ELEKTRONIKA DASAR 1
“SEMI KONDUKTOR”
DOSEN PEMBIMBING:
Misbah, M.Pd
Oleh:
Kelompok 5
Marlina 1610121220011
Shelvi Malinda 1610121220025
Yastri Saidaturrahmah 1610121120013
Yunita Carolina A1C415211
Penyusun
DAFTAR ISI
Halaman Sampul........................................................................................... i
KATA PENGANTAR................................................................................ ii
DAFTAR ISI............................................................................................... iii
BAB I PENDAHULUAN........................................................................... 1
A. LATAR BELAKANG.................................................................... 1
B. RUMUSAN MASALAH................................................................ 1
C. TUJUAN PENULISAN.................................................................. 1
BAB II PEMBAHASAN............................................................................ 2
A. PENGERTIAN SEMIKONDUKTOR.......................................... 2
B. STRUKTUR KRISTAL DARI SEMIKONDUKTOR................ 3
C. KLASIFIKASI SEMIKONDUKTOR………………………….. 7
1. Semikonduktor Intrinsik……………………………………. 7
2. Semikonduktor Ekstrinsik………………………………….. 12
D. KONDUKSI DALAM SEMIKONDUKTOR………………….. 16
BAB III PENUTUP.................................................................................... 20
A. KESIMPULAN............................................................................... 20
B. SARAN............................................................................................ 20
DAFTAR PUSTAKA................................................................................. 21
BAB I
PENDAHULUAN
A. Latar Belakang
Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas dari
semikonduktor. Material semikonduktor terdiri atas atom-atom yang berukuran
sangat kecil. Atom-atom ini terdiri atas inti yang dikelilingi oleh sejumlah
elektron. Inti sendiri terdiri atas neutron dan proton. Proton bermuatan positif,
elektron bermuatan negatif, sedangkan neutron netral. Elektron-elektron yang
mengelilingi inti ini tersebar pada beberapa lapisan kulit dengan jarak tertentu dari
nukleus, dimana energinya semakin meningkat seiring dengan meningkatnya
jarak dari setiap lapisan kulit terhadap inti. Elektron pada lapisan terluar disebut
elektron valensi. Aktifitas kimiawi dari sebuah unsur terutama ditentukan oleh
jumlah elektron valensi ini. Semikonduktor merupakan elemen dasar dari
komponen elektronika seperti dioda, transistor dan IC. Didalam pengelompokan
bahan-bahan listrik dikenal ada 3 macam, yaitu konduktor, isolator dan
Semikonduktor. Suatu bahan dikatakan konduktor apabila memiliki hantaran
listrik yang besar. Suatu bahan dikatakan isolator apabila memiliki hantaran listrik
(konduktance) yang kecil. Suatu bahan dikatakan semi-konduktor apabila dapat
memiliki hantaran listrik yang nilainya bervariasi diantara konduktor dan isolator.
B. Rumusan Masalah
Berdasarkan latar belakang diatas, dapat diambil rumusan masalah pada
makalah ini adalah:
1. Apa itu Semikonduktor?
2. Bagaimana struktur Kristal dari semikonduktor?
3. Apa saja klasifikasi dari semikonduktor?
C. Tujuan Penulisan
Maksud dan tujuan dalam penulisan makalah ini adalah:
1. Untuk mengetahui tentang semikonduktor
2. Untuk mengetahui struktur Kristal dari semikonduktor
3. Untuk mengetahui klasifikasi dari semikonduktor
BAB II
PEMBAHASAN
A. Pengertian Semikonduktor
Semikonduktor adalah bahan dasar untuk komponen aktif dalam alat
elektronika, digunakan misalnya untuk membat diode, transistor, dan IC
(Integrated Circuit). Yang disebut terakhir merupakan komponen aktif yang berisi
banyak transistor dan resistor dalam sekeping Kristal semikonduktor denga
ukuran di bawah 1 mm2.
Dewasa ini bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan adalah
Kristal silicon. Dahulu orang juga menggunakan unsur germanium. Kedua unsur
itu merupakan kelompok IV dalam susunan berkala. Kristal gallium-arsenida yang
terbentuk dari unsur gallium dan arsen mempunyai sifat seperti unsur kelompok
IV, sehingga dapat pula digunakan pula untuk membentuk bahan semikonduktor.
