PENGUKURAN KARAKTERISTIK TRANSISTOR DENGAN

CURVE TRACER
Ridwan
Muspayanti, Rifqah. B
Fisika 2012
Abstrak
Telah dilakukan percobaan yang berjudul Pengukuran karakteristik transistor dengan curve tracer.
Adapun tujuan dari percobaan ini yaitu untuk mengetahui fungsi dan prinsip kerja sebuah curve tracer,
dan menentukan parameter-parameter penting transistor bipolar (BJT) dan transistor efek medan
(FET) secara langsung berdasarkan pengukuran curve tracer. Adapun prinsip kerja dari percobaan ini
yaitu curve tracer memiliki 3 terminal, dimana Terminal C dihubungkan ke resistor variable dan catu
daya variable, terminal B merupakan sumber arus konstan, sedangkan terminal E di groundkan/
ditanahkan. Adapun parameter parameter penting pada transistort BJT yaitu faktor penguatan Arus
() dan pada transistor JFET yaitu gm. Berdasarkan hasil pengmatan diperoleh untuk transistor tipe
BC108 B diperoleh nilai =300, untuk tipe BC 108 C diperoleh nilai = 90, untuk tipe 2N3053
diperoleh nilai DC= 140, ,untuk tipe 2N5457 diperoleh nilai , untuk tipe 2N3033 diperoleh nilai =
32, ,untuk tipe 2N5457 diperoleh nilai gm= 0.20 , dan untuk tipe 2N5457 diperoleh nilai gm= 0.20.

Kata kunci : Curve tracer ,transistor bipolar (BJT),dan efek medan (FET)faktor penguatan ,
trakundoktansi gm .

1.Metode Dasar sebagai penguat. Transistor Bipolar

Transistor merupakan komponen merupakan perangkat yang
dasar untuk sistem penguat. Untuk dikendalikan oleh arus dan parameter
bekerja sebagai penguat, transistor yang menentukan penguatannya
harus berada di daerah kerja aktif yang adalah faktor penguatan arus.[2]
ditentukan oleh bias atau tegangan Penguatan arus adalah besaran
panjar yang diberikan. Hasil bagi antara yang menunjukkan berapa arus-
sinyal output dengan sinyal input inilah keluaran dibandingkan dengan arus-
yang disebut faktor penguatan. Ada dua masukan, yang dimaksud dengan arus
jenis transistor yang umum digunakan keluaran dalam rangkaian penguat ini
dalam perangkat-perangkat elektronika adalah arus collector (IC) dan yang di
khususnya penguat yaitu transistor maksud arus keluaran adalah arus basis
bipolar (Bipolar Junction Transistor, (IB). [1]
BJT) dan transistor efek medan Transistor efek medan merupakan
persambungan (junction Field Effect perangkat yang dikendalikan oleh
Transistor, JFET). Kedua jenis tegangan dan memiliki parameter
transistor ini masing-masing memiliki penting yang disebut transkonduktansi,
parameter-parameter penting yang gm yang merupakan perbandingan
sangat menentukan dalam antara arus drain (ID) dengan tegangan
penggunaannya, sekali lagi, khususnya gate-source (VGS). [2]
 Kedua parameter penting di atas osiloskop yang terhubung dengan
dapat diukur dengan menggunakan transistor checker.
c. Variabel kontrol : Arus basis (IB)
ammeter dan voltmeter dan dapat pula
dengan satuan A, yang diatur
diukur secara langsung menggunakan
pada curve tracer.
perangkat perunut kurva( curve tracer).
3. Defenisi Variabel
[2]. a. Transistor termasuk variebel
Bagan ini akan dibahas mengenai manipulasi karena pada
cara menentukan faktor penguatan arus percobaan ini digunakan 8
dari transistor bipolar dan transistor.
transkonduktansi gm dari transistor efek b. VBE atau tegangan output yaitu

medan dengan menggunakan curve hasil keluaran dari pengujian

tracer. Curve tracer merupakan salah transistor. Sedangkan IC

satu perangkat elektronik yang dapat merupakan arus keluaran yang

digunakan sebagaai penguji (Checker) menampilkan kenaikan arus pada

polaritas baik atau tidaknya komponen- colektor dan membentuk sumbu y

komponen semikonduktor seperti pada grafik.

