ELEKTRONIKA DAYA

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Disusun oleh :
1. ILHAM FARIZI ALMADANI (17050874001)
2. NOFIANTO SUGIARTO (17050874028)

UNIVERSITAS NEGERI SURABAYA

FAKULTAS TEKNIK
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
S1 TEKNIK ELEKTRO
2019
 KATA PENGANTAR

Segala puji penulis ucapkan ke hadirat Tuhan Yang Maha Esa karena dengan
segala Rahmat dan BerkatNya penulis bisa menyusun Makalah Tentang IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor) sebagai mata kuliah yang harus diselesaikan
oleh Mahasiswa. Penulis tidak lupa mengucapkan trimakasih pada Dosen yang
mengajari penulis guna menjalankan proses pembelajaran sampai selesai dengan
baik.
Matlab merupakan pengimplementasian praktik untuk menerapakan teori yang
sudah dipelajari dalam mata kuliah Elektronika Daya. Tentunya ilmu yang akan
didapatkan dalam pelajaran ini akan lebih bertambah besar dan lebih berkembang
jika pelajaran matlab ini dilaksanakan dengan baik. Kesungguhan dan ketertiban
dalam melakukan belajar matlab merupakan prasyarat utama untuk mencapai
keberhasilan dalam pembahasan lebih dalam.
Penulis juga berharap bahwa susunan jurnal ini dapat menjadi pedoman bagi
semua orang guna menambah ilmu dan wawasan yang luas guna memenuhi
kemampuan akademik yang memiliki sumber daya manusia serta berguna bagi
kita sebagai bekal masa depan. Penulis menyadari bahwa susunan makalah ini
masih jauh dalam bentuk yang sempurna, dengan kerendahan hati saya hanya bisa
meminta kritikan maupun saran dari para pembaca.

Surabaya, 16 Oktober 2019

Penulis

ii
 DAFTAR ISI

Kata Pengantar.....................................................................................II

Daftar Isi.............................................................................................III

BAB I: Pendahuluan.............................................................................1

1.1 Latar Belakang................................................................1

1.2 Rumusan Masalah............................................................1

1.3 Tujuan............................................................................2

BAB II: Isi......................................................................................................3

2.1 Pengertian IGBT......................................................................3

2.2 Karakteristik IGBT..........................................................3

2.2.1 Struktur IGBT......................................................5

2.2.2 Sifat IGBT...........................................................5
2.2.3 Kelebihan dan Kekurangan IGBT...........................6

2.3 Cara Kerja IGBT ...................................................................7

BAB III: Penutup.................................................................................9

3.1 Kesimpulan.....................................................................9

3.2 Saran..............................................................................9

iii
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Perkembangan ilmu pengetahuan semakin pesat di era yang modern

ini. Teknologi dan alat – alat elektronik semakin canggih. Kemajuan teknologi
dan alat – lat elektronik dipengaruhi oleh sumber daya manusia yang cerdas
dan komponen – komponen yang menyusunnya. Banyak kita jumpai
komponen elektronika pada alat elektronik yang canggih salah satunya IGBT
(Insulted Gate Bipolar Transistor) yang berfungsi sebagai switching atau
pengubah.
Komponen IGBT banyak dipakai di alat elektronik seperti TV
Plasma, Inverter, Servo Drive, dll. Selain itu IGBT banyak dijumpai pada
mesin – mesin pabrik. Karena karakteristiknya arus dan tegangannya yang
tinggi sehingga sesuai dengan mesin pabrik yang rata – rata membutuhkan
arus dan tegangan yang tinggi. Pada masyarakat umumnya banyak yang
mengira bahwa IGBT adalah MOSFET karena bentuk fisiknya menyerupai
Mosfet. padahal sebenarnya berbeda, tetapi cara pengukuran komponennya
hampir sama seperti kita mengukur sebuah MOSFET. IGBT merupakan
gabungan antara MOSFET dengan Transistor-bipolar seperti terlihat pada
gambar, dan kaki-kakinya dinamakan G (gate), C (collector) dan E (emitor).
Bedanya dengan transistor, IGBT memiliki impedansi input yang sangat tinggi
sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya (atau sering disebut
rangkaian driver).

1.2 Rumusan Masalah

1. Apa yang dimaksud dengan IGBT (Insulted Gate Bipolar Transistor) ?
2. Bagaimana Karakteristik IBGT (Insulted Gate Bipolar Transistor) ?
3. Bagaimana cara kerja IGBT (Insulted Gate Bipolar Transistor) ?

