Elektronika Dasar - 3

Transistor Bipolar
BJT
Bipolar Junction Transistor

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 1

 SAP

bentuk fisik transistor NPN dan PNP

injeksi mayoritas dari emiter, lebar daerah base, rekomendasi hole-elektron,
efisiensi emitter
persamaan arus tegangan pada transistor dengan kurva arus tegangan
karakteristik transistor dengan kurva arus tegangan
faktor penguatan arus dan tegangan
konfigurasi common emitter, common base dan common collector
daerah operas: aktif, cutoff dan saturasi dan aplikasinya
tegangan-tegangan pada pada dioda B/E dan dioda B/C, dan hubungan arus
collector dan arus base pada ketiga daerah operasi
jenis-jenis pemberian prategangan: bias tetap, emiter bias, voltage divder, dc bias
dengan feedback tegangan, prategangan yang lain
analisa garis beban untuk menentukan titik kerja
efek perubahan temperatur terhadap parameter transistor
menentukan stabilitas transistor untuk berbagai konfigurasi prategangan
Rangkaian gerbang logika dengan menggunakan transistor

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 2

 BJT
Bipolar Junction Transistor
Selama tahun 1904 1947 vacuum tube
digunakan sebagai komponen elektronika
Pada akhir 1947 ditemukan transistor sebagai
pengganti dari vacuum tube
Transistor tersusun atas tiga buah lapisan
semikonduktor (tipe-n dan tipe-p)
Transistor bipolar (BJT)
NPN (contohnya tipe 2N3904)
PNP (contohnya tipe 2N3906)

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 3

 Lambang BJT

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 4

 Struktur Fisik BJT

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 5

 Transistor PNP

Bagian junction Base-Emitter reverse bias

Bagian junction Base-Collector forward bias

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 6

 Transistor NPN

Bagian junction Base-Emitter forward bias

Bagian junction Base-Collector reverse bias

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 7

 Aliran Arus pada BJT

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 8

 Common Base Configuration

Base (basis) dihubungkan bersama ke bagian

input dan output dari transistor
Biasanya base dihubungkan ke ground

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 9

 Common Base Configuration
PNP dan NPN

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 10

 Kurva Karakteristik
Common Base Configuration

Aktif
Saturation

Cutoff
Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 11
 Kurva Karakteristik
Common Base Configuration
Pada Active Region, collector-base
mengalami reverse bias, sementara base-
emitter mengalami forward bias
Pada Cuttoff Region, collector-base dan
base-emitter mengalami reverse bias
Pada Saturation Region, collector-base dan
base-emitter mengalami forward bias

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 12

 Alpha ( )
Dalam analisa DC, besarnya arus berkaitan
dengan besarnya arus yang diakibatkan
adanya pembawa mayoritas
Hubungan ini disebut dengan alpha ( )

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 13

 Common Emitter Configuration

Emitter dihubungkan bersama ke bagian input

dan output dari transistor
Biasanya emitter terhubung ke ground

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 14

 Common Emitter Configuration
PNP dan NPN

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 15

 Kurva Karakteristik
Common Emitter Configuration

Aktif
Saturation

Cutoff
Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 16
 Kurva Karakteristik
Common Emitter Configuration
Pada Active Region, collector-base
mengalami reverse bias, sementara base-
emitter mengalami forward bias
Pada Cuttoff Region, collector-base dan
base-emitter mengalami reverse bias
Pada Saturation Region, collector-base dan
base-emitter mengalami forward bias

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 17

 Beta ( )
Dalam analisa DC, besarnya arus dan
direlasikan dengan sebutan beta ( )
Dalam datasheet, biasa dituliskan sebagai
.

=

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 18

 Hubungan antara dan

= +1

= 1
= ( + 1)

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 19

 Common Collector Configuration

Collector dihubungkan bersama ke input dan

output dari transistor
Mempunyai input impedance yang tinggi dan
output impedance yang rendah

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 20

 Common Collector Configuration
PNP dan NPN

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 21

 Rangkuman Common

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 22

 Rangkaian Transistor Linier

Rangkaian transistor linier beroperasi pada :

Dioda emitter di bias forward
Dioda kolektor dibias reverse

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 23

 Pembiasan BJT

Tujuannya untuk menentukan titik kerja transistor

Analisa rangkaian elektronik mempunyai 2 komponen
Analisa DC
untuk menetapkan titik operasi dari transistor dengan jalan mengatur
besarnya arus dan tegangan
Analisa AC
penguatan tegangan dan arus, impedansi input dan output

= 0.7
= + 1
=

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 24

 Daerah Kerja (Titik Operasi ) pada transistor

Daerah aktif
Daerah saturasi
Daerah cutoff

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 25

 Rangkaian Fixed Bias

C
B

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 26

 Rangkaian Fixed Bias

Sederhanakan menjadi rangkaian ekivalen DC :

