Data Pengamatan

Praktikum Daring Dasar Elektronika Unit 3 - 1 / 5

Data Pengamatan Unit 3
Bipolar Junction Transistor

Data Pengamatan Unit 3

Nama/NPM Paraf Asisten
Shift/Tanggal

Rekan Kerja
( )

A. Karakteristik Transistor NPN

Tujuan : Menunjukkan karakteristik dari transistor dan mengetahui daerah cut-off, daerah
saturasi dan daerah aktif.
VCC = +12volt
+
RC
Red V
Black RC
V 120 1W 2N3904
−
+ VRB − C +
2N3904 VCE
RB B −
+ E
VBB 1k +
- VRE RE120 1W E B C
−

Rangkaian Uji Karakteristik Transistor NPN

Langkah Pengujian :
1. Rangkailah rangkaian yang diujikan dengan software simulasi. Perhatikan kaki E, B, C
transistor.
2. Simulasikan, berikan tegangan VBB sesuai tabel data, (untuk VBB = 0 volt hubungkan ke
ground), lalu dengan Voltmeter ukur tegangan VRB, VRC, VBE, VCE dan VCB. (Perhatikan
probe merah ke + dan hitam ke -, dan sesuaikan range pembacaan pada Voltmeter)
3. Carilah nilai IB, IC, IE,  dan  dengan perumusan :
V V I I
I B = RB I C = RC I E = I B + IC = C = C
RB RC IB IE
4. Lengkapi tabel data pengamatan dan gambarkan kurva karakteristik IB, IC dan VCE seperti
kurva dibawah ini. (Tunjukkan daerah cut-off, daerah aktif dan daerah saturasi)
IC [ mA] I B  sat
VCC I B Saturasi
IC =
RC + RE

I B [ A]
Daerah
saturasi Daerah
aktif

I B = 0( cut− off )

VCE [V ]
VCC
Daerahcut − off

Laboratorium Teknik Elektro 2015

Data Pengamatan
Praktikum Daring Dasar Elektronika Unit 3 - 2 / 5

Tabel Data Pengamatan Karakteristik Transistor NPN

 Tabel Pengukuran

No. VBB [volt] VRB [volt] VRC [volt] VBE [volt] VCE [volt] VCB [volt]
1 0
2 0,5
3 0,8
4 1
5 2
6 3
7 4
8 5
9 6
10 7
11 8
12 9
13 10

 Tabel Perhitungan

No. IB [A] IC [mA] IE [mA]  

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13

Laboratorium Teknik Elektro 2015

Data Pengamatan
Praktikum Daring Dasar Elektronika Unit 3 - 3 / 5

Kurva Karakteristik IB, IC dan VCE

IC [mA]

VCE [volt]
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

B. Transistor Sebagai Saklar

Tujuan : Menunjukkan implementasi dari daerah cut-off dan daerah saturasi transistor sebagai
saklar elektronik.
VCC = +12volt
RC
270 1W
LED
VOUT
RB 1k C
VIN 2N3904
B
E

Rangkaian Uji Transistor Sebagai Saklar

Langkah Pengujian :
1. Rangkailah rangkaian yang diujikan dengan software simulasi.
2. Simulasikan, berikan tegangan VIN sebesar 0 volt, lalu ukur tegangan VRB, VBE, VCE dan
kondisi LED.
3. Kemudian berikan VIN sebesar 5 volt. Lengkapi tabel data.

Tabel Data Pengamatan Transistor Sebagai Saklar

VIN [volt] VRB [volt] VBE [volt] VCE [volt] = VOUT Kondisi LED
0
5

Laboratorium Teknik Elektro 2015

Data Pengamatan
Praktikum Daring Dasar Elektronika Unit 3 - 4 / 5

C. Common Emitter
Tujuan : Menunjukkan cara kerja transistor sebagai penguat.
VCC = +12volt

RC1 RC 2
R1 1k2 5k6
82k  VOUT
C 100nF
C
2N3904
B
VIN E
R2
FG RE
15k 
1k2

Rangkaian Uji Common Emitter

Langkah Pengujian :
1. Rangkailah rangkaian yang diujikan dengan software simulasi.
2. Simulasikan, lalu dengan FG berikan sinyal VIN sinus dengan frekwensi 1 kHz. Atur
amplitudo VIN hingga didapatkan sinyal maksimum tak cacat (tidak terpotong) pada VOUT.
3. Amati dan gambarkan VIN (coupling AC) dan VOUT (gambarkan dengan coupling AC dan
coupling DC).
4. Kemudian ganti nilai RC1 dengan RC2 (5k6 ).
5. Lakukan langkah seperti sebelumnya. Lengkapi tabel data.

Hasil Pengamatan Common Emitter

 Dengan RC1 = 1k2 

VOUT coupling AC VOUT coupling DC

VIN danVOUT VIN danVOUT

VIN Volt/Div = Time/Div = VIN Volt/Div = Time/Div =

VO UTVolt/Div = VO UTVolt/Div =

VIN [Vpp] VOUT [Vpp] Gain AV Beda Fase

Laboratorium Teknik Elektro 2015

Data Pengamatan
Praktikum Daring Dasar Elektronika Unit 3 - 5 / 5

 Dengan RC2 = 5k6 

VOUT coupling AC VOUT coupling DC

VIN danVOUT VIN danVOUT

VIN Volt/Div = Time/Div = VIN Volt/Div = Time/Div =

VO UTVolt/Div = VO UTVolt/Div =

VIN [Vpp] VOUT [Vpp] Gain AV Beda Fase

Laboratorium Teknik Elektro 2015