c. Arus basis atau IB yaitu pengontrol
transistor bipolar (BJT), transistor efek
arus yang memiliki kenaikan
medan (FET) dan lain sebagainya.
konstan dan membentuk sumbu x
Perangkat ini dapat pula digunakan
pada grafik.
untk merunut kurva karakteristik
4. Alat dan Bahan
keluaran lewat osiloskop dan
1. Transistor Checjer & curve tracer
menentukan parameter parameter DC
Unit, 1 set
dari komponen- komponen yang
2. Osiloskop Sinar katoda
disebutkan di atas.
3. Transistor Bipolar (BJT), 1 buah
2. Identifikasi variabel
4. Transistor Efek Medan, 1 buah
a. Variabel manipulasi : Transistor,
5. Kertas Grafik
dengan pengujian polaritas dengan
5. Prosedur Kerja
menggunakan curve tracer.
b. Variabel respon: Tegangan output 1. Transistor Checker

(VBE) dengan satuan volt, dan Untuk pengecekan polaritas ada dua

faktor penguat arus konstan () mode yang dapat dipilih, transistor atau

dan diukur dengan curve tracer. dioda oleh saklar pemiih FUNCTION.

Serta arus collector (IC) dengan Fasilitas ini dapat digunakan untuk

satuan A, dan diukur dengan menetukan apakah transistor dalam

berdasarkan kurva dari output keadaan baik atau rusak dan

mengidentifikasi elektroda. Jika baik,
LED indikator akan menyala berkedip. j. Untuk BJT, kaki emmiter dan
Selain itu ditandai pula dengan suara collector tidak dapat dideteksi dengan
buzzer jika semikonduktor dalam polarity Checker. Untuk
keadaan baik. mengetahuinya harus diuji pada posisi
a.Mengatur saklar pemilih TEST- DC PARAMETER.
MODE pada posisi CHECKER. 2. Pengujian PARAMETER DC
b.Mengatur saklar pemilih A-OFF-B Curve tracer unit dapat digunakan untuk
pada posisi A. mengukur parameter DC dasar dri
c.Mengatur saklar pemilih FUNCTION transistor bipolar dan dioda. Parameter-
pada posisi POLARITY CHECK. parameter tersebut adalah :
d.Mengatur saklar pemilih TR/DIODE Bias maju basis emmiter, VBE
pada posisi TR. Arus cut-off collector, ICEO
e. Menyalakan Curve Tracer.
Rasio rus transfer arah maju, hFE
f. Mengatur saklar pemilih BUZZER
Untuk fasilitas ini, mengatur saklar
pada posisi ON.
pemilih TEST-MODE pada posisi DC
g. Mengatur saklar CUR-LIMIT pada
PARAMETER, selanjutnya pilih
posisi LOW.
parameter yang akan diukur dengan
h. Memasukkan transistor uji langsung
mengatur METER selector dan membaca
pada soket uji atau menghubungkan
penunjukkan pada skala. Jika parameter-
dengan tiga kabel jepit buaya yang
parameter tidak terbaca, maka kaki
berhubungan dengan plug banana.
emmiter dan collector saling bertukar
i. Jika transistor yang di uji dalam
posisi.
keadaan baik, maka LED
3. CURVE TRACER
[B/G,NPN(N-CH), PNP (P-CH) harus
Fasilitas curve tracer memungkinkan
menyala. Jika LED NPN atau N-CH
kita mengamati secara langsung
berkedip, transitor adalah NPN untuk
parameter-parameter transistor bipolar
BJT atau N-CH untuk JFET.
(BJT) dan transistor efek medan (JFET).
Sebaliknya transitor adalah PNP atau
a. Menghubungkan Vertikal jacks dan
P-CH.Pada waktu yang bersamaan,
Horisontal jacks dari curve tracer ke
LED B/G akan berkedip yang
CH-1 dan CH-2 CRO.
menandakan kaki basis (B) atau (G)
b. Mengatur pemilih Vertical Gain
telah dideteksi. Jika LED BAD
CRO pada posisi 0.1 V/divisi dan
menyala tanpa berkedip, maka
saklar AC-GRD-DC coupling pada
transistor dalam keadaan rusak atau
posisi DC.
CUR-LIMIT salah posisi.
 c. Mengatur pemilih horisontal Gain 10A setiap kurva dari 0 hingga 60
CRO pada posisi 1V/divisi dan A seperti pada gambar di atas. Pada
saklar AC-GRD-DC- coupling pada kurva 60 A IC= 6,2 mA.
posisi DC. Berdasarkan data tersebut nilai h fe
d. Mengatur saklar pemilih TEST- dapat dihitung.
MODE pada posisi CURVE i. Melakukan pula kegiatan pengukuran
TRACER. untuk JFET.
e. Mengatur saklar pemilih CUR-
LIMIT pada posisi SIGNAL.
f. Mengatur saklar pemilih TR-FET
pada posisi TR jika yang diuji adalah
BJT dan posisi FET apabila yang
diuji adalah JFET.
g. Mengatur arus basis pada posisi
10A jika yang diuji adalah BJT dan
Gate Voltage pada 0,5 V jika yang
diuji adalah JFET.
h. Mengatur tegangan Collector/Drain
Sweep pada posisi 10 V.
i. 8 kurva akan terbentu di layar CRO
untuk transistor Si seperti pada
gambar berikut :
j. Untuk pengukuran hfe (gm untuk
JFET) ,V/div. Pada CRO dikonversi
ke mA/div sebagai berikut:
Vertical CUR-LIMIT SAETTING
Sensitivity SIGNAL POWER
50 mV/div 0.5 mA/div 5 mA/div
0.1 V/div 1 mA/div 10 mA/div
0.2 V/div 2 mA/div 20 mA/div
0.5 V/div 3 mA/div 50 mA/div
k. Berdasarkan tabel di atas, Vertical
gain CRO diatur pada posisi 0.1
V/div. Pada kondisi ini, 8 kurva
untuk IB yang bervariasi sebesar
6. Data /Analisis data

