penggunaan FET dan MOSFET
sebagai penguat daya dengan benar.

Modul Rangkaian Elektronika

BAGIAN INTI
Siswa Diberikan Stimulus dalam materi ini
A. Perhatikan gambar berikut ini:

Gambar diatas merupakan suatu komponen elektronika. Silahkan identifikasi komponen

tersebut ?
B. Perhatikan skema rangkian berikut ini.

Apakah fungsi rangkaian diatas ?

KOMPETENSI DASAR
3.1 Menerapkan komponen FET dan MOSFET sebagai penguat daya
4.1. Membuat rangkaian dengan menggunakan FET dan MOSFET sebagai penguat daya

INDIKATOR PENCAPAIAN KOMPETENSI

3.1.1. Memahami susunan fisis, simbol dan karakteristik FET/MOSFET.
3.1.2. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat sinyal kecil
4.1.1. Menggambarkan susunan fisis, symbol untuk menjelaskan prinsip kerja dan parameter
karakteristik FET/MOSFET.

Modul Rangkaian Elektronika

4.1.2. Melakukan eksperimen FET/MOSFET sebagai penguat sinyal kecil menggunakan
perangkat lunak dan pengujian perangkat keras serta interprestasi data hasil pengukuran

URAIAN MATERI
Pembelajaran 1. Identifikasi Fet dan Mosfet
A. FET ( Field Effect Transistor )

1. Pengertian Field Effect Transistor (FET) dan jenisnya

FET adalah komponen Elektronika aktif yang menggunakan Medan Listrik untuk
mengendalikan Konduktifitasnya. Field Effect Transistor (FET) dalam bahasa Indonesia disebut
dengan Transistor Efek Medan. Dikatakan Field Effect atau Efek Medan karena pengoperasian
Transistor jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik) yang terdapat pada Input
Gerbangnya. FET merupakan Komponen Elektronika yang tergolong dalam keluarga Transistor
yang memilki Tiga Terminal Kaki yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).
Field Effect Transistor atau FET memiliki fungsi yang hampir sama dengan Transistor
bipolar pada umumnya. Perbedaannya adalah pada pengendalian arus Outputnya. Arus Output
(IC) pada Transistor Bipolar dikendalikan oleh arus Input (IB) sedangkan Arus Output (ID) pada
FET dikendalikan oleh Tegangan Input (VG) FET. Jadi perlu diperhatikan bahwa perbedaan
yang paling utama antara Transistor Bipolar (NPN & PNP) dengan Field Effect Transistor (FET)
adalah terletak pada pengendalinya (Bipolar menggunakan Arus sedangkan FET menggunakan
Tegangan).
Field Effect Transistor ini sering disebut juga dengan Unipolar Transistor atau Transistor
Eka Kutup, hal ini dikarena FET adalah Transistor yang bekerja bergantung dari satu pembawa
muatan saja, apakah itu Elektron maupun Hole. Sedangkan pada Transistor Bipolar (NPN &
PNP) pada umumnya, terdapat dua pembawa muatan yaitu Elektron.

2. Struktur dasar dan symbol FET

Junction FET atau sering disingkat dengan JFET memiliki 2 tipe berdasarkan tipe bahan
semikonduktor yang digunakan pada saluran atau kanalnya. JFET tipe N-Channel (Kanal N)
terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N dan P-Channel (Kanal P) yang terbuat dari
Semikonduktor tipe P.

Modul Rangkaian Elektronika

a. JFET Kanal-N
Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-N.

Gambar :https://teknikelektronika.com/wp-content/uploads/2016/03/JFET-Kanal-N.jpg?x20464

Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan semikonduktor tipe N dengan satu
ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas pembawa muatan atau
Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron.
Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan semikonduktor tipe P. Bagian
lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe P pada JFET Kanal-N ini adalah bagian yang disebut
dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran berlawanan Gerbang (G).
Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik yang mempengaruhi aliran
pada pembawa muatan yang melalui saluran tersebut. Semakin Negatifnya VG, semakin sempit
pula salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecil arus pada outputnya (ID).

b. JFET Kanal-P
Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-P.

