IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

IGBT atau Transistor dwikutub gerbang-terisolasi adalah piranti semikonduktor

merupakan gabungan antara BJT dan MOSFET. Biasa berfungsi sebagai komponen
saklar untuk sebuah aplikasi daya. IGBT merupakan komponen utama yang aplikasinya
ada pada AC drive, seperti Inverter, VSD, servo drive, vector drive, stepper drive,
bahkan sebagian besar power supply switching menggunakan komponen ini.
Tetapi bukan berarti komponen ini hanya berlaku untuk teknisi yang bergerak pd bidang
elektronika industri saja, jika anda saat ini bergelut dengan reparasi TV PDP (Plasma
Display Panel), maka anda pun saat ini akan sering mendapatkan komponen IGBT ini
dalamnya. Banyak teknisi TV yang menyangka IGBT ini sama dengan MOSFET karena
bentuk fisiknya menyerupai Mosfet. padahal sebenarnya berbeda, tetapi cara
pengukuran komponennya hampir sama seperti kita mengukur sebuah MOSFET.

IGBT merupakan gabungan antara MOSFET dengan Transistor-bipolar seperti terlihat

pada gambar, dan kaki-kakinya dinamakan G (gate), C (collector) dan E (emitor).
Bedanya dengan transistor, IGBT memiliki impedansi input yang sangat tinggi sehingga
tidak membebani rangkaian pengendalinya (atau sering disebut rangkaian
driver).Kemudian disisi output, IGBT memiliki tahanan yang sangat besar pada saat
tidak menghantar, sehingga arus bocor sangat kecil. Sebaliknya pada saat menghantar,
tahanan pensaklaran sangat kecil, mengakibatkan tegangan jatuh (voltage drop) lebih
kecil daripada transistor umumnya.
Disamping itu, IGBT memiliki kecepatan pensaklaran/frekuensi kerja yang lebih tinggi
dibanding transistor lainnya. Oleh sebab itulah mengapa IGBT sering digunakan dalam

driver (alat penggerak motor) yang membutuhkan arus yang besar dan beroperasi di
tegangan tinggi, karena memiliki efisiensi yang lebih baik dibanding jenis transistor
lainnya.
Selain memiliki kelebihan seperti diatas, IGBT juga memiliki kekurangan. Diantaranya,
harganya lebih mahal dibanding transistor biasa, sehingga jarang dipakai dalam alat
elektronika rumah tangga. Berbeda dengan driver penggerak motor listrik yang
membutuhkan arus besar hingga ratusan bahkan ribuan ampere.
Selain itu IGBT juga rentan rusak pada saat standby (tidak menghantar) apabila
tegangan pengendali (tegangan antara gate dengan source/emitor) hilang(=0v), maka
IGBT bisa jebol/short. Oleh sebab itu meskipun sedang tidak bekerja/menghantar
input/gate IGBT harus diberi tegangan standby sekitar 2-15V tergantung spesifikasi
IGBT.
Sedangkan untuk jumlah kaki, pada dasarnya IGBT memiliki jumlah kaki sama dengan
transistor yakni 3 kaki. Terdiri dari gate, di transistor disebut basis, lalu drain atau sering
disebut collector pada transistor, dan terakhir source atau sering disebut emitor. Seperti
gambar di atas, yang pertama IGBT sedang yang kedua transistor yang biasa kita
temui.
IGBT memiliki 2 type, kalau di transistor ada NPN dan PNP, maka di IGBT ada tipe N
dan tipe P. Selain dalam bentuk satuan IGBT juga sering dibentuk dalam 1 pack berisi
2,3,6,12 Pieces. Sehingga memudahkan dalam pemasangan/tidak perlu repot
memasang satu per satu, serta irit tempat, karena lebih kecil dibanding harus
memasang satu persatu
Perbedaan Power Bipolar-transistor, MOSFET, dan IGBT ?
* Transistor-bipolar membutuhkan arus yang besar untuk mendrive Basis atau berarti
daya (watt) yang besar, mempunyai slow turn-off sehingga hanya dapat bekerja pada
frekwensi terbatas, mudah panas (thermal runaway).
* MOSFET hampir tidak membutuhkan arus untuk mendrive Gate (hanya membutuhkan
tegangan), tidak mudah panas, mampu bekerja pada frekwensi yang lebih tinggi.
* IGBT mempunyai karakteristik gabungan antara MOSFET dengan Transistor-bipolar.
IGBT umumnya mempunyai kamampuan arus yang lebih besar dibanding dengan
MOSFET maupun Transistor-bipolar. Sebagai contoh transistor-bipolar C6090 hanya
mampu dilalui arus yang berbentuk pulsa maskimum 25A, maka IGBT G30N60D
mampu dilalui arus pulsa maksimum hingga 160A

Cara Pengecekan/ Pengukuran IGBT

Untuk pengukuran/pengecekannya dapat kita gunakan multimeter analog. Sedikit
berbeda dengan mengecek transistor, kalau di transistor ada 2 arah dioda, yakni antara
basis terhadap emitor dan basis terhadap collector, di IGBT tidak ada. Seperti yang kita
lihat pada symbol pd gambar, antara gate terhadap drain dan source terdapat penyekat
atau insulated. Meskipun demikian, di IGBT kalau kita ukur pakai multimeter tetap ada
arah diodanya karena antara source dan drain ada dioda pengaman, apabila drain
terhadap source dibolak balik short, berarti IGBT rusak. Sedang untuk mengetes
kemampuan pensaklarannya (bias pada transistor, peng-gate-an pada IGBT) dapat kita
gunakan multimeter analog dengan posisi ohmmeter x10K. Setelah kita ketahui arah
dioda antara drain dan source(forward), kita balik posisi probe(jika sebelumnya drain
dapat merah dan source dapat hitam, kita balik drain dapat hitam, source dapat merah).
Lalu kalau jarum pada multimeter tidak menyimpang(menunjuk nilai tak terhingga)
berarti Normal / OK. Kalau menunjuk nilai tertentu coba pindahkan sebentar probe pada
source(merah) ke pin gate lalu kembalikan lagi ke source dengan kondisi probe satunya
lagi masih menempel di pin drain, lalu lihat jarum multimeter, kalau menunjuk nilai tak
terhingga(tidak menyimpang) berarti Ok, kalau masih menyimpang berarti bocor.
Apabila bagus coba kita tes gate, masih pada posisi probe awal(posisi reverse arah
dioda source-drain) kita pindah sebentar probe hitam pada drain ke gate lalu kita
kembalikan lagi ke drain dimana probe merah masih menempel pada source, apabila
jarum menyimpang mengarah ke 0 ohm berarti OK, dan perlu diketahui bahwa
meskipun kita melepas semua probe lalu ditempelkan lagi, posisi jarum menyimpan ini
akan terus bertahan. Lalu cara untuk mengembalikan ke posisi tak
terhingga(mengkosongkan) dengan cara memindah sebentar probe merah pada source
ke gate, maka akan kita dapatkan jarum menunjuk ke nilai tak terhingga lagi.