TUGAS-2 MATA KULIAH ELEKTRONIKA DAYA

SEMESTER GENAP 2016/2017

DISUSUN OLEH :

Pramudya Widyantoro [1452500174]

Silfani [1452500067]

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS BUDI LUHUR
2017
DEFINISI
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) merupakan komponen
elektronika daya yang memiliki karakteristik gabungan antara Transistor
MOSFET dan BJT, sehingga sangat ideal sebagai perangkat switching / saklar
pada industri.

SIMBOL IGBT

GAMBAR KOMPONEN

Kelebihan:

 IGBT memiliki impedansi input yang sangat tinggi sehingga tidak

membebani rangkaian pengendalinya (atau sering disebut rangkaian
driver).
 IGBT memiliki kecepatan pensaklaran/frekuensi kerja yang lebih tinggi
dibanding transistor lainnya. Oleh sebab itulah IGBT sering digunakan
dalam driver (alat penggerak motor) yang membutuhkan arus yang besar
dan beroperasi di tegangan tinggi, karena memiliki efisiensi yang lebih
baik dibanding jenis transistor lainnya.
 Bagian output IGBT memiliki tahanan yang sangat besar saat tidak
menghantarkan arus, sehingga arus yang mengalirnya sangat kecil.
 Sedangkan saat menghantarkan arus, memiliki tahanan yang sangat kecil.
Sehingga berfungsi sebagai sebuah saklar.

Kekurangan

 Harganya lebih mahal dibanding transistor biasa, sehingga jarang dipakai

dalam alat elektronika rumah tangga.

 Selain itu IGBT juga rentan rusak pada saat standby (tidak menghantar)
apabila tegangan pengendali (tegangan antara gate dengan source/emitor)
hilang (=0v), maka IGBT bisa jebol/short. Oleh sebab itu meskipun sedang
tidak bekerja/menghantar input/gate IGBT harus diberi tegangan standby
sekitar 2 V

Karakteristik IGBT

Struktur lapisan IGBT seperti gambar di atas,hampir sama seperti pada struktur
power MOSFET kecuali ada tambahan P+ atau injecting layer . Dari gambar
diatas N+ yang berada di paling atas disebut sebagai Emitter , serta ada juga Gate
dan di layer yang paling bawah disebut sebagai colector . IGBT tersusun sperti
tyhristor yang terdiri dari P+ dan N- yang disusun secara empat lapis atau lima
tergantung jenis nya. Ada dua tipe yaitu tipe N dan tipe P.

Tipe N Tipe P
JENIS IGBT
Terdapat 2 Jenis IGBT yang dibuat yaitu tanpa N+ buffer layer yang biasa disebut
sebgai NPT IGBTs (non Punch through). Sedangkan IGBT yang dibuat
menggunakan N+ buffer layer disebut sebagai PT IGBTs (Punch Through).

Keunggulan dari komponen yang menggunakan tambahan penyangga N+ pada

buffer layer yaitu akan semakin menambah kinerja dari IGBT.

Kurva Karateristik V-I

 Kurva karateristik VI diambil untuk nilai yang berbeda dari Vge

 Ketika Vge > Vge (threhold) IGBT berubah On
 Dalam gambar ini Vge7 > Vge6 > Vge5 > Vge 4 > Vge 3 > Vge 2 > Vge 1
 Dengan menjaga Vge konstan, nilai Vce bervariasi dan nilai-nilai yang
sesuai Ic yang tercatat
 Seperti yang terlihat pada karateristik VI dari IGBT mirip dengan BJT.
CARA KERJA

Dari gambar diatas, IGBT memiliki 3 terminal dengan gabungan dari insulated N
channel MOSFET input dengan PNP bipolar transistor output yang dihubungkan
dengan tipe configurasi darlington . Sebagai keseluruhan di namakan sebagai :
colector , emitter, dan gate.
Karena IGBT merupakan perangkat yang dikendalikan dengan kendali tegangan ,
maka hanya dibutuhkan tegangan yang kecil untuk mengendalikan gate atau Vge
> Vth untuk menentukan kondisi On nya. Sehingga saat gate dalam kondisi High
maka akan ada arus yang mengalir di Basis pada transitor sehingga arus collector
(Ic) akan mengalir ke emitter. Saat Gate diberikan Tidak seperti BJT yang
menggunakan arus sebagai pengendali untuk menuju ke kondisi saturasi. IGBT
juga merupakan perangkat searah ( undirectional device ), yang berarti hanya bisa
dilalui oleh arus forward yaitu arus dari collector ke emitter. Tidak seperti
MOSFET yang merupakann perangkat directional device yang memiliki
kemampuan switching arus (dikontrol dalam arah maju dan tidak terkendali di
arah sebaliknya). Saat nilai Vge > Vth maka IGBT tersebut akan On daat arus dari
Collector ke Emitter akan mengalir ( Ic )
APLIKASI IGBT
Driver motor AC
 Diagram Blok Sistem

 Electrical Circuit