C
B

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 27

 Rangkaian Fixed Bias
Forward Bias pada Basis Emiter
Menggunakan hukum Krichoff Tegangan pada loop B-E
+ = 0
+ = 0

=
C
Catt : = 0.7 V B
Karena dan bernilai tetap, maka E
Arus basis dapat diatur dengan memilih nilai
untuk operasi yang diinginkan

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 28

 Rangkaian Fixed Bias
Loop Kolektor Emitter
Menggunakan hukum kirchoff tegangan pada loop C-E
Nilai arus pada kolektor berhubungan
=
Dengan dimana
+ = 0
+ = 0 C
= B

E
=
=
Karena = 0, maka =

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 29

 Rangkaian Fixed Bias
Contoh Perhitungan
Hitunglah nilai-nilai berikut :
12V
dan
2,2K
240K
dan 10F

= 50
C
10F B

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 30

 Rangkaian Fixed Bias
Contoh Perhitungan

= 12V

12 0.7
= = 47.08 A
240
=
= (50)(47.08 A) = 2.35 mA 2,2K
240K 10F
=
= 12V (2.35mA)(2.2K)
= 6.83 V C
= = 0.7 V B
= 50
= = 6.83 V
10F E
=
= 0.7V 6.83V = -6.13V

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 31

 Latihan :
jika = 10 V ; = 2K ; = 4

=

10 0.7
= = 4.65 mA
2
=
= (50)(4.65 mA) = 232.5 mA
=
= 10V (232.5mA)(4)
= 10 930 mV = 10 0.93 = 9.07V
= = 0.7 V
= = 9.07 V
=
= 0.7V 9.07V = - 8.37 V

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 32

 Rangkaian Fixed Bias
Transistor Saturation
Daerah saturasu adalah daerah dimana
arus kolektor bernilai maksimum.
Secara normal kondisi saturasi adalah
kondisi yang dihindari karena akan
berakibat sinyal output terdistorsi
Pada keadaan saturasi, collekctor dan
emitter terhubung singkat, sehingga :
Karena = 0, maka :
= 0
=
=

=

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 33

 Rangkaian Fixed Bias
Load Line Analysis
=

= . =0

= .=0

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 34

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter

Konfigurasi rangkaian
ini adalah merupakan
modifikasi rangkaian
fixed bias dengan
maksud untuk
memperoleh stabilitas
yang lebih baik

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 35

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Loop Base - Emiter
+ = 0

+ = 0

+ ( + 1) = 0

= +(+1)

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 36

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Loop Kolektor - Emiter
+ = 0
=
=
= , maka :
= ( + )
Tegangan antara emitter dan ground ( )
= =
Tegangan antara kolektor dan ground ( )
=
Tegangan antara basis dan ground ( )
= +

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 37

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Contoh Latihan
Tentukan nilai nilai berikut, jika
diketahui :
= 20 V,
= 430 K
= 2 K
= 1 K

Carilah : ; ; ; ; ; ;

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 38

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Contoh Latihan
20 0.7
= = = 40.12 A
+(+1) 430+(50+1) 1
= = (50)(40.1 A) = 2006 A = 2.006 mA
= ( + )
= 20V 2.006 mA (2K + 1K)=13.985V
=
= 20V (2.006 mA)(2K)=15.988V
= = = (2.005 mA)(2K) = 4.01V
= +
= 0.7V + (2.005 mA)(1K) = 2.705V
= - = 2.705V - 15.99 V = -13.285V

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 39

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Tingkat Saturasi
Tingkat saturasi / arus kolektor yang
maksimum pada konfigari dapat diketahui
dengan menghubung singkat terminal
kolektor dengan emitter

=
+

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 40

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Bias Pembagi Tegangan
Arus bias dan tegangan merupakan
fungsi dari penguatan arus () transistor
sangat sensitif terhadap perubahan suhu
Bias pembagi tegangan yang lebih
independent terhadap

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 41

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Bias Pembagi Tegangan
Bagian Input dari rangkaian pembagi
tegangan
diperoleh dengan mematikan sumber
tegangan
= 1 2
= 2
2
= 1 + 2

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 42

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Bias Pembagi Tegangan
Rangkaian ekuivalen Thevenin
Menerapkan KVL pada loop basis
emitter dan loop kolektor emitter

=
+(+1)

= ( + )

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 43

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Contoh Bias Pembagi Tegangan
Tentukan tegangan bias dan arus
untuk rangkaian ini

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 44

 Rangkaian Fixed Bias Dengan Tahanan Emitter
Tingkat Saturasi Transistor

=
+

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 45

 Bias DC dengan tegangan Umpan Balik

Menerapkan KVL pada semua loop :

=
+ ( + )

= ( + )

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 46

 Rangkaian Bias Lain

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 47

 Alhamdulillah.

Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 48