Kristal ini kini banyak digunakan untuk membuat lampu LED yang dipakai untuk
lampu penunjuk dan lasesr diode. Kristal GaAs juga digunakan untuk membuta
transistor yang dapat bekerja hingga daerah frekuensi tinggi, yaitu dalam daerah
gelombang mikro. Semikonduktor umumnya diklasifikasikan berdasarkan
listriknya pada suhu kamar yakni dalam rentang 102 − 109 Ω𝑐𝑚. Sebuah
semikonduktor akan bersifat isolator pada temperature yang sangat rendah, namun
pada temperature ruang akan bersifat konduktor. Sesuai dengan namanya,
semikonduktor (setengah Penghantar) mempunyai daya hantar yang besarnya
antara daya hantar konduktor dan daya hantar isolator, sifat tersebut dipengaruhi
oleh susunan pita konduksi dan pita valensi bahan yang terdapat pada pita energy.
Semikonduktor adalah atom yang berisi empat electron valensi. Karena
jumlah electron valensi di dalam semikonduktor adalah ditengah antara satu
(konduktor) dan delapan (isolator). Atom-atom bahan semikonduktor membentuk
Kristal dengan struktur tetrahedral dengan ikatan kovalen. Bahan semikonduktor
yang banyak digunakan adalah sillikon (S), germanium (Ge) dan karbon (C).
Silikon dan germanium digunakan untuk membuat komponen-komponen zat
padat (solid state) sedangkan karbon terutama untuk membuat resistor dan
potensiometer. Baik Si maupun Ge mempunyai valensi 4. Empat electron valensi
tersebut terikat dalam struktur kisi-kisi sehingga setiap electron valensi akan
membentuk ikatan kovalen dengan electron valensi dari atom-atom yang
bersebelahan.
Bahan ∆𝑊 𝑁𝑖
Ge 0.67 eV 2.5 . 1013 𝑐𝑚−3
Si 1.1 eV 1.5 . 1013 𝑐𝑚−3
GaAs 1.43 eV 9.2 . 1013 𝑐𝑚−3
Tabel 7.1 : Data dari beberapa bahan semikonduktor.
Persamaan (1) didapatkan dari perhitungan termodinamika dengan
memperlihatkan situasi dalam keadaan termis dan distribusi energi yang terdapat
dalam stuasi tersebut. Dari situ dapat dilihat bahwa jumlah partikel yang
mempunyai muatan dan bisa bergerak tergantung suhu secara eksponensial.
Dengan sifat ini dan (7.9) yang menunjukkan ketergantungan konduktivitas jenis
𝜎 dari jumlah muatan yang bisa bergerak, didapatkan kesimpulan bahwa
konduktivitas jenis 𝜎 akan tergantung suhu secara eksponensial :
∆𝑊
𝜎 = 𝐴(𝑇) 𝑒 −𝛽𝑘𝑇 (2)
Di mana:
𝐴(𝑇) : Satu konstanta yang tergantung dari mobilitas dari elektron dan lowong
𝛽 : Satu konstanta tanpa dimensi
𝑘 : Konstanta Boltzmann
Jadi, konduktivitas naik terhadap suhu karena dengan bertambahnya suhu,
jumlah muatan ikut bertambah. Ketergantungan mobalitas dari suhu jauh lebih
kecil daripada ketergantungan jumlah muatan dari suhu.
C. Klasifikasi Semikonduktor
Pada umumnya semikonduktor bersifat sebagai isolator pada suhu dekat 0 o
C dan pada suhu kamar bersifat sebagai konduktor. Berdasarkan murni atau
tidaknya bahan semikonduktor dibedakan menjadi dua jenis yaitu semikonduktor
intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik. Bahan semi konduktor murni, yaitu yang
terdiri dari unsur silicon saja atau unsur germanium saja disebut semikonduktor
intrinsik.
1. Semi konduktor intrinsik
Semi konduktor intrinsik merupakan bahan semi konduktor murni
yang terdiri atas satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja dan merupakan
semikonduktor murni yang tidak diberi doping atau campuran atom lainnya
yang memiliki jumlah elektron valensi yang berbeda dengan electron valensi
bahan semikonduktor. Menurut teori pita energy, pada suhu T = 0 K, pita
valensi semikonduktor terisi penuh electron, sedangkan pita konduksi kosong.
