Lembar Kerja Peserta Didik (LKPD)

FET dan MOSFET Sebagai Penguat Daya

Nama Kelompok : ...................................................................................................

Nama Siswa : ...................................................................................................
Kelas : ...................................................................................................

A. Tujuan Pembelajaran:

1. Pengetahuan:
a Produk
1) Secara mandiri dan tanpa membuka bahan ajar, siswa dapat menjelaskan
macam-macam peralatan instalasi sistem audio dengan mengerjakan soal
terkait di LP 3 minimal nilai sama dengan KKM
2) Secara mandiri dan tanpa membuka bahan ajar, siswa dapat menjelaskan
karakteristik sistem hiburan pertunjukan siaran langsung di ruang terbuka dan
tertutup dengan mengerjakan soal terkait di LP 3 minimal nilai sama dengan
KKM
b Proses
Siswa diharapkan dapat menjelaskan langkah-langkah instalasi system audio di
ruang terbuka dan tertutup dengan mengerjakan evaluasi yang terkait dengan LP
4 minimal nilai sama dengan KKM
2. Keterampilan:
Merancang rangkaian FET dan MOSFET sebagai penguat daya sesuai rincian
tugas kinerja di LP 5 minimal nilai sama dengan KKM

B. Kompetensi Dasar
3.1 Menerapkan Komponen FET dan MOSFET sebagai penguat daya
4.1 Membuat rangkaian dengan menggunakan FET dan MOSFET sebagai penguat

C. Indikator Pencapaian Kompetensi (IPK)

1. Kognitif :
a Produk (Penggalan materi 1)
1) Menjelaskan pengertian FET dan MOSFET sebagai penguat
2) Menjelaskan karakteristik FET dan MOSFET sebagai Penguat
b Proses (Penggalan materi 2)
Menjelaskan langkah – langkah pembuatan FET dan MOSFET sebagai penguat

2. Keterampilan : (Penggalan materi 3)

Merancang rangkaian FET dan MOSFET sebagai penguat

D. Langkah Pembelajaran
Identifikasikan karakter FET dan MOSFET, kemudian kerjakan soal berikut ini dengan
menuliskan deskripsi hasil identifikasi karakter FET dan MOSFET.
 Struktur
pembentukan Deskripsi Struktur pembentukan FET
FET

Kanal Type N

Kanal Type P

Struktur
pembentukan Deskripsi Struktur pembentukan MOSFET
MOSFET

Kanal Type N

Kanal Type P

E. Diskusi
Diskusikan konfigurasi FET dan MOSFET sebagai Penguat.

F. Peta Konsep Pengertian FET dan MOSFET sebagai penguat

FET dan MOSFET karakteristik FET dan MOSFET sebagai Penguat

langkah – langkah pembuatan FET dan MOSFET sebagai penguat

G. Daftar Pustaka
Sudjendro Herry, Widiharso. 2016. Modul Pelatihan Guru, Paket Keahlian Teknik Audio
Video. Jakarta: Direktorat Jendral Guru dan Tenaga Kependidikan.

http://www.tespenku.com/2017/12/mosfet-sebagai-penguat-amplifier.html

https://teknikelektronika.com/pengertian-field-effect-transistor-fet-danjenisjenisnya/
 Kunci jawaban LKPD
FET dan MOSFET Sebagai Penguat Daya

1. Identifikasikan karakter FET dan MOSFET, kemudian kerjakan soal berikut ini dengan
menuliskan deskripsi hasil identifikasi karakter FET dan MOSFET.

Struktur
pembentuka Deskripsi Struktur pembentukan FET
n FET
Saluran pada JFET jenis Kanal-N terbuat dari semikonduktor tipe N
dengan satu ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain
(D). Mayoritas pembawa muatan atau Carriers pada JFET jenis Kanal-N
Kanal Type N
ini adalah Elektron. Subtrate kanal type N terbuat dari semiconductor
type P, yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran berlawanan
Gerbang (G).
Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P.
Kanal Type P Mayoritas pembawa muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang
(G) dan Subtrate-nya terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N.

Struktur
pembentuka Deskripsi Struktur pembentukan MOSFET
n MOSFET
Transistor NMOS terbuat dari substrat dasar tipe p dengan daerah source
Kanal Type
dan drain didifusikan tipe n+ dan daerah kanal terbentuk pada
NMOS
permukaan tipe n
Transistor PMOS terbuat dari substrat dasar tipe-n dengan daerah source
Kanal Type
dan drain didifusikan tipe p+ dan deerah kanal terbentuk pada
PMOS
permukaan tipe p.

2. Hasil diskusi konfigurasi FET dan MOSFET sebagai Penguat

Konfigurasi FET
1) Common Source
Dalam konfigurasi ini sinyal masukan (Ui) dimasukkan antara Gate dan
Source, sedangkan beban dipasang antara Drain dan Source. Dalam rangkaian
ini impedansi input adalah tak terhingga dan sinyal output berbeda fasa
180º terhadap sinyal input.

Gambar 1. Menaikkan impedansi input dengan memasang RG

Gambar 2. Rangkaian Penguat Tunggal Common Source

2) Common Gate
Rangkaian Common Gate Configuration seperti terlihat pada Gambar 2. Dalam
konfigurasi ini pengendalian dilakukan pada Source, sinyal output diambil dari
Drain. Tidak terjadi perbedaan fasa antara input dan output, tetapi konfigurasi
penguat ini mempunyai Impedansi input yang rendah. Perbandingan jika
menggunakan transistor adalah common base
 Gambar 3. Rangkaian Common Gate

3) Common Drain Configuration

Rangkaian Common Drain seperti terlihat pada Gambar 4 Dalam rangkaian
ini pengendalian dilakukan pada Gate, sedangkan output diambil pada
Source. Tegangan sinyal output adalah lebih kecil dari tegangan sinyal
input. Tidak terjadi perbedaan fasa antara sinyal input dan output, oleh
karena itu rangkaian disebut sebagai Source Follower. Impedansi output
rendah.

Gambar 4. Rangkaian Common Drain