KEMENTERIAN PERHUBUNGAN

BADAN PENGEMBANGAN SDM PERHUBUNGAN

SEKOLAH TINGGI ILMU PELAYARAN

LAPORAN PRAKTIKUM
Insulated Gate Bipolar Transistor

Disusun Oleh :
Tommy Ardiansyah
NRP: 561 189823 /T

PROGRAM PENDIDIKAN DIPLOMA IV

JAKARTA
2022
A. Tujuan Praktikum

Mampu memahami karakteristik IGBT

B. Teori Dasar

IGBT adalah kependekan dari Insulated Gate Bipolar Transistor, kombinasi

dari Bipolar Junction Transistor (BJT) dan Metal oxide Field effect transistor (MOS-
FET). Ini adalah perangkat semikonduktor yang digunakan untuk mengalihkan
aplikasi terkait.

Karena IGBT adalah kombinasi MOSFET dan Transistor, IGBT memiliki

kelebihan dari kedua transistor dan MOSFET. MOSFET memiliki keunggulan
kecepatan switching tinggi dengan impedansi tinggi dan di sisi lain BJT memiliki
keunggulan gain tinggi dan tegangan saturasi rendah, keduanya terdapat pada
transistor IGBT. IGBT adalah semikonduktor terkontrol tegangan yang
memungkinkan arus emitor kolektor besar dengan penggerak arus gerbang hampir
nol.

Seperti yang telah dibahas, IGBT memiliki kelebihan dari MOSFET dan BJT,
IGBT memiliki gerbang berinsulasi yang sama seperti MOSFET pada umumnya dan
karakteristik transfer keluaran yang sama. Meskipun, BJT adalah perangkat yang
dikontrol arus tetapi untuk IGBT, kontrolnya bergantung pada MOSFET, sehingga ini
adalah perangkat yang dikontrol tegangan, setara dengan MOSFET standar.

Penerapan IGBT:

IGBT terutama digunakan dalam aplikasi yang berhubungan dengan Daya. BJT daya
standar memiliki sifat respons yang sangat lambat sedangkan MOSFET cocok untuk
aplikasi pengalihan cepat, tetapi MOSFET adalah pilihan yang mahal di mana
diperlukan peringkat arus yang lebih tinggi. IGBT cocok untuk mengganti BJT daya
dan MOSFET Daya.

Selain itu, IGBT menawarkan resistansi 'ON' yang lebih rendah dibandingkan dengan
BJT dan karena properti ini, IGBT menjadi hemat termal dalam aplikasi yang
berhubungan dengan daya tinggi.

Aplikasi IGBT sangat luas di bidang elektronik. Karena resistansi rendah, Peringkat
arus sangat tinggi, kecepatan switching tinggi, drive gerbang nol, IGBT digunakan
dalam kontrol motor daya tinggi, Inverter, catu daya mode aktif dengan area konversi
frekuensi tinggi.

C. Alat dan Bahan

D. Langkah Kerja
E. Kesimpulan

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Efect Transistor) maupun IGBT

(Insulated Gate Bipolar Transistor), keduanya merupakan piranti atau komponen aktif
pokok yang kini banyak digunakan dalam bidang Elektronika Daya; yakni UPS
(Uninterruptible Power Supply), dan sistem pengendali daya/motor-motor besar di
bidang industri. Sebelum adanya kemajuan kinerja Power MOSFET, switching device
dulunya memang didominasi oleh BJT (bipolar junction transistor), dan SCR yang
sulit untuk dimatikan (turn-off) dan lambat, barulah dikembangkan MOSFET, dan
berikutnya IGBT. Sebelum Mosfet dan IGBT, MCT (MOS-Controlled Thyristor),
yang saat itu merupakan semikonduktor yang memiliki kinerja terbaik untuk daya
tinggi dan tegangan tinggi, tetapi kenyataannya tak pernah menjadi populer. Kini
pabrik-pabrik semikonduktor terus mengembangkan kedua piranti tersebut di atas
menuju peningkatan dalam hal mempertinggi tegangan dadal (breakdown voltage),
memperbesar kemampuan arusnya, dan memperkecil rugi penyakelaran atau
peralihannya . IGBT memang telah muncul sebagai pesaing bagi Power MOSFET
konvensional yang beroperasi pada tegangan tinggi dan rugi konduksi yang rendah.
IGBT terus diupayakan kemampuannya agar setara dengan transistor daya bipolar,
baik yang bekerja pada tegangan menengah maupun tegangan tinggi shg
penggunaannya untuk rentang yang luas di bidang elektronika daya, tempat yang
semula didominasi oleh power MOSFET dan transistor bipolar.