Modul Rangkaian Elektronika

Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P. Mayoritas pembawa
muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang (G) dan Subtrate-nya terbuat dari bahan
Semikonduktor tipe N.
Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang akhirnya
mengakibatkan semakin kecilnya arus pada Output JFET (ID).
Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N dan JFET Kanal-P. Anak
Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah menghadap ke dalam sedangkan anak panah pada
simbol JFET Kanal-P menghadap keluar.

B. MOSFET (Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor)

1. Pengetian MOSFET
Seperti halnya JFET, Saluran pada MOSFET juga dapat berupa semikonduktor
tipe-N ataupun tipe-P. Terminal atau Elektroda Gerbangnya adalah sepotong logam
yang permukaannya dioksidasi. Lapisan Oksidasi ini berfungsi untuk

menghambat hubungan listrik antara Terminal Gerbang dengan Salurannya. Oleh

karena itu, MOSFET sering juga disebut dengan nama Insulated-Gate FET (IGFET).
Karena lapisan Oksidasi ini bertindak sebagai dielektrik, maka pada dasarnya tidak
akan terjadi aliran arus antara Gerbang dan Saluran. Dengan demikian, Impedansi
Input pada MOSFET menjadi sangat tinggi dan jauh melebihi Impedansi Input pada

JFET. Pada beberapa jenis MOSFET Impedansi dapat mencapai Triliunan Ohm (1012
Ohm). Dalam bahasa Indonesia, MOSFET disebut juga dengan Transistor Efek
Medan Semikonduktor Logam-Oksida.

Modul Rangkaian Elektronika

 2. Struktur dasar dan symbol mosfet
Seperti yang disebut sebelumnya, bahwa MOSFET pada dasarnya terdiri dari 2
tipe yaitu MOSFET tipe N dan MOSFET tipe P.
 MOSFET tipe N
MOSFET tipe N biasanya disebut dengan NMOSFET atau nMOS. Berikut
dibawah ini adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe N.

SUMBERhttps://teknikelektronika.com/wp-content/uploads/2016/03/Struktur-dan-Simbol-MOSFET.jpg?x20464

 MOSFET tipe P

MOSFET tipe P biasanya disebut dengan PMOSFET atau pMOS. Di bawah ini
adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe P.

SUMBERhttps://teknikelektronika.com/wp-content/uploads/2016/03/Struktur-dan-Simbol-MOSFET.jpg?x20464

Modul Rangkaian Elektronika

C. Aplikasi dan cara kerja FET sebagai penguat
Penguat Sinyal FET Mode Self Bias Common Source Seperti halnya pada penguat
transistor bipolar, penguat FET juga dapat dirangkai dalam beberapa konfigurasi. Konfigurasi
penguat JFET dengan source sebagai terminal bersama disebut dengan penguat Common Source
(CS). Rangkaian penguat CS dapat dilihat pada gambar berikut. Untuk menganalisa parameter
penguat seperti Av, Zi, dan Zo, rangkaian penguat tersebut perlu diubah menjadi rangkaian
ekivalen ac. Rangkaian Penguat Sinyal dengan FET Mode Self bias Common S.

Aplikasi dan cara kerja MOSFET sebagai penguat

Modul Rangkaian Elektronika

Peningkatan-modus common-source konfigurasi amplifier MOSFET sederhana ini menggunakan
catu daya tunggal di drain dan menghasilkan tegangan gerbang yang diperlukan,
VG menggunakan pembagi resistor.

Kita ingat bahwa untuk MOSFET, tidak ada arus yang mengalir ke terminal gerbang dan dari
sini kita dapat membuat asumsi dasar berikut tentang kondisi operasi DC amplifier MOSFET.