Tabel 1. Identifikasi Nilai VBE dan pada parameter-parameter transistor

No Identifikasi alat Jenis Transistor Tipe transistor Nilai VBE Nilai

1 BC108 B BJT NPN 0.7 300

2 BC 108 C BJT NPN 0.7 90
3 Coil 2N3053 BJT NPN 0.7 140
4 2N3053 BJT NPN 0.7 120
5 2N3055D803 BJT NPN 0.7 32
6 2N3055M0442 BJT PNP 0.7 34
7 2N5457 JFET N 0.7 -
8 2N5457 JFET N 0.7 -
a. Rumus Analitik IC I 1

IC +
1. Untuk mencari besar penguatan DC : = IC

IC
DC = IB
IC I 1

I
2. Untuk mencari besar penguatan AC : I

I C
I 1
.
I 2
AC = IB = C + IC. I .

3. Untuk mencari besar transkonduktansi: I

g ID
m=
V GS
I 1
. IC
= IC . I +
4. Untuk menghitung ketidak pastian
pengukuran :
a) Ketidakpastian BJT I C . I 2
. I

IC IC .I
= ==I C . I 1
B
IB
IC I
+
B = IC I
I C +
= C I
IC I
= I C +
I
I

b) Ketidakpastian JFET
 m= ID Transistor 1.
g V GS =
I C 2,5 m A
DC = = =25 0
I B 10 A
1
m==I D . V GS
g Transistor 2.

I C 0,6 A
m= g DC = = =60
g I
I
D +
m
I B 10 A
D

g m
V Transistor 3.
V GS GS
I C 1,2 m A
DC = = =12 0
m= I D V 1 I B 10 A
g
GS

ID +
ID
Transistor 4.
I D V 1

GS

V GS IC 1,0m A
V GS DC = = =100
IB 10 A

m= V 1
GS . I D
g + Transistor 5.
I D .V 1
GS

I C 4 mA
DC = = =80,0
I B 50 A
2
I D . V GS . V GS
1
I D .V GS
Transistor 6.

