MAKALAH ELEKTRONIKA DASAR 2

PENGUAT GANDENGAN RC

DISUSUN OLEH :

KELOMPOK 1
Eliza ulandari (A 241 12 005)
Adriyansyah (A 241 12 011)
Mistang (A 241 12 017)
Nasar (A 241 12 019)

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
UNIVERSITAS TADULAKO
2013
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kami panjatkan kehadirat Tuhan Yang Maha Esa karena atas
limpahan rahmat dan karunianya bahwa tim penulis telah menyelesaikan
penulisan makalah ini.berbagai upaya telah dilakukan dalam penyelesaian
makalah ini demi proses kelancaran belajar dan pembelajaran.
Tujuan utama dalam penulisan makalah ini yaitu untuk membangkitkan
apresiasi para mahasiswa terhadap berbaga konsep dan penyelesaian tentang
masalah elektronika dan penerapannya dalam kehidupan sehari hari.makalah ini
pula disajikan dalam proses pendekatan pembelajaran secara kontekstual agar
mahasiswa juga mampu membuat peralatan elektronika dengan berbagai konsep
dan cara yang telah di terapkan pada pembelajaran elektronika sebelumnya.
Kedua kalinya penulis mengucapkan terima kasih kepada
Drs.H.Muhammad Ali, M.Si. selaku dosen matakuliah Elektronika Dasar II
yang telah memberikan banyak bimbingan pada mata kuliah ini.selanjutnya
kami berterima kasih kepada berbagai pihak yang telah memberikan masukan
dalam penyelesaian makalah ini.
Kami sangat berharap bahwa makalah ini dapat bermanfaat bagi seluruh
pembaca terutama kami sebagai penulis.Kritik dan saran akan selalu diterima
dengan terbuka demi kelancaran penulisan makalah selanjutnya.

Palu, 04 Maret 2013

PENULIS
 BAB I
PENDAHULUAN

A. LATA BELAKANG
Enam tahun setelah penemuan audion oleh Lee De Forest,pada tahun 1913
Edwin Howard Armstrong seorang insinyur listrik Amerika Serikat membuat
rangkaian regeneratif yang memberikan penguatan seratus kali lebih besar
dibandingkan dengan penguat yang di temukan oleh De Forest.Amstrong juga
mendapatkan bahwa rangkaiannya itu disetel untuk penguatan maksimum
,rangkaiannya itu dapat berubah fungsi dari penguat menjadi suatu osilasi
( menjadi generator sinyal frekuensi radio ).

B. TUJUAN
1. Memahami secara umum pengertian dari penguat gandengan
2. Menuliskan keuntungan dan kerugian dari gandengan RC
 BAB II
PEMBAHASAN

Suatu penguat pada dasarnya adalah peralatan elektronika yang dapat

menerima sinyal masukan pada sepasang kutub masukannya dan memberikan
sinyal keluaran pada kutub keluarannya.Sinyal pada kutub keluaran itu lebih
besar nilainya ketimbang yang masuk ke kutub masukannya.secara umum suatu
penguat adalah peralatan yang menggunakan tenaga yang kecil untuk
mengendalikan tenaga yang lebih besar.

Rangkaian RC adalah rangkaian yang didalamnya terdiri dari suatu

reisitor R dan kapasitor C. Gandengan yang menggunakan kapasitor disebut
gandengan RC.Contoh penguat dengan gandengan RC adalah penguat emitor
ditanahkan seperti yang ditunjukkan oleh Gambar 2.1 berikut ini.

Gambar 2.1 Penguat Gandengan RC

Pada gambar diatas, Ccj menyatakan kapasitansi didalam transistor yang

timbul pada sambungan antara basis dan kolektor, oleh karena adanya daerah
pengosongan pada sambungan p-n ini. Kapasitansi Cje menyatakan kapasitansi
yang timbul pada sambungan p-n antara basis dan emitor.
 Oleh karena pengaruh kapasitansi yang ada di dalam penguat, nilai
penguatan tegangan Gv berubah dengan frekuensi. Grafik yang melikiskan
bagaimana penguatan tegangan (biasanya dalam dB) berubah dengan frekuensi
(biasanya dalam skala log) disebut tanggapan amplitudo.