1.3 Tujuan

1
1. Untuk mengetahui pengertian IGBT (Insulted Gate Bipolar Transistor) ?
2. Untuk mengetahui karakteristik IGBT (Insulted Gate Bipolar Transistor) ?
3. Untuk mengetahui cara kerja IGBT (Insulted Gate Bipolar Transistor) ?

2
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Pengertian IGBT

IGBT atau Transistor dwikutub gerbang-terisolasi adalah piranti
semikonduktor merupakan gabungan antara BJT dan MOSFET. Biasa
berfungsi sebagai komponen saklar untuk sebuah aplikasi daya. IGBT
merupakan komponen utama yang aplikasinya ada pada AC drive, seperti
Inverter, VSD, servo drive, vector drive, stepper drive, bahkan sebagian besar
power supply switching menggunakan komponen ini.

Gambar 1.1 Simbol umum IGBT

IGBT merupakan gabungan antara MOSFET dengan Transistor-

bipolar seperti terlihat pada gambar, dan kaki-kakinya dinamakan G (gate), C
(collector) dan E (emitor). Bedanya dengan transistor, IGBT memiliki
impedansi input yang sangat tinggi sehingga tidak membebani rangkaian
pengendalinya (atau sering disebut rangkaian driver). Kemudian disisi output,
IGBT memiliki tahanan(Roff) yang sangat besar pada saat tidak menghantar,
sehingga arus bocor sangat kecil. Sebaliknya pada saat menghantar, tahanan
pensaklaran (Ron) sangat kecil, mengakibatkan tegangan jatuh (voltage drop)
lebih kecil daripada transistor pada umumnya.

2.2 Karakteristik IGBT

Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti yang
menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di
atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang

3
 menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Saluran
gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan
penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET.
Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET, sedang
terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT.
Dengan demikian, arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus
basis dari BJT. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET, maka
terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di
pihak lain, arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar
untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh. Dengan gabungan sifat kedua
unsur tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai
sebuah saklar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani
sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik
yang dikendalikannya. Terminal masukan IGBT mempunyai
nilai impedansi yang sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian
pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan
menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT.
Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi
dibandingkan peranti BJT, meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang
setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang
menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. Dengan kata lain, pada
saat keadaan menghantar, nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil,
menyerupai ( Ron) pada BJT. Dengan demikian bila tegangan jatuh serta
borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat
seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga
ratusan Ampere, tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. IGBT sesuai
untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor
Listrik (Drive).

2.2.1 Struktur IGBT

IGBT memiliki 2 type, kalau di transistor ada NPN dan PNP, maka
di IGBT ada tipe N dan tipe P. Selain dalam bentuk satuan IGBT juga sering

4
 dibentuk dalam 1 pack berisi 2,3,6,12 Pieces. Sehingga memudahkan dalam
pemasangan. IGBT mempunyai struktur gabungan antara MOSFET dengan
Transistor-bipolar. IGBT umumnya mempunyai kamampuan arus yang lebih
besar dibanding dengan MOSFET maupun Transistor-bipolar.
Transistor-bipolar = membutuhkan “arus” yang besar untuk mendrive Basis
atau berarti daya (watt) yang besar, mempunyai “slow turn-off” sehingga
hanya dapat bekerja pada frekuensi terbatas, mudah panas (thermal runaway).
MOSFET = hampir tidak membutuhkan arus untuk mendrive Gate (hanya
membutuhkan tegangan), tidak mudah panas, mampu bekerja pada frekwensi
yang lebih tinggi.
Sebagai contoh transistor-bipolar C6090 hanya mampu dilalui arus
yang berbentuk pulsa maskimum 25A, maka IGBT G30N60D mampu dilalui
arus pulsa maksimum hingga 160A.

Gambar 2.1 Struktur dan simbol IGBT tipe P dan tipe N

2.2.2 Sifat IGBT

Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini
adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan
peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT), transistor efek
medan (FET), maupun Thyristor. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan
elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
1. pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang
besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor
struktur saklar sangat kecil

5
2. Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai
tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai
tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin,
demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi, dan kecepatan
pensaklaran yang tinggi.
 Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis
peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan
semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang
sangat kecil.
 Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan
jatuh pada terminal kolektor-emitor, VCE pada keadaan menghantar (on)
dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam
keadaan jenuh.
 Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran,
MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai peranti yang bekerja
berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas, pada MOSFET tidak
dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses
pensaklaran, yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut.