Kedua pita tersebut dipisahkan oleh celah energy kecil, yakni dalam rentang
0,18 – 3,7 eV. Pada suhu kamar Si dan Ge masing-masing memiliki celah
energy 1,11 eV dan 0,66 eV. Pada temperature tinggi, electron keluar dari
ikatan kovalen menjadi electron bebas dan terbentuk hole. Kristal
semikonduktor silicon intrinsic terdiri dari atom silicon, yang termasuk dalam
kelompok IV pada susunan berkala. Tiap atom silicon mempunyai empat buah
electron valensi. Atom silicon menempati kisi-kisi dalam Kristal. Dalam dua
dimensi Kristal ini dapat dilukiskan seperti gambar 1a.
Tampak disini tiap atom Si terikat dengan empat buah atom silicon
lain, membentuk ikatan kovalen. Pada keadaan ini semua electron terikat pada
atom. Walaupun didalam Kristal diberi medan listrik, electron tetap terikat
dalam ikatan kovalen, sehingga tak ada muatan yang bergerak. Ini berarti taka
da arus walaupun diberi beda potensial, atau bahan bersifat sebagai isolator.
Keadaan pada gambar 2a melukiskan keadaan pada suhu amat rendah,
yaitu mendekati 0o C. pada suhu kamar banyak electron valensi yang terlepas
dari ikatan kovalen oleh karena terjadinya getaran atom. Dikatakan electron
valensi ini menjadi electron bebas oleh eksitasi termal. Makin tinggi suhu
makin banyak pula electron bebas. Jika di dalam bahan diberi medan listirk,
yaitu dengan memberikan beda potensial antara kedua ujung Kristal, electron
bebas ini akan bergerak menjadi aliran atau arus listrik. Makin tinggi suhu
makin banyak electron bebas yang terjadi dan makin besar pula arus yang
mengalir untuk beda potensial yang sama, yang berarti makin rendah
hambatannya.
Gambar 2. (a) Susunan atom pada Kristal semikonduktor silicon intrinsic,
(b) Elektron valensi dari atom Si pada A terionisasi.
Eksitasi suatu electron valensi menjadi electron bebas menyebabkan
atom silicon yang bersangkutan menjadi terionkan dan menjadi bermuatan
positif seperti ditunjukkan pada atom A gambar 1b. Karena pengaruh medan
listrik, ion silicon ini dapat menangkap electron bebas dari atom lain.
Jika ini terjadi, ion A akan menjadi netral, tetapi atom B sebagai
pemberi electron kepada ion A menjadi bermuatan positif. Jadi, adanya
pengaruh medan listrik menyebabkan perpindahan letak muatan positif dari A
ke B. Perpindahan letak muatan positif ini akan merupakan aliran listrik juga.
Kita dapat membayangkan keadaan terionkan atom silicon ini sebagai zarah
semu yang bermuatan positif, yang bebas bergerak di bawah pengaruh medan
listrik. Zarah semu ini kita sebut lubang (holes). Electron yang dibebaskan
dari ikatan kovalen kita sebut electron intrinsic, sedang lubang yang terjadi
oleh terbebasnya electron intrinsic kita sebut lubang intrinsic.
Dapatlah kita simpulkan bahwa pada semi konduktor intrinsic aliran
listrik disebabkan oleh gerak electron intrinsic dan lubang intrinsic.
Konsentrasi electron dan lubang intrinsic bergantung pada bahan dan suhu.
Electron valensi pada atom germanium lebih mudah terekstasi termik menjadi
electron bebas daripada electron valensi pada atom silicon. Ini berhubungan
dengan adanya pita-pita energy untuk electron didalam Kristal semikonduktor.
Dalam atom bebas electron hanya dapat mempunyai nilai energy
tertentu saja. Dikatakn electron hanya dapat berada pada tingkat energy
tertentu. Dalam Kristal semikonduktor oleh karena atom-atom terletak
berdekat didalam susunan yang berkala, maka electron dapat berada pada pita-
pita energy. Oleh adanyaprinsip Pauli yang menyatakan bahwa tiap keadaan
orbital atom hanya dapat berisi dua buah electron saja, maka untuk
semikonduktor pita-pita energy yang bawah akan terisi penuh hingga suatu
pita energy tertentu. Oleh karena setiap atom mempunyai empat buah electron
valensi, maka ada satu pita energy yang terisi penuh, dan pita energy
berikutnya kosong. Ini dilukiskan pada gambar 3a.