Dibawah ini adalah contoh dari tanggapan amplitudo suatu penguat.

Pada gambar diatas, frekuensi f1 disebut frekuensi potong bawah, dan

frekuensi f2 disebut frekuensi potong atas. Daerah frekuensi di sekitar f1 dan di
bawahnya disebut frekuensi rendah, sedang antara f1 dan f2 tanggapan
amplitudo tak berubah dengan frekuensi. Daerah frekuensi ini disebut daerah
frekuensi tengah. Daerah frekuensi di sekitar dan di atas f2 disebut daerah
frekuensi tinggi.

Pada daerah frekuensi rendah, penguat berlaku sebagai tapis lolos tinggi
dengan f1 adalah kutub daripada fungsi alih Gy(). Pada daerah frekuensi
tinggi, yaitu di sekitar f2 dan diatasnya penguat berlaku sebagi suatu tapis lolos
rendah.
 1
C
Pada frekuensi tinggi X = untuk kapasitansi ini mempunyai nilai
yang cukup rendah sehingga harus di perhitungkan peranannya dalam
mengurangi arus isyarat yang masuk kedalam basis yang akan diperkuat
menjadi arus kolektor. Pada daerah frekuensi tinggi kapasitansi seri seperti C1,
C2, dan CE boleh dianggap terhubung singkat.

Pada daerah frekuensi tengah kapasitansi seri seperti C1, C2, dan CE

1
C
mempunyai reaktansi X = cukup kecil sehingga dapat dianggap terhubung
singkat. Sedang kapasitansi paralel seperti Cje dan Cjc mempunyai nilai amat
kecil, menghasilkan reaktansi amat tinggi sehingga dapat dianggap terbuka atau
tidak terpasang. Akibatnya pada daerah frekuensi tengah tidak ada komponen
reaktif, sehingga tanggapan amplitudo menjadi tidak bergantung pada frekuensi
(datar).

Perbedaan penguat gandengan RC dan penguat gandengan DC (langsung)

yaitu pada penguat gandengan RC antara tahap yang satu dengan tahap yang
lain digandeng dengan kapasitor atau biasa disebut sebagai kapasitor
penggandeng (coupling). Sedangkan pada penguat gandengan DC atara satu
tahap dengan tahap yang lain digandeng langsung.tabung elektron dan transistor
dengan gandengan RC merupakan rangkaian yang paling banyak dipakai untuk
penguatan sinyal kecil dalam rentang frekuensi dari beberapa hertz hingga
beberapa magahertz.meskipun tabung elektron dan transistorbekerja dengan
prinsip fisika yang berbeda, namun perilaku saat keluarannya serupa dan
pendekatan yang sama dapt dipergunakan dalam meramalkan tanggapan
frekuensinya.
 1. Daerah Frekuensi Rendah untuk Penguat Satu Tahap.

Tanggapan amplitudo pada daerah frekuensi rendah dipengaruhi oleh

kapasitansi yang seri dengan arus isyarat, yaitu kapasitor penggandeng C1 dan
C2 serta kapasitor pintas emitor CE.. Pengaruh kapasitor penggandeng C1 dan
C2 berkaitan dengan pengaruh kapasitor pintas emitor CE..

a. Pengaruh Kapasitor Penggandeng.

Pada bagian ini pengaruh kapasitor pintas emitor CE. tidak
diperhatikan. Kita anggap CE. mempunyai nilai sangat besar, sehingga nilai

1
Xc E
C E
reaktansi amat kecil, atau CE. dapat dianggap terhubung singkat.

Dibawah ini adalah gambar rangkaian penguat dan rangkaian setaranya.