Maka dari ini kita dapat mengatakan bahwa:

dan tegangan MOSFET gerbang ke sumber, VGS diberikan sebagai:

VGS = VG - IS RS

Seperti yang telah kita lihat di atas, untuk operasi MOSFET yang benar, tegangan sumber
gerbang ini harus lebih besar dari tegangan ambang MOSFET, yaitu VGS > VTH. Sejak IS = ID,
tegangan gerbang, VG karena itu sama juga:

VGS = VG - ID RS
∴ VG = VGS - ID RS
atau VG = VGS + VS

Tugas : Diskusi

1. Diskusikan dengan teman kalian, perbedaan antara fet dan mosfet , dan apakah fungsi dari
komponen tersebut ?

RANGKUMAN
Keuntungan FET yang sangat penting dibanding transistor bipolar adalah impedansi
inputnya yang sangat tinggi. Pada JFET tingginya impedansi input ini disebabkan karena pada
daerah operasi JFET persambungan gate dan kanal mendapat bias mundur, sehingga arus gate
adalah kecil sekali atau nol. Sedangkan pada MOSFET hal ini disebabkan karena antara gate
dengan kanal terdapat lapisan isolasi yang tipis yang berupa silikon dioksida (Si02), sehingga

Modul Rangkaian Elektronika

 arus gate adalah nol.
Perbedaan lain FET dibanding dengan transistor bipolar adalah bahwa pada FET
besaran arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS). Sedangkan pada transistor
bipolar besaran arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB).
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat
semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada
perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah IC ( integrated Circuit ) yang di desain
dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat kecil. MOSFET memiliki
empat gerbang terminal antara lain adalah Source (S), Gate (G), Drain (D) dan Body (B).
MOSFET bekerja secara elektonik memvariasikan sepanjang jalur pembawa muatan (
electron atau hole ). Muatan listrik masuk melalui Saluran pada Source dan keluar melalui Drain.
Lebar Saluran di kendalikan oleh tegangan pada electrode yang di sebut dengan Gate atau
gerbang yang terletak antara Source dan Drain. ini terisolasi dari saluran di dekat lapisan oksida
logam yang sangat tipis. Kapasitas MOS pada komponen ini adalah bagian Utama nya.

TES FORMATIF

1. Seperti diketahui bahwa komponen elektronika aktif sangat banyak fungsinya didalam
rangkaian elektronika.Diantara komponen berikut ini manakah diantaranya yang paling
cepatswitching-nya.
a. JFET
b. BJT
c. MOSFET
d. Triode
e. UJT
2. MOSFET adalah singkatan dari…
a. Metal Oxygen Semiconductor Field Effect Transistor
b. Material Offset Semiconductor Field Effect Transformator
c. Material Of System Field Effect Transistor
d. Magnetic Offset System Factor Of External Transistor
e. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
3. Sebuah D-MOSFETdibias dengan VGS=0V,
memilikiIDSS=20mA dan VGS(off)=-5V sesuaidata sheet.
Arus drain(ID) yang mengalir adalah:
a. 0 mA
b. 4 mA
c. 40 mA
d. 10 mA
e. 20 mA

Modul Rangkaian Elektronika

 4. JFET pada gambar berikut ini memiliki VGS (off) =-4V dan IDSS=12 mA. Tentukan
nilai minimum dari tegangan VDD yang dapat menempatkan FET pada daerah arus
konstan, jika RD = 560Ω dan VGS=0
a. VDD =4 V
b. VDD =6,7 V
c. VDD=10,7 V
d. VDD=13,3 V
e. VDD=15, 5 V
5. Tegangan bias untuk FET dapat diberikan dengan berbagai cara.Diantara yang paling
banyak digunakan untuk rangkaian penguat FET adalah:
a. Prategangan diri
b. Prategangan pembagi tegangan
c. Prategangan Gate
d. Prategangan sumber arus
e. Prategangan input

Jawaban tes formatif:

1. a
2. e
3. e
4. c
5. a

Kegiatan belajar 2 : (KD keterampilan)

FET sebagai Penguat

Tujuan Pembelajaran

 Peserta dapat menguraikan FET sebagai penguat dengan benar

Indikator Pencapaian Kompetensi

Setelah pembelajaran peserta harus dapat :

 Mengukur tegangan RD , RS dan GS dengan benar.
 Mengukur arus ID dengan benar.
 Menghitung besar penguatan tegangan dalam satuan ( kali ) dan ( dB ).