𝑊𝑔𝑜 adalah lebar celah pita pada suhu 0 K. hubungan di atas mencerminkan
statistic Boltzmann, yang menyatakan bahwa zarah dalam kesentimbangan
termal cenderung untuk berada pada keadan energy yang rendah.
Agar kita mendapat kesan yang nyata kita lukiskan grafik untuk persamaan 1
seperti pada gambar 4
2. Semikonduktor Ekstrinsik
Semikonduktor ekstrinsik merupakan semikonduktor yang telah
terkotori (tidak murni lagi) oleh atom dari jenis lainnya. Proses penambahan
atom pengotor pada semikonduktor murni disebut pengotoran (doping).
Dengan menambahkan atom pengotor (impurities), struktur pita dan
resistivitasnya akan berubah. Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat
menyumbangkan electron maupun hole dalam pita energy. Dengan demikian,
konsentrasi electron dapat menjadi tidak sama dengan konsentrasi hole,
namun masing-masing bergantung pada konsentrasi dan jenis bahan
ketidakmurnian.
Telah disebutkan sebelumnya bahwa semikonduktor yang digunakan
untuk membuat diode dan transistor adalah semikonduktor ekstrinsik, yang
dibuat dari campuran bahan semikonduktor intrinsik dengan atom unsur dari
kelompok III atau kelompok V dalam susunan berkala.
Campuran bahan semikonduktor intrinsik dengan atom unsuk
kelompok V dalam susunan berkala mengandung lebih banyak electron
daripada lubang, sehingga pembawa muatan bebasnya bermuatan negative.
Semikonduktor ekstrinsik yang dibuat dengan bahan ini disebut
semikonduktor jenis n. sebaliknya, campuran bahan semikonduktor intrinsik
dengan atom unsur dari kelompok III dalam susunan berkala mengandung
lebih banyak lubang daripada electron. Akibatnya pembawa muatan bebas
yang utama bermuatan positif. Semikonduktor yang dibuat dengan bahan
campuran seperti ini disebut semikonduktor jenis p.
a. Semikonduktor jenis-n.
Semikonduktor dengan konsentrasi electron lebih besar dibandingkan
konsentrasi hole, dapat diperoleh dengan menambahkan atom donor.
Semikonduktor jenis n menggunakan bahan semikonduktor intrinsik yang
dicampur misalnya dengan atom As (kelompok V dalam susunan berkala).
Atom campuran ini akan menempati lokasi atom intrinsik di dalam kisi
Kristal semikonduktor. Gambar 5 menunjukkan Kristal semikonduktor
intrinsik silicon yang diberikan campuran atom As.
Gambar 5. (a) Kristal emikonduktor silicon dicamour atom As,
(b) Atom donor As terionisasi memberikan electron
ekstrinsik dan ion donor As+
Atom As mempunyai lima buah electron valensi, sehingga dalam
ikatan kovalen dengan atom silicon di dalam Kristal terdapat kelebihan
satu electron valensi. Electron ini terikat amat lemah dan mudah sekali
terlepas, dan disebut electron donor atau electron ekstrinsik, sedang atom
As disebut atom donor. Pada suhu 50oK hamper semua atom donor
terionkan, sedangkan atom silicon baru terionisasi oleh eksitasi termal
pada suhu 450oK.
Ion donor yang ditinggalkan bermuatan positif, namun tak dapat
menangkap electron bebas seperti hanya ion silicon, karena daya ikatnya
yang amat lemah. Ion donor ini berlaku sebagai muatan tak bebas. Pada
suhu kamar sudah ada sejumlah electron yang terlepas dari atom silicon,
yaitu elektorn intrinsic yang menimbulkan lubang intrinsik. Jadi di dalam
semikonduktor jenis n ada berbagai pembawa muatan, yaitu lubang serta
electron intrinsic, electron ekstrinsik dan ion donor yang tak bebas
bergerak. Agar lebih jelas ini dilukiskan pada gambar 5.