(a) (b)

Gambar 2.3 Rangkaian penguat (a) dan rangkaian setaranya (b)

b. Pengaruh Kapasitor Pintas Emitor.
Kita anggap sekarang pengaruh kapasitor penggandeng kita abaikan
(kita anggap terhubung singkat), dan hanya memperhatikan pengaruh
kapasitor pintas emitor. Hal ini dapat berarti bahwa frekuensi patah oleh kutub
pada fungsi alih oleh kapasitor penggandeng adalah jauh di bawah frekuensi
patah oleh kapasitor pintas emitor CE.

Untuk keadaan ini rangkaian setara penguat dapat digambarkan sebagai

berikut.

Gambar 2.4 Rangkaian setara penguat

2. Daerah Frekuensi Tinggi untuk Penguat Satu Tahap

a. Kapasitansi Sambungan p-n

Pada daerah frekuensi tinggi reaktansi kapasitansi sambungan antara

basis dan kolektor serta antara basis dan emitor mempunyai nilai yang tak
terlalu tinggi, sehingga menyimpangkan arus isyarat dari basis. Ini
mengakibatkan tegangan isyarat keluaran menjadi berkurang untuk frekuensi
yang makin tinggi.

Kapasitansi sambungan p-nantara basis dan kolektor, yang kita sebut

Cjc, terjadi oleh karena adanya lapisan pengosongan pada sambungan p-n itu
dimana tak ada pembawa muatan bebas Didalam daerah pengosongan terdapat
medan listrik, sehingga daerah ini berupa kapasitor yang berisi muatan. Oleh
karena sambungan p-n berada pada tegangan mundur, maka daerah
pengosongannya lebar, sehingga kapasitansinya kecil. Sebetulnya nilai
kapasitansi Cjc bergantung pada beda potensial antara basis kolektor.
Sambungan p-n antara basis dan emitor berada dalam keadaan tegangan panjar
maju, sehingga daerah pengosongannya lebih sempit, dan kapasitansi
sambungan, yaitu Cje, lebih besar daripada Cjc.

Pada frekuensi tinggi kapasitansi sambungan Cje berpengaruh pada

keadaan tegangan mundur waktu hambatan dioda besar. Pada frekuensi tinggi

1
C je
X = sehingga dalam keadaan tegangan panjar mundur terjadi bocoran
melalui Cje. Dioda pada tegangan mundur dapat dinyatakan sebagai kapasitor
yang nilai kapasitansinya dapat diatur dengan tegang panjar.

Dioda yang khusus untuk maksud ini disebut dioda varaktor atau dioda
varikap. Antara basis dan emitor ada kapasitansi lain lagi yang terjadi, yaitu
yang disebut kapasitansi difusi (Cd). Kapasitansi difusi ini terjadi oleh karena
basis ada dalam keadaan tegangan maju terhadap emitor, sehingga banyak
pembawa muatan bebas dari emitor yang ada dalam basis dalam perjalanan ke
kolektor.

Sebagian dari pembawa muatan ini terkumpul pada bagian basis,

membentuk muatan tersimpan. Muatan simpanan ini akan akan menarik arus
dari rangkaian tegangan panjar basis, sehingga dalam basis akan terkumpul
dua macam muatan yang berlawanan. Secara efektif terbentuklah suatu suatu
kapasitansi yang disebut kapasitansi difusi (Cd).

Secara efektif kapasitansi difusi ini paralel dengan kapasitansi

sambungan emitor (Cje)dan membentuk kapasitansi total Cje + Cd yang kita
sebut C1. Jadi C1 = Cje + Cd.

Antara basis dan kolektor tak terjadi kapasitansi difusi oleh karena
sambungan p-n ini tidak berada dalam tegangan maju. Adanya muatan
simpanan ini berpengaruh besar pada penggunaan transistor sebagai saklar
yaitu mempengaruhi barapa cepat tegangan keluaran dapat berubah. Ini berarti
adanya muatan simpanan ini juga membatasi operasi rangkaian logika yang
mengguanakan transistor dwikutub yaitu TTL atau transistor transistor logik.

b. Rangkaian Setara Hibrida

Agar dapat melakukan perhitungan pada rangkaian elektronik yang

mengandung transistor, orang menggunkan rangkaian setara untuk transistor.
Rangkaian setara yang dibahas disini adalah rangkaian setara isyarat kecil,
yang berlaku untuk isyarat dengan perubahan yang jauh lebih kecil daripada
nilai arus dan tegangan pada keadaan q sehingga dapat digunakan hambatan
isyarat kecil pada keadaan q.(fungsi rangkaian hybrid)

Ada beberapa macam rangkaian setara isyarat kecil untuk transistor,

yaitu rangkaian setara T, Z, Y, dan rangkaian setara parameter (-h), dan
rangkaian setara hibrida (- ).

