PERCOBAAN 2

KARAKTERISTIK BJT
FaxgihAldi Lutfiyan (13116101)
Asisten : M Daniel Firdaus (13115003)
Tanggal Percobaan : 2/09/2018
EL3102 Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera

Abstrak unipolar. Dalam hal ini akan kita pelajari

Pada praktikum ini ada 3 buah percobaan transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri
yang pertam adalah meliat bagai mana atas dua jenis, bergantung susunan bahan yang
karakteristik yang di miliki oleh sebuah digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol
transistor BJT . lalu melihat respon early hubungan antara arus dan tegangan dalam
effect dari transistor dan yang terakhir transistor ditujukkan oleh gambar berikut ini.
melihat respon transistor terhadappengaruh
bias. Dari ketiga percobaan itu nilai yang
sangant berpengareuh pada ketiganya adalah .
IB, IC, VBE, VCE dan kurva respon karana ke 5
indikator ini lah yang menentukan dari sebuah
transistor.
Transistor BJT NPN
1. Pendahuluan

Pada percobaan ini melakukan

pengukuran pada 2 buah jenis transistor
yang itu transistor tipe 2N222A dan
BD139. Dari kedua buah transistor ini
yang yang akan di amati adlalah bagai Transistor BJT PNP
mana karakterisitk dari kedua trasisitor Gambar 2.1-1 Simbol Hubungan pada
jika di berikan tegangan 0,8V dan Transistor
frekuensi sebesar ±1KHz.untuk
mengetahui karakteristik dari kedua Terdapat suatu hubungan matematis antara
transistor ini di lakukan pengukuran IB, IC, besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB), dan
VBE, VCE dan kurva respon pada osiloscop. arus emitor (IE), yaitu beta (β) = penguatan
Selain itu juga melihat bagai mana early arus DC untuk common emitter, alpha (α)=
effect dari transistor tipe 2N222A. penguatan arus untuk common basis, dengan
hubungan matematis sebagai berikut [1].
Tujuan praktikum kali ini adalah
IC I
memahami karakteristik transistor BJT .  dan   C
memahami teknik bias dengan rangkaian IB IE
diskrit. Memahami teknik bias dengan sehingga [2]
sumber arus konstan .  
 
 1 1
.

2. Dasar Teori Karakteristik sebuah transistor biasanya

diperoleh dengan pengukuran arus dan
2.1 Transistor BJT tegangan pada rangkaian dengan konfigurasi
1

Transistor merupakan salah satu komponen common emitter (kaki emitter terhubung
Halaman

elektronika paling penting. Terdapat dua jenis dengan ground), seperti ditunjukkan pada
transistor berdasarkan jenis muatan gambar berikut ini.
penghantar listriknya, yaitu bipolar dan
 I C
gm 
VBE

2.3 Kurva Karakteristik IC-VCE

Arus kolektor juga bergantung pada tegangan
kolektor‐emitor. Titik kerja (mode kerja)
transistor dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu
daerah aktif, saturasi, dan cut‐off. Persyaratan
kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum
dalam tabel berikut ini.
Tabel 2.3-1 Tabel Karakteristik Mode Kerja Transistor

Mode IC VCE VBE VCB Bias Bias

Kerja B-C B-E
Gambar 2.1-2 Rangkaian Transistor BJT Aktif =βIB =VBE+VCB ~ 0 Reverse Forward
0.7V
Saturasi Max ~ 0V ~ - Forward Forward
Dari karakteristik tersebut terdapat dua buah Cut-Off ~0 =VBE+VCB
0.7V
0
0.7V<VCE<0
0 - -
kurva karakteristik yang dapat diukur dari
rangkaian diatas, yaitu: Dalam kurva IC‐VCE mode kerja transistor ini
• Karakteristik IC ‐ VBE ditunjukkan pada area‐area dalam gambar
• Karakterinstik IC ‐ VCE berikut ini.

2.2 Kurva Karakteristik IC-VBE

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial
dari tegangan VBE, sesuai dengan persamaan
[3]:
IC   I ES eVBE /kT
Persamaan ini dapat digambarkan sebagai
kurva seperti ditunjukkan pada gambar berikut
ini.

Gambar 2.2-1 Daerah Mode Kerja

Transistor

3. Metodologi
Rangkai kit
Proyeksikan praktikum dan
pengukuran pada posisikan
grafik, Lakukan terminal alat
analisis atau ukur sesuai
ekstrapolasi model
rangkaian.

Nyalakan
Gambar 2.2-1 Fungsi Eksponensial VBE Power Supply
Lakukan atau Current
pengukuran pada
Dari kurva di atas juga dapat diperoleh alat ukur Source sesuai
nilai yang
transkonduktansi dari transistor, yang ditentukan
merupakan kemiringan dari kurva di atas,
2

yaitu [4]
Halaman

Gambar 3-1 Metodologi Percobaan

praktikum ini di rangkai sesuai dengan
rangkaiyan di bawah ini. Power supply
disetting sebesar 12Vp-p sebagai rangkaian.
Untuk VIN pada rangkaian bias, akan telebih
dahulu dilakukan kalibrasi osiloskop, dan
pengukuran amplitude dan frekuensi sinyal
dari generator sinyal yang tepat.

4. Hasil dan Analisis

4.1 Karakteristik Input Transistor IB- Gambar4.1-3 kurva BD 139
VBE

 Hasil kurva percobaan

A
+
R 10Vd
C - c
( minimum)
C

+
Generator
Sinyal
E
- Gambar 4.1-4 kurva 2n222a
1.
Gambar 4.1-1 Rangkaian Percobaan Karakteristik
IB-VBE

Hasil pengukuran dari rangkaian karakteristik

transistor pada Gambar 4.1-1 dilakukan
dengan mengubah-ubah resistor variable RB2
yang mana RB2 sebagai pembagi tegangan VCC
menjadi VBE. Akibat perubahan pada VBE,
dapat diukur perubahan IC dan IB. Data yang
diperoleh dapat dilihat pada kurva di banwah
ini
.
Hasil kurva simulasi
Gambar4.1-5 kurva BD 139
Dari data simuasi dapat diamati bahwa arus IC
meningkat apabila VBE meningkat juga. Arus
IC meningkat dengan cepat ketika VBE diantara
0,5V-0,7V. Peningkatan ini terlihat jelas
secara eksponensial. Hal ini sesuai dengan
perhitungan matematis antara IC dan VBE
seperi pada yang mana sifat ini menyerupai
dioda. Dan VBE antara 0V-0,45V merupakan
tegangan cut-off yang ditunjukan dengan nilai
IB nol. Dan besar trankonduktansi transistor
tersebut sesuai perhitungan pada diperoleh Gm
3

Gambar 4.1-2 kurva 2n222a sebesar 8,75 mA/V. Pada gambar juga
Halaman

ditampilkan grafik IC untuk membandingkan

antara kedua karakteristik arus ini. Dapat
 dilhat bahwa IC hanya merupakan fungsi
lemah dari VBE.

4.2 Karakteristik Output Transistor IC-

VCE

R - Generator
C
Sinyal Gambar 4.2-4 dengan sumber arus 400mA
( minimum)
C

+
Kurva hasil percobaan
B
Sumber
Arus
(25uA)
E

Gambar 4.2-1 Rangkaian Percobaan Karakteristik

IC-VCE

Pada praktikum ini sudah terdapat sumber

arus/current source yang besarnya dapat
dipilih dan telah terukur. Oleh sebab itu tidak
diperlukan lagi pengukuran IB menggunakan
multimeter. Jadi dengan mengubah-ubah