gm ID V GS I C 4,0 mA
+ DC = = =80,0
gm = I D V GS I B 50 A

ID V GS AC
g + b. Menghitung
m = ID V GS
Transistor 1.
gm
I C I C6 I C5
a . AC = =
b.Analisis Data dan Analisis I B I B6 I B5
Ketidakpastian
18,0 m A15,0 mA
1. Transistor BJT AC =
dC 60 A50 A
a. Menghitung
 3,0 m A Transistor 2.
AC = =300
10 A
I C I C6 I C5
a . AC = =
I B I B6 I B5
I C I C5I C4
b . AC = =
I B I B5I B 4
5,6 m A4,5 m A
AC =
60 A50 A
15,0 m A11,5 m A
AC =
50 A40 A
1,1m A
AC = =1 10
10 A
3,5 m A
AC = =350
10 A

I C I C4I C3 I C I C5I C4
c . AC = = b . AC = =
I B I B4I B3 I B I B5I B 4

11,5 m A8,0 m A 4,5 m A3,5 m A

AC = AC =
30 A20 A 50 A40 A

3,5 m A 1,0m A
AC = =350 AC = =10 0
10 A 10 A

I C I C3I C2 I C I C4 I C3
d . AC = = b . AC = =
I B I B3I B2 I B I B4 I B3

8,0 m A5,5 m A 3,5 A2,5 m A

AC = AC =
30 A20 A 40 A30 A

2,5 m A 1,0 m A
AC = =250 AC = =10 0
10 A 10 A

I C I C2I C1 I C I C3I C2
e . AC = = d . AC = =
I B I B 2I B1 I B I B3I B2

5,5 m A2,5 m A 2,5 m A1,6 m A

AC = AC =
20 A10 A 30 A20 A

2,5 m A 0 ,9 A
AC = =250 AC = =90
10 A 10 A
 I C I C2I C1 I C I C3I C2
e . AC = = d . AC = =
I B I B 2I B1 I B I B3I B2

1,6 m A0,6 m A 4,0 m A2,8 m A

AC = AC =
30 A20 A 3 0 A20 A

1m A 1,2 A
AC = =100 AC = =120
10 A 10 A

I C I C2I C1
e . AC = =
I B I B 2I B1
Transistor 3.

I C I C6 I C5 2,8 m A1,2 m A
a . AC = = AC =
I B I B6 I B5 20 A10 A

8,8 m A7,2 m A 1,, 6 A

AC = AC = =160
6 0 A5 0 A 10 A

1,6 A Transistor 4.
AC = =160
10 A
I C I C7 I C6
a . AC = =
I B I B7 I B6
I C I C5I C4
b . AC = =
I B I B5I B 4
8,0 m A6,4 m A
AC =
60 A50 A
7,2 m A5,6 m A
AC =
5 0 A4 0 A
1,6 m A
AC = =160
10 A
1, 6 A
AC = =16 0
10 A
I C I C6 I C5
b . AC = =
I B I B6 I B5
I C I C4I C3
c . AC = =
I B I B4I B3
6,4 m A5,2 m A
AC =
50 A40 A
5,6 m A4,0 m A
AC =
4 0 A3 0 A
1.2 m A
AC = =120
10 A
1, 6 A
AC = =16 0
10 A
 I C I C5I C4 I C I C7 I C6
c . AC = = a . AC = =
I B I B5I B4 I B I B7 I B6

5,2 m A3,6 A 36 m A28 m A

AC = AC =
40 A30 A 300 A250 A

1, 6 A 8A
AC = =16 0 AC = =160
10 A 50 A

I C I C4 I C3 I C I C6 I C5
d . AC = = b . AC = =
I B I B4 I B3 I B I B6 I B5

3,6 m A2,4 m A 28 m A21 m A

AC = AC =
30 A20 A 2 50 A20 0 A

1,2 A 7A
AC = =120 AC = =140
10 A 50 A

I C I C3I C2 I C I C5I C4
e . AC = = c . AC = =
I B I B 3I B2 I B I B5I B4

2,4 m A1,0 m A 21 m A1 4 m A
AC = AC =
20 A10 A 20 0 A150 A

1,4 A 7m A
AC = =140 AC = =140
10 A 50 A

I C I C2 I C1 I C I C4 I C3
f . AC = = d . AC = =
I B I B2 I B1 I B I B4 I B3

1,0 m A0 A 1 4 m A8 m A
AC = AC =
10 A0 A 15 0 A10 0 A

1,0 m A 6A
AC = =100 AC = =120
10 A 50 A

Transistor 5. I C I C3I C2
e . AC = =
I B I B 3I B2
 8 m A4 m A 24 m A16 m A
AC = AC =
10 0 A5 0 A 20 0 A1 5 0 A