Dalam rangkaian setara isyarat kecil, suatu baterei atau catu daya dc
dapat digantikan dengan hambatan dalamnya, atau dipandang sebagai
terhubung singkat, oleh karenanya hambatan dalamnya sangat kecil.
 Untuk frekuensi tinggi rangkaian setara parameter h tidak digunakan
orang karena parameternya re, rb dan rc tak mudah dari siri statik transistor.
Ini terutama disebabkan dalam rangkaian parameter h kita tidak dapat
memasang kapasitansi Cjc dan C1, oleh karena kapasitansi ini
menghubungkan kolektor dan emitor dengan bagian tengah basis.

Untuk frekuensi tinggi orang menggunakan rangkaian setara hibrida -

untuk transistor dwikutub. Rangkaian setara ini merupakan modifikasi
rangkaian setara T.

Rangkaian setara T untuk transistor pada penguat basis dan emitor yang
ditanahkan adalah sebagai berikut.

Gambar 2.5 Rangkaian setara untuk basis yang ditanahkan, (a) untuk daerah
frekuensi tengah; (b) untuk daerah frekuensi tinggi
 Untuk penguat emitor yang ditanahkan masukkan dihubungkan dengan
rb, dan sumber arus harus dinyatakan terhadap arus masukan, ib, seperti pada
gambar berikut:

Gambar 2.65 Rangkaian setara untuk basis yang ditanahkan, (a) untuk daerah
frekuensi tengah; (b) untuk daerah frekuensi tinggi

Pada rangkaian setara T ,re merupakan hambatan isyarat kecil untuk

sambungan p-n antara emitor dan basis yang mendapat tegangan maju, sehingga

25
I E (q )( mA)
re mempunyai nilai re = . Parameter rb adalah hambatan melintang
dalam basis, dengan titik b kira-kira ditengah basis dan rb mempunyai nilai rb
300 . Parameter rc adalah hambatan isyarat kecil untuk sambungan p-n
antara basis dan kolektor yang

Mendapatkan tegangan panjar mundur, sehingga mempunyai nilai rc

1M.
 Besaran ie merupakan suatu sumber arus tetap, dengan sebagai

ic
ie
penguatan arus, = . Untuk transistor basis ditanahkan, mempunyai nilai
antara 0,99 0,998.

Pada penguat emitor ditanahkan isyarat masuk melalui basis dan emitor
dihubungkan dengan tanah, sedangkan keluaran diambil dari kolektor. Penguat

1
1
emitor ditanhkan mempunyai impedansi masukan kali lebih besar dari
pada penguat basis ditanhkan, dan impedansi keluaran transistor (1- ) lebih
kecil dari pada penguat basis ditanahkan. Impedansi masukan yang tak terlelu
besar dan impedansi keluaran yang tak terlalu kecil membuat penguat emitor
ditanahkan sangat baik digandengkan dalam beberapa tahap tanpa banyak
ketaksesuaian impedansi pada alih tegangan dari satu tahap ketahap
berikutnya.

c. Frekuensi Potong dan f

Untuk dapat menentukan frekuensi potong atas pada tanggapan

amplitudo penguat, kita perlu tahu C1 dan Cjc. Kapasitansi Cjc biasanya ada
disebutkan pada lembaran data transistor.

Namun tidak demikian halnya dengan kapasitansi C1. Lembaran data

transistor biasanya menyebutkan suatu frekuensi yang disebut f, yaitu
frekuensi untuk mana = 1. Oleh karena pengaruh C1 dan Cjc penguatan arus
akan berubah dengan frekuensi.