Gambar 6. Muatan-muatan dalam semikonduktor jenis-n
Perubahan rapat pembawa muatan bebas dalam semikonduktor jenis p-n
adalah seperti pada gambar 7.
b. Semikonduktor jenis-p
Pada semikonduktor jenis-p, atom dari kelompok III dalam
susunan berkala misalnya gallium, dibubuhkan ke dalam Kristal
Kita definisikan rapat arus 𝐽 sebagai arus yang mengalir tiap satuan luas
penampang, sehingga 𝐽 = 𝑛 𝑞 𝑣. Kita tahu bahwa jika sebatang konduktor
dialiri arus listrik, besar arus listrik adalah sama sepanjang batang konduktor.
Ini berarti kecepatan rata-rata pembawa muatan, yaitu v juga tetap besarnya.
Bukankah ini aneh? Pembawa muatan bergerak dibawah pengaruh
medan listrik, yang berarti mendapat gaya, bukankah menurut hokum II
Newton pembawa muatan akan mendapat percepatan, sehingga kecepatannya
akan bertambah terus? Ini betul dalam daerah antara tumbukan. Adanya
tumbukan akan menyebabkan hilangnya sebagian tenaga pembawa muatan,
sehingga pengaruh rata-ratanya adalah seperti gerak benda di dalam zat cair
yang kental. Disini pada benda bekerja juga gaya gesekan yang sebanding
dengan kecepatan akan tetapi melawan gerak. Peristiwa ini terjadi pada sebuah
bola besi di dalam suatu cairan (misalnya gliserin), yang bergerak ke bawah
oleh pengaruh gaya berat. Pada suatu saat gaya gesekan akan sama dengan
gaya berat, sehingga bola bergerak dengan kecepatan tetap, yang disebut
kecepatan terminal. Makin besar gaya berat makin besar pula kecepatan
terminalnya. Mudah ditunjukkan bahwa kecepatan terminal ini berbanding
lurus dengan gaya berat.
Peristiwa serupa dapat dibayangkan terjadi pada aliran pembawa
muatan bebas dalam bahan padat dibawah pengaruh medan listrik. Kecepatan
hanyut adalah suatu kecepatan terminal, sebanding dengan medan listrik E.
Dapatlah kita tuliskan:
𝑣= 𝜇𝐸 (3)
Tetapan 𝜇 disebut mobilitas pembawa muatan bebas. Makin besar 𝜇 makin
besar pula kecepatan hanyut 𝑣, yang berarti makin besar arus yang mengalir.
Jika kita gunakan persamaan 3 pada persamaan 2 akan diperoleh
𝐽 = 𝑛 𝑞 𝜇 𝐸 𝑎𝑡𝑎𝑢 𝐽 = 𝜎 𝐸 (4)
𝜎 = 𝑛 𝑞 𝜇, disebut konduktivitas. Persamaan 4 adalah bentuk umum hokum
𝑙
Ohm. Dari persamaan ini dapatlah diturunkan 𝑉 = 𝐼 𝑅, dengan 𝑅 = 𝜌 𝐴 untuk
konduktor dengan panjang 𝑙 dan penampang serba sama dengan luas 𝐴, dan
1
𝜌 = 𝜎 adalah hambatan jenis.
A. Kesimpulan
Semikonduktor adalah bahan dasar untuk komponen aktif dalam alat
elektronika, digunakan misalnya untuk membat diode, transistor, dan IC
(Integrated Circuit). Yang disebut terakhir merupakan komponen aktif yang berisi
banyak transistor dan resistor dalam sekeping Kristal semikonduktor denga
ukuran di bawah 1 mm2. Bahan semikonduktor yang banyak digunakan adalah
sillikon (S), germanium (Ge) dan karbon (C).
Struktur kristal dari semikonduktor tersebut adalah struktur Tetraeder atau
struktur intan. Dalam struktur ini setiap atom memiliki 4 atom tetangga. Dalam
kristal semikonduktor, antara setiap tetangga terdapat satu ikatan elektron dengan
dua elektron yang berasal dari masing-masing atom. Semikonduktor terbagi
menjadi 2 yaitu semikonduktor intrinsic dan semikonduktor ekstrinsik. Kemudian
semikonduktor ekstrinsik terbagi menjadi 2 yaitu semikonduktor jenis-n dan
semikonduktor jenis-p.
B. Saran
Penulis bersedia menerima kritik dan saran yang positif dari pembaca
sebagai bahan pertimbangan yang memperbaiki makalah ini di kemudian hari.
Semoga makalah berikutnya dapat penulis selesaikan dengan hasil yang lebih baik
lagi
DAFTAR PUSTAKA