Tugas Elektronika Daya

oleh
Anggara Permana Putra (17310730017)
Semester V Kelas A1

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Pengertian IGBT

Transistor bipolar gerbang terisolasi atau IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Perangkat
semikonduktor daya tiga terminal yang digunakan sebagai sakelar Elektronik. IGBT merupakan
Pengembangan yang menghasilkan efisiensi tinggi dan switching cepat. Karena dirancang untuk
dihidupkan dan dimatikan dengan cepat, IGBT dapat mensintesis bentuk gelombang kompleks
dengan modulasi pulsa lebar dan filter low-pass, sehingga juga digunakan dalam mengalihkan
amplifier dalam Sound System dan sistem kontrol industri. Dalam pengalihan aplikasi, perangkat
modern memiliki tingkat pengulangan pulsa yang jauh ke kisaran frekuensi ultrasonik yang
setidaknya sepuluh kali frekuensi audio tertinggi yang ditangani perangkat saat digunakan sebagai
penguat audio analog.

Struktur IGBT

IGBT, Perangkat yang relatif baru dalam elektronika daya, sebelum munculnya IGBT, Power
MOSFET dan Power BJT umum digunakan dalam aplikasi elektronik daya. Kedua perangkat
memiliki beberapa Kelebihan dan Kerugian.

Struktur IGBT sangat mirip dengan PMOSFET, kecuali satu lapisan yang dikenal sebagai lapisan
injeksi yang P+ tidak seperti N+ substrat di PMOSFET. Lapisan Injeksi, Kunci untuk karakteristik
unggul IGBT. Lapisan lain disebut Drift.
Memiliki karakteristik switching yang sangat baik, impedansi input yang tinggi, PMOSFET yang
dikontrol tegangan, juga memiliki karakteristik konduksi yang buruk dan Diode Parasit yang
bermasalah pada peringkat yang lebih tinggi.

Kelebihan IGBT

Keuntungan utama menggunakan Insulated Gate Bipolar Transistor

atas jenis perangkat Transistor lainnya
➤ Kemampuan Tegangan Tinggi
➤ ON-Resistance Rendah
➤ Kecepatan Switching yang relatif cepat dan dikombinasikan dengan
Zero Gate Drive, menjadikannya pilihan untuk kecepatan sedang
➤ Aplikasi Tegangan Tnggi seperti Modulasi Lebar-Pulsa (PWM)
➤ Kontrol Kecepatan Variabel
➤ Pasokan Daya Mode Sakelar atau Inverter DC-AC bertenaga surya
➤ Aplikasi Konverter Frekuensi yang beroperasi rentang ratusan Kilohertz.

Kesederhanaan yang didorong "ON" dengan menerapkan tegangan gerbang positif, atau beralih
"OFF" dengan sinyal gerbang nol atau sedikit negatif yang memungkinkan untuk digunakan dalam
berbagai aplikasi. Di wilayah Aktif Linier untuk digunakan dalam Power Amplifier.

Ketahanan On-State yang rendah dan kerugian konduksi serta kemampuannya untuk beralih
tegangan tinggi pada frekuensi tinggi tanpa kerusakan membuat Insulated Gate Bipolar Transistor
ideal untuk menggerakkan beban induktif seperti Gulungan Kumparan, Elektromagnet dan Motor
DC.

Kekurangan IGBT

• Harganya lebih mahal dibanding transistor biasa, sehingga jarang dipakai dalam alat
elektronika rumah tangga.
 • Selain itu IGBT juga rentan rusak pada saat standby (tidak menghantar) apabila tegangan
pengendali (tegangan antara gate dengan source/emitor) hilang (=0v), maka IGBT bisa
jebol/short. Oleh sebab itu meskipun sedang tidak bekerja/menghantar input/gate IGBT
harus diberi tegangan standby sekitar 2 V

Diagram Sirkuit IGBT

Konstruksi Dasar dari transistor gerbang bipolar yang terisolasi, Rangkaian driver IGBT sederhana
dirancang menggunakan PNP dan NPN Transistor, JFET, MOSFET. Transistor JFET digunakan
untuk menghubungkan Kolektor Transistor NPN ke Basis Transistor PNP. Transistor menunjukkan
Thyristor Parasit untuk menciptakan Loop Umpan Balik Negatif.