Dibawah ini adalah gambar dari tanggapan frekuensi

 (d )

f f f(log)

Gambar tanggapan frekuensi

Frekuensi patah f disebut frekuensi potong dan f adalah nilai

frekuensi dimana = 0 db atau = 1; f disebut frekuensi transisi.

Dari nilai f dan Cjc yang dibaca dari lembaran data transistor kita dapat
menghitung C1. Hubungan antara f dan C1 dapat diperoleh dengan pemikiran
sebagai berikut. Untuk mendapatkan bagaimana berubah dengan frekuensi
keluaran pada rangkaian serta hibrida - kita hubungkan singkat.

3. Tanggapan Amplitudo Penguat JFET Satu Tahap

JFET terbuat dari bahan semikonduktor p dan n . transistor mempunyai

tiga buah kaki yaitu penguras (drain-D), pintu (gate-G) dan sumber (source-S).
Arus penguras (D) melalui satu macam bahan semikonduktor jenis-n. Daerah
yang dilengkapi dengan pintu disebut saluran. JFET yang ditunjukkan
mempunyai saluran-n. Pada saluran-n pembawa muatan yang bergerak adalah
elektron bebas, sehingga penguras haruslah dihubungkan dengan kutub positif
baterai, setelah memlalui suatu hambatan.

Pembawa muatan bebas (elektron) berasal dari sumber mengalir

kepenguras. Maka untuk saluran-n arah arus listrik (yaitu arah gerak muatan
positif) adalah dari pengurus (D) ke sumber (S).
 JFET bekerja atas dasar pengaturan lebar saluran oleh daerah
pengosongan yang terjadi pada sambungan p-n antara gerbang dan saluran.
Berikut ini adalah contoh dari lambang JFET saluran n dan JFET saluran p

D penguras D

G G

pintu

S sumber S

(a) JFET saluran n (b) JFET saluran -p

Daerah pengosongan adalah daerah disekitar sambungan p-n dimana tak

ada pembawa muatan bebas. Daerah pengosongan terjadi oleh karena elektron
dari bahan-n menyebrang sambungan p-n, dan masuk kedalam daerah p dan
lubang dari daerah p berdifusi masuk kedalam daerah n. Karena itu sebelah-n
menjadi bermuatan positif dan sebelah p menjadi bermuatan negatif, sehingga
pada sambungan p-n terbentuk medan listrik dan juga beda potensial. Adanya
medan listrik ini menahan kelanjutan peristiwa difusi, sehingga disebelah
menyebelah sambungan terjadi daerah pengosongan dimana tak ada pembawa
muatan bebas. Lebar daerah pengosongan dapat diatur oleh besar tegangan
mundur yang dipasang pada sambungan. Makin besar tegangan mundur, makin
tebal daerah pengosongan yang terjadi.

Rangkaian penguat JFET biasanya dapat digambarkan seperti pada

gambar berikut.

Gambar rangkaian penguat JFET

Kapasitor C1, C2 dan Cs terhubung seri dengan arus isyarat. Ketiga

kapasitor ini berpengaruh pada daerah frekuensi rendah. Seperti halnya
transistor dwikutub, pada transitor FET juga ada kapasitansi yang paralel
dengan isyarat, yaitu kapasitansi antara pintu dan penguras (Cgd) serta antara
pintu dan sumber (Cgs). Kedua kapasitansi ini akan berpengaruh pada daerah
frekuensi tinggi.
 a. Daerah Frekuensi Tinggi
1
C
Untuk daerah frekuensi tinggi reaktansi Xc = kapasitansi seri
mempunyai nilai amat kecil dibandingkan dengan hambatan yang berhubungan
dengan kapasitansi ini, sehingga dapat dianggap terhubung singkat. Sebaliknya
terjadi dengan kapasitansi paralel seperti. Cdg dan Cgs.

b. Daerah Frekuensi Tengah

1
C
Pada frekuensi tengah, reaktansi Xc = masih mempunyai reaktansi
terlalu besar, oleh karena Cdg dan Cgs. Memunyai nilai dalam orde pF.

c. Daerah Frekuensi Rendah

Untuk daerah frekuensi rendah ada tiga buah kapasitor yang berpengaruh,
yaitu kapasitor gandengan C1, C2, dan kapasitor pintas emitor Cs. Kapasitor
penggandeng berhadapan dengan hambatan yang amat tinggi dan kapasitor
penggandeng berhadapan dengan hambatan yang cukup tinggi.