2.2.3 Kelebihan dan kekurangan IGBT

Kelebihan dan kelemahan komponen IGBT. Kelebihan dari komponen IGBT
adalah sebagai berikut :
 Bagian output IGBT memiliki tahanan yang sangat besar saat tidak
menghantarkan arus.
 Memiliki tahanan yang sangat kecil ketika arus mengalir, sehingga bisa
digunakan sebagai saklar.
 Memiliki kecepatan dan frekuensi yang tinggi, digunakan untuk
pengendali alat penggerak motor

Kelemahan dari komponen IGBT adalah sebagai berikut :

 Harga komponen tersebut mahal
 Rangkaian IGBT tetap disupply tegangan sebesar 2 Volt walaupun dalam
keadaan standby.

6
  Jarang dipakai pada alat elektronik rumah tangga karena karakteristik
penghantar arusnya tinggi yang tidak sesuai dengan kebutuhan rumah
tangga.

2.1 Cara kerja IGBT

Gambar 2.2 Cara kerja IGBT

Dari gambar diatas, IGBT memiliki 3 terminal dengan gabungan dari

insulated N channel MOSFET input dengan PNP bipolar transistor output yang
dihubungkan dengan tipe configurasi darlington . Sebagai keseluruhan di
namakan sebagai : colector , emitter, dan gate.
Karena IGBT merupakan perangkat yang dikendalikan dengan
kendali tegangan , maka hanya dibutuhkan tegangan yang kecil untuk
mengendalikan gate atau Vge > Vth untuk menentukan kondisi On nya. Sehingga
saat gate dalam kondisi High maka akan ada arus yang mengalir di Basis pada
transitor sehingga arus collector (Ic) akan mengalir ke emitter. Saat Gate diberikan

7
Tidak seperti BJT yang menggunakan arus sebagai pengendali untuk menuju ke
kondisi saturasi. IGBT juga merupakan perangkat searah ( undirectional device ),
yang berarti hanya bisa dilalui oleh arus forward yaitu arus dari collector ke
emitter. Tidak seperti MOSFET yang merupakann perangkat directional device
yang memiliki kemampuan switching arus (dikontrol dalam arah maju dan tidak
terkendali di arah sebaliknya). Saat nilai Vge > Vth maka IGBT tersebut akan On
daat arus dari Collector ke Emitter akan mengalir ( Ic ).

BAB III

8
 PENUTUP
3.1 Kesimpulan
 IGBT atau Transistor dwikutub gerbang-terisolasi adalah piranti
semikonduktor merupakan gabungan antara BJT dan MOSFET. Biasa
berfungsi sebagai komponen saklar untuk sebuah aplikasi daya.
 IGBT memiliki 2 type, kalau di transistor ada NPN dan PNP, maka di
IGBT ada tipe N dan tipe P. Selain dalam bentuk satuan IGBT juga sering
dibentuk dalam 1 pack berisi 2,3,6,12 Pieces. Sehingga memudahkan
dalam pemasangan.
 Sifat IGBT sendiri
- pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan
yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga.
- Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai
tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin.
3.2 Saran
Menyadari bahwa penulis masih jauh dari kata sempurna, kedepannya penulis
akan lebih fokus dan details dalam menjelaskan laporan sementara di atas
dengan sumber-sumber dan hasil yang dapat dipertanggung jawabkan.

9
 DAFTAR PUSTAKA

H. Rasyid, Muhammad. 1999. Elektronika daya (jilid 1). Jakarta: PT prehallindo

Widyantoro, Pramudya. 2017. Makalah IGBT

(https://www.academia.edu/32669169/IGBT_Insulated_Gate_Bipolar_T
ransistor_).
Diakses pada tanggal 16 oktober 2019

Wikikomponen, pengertian definisi dan apikasi IGBT dalam elektronik

(https://www.wikikomponen.com/pengertian-definisi-dan-aplikasi-igbt-

dalam-elektronik/). Diakses pada tanggal 16 oktober 2019

Wikipedia, IGBT (https://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_dwikutub_gerbang-

terisolasi).
Diakses pada tanggal 16 oktober 2019

10