Resistor RB menunjukkan terminal BE dari transistor NPN untuk mengkonfirmasi bahwa Thyristor
tidak terkunci, mengarah ke gerendel IGBT. Transistor menunjukkan struktur arus di antara dua sel
IGBT yang berdekatan. Memungkin kan MOSFET dan mendukung sebagian besar tegangan.
Simbol sirkuit IGBT, yang berisi tiga terminal yaitu emitor, gerbang dan kolektor.

IGBT terutama digunakan dalam aplikasi elektronika daya, seperti inverter, konverter dan catu
daya, adalah tuntutan perangkat switching solid state tidak sepenuhnya dipenuhi oleh bipolar
kekuasaan dan daya MOSFET.

Karakteristik IGBT

IGBT dapat digunakan dalam rangkaian penguat sinyal kecil sama seperti transistor tipe BJT atau
MOSFET. IGBT menggabungkan kerugian konduksi rendah BJT dengan kecepatan switching yang
tinggi, kekuatan MOSFET Saklar Solid State Optimal yang ideal digunakan dalam aplikasi
elektronika daya.
IGBT memiliki Resistansi "On-State" yang lebih rendah, Berarti I2R yang jatuh di struktur output
bipolar untuk arus switching yang diberikan jauh lebih rendah. Operasi pemblokiran maju transistor
IGBT identik dengan kekuatan MOSFET.
IGBT berubah "ON" atau "OFF" dengan mengaktifkan dan menonaktifkan terminal Gate-nya.
Menerapkan sinyal input tegangan positif melintasi Gerbang dan Emitor menjaga perangkat dalam
keadaan "AKTIF".

Membuat Sinyal Gerbang input Nol atau Negatif, akan menyebabkannya menjadi "NONAKTIF"
dengan cara yang sama seperti BJT atau MOSFET. Keuntungan IGBT, memiliki hambatan saluran
yang lebih rendah daripada MOSFET Standar.

Jenis IGBT

Terdapat 2 Jenis IGBT yang dibuat yaitu tanpa N+ buffer layer yang biasa disebut sebgai NPT
IGBTs (non Punch through). Sedangkan IGBT yang dibuat menggunakan N+ buffer layer disebut
sebagai PT IGBTs (Punch Through).

Keunggulan dari komponen yang menggunakan tambahan penyangga N+ pada buffer layer yaitu
akan semakin menambah kinerja dari IGBT.
 Kurva Karateristik V-I

• Kurva karateristik VI diambil untuk nilai yang berbeda dari Vge

• Ketika Vge > Vge (threhold) IGBT berubah On
• Dalam gambar ini Vge7 > Vge6 > Vge5 > Vge 4 > Vge 3 > Vge 2 > Vge 1
• Dengan menjaga Vge konstan, nilai Vce bervariasi dan nilai-nilai yang
• sesuai Ic yang tercatat
• Seperti yang terlihat pada karateristik VI dari IGBT mirip dengan BJT.

Karakteristik Switching IGBT

Waktu Mengaktifkan t-on terdiri dari dua komponen

➤ Waktu Tunda (tdn)
Waktu di mana Arus Kolektor naik dari ICE arus bocor ke 0,1 IC (Arus kolektor akhir) dan
tegangan emitor kolektor jatuh dari VCE ke 0,9 VCE.
➤ Waktu Naik (tr)
Waktu di mana arus kolektor naik dari 0,1 IC ke IC
dan tegangan emitor kolektor turun dari 0,9 VCE ke 0,1 VCE.

Waktu Mematikan toff terdiri dari tiga komponen

➤ Waktu Tunda (tdf)
Waktu ketika arus kolektor jatuh dari IC ke 0,9 IC dan VCE mulai naik.
 ➤ Waktu Jatuh Awal (tf1)
Waktu di mana arus kolektor jatuh dari 0,9 IC ke 0,2 IC
dan tegangan emitor kolektor naik menjadi 0,1 VCE.
➤ Waktu Jatuhnya Akhir (tf2)
Waktu di mana arus kolektor jatuh dari 0,2 IC ke 0,1 IC
dan 0,1VCE naik ke nilai akhir VCE.