Yaitu :

RD // RL // r d
Rsh =

1
C
Pada frekuensi tengah, reaktansi Xc = masih mempunyai reaktansi
yang terlalu besar. Oleh karena Cgd dan Cgs mempunyai nilai dalam orde pF.

Akibat kedua kapasitor ini dapat dibuat memberikan frekuensi patah

tanggapan amplitudo pada nilai frekuensi amat rendah. Seperti halnya pada
transistor dwikutub, kapasitor Cs harus mempunyai nilai besar agar frekuensi
patah pada tanggapan amplitudo yang disebabkan oleh Cs menjadi cukup
rendah.
 d. Daerah Frekuensi Atas.
Pada daerah frekuensi tinggi, kapasitansi yang berpengaruh adalah
kapasitansi paralel, yaitu kapasitansi antara pintu dan penguras Cgd dan antara
pintu dan sumber Cgs. Kapasitansi sering juga disebut Ciss dan kapasitansi
Cgd disebut Crss.

4. Rangkaian Penguat Dua Tahap dengan Gandengan RC

Suatu penguat transistor dwikutub dua tahap dengan gandengan RC

seperti pada gambar berikut.

Gambar Transistor penguat dwikutub dua tahap.

Frekuensi Tengah
Pada daerah frekuensi tengah kapasitansi yang seri dengan arus isyarat,
yaitu C1, C2, C3, CE1 dan CE2 dapat dianggap terhubung singkat, dan
kapasitansi yang paralel dengan arus isyarat seperti kapasitansi antara basis
kolektor Cjc , dan kapasitansi antara basis emitor Cd + Cjc dapat dianggap
terbuka.

BAB III
PENUTUP
A. KESIMPULAN
Berdasarkan tujuan yang ditetapkan didalam makalah ini, maka
kesimpulan yang dapat di tulis yaitu :
a) penguat merupakan peralatan yang menggunakan tenaga kecil untuk
mengendalika tenaga yang lebih besar.ada beberapa macam penguat yang
biasa digunakan dalam membedakan berbagai macam penguat beserta
karakteristiknya salah satunya yaitu penguat satu tingkat terdiri atas satu
unsur penguat dan rangkaian pendukungnya.secara umum,apabila beberapa
unsur-unsur semacam itu digabungkan, maka akan mendapatkan penguat
banyak tingkat.
b) Gandengan RC dalam suatu rangkaian memiliki kelebihan dan
kekurangan, yaitu :
* Kelebihan gandengan RC yaitu :
- Catu atau setelan DC antar tahap tidak saling mempengaruhi
- Apabila terjadi kerusakan, maka tidak berpengaruh pada antar tahap trouble
shotting lainnya
- Analisis rangkaian lebih sederhana, karena dapat dianalisis secara pertahap
secra terpisah
* Kekurangan gandengan RC yaitu :
- Lebih banyak menggunakan komponen sehingga rangkaian menjadi lebih
rumit dan tidak ringkas
- Kurang ekonomis
- Hanya menguatkan isyarat AC
DAFTAR PUSTAKA

Sutrisno.1986. Elektronika Teori dan Penerapannya 1.Bandung: Penerbit ITB.

Yohannes, H.C.1979. Dasar-dasar Elektronika. Jakarta:Ghalia Indonesia.

Wahyunggoro, Oyas, 1998. Pengukuran Besaran Listrik. Yogyakarta: Diktat

bahan kuliah Jurusan Teknik Elektro Universitas Gadjah Mada.

http://www.google.com/ Penguat Gandengan RC