Modul Rangkaian Elektronika

 Waktu 4 X 45 Menit

Alat dan Bahan

Alat Alat:
 Avo meter Digital
 Papan Percobaan
 Generator ( AFG )
 Oscilloscope
 Catu Daya
 Kabel penghubung ( Jumper )
Bahan:

 Resistor 1Kohm 1 buah

 Resistor 1Mohm 1 buah
 VR 5Kohm 1 buah
 JFET BF 245 1 buah
 Kondensator 0,1 uF 1 buah
 Kondensator 10 u F 1 buah

Keselamatan kerja :
 Yakinkan rangkaian anda sudah benar.
 Hati - hati menggunakan alat ukur.
Seperti layaknya transistor bipolar , JFET merupakan semi konduktor yang dapat di gunakan
untuk menguatkan sinyal tegangan. Di bawah ini di sajikan salah satu rangkaian penguat JFET
konfigurasi common source .
Cara menyetel kondisi tidak berbeda dengan cara penyetelan kondisi transistor bipolar jadi di
sini diperlukan stabilitasi supaya JFET tidak mempengaruhi operasi penguat .

Dengan UDD = + 10 V maka dapat di atur arus ID dengan menggunakan variabel

Modul Rangkaian Elektronika

 resistor (VR) pada RS sehingga tegangan RS dapat di hitung dengan menggunakan
Rumus : URS =
IS x RS
Dan tegangan RD dapat di hitung
URD = ID x RD
Tegangan Drain Source dapat di hitung dengan
Rumus : UDS = UDD - ( UR+ URS )
Sebagai contoh bila di ketahui UDD = 10 V dan ID = 2 mA maka besar tegangan
 URS = IS x RS
URS = 2 mA x 1 K 7 ohm
= 3,4V dan
 URD = ID x RD
= 2 mA x 1,4 K ohm
= 3 Volt dan
 UDS = UDD - ( URD + URS )
= 10 - ( 3 V + 3,4V )
= 3,6 Volt

Modul Rangkaian Elektronika

 Lembar Kerja

1. Buat rangkaian seperti pada gambar di bawah ini.

2. Pasang mA meter seri dengan RL dan hidupkan catu daya atur arus ID sebesar 2
mA dengan cara memutar ( mengatur tahanan RS ). ID = 2 mA
3. Ukur tegangan RD nya. URD = 3 V
4. Ukur tegangan RS nya. URS = 3,4 V
5. Lepaskan Resistor RS ukur besar tahanannya. RS = 1,7 ohm
6. Pasang lagi RS pada posisi semula dan ukur tegangan Drain Source nya. UDS = 0,3
V
7. Ukur beban tegangan gate source nya. UGS = 0,1 V
8. Ukur tegangan tahanan gate nya. URG = 0,1 V
Berikan sinyal seperti yang diminta tabel di bawah dengan frekuensi (1 KHz) pada
input rangkaian di atas dan ukur besar tegangan outputnya (output tidak sampai
terpotong)

1. Dengan menggunakan rumus penguatan tegangan ini hitung penguatannya.

UO
A = = ....................................................
U
i U
UO
11. A U = 20 log = .................................................
i
U

Modul Rangkaian Elektronika

DAFTAR PUSTAKA

Boylestad and Nashelsky. (1992). Electronic Devices and Circuit Theory, 5th
ed. Engelwood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, Inc.
Floyd, T. (1991). Electric Circuits Fundamentals. New York: Merrill
Publishing Co. Malvino, A.P. (1993). Electronic Principles 5th Edition.
Singapore: McGraw-Hill, Inc. Milman & Halkias. (1972). Integrated
Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems.
Tokyo: McGraw-Hill, Inc.
Savant, Roden, and Carpenter. (1987). Electronic Circuit Design: An
Engineering Approach.

Modul Rangkaian Elektronika