Cara Kerja

Dari gambar diatas, IGBT memiliki 3 terminal dengan gabungan dari insulated N channel MOSFET
input dengan PNP bipolar transistor output yang dihubungkan dengan tipe configurasi darlington .
Sebagai keseluruhan di namakan sebagai : colector , emitter, dan gate.

Karena IGBT merupakan perangkat yang dikendalikan dengan kendali tegangan , maka hanya
dibutuhkan tegangan yang kecil untuk mengendalikan gate atau Vge > Vth untuk menentukan
kondisi On nya. Sehingga saat gate dalam kondisi High maka akan ada arus yang mengalir di Basis
pada transitor sehingga arus collector (Ic) akan mengalir ke emitter. Saat Gate diberikan Tidak
seperti BJT yang menggunakan arus sebagai pengendali untuk menuju ke kondisi saturasi. IGBT
juga merupakan perangkat searah ( undirectional device ), yang berarti hanya bisa dilalui oleh arus
forward yaitu arus dari collector ke emitter. Tidak seperti MOSFET yang merupakann perangkat
directional device yang memiliki kemampuan switching arus (dikontrol dalam arah maju dan tidak
terkendali di arah sebaliknya). Saat nilai Vge > Vth maka IGBT tersebut akan On daat arus dari
Collector ke Emitter akan mengalir ( Ic )

Aplikasi Komponen IGBT

IGBT untuk Konverter

Rangkaian Cycloconverter di mana tegangan AC 3 phasa disearahkan menjadi tegangan DC oleh

enam buah Diode. Selanjutnya sembilan buah IGBT membentuk konfigurasi yang akan
menghasilkan tegangan AC 3 phasa dengan tegangan dan frekuensi yang dapat diatur, dengan
mengatur waktu ON oleh generator PWM.

adapun beberapa aplikasi lainya dari igbt seperti AC drive, VSD, servo drive, vector drive, stepper
drive, bahkan sebagian besar power supply switching
Singkatnya pada prinsipnya dapat dibayangkan secara sederhana bahwa IGBT adalah perpaduan
antara MOSFET dengan BJT. Mosfet dipergunakan untuk mengendalikan operasi komponen
melalui tingkat tegangan pada kaki gate (bukan base). Sedangkan BJT dipakai sebagai pelaksana
pengendalian arus.

I. PROTEUS
II. LTSPICE
Gambar 7.
Gambar 8.
Gambar 9.

Gambar 10.
Gambar 11.
Gambar 12.
Gambar 13.
Gambar 14.
Gambar 15.
Gambar 16.
Gambar 17.
 Gambar 18.

Pada Gambar 18, dengan melakukan zooming terhadap tampilan kurva karakteristik maka kita bisa
melihat dengan lebih detail sehingga kita bisa melakukan skenario what-if dengan nilai tegangan
masukan pada gate yang berbeda-beda. Misalnya pada Gambar 18, diperlukan tegangan pada V2
setidaknya sekitar 10 V sehingga nilai VGE tidak berbeda jauh. Jika tegangan pada VGE jauh di
bawah 10 V maka nilai besar arus listrik yang dapat lewat tidak akan dapat mendekati nilai
maksimumnya dan nilai jatuh tegangan pada CE akan semakin besar yang mengakibatkan
keborosan penggunaan energi pada komponen penyakelar.
III. TINA-TI
Gambar 19.
Gambar 20.

Gambar 21.
 Gambar 22.

Gambar 22 menunjukkan bahwa berkaitan dengan disipasi daya (pengeluaran energi per satuan
waktu), saat kritis untuk penyakelaran ada pada saat crossing. Yaitu saat persimpangan arus dan
tegangan pada komponen semikonduktor penyakelar seperti IGBT. Saat itulah nilai power tertinggi
terjadi, yang menghasilkan panas pada komponen.