IGBT

(Insulated Gate Bipolar Transistor)

Nama : Anindya Puspita Budiariani

NRP : 2322600004
Kelas : 1 D4 ELIN A
Dosen : Renny Rakhmawati, S.ST, M.T

Sesuai dengan namanyan, IGBT merupakan salah satu jenis dari transistor.
Dapat dikatakan IGBT ini merupakan persilangan antara BJT dan MOSFET,
sehingga IGBT memiliki impedansi input yang tinggi dan switching dengan
kecepatan tinggi seperti MOSFET. Selain itu, IGBT juga memiliki tegangan saturasi
rendah seperti halnya BJT. Oleh karena itu, IGBT dapat digunakan dalam alat
penggerak motor dan juga bisa digunakan sebagai inverter.
Rangkaian IGBT

Terminal gate dari IGBT sebagai terminal kendali memiliki struktur isolator
sebagai mana pada MOSFET, sedangkan terminal source dari MOSFET terhubung
ke terminal basis dari BJT dengan demikian arus drain keluar dari MOSFTE akan
menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya tahanan masuk dari MOSFET maka
terminal input IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain
arus drain sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat
BJT mencapai keadaan saturasi. Dengan gabungan kedua sifat elemen tersebut IGBT
mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai saklar elektronik.
Struktur dan Cara Kerja IGBT
 Ketika kolektor diberi sumber positif dan dihubungkan dengan emitter, IGBT
menjadi bias maju. Dua persimpangan antara lapisan N- dan daerah P dibias mundur
juga tidak ada tegangan antara gerbang dan emitter jadi tidak akan ada aliran arus
karena junction J2 memblokir semuanya. Ketika gate diberikan tegangan positif dan
dihubungkan dengan emitter, lapisan inversi N chanel terbentuk di bagian atas tepat
dibagian bawah terminal gate dan akan terjadi hubung singkat antara lapisan N minus
dan N plus. Jadi sekarang electron dari N+ emitter mulai mengalir ke daerah N drift
melalui Ndrift chanel.
Karakteristik IGBT
 Terminal masukan IGBT memiliki impedansi yang sangat tinggi
 Kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi disbanding device BJT
 Ron IGBT sangat kecil hamper menyerupai BJT
 Cocok dioperasikan pada arus yang besar tanpa terjadi kerugian daya yang
cukup berarti

Kurva Karakteristik IGBT

Pada daerah cut off ini Vin IGBT = 0, sehingga tidak ada arus kolektor yang
mengalir. Kondisi ini akan membuat Vce = Vcc. Dengan demikian pada
daera cut off ini IGBT dikatakan off atau tidak bekerja. Daerah kerja
transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus Ic konstan
terhadap berapapun nilai Vce, daerah kerja ini biasa juga disebut dengan
daerah linier. Kondisi ini dapat diperoleh dengan memberikan Vin gate yang
lebih tinggi daripada Vth dengan cara menghubungkan terminal input keV dd
sehingga IGBT menjadi saturasi dan dapat dianalogikan sebagai saklar pada
rangkaian tertutup.
Aplikasi pada IGBT
 Link youtube :
https://www.youtube.com/watch?v=OwXoq2WBxLo