2 A 8m A
AC = =40 AC = =160
50 A 50 A

I C I C2 I C1 I C I C2I C1
f . AC = = d . AC = =
I B I B2 I B1 I B I B2I B1

4 m A0 m A 16 m A10 m A
AC = AC =
5 0 A0 A 15 0 A1 0 0 A

4 A 6A
AC = =0,08 AC = =120
50 A 50 A

Transistor 6. I C I C1I C0
e . AC = =
I B I B 1I B0
I C I C5I C4
a . AC = =
I B I B5I B 4
10 m A4 m A
AC =
10 0 A50 A
38 m A30 m A
AC =
30 0 A25 0 A
6A
AC = =50
50 A
8m A
AC = =160
50 A
2. Transistor JFET
a. .Transistor 7
I C I C4 I C3
b . AC = = g
I B I B4 I B3 m=
ID
V GS

30 m A24 m A
AC = 0,1 m A
20 0 A15 0 A gm= =0,20 S
0,5 V

6m A
AC = =12 0 b. Transistor 8
50 A

0,1 m A
I I I gm= =0,20 S
c . AC = C = C3 C2 0,5 V
I B I B3I B2
Analisis Ketidakpastian

1. Untuk mencari ketidakpastian dan

DC =| IC
+
IB |
IC I B

kesalahan relatif
DC

Transistor 1.
DC =|0,05
1,2 10 |
+
0,05

DC =| IC I B
IC
+
IB
| DC =|0,0411+ 0,005|120

DC = 5,6
DC =|0,1 0,1
+
2,5 10
| KR=

100

DC =|0,04+ 0,01|250
5,6
KR= 100 =4 , 5
DC = 12,5 120

KR= 100

Transistor 4.
12,5
KR= 100 5
250
DC =| IC
+
IB |
IC I B

Transistor 2.

DC =| IC I B
IC
+
IB
| DC =|0,05
1,0 10 |
+
0,05

DC =|0,05+0,005|100
DC =| 0,05 0, 05
0,6
+
10
| DC = 5,5
DC =|0,083+0,005|60

KR= 100

DC = 5,28
5,5
KR= 100 =5,5
KR= 100 100

Transistor 5.
5,28
KR= 100 =8,8
60
DC =| IC
+
IB |
IC I B

Transistor 3.
 DC =|0,054 + 0,5050 | a . AC =
| IC IB
IC
7
+
IB7

|
DC =|0,0125+0,001|80

DC = 1,08
AC = |0,05
3,0
+
10 |
0, 05
300

AC =|0,015+ 0,005|300

KR= 100

AC =|0,004|300
1,08
KR= 100 =1,35 AC = 6
80

Transistor 6.
KR= 100

DC =| IC
+
IB |
IC I B

KR=
6
100 =2
300
DC =|0,05 +
50 |
0, 05

4,0

DC =|0,0125+0,00 1,|80
b . AC =
| IC IB
IC
6
+
IB6

|
DC = 1,08 AC = |0,15,005 + 0,5005|
AC =|0,003+ 0,001|350
KR= 100

AC =|0,004|350
1,08
KR= 100 =1 , 35
80
AC = 1,4

KR= 100

1,4
KR= 100 =0,4
350

1. Untuk mencari ketidakpastian dan

kesalahan relatif
AC
c . AC =
| IC I B
IC5
+
IB 5

|
Transistor 1. AC = |0,11,505 + 0,4005|
 AC =|0,004 +0,0012|350 2,87
KR= 100 =1, 15
250
AC =1,83

KR=


100
f . AC =
| IC IB
IC2
+
IB2

|
KR=
1,83
350
100 =0,5
AC = |0,2,205 + 0,1005|
AC =|0,02+ 0,01|250

d . AC =
| IC I B
IC
+
IB
4

4
| AC = 7,5

KR= 100

AC =|0,8,005 + 0,3005|
7,5
KR= 100 =3
AC =|0,006 +0,0012|250 250

AC =1,8 Transistor 2.

KR=


100
a . AC =
| IC IB
IC
5
+
IB
5

|
KR=
1,8
250
100 =0,64 AC = |0,5,605 + 0,6005|
AC =|0,0089+ 0,00 08|11 0
e
. AC =
| IC I B
IC
+
3
IB

3
| AC = 10,7

AC =|0,5,505 + 0,2005| K R=


100

AC =|0,009+ 0,00 25|250 10,7

KR= 100 =0,97
11 0
AC = 2,87

KR=


100
b . AC =
| IC IB
IC
4
+
IB
4

|
AC = |0,4,50 1 + 0,5010 |
 AC =|0,00 22+0,00 02|10 0

AC = 0,24
a
. AC =
| IC I B
IC
+
IB
7

7
|
KR=


100
AC = |0,8,8,05 + 0,6005|
AC =|0,005+ 0,0008| 160
0,24
KR= 100 =0,24
100
AC = 0,92

c
. AC =
| IC I B
IC
+
4
IB

4
| KR=


100

AC =|0,4,505 + 0,4005| KR=

0,92
160
100 =0,57

AC =|0,011 +0,00 125|100

AC = 1,12
b . AC =
| IC IB
IC
+
IB
6

6
|
KR=


100
AC = |07,2, 05 + 0,5005|60
AC =|0,0069+ 0,001|1 60
1,12
KR= 100 =1,12
100
AC = 1,26

d . AC =
| IC I B
IC
+
IB
3

3
| KR=


100

AC =|0,12,505 + 0,3050 | KR=

1,26
1 60
100 =0,79

AC =|0, 004 +0,001|9 0

AC = 0,51
c . AC =
| IC I B
IC5
+
IB

5
|
KR=


100
AC = |0,5,605 + 0,4005|
AC =|0,008+ 0,001 25|60
0,51
KR= 100 =0,56
90
AC = 1,48
Transistor 3.

KR=

100 AC =|0,16 + 0,110|
1,48 AC =|0,02+ 0,01|60
KR= 100 =0,92
1 60
AC = 1,8
d . AC =
|
IC I B
IC
+
IB
4

4
| KR=

100

AC = |0,4,005 + 0,3005| KR=

1,8
100 =3
60
AC =|0,0125+ 0,001|12 0
Transistor 4.
AC = 1,62

a . AC =
| IC IB
IC
7
+
IB
7

|
KR= 100

1,62
AC =|0,140 + 0,160|
KR= 100 =1 , 32
120
AC =|0,0025+ 0,001|33

e . AC =
| IC IB
IC
3
+
IB
3

| AC = 0,16

KR= 100
AC = |0,2,805 + 0,2005|

0,16
KR= 100 =0,48
AC =|0,0 17 8+ 0,00 25|1 60 33

AC = 3,24

b . AC =
| IC IB
IC
6
+
IB
6

|
KR= 100

3,24
AC =|0,132 + 0,150|
KR= 100 =2 ,025
1 60
AC =|0,003+ 0,002|33

f . AC =
| IC IB
IC
2
+
IB
2

| AC = 0,16

KR=

100 AC = |0,110 + 0,120|
0,16 AC =|0,001+ 0,005|33
KR= 100 =0,50
33
AC = 0,19
c . AC =
|
IC I B
IC
+
IB
5

5
| KR=

100

AC = |0,124 + 0,140| KR=

0,19
100 =0,6
33
AC =|0,004 +0,0025| 33

AC = 0,21
f . AC =
| IC IB
IC
2
+
IB

2
|

KR=

100 AC = |0,14 + 0,110|
0,21 AC =|0,025+ 0,01|33
KR= 100 =0,65
33
AC = 1,15
d . AC =
|
IC I B
IC
+
IB
4

4
| KR=

100

AC = |0,118 + 0,130| KR=

1,15
100 =3,4
33
AC =|0,005+ 0,003| 33
2. Untuk mencari ketidakpastian
AC = 0,27 gm
relatif
a. Transistor JFET
KR= 100

ID V GS
gm = +
ID V GS
0,27
KR= 100 =0,81
33
gm
e . AC =
| IC IB
IC
3
+
IB3

|
 0,0 1 0,5 dimana curve tracer ynag mempunyai
gm +
= 0,1 0,5 tujuan yang ingin dicapai yakni
mengetahui fungsi dan prinsip kerja
gm sebuah curve tracer, dan menentukan
parameter-parameter penting transistor
gm=|0,004+0,0025| 0,20 bipolar (BJT) dan transistor efek
gm= medan (FET) secara langsung
1,1
berdasarkan pengukuran curve tracer.
g Kurva tracer adalah salah satu
KR= m 100
gm perangkat elektronik yang dapat
digunakan sebagai penguji (Checker)
1,1
KR= 100 =22
0,20 polaritas baik atau tidaknya
komponen- komponen semikonduktor
b. Transistor JFET
seperti transistor bipolar (BJT),
ID V GS
gm transistor efek medan (FET) dan lain
= I D + V GS
sebagainya.
Adapun prinsip kerja dari
gm
perobaan ini yaitu adanya tiga terminal

0,0 1 0,5 yang bisa dihubungkan ke perangkat

gm +
= 0,1 0,5 semikonduktor. Terminal C (biasanya
dihubungkan ke kolektor) terhubung
gm ke resistor variabel Rv dan catu daya
Vcc yang juga variabel. Terminal B
gm=|0,004+0,0025| 0,20 berupa sumber arus konstan yang bisa

gm= dibisa diatur berapa besar arus setiap

1,1
stepnya. Step merupakan kelipatan
gm arus terkecil. misal 1 uA per step
KR= 100
gm berarti terminal ini memberi arus
konstan 1uA, 2uA, 3uA dst. Terminal
1,1
KR= 100 =22 E (biasanya dihubungkan ke emitor)
0,20
terhubung ke ground. Untuk melihat
grafik karakteristik maka output curve
7.Pembahasan tracer dihubungkan ke osiloskop, dan
Pada percobaan ini dengan
pada osiloskop ditampilkan grafik y
berjudul pengukuran karakteristik
fungsi x.
Transistor dengan Curve Tracer,
 Pada percobaan ini kami Adapun prinsip kerja dari percobaan ini
menggunakan 8 transistor dengan yaitu curve tracer memiliki 3 terminal,
spesifikasi yang berbeda. Dari Uji dimana Terminal C dihubungkan ke
polaritas dengan menggunakan resistor variable dan caru daya variable,
Transistor Checker 8 transistor yang terminal B merupakan sumber arus
digunakan dalam keadaan baik, dari konstan, sedangkan terminal E di
pengujian parameter DC diperoleh 6 groundkan/ ditanahkan.
jenis transistor BJT dan dua jenis Parameter parameter penting
transistor JFET. pada percobaan ini adalah faktor
Adapaun Untuk mencari nilai peenguatan Arus dan trankonduktansi

faktor penguatan dapat di gm

tuliskan dalam bentuk persamaan : 9.Daftar pustaka

IC Sutanto.(1994).Rangkaian Elektronika
DC = IB dan
(Analog) .Depok: Penerbit
Universitas Indonesia.
untuk mencari
Tim Elektronika Dasar. Penuntun
transkonduktasinya adalah :
Praktikum elektronika dasar.Jurusan
g ID
m=
V GS Fisika FMIPA UNM.Makassar

Berdasarkan Analisi data di

peroleh bahwa nilai pada

transistor BJT berbeda beda nilai

pada setiap transistor yang di uji dan
pada transistor JFET memliki nilai

gm sebesar 0,20

8.Kesimpulan
Berdasarkan tujuan dari percobaan ini
dapat di simpulkan bahwa :
Fungsi dari curve tracer yaitu
menampilkan kurva karakteristik
transistor dengan cara menghubungkan
output curve tracer ke osiliskop. .
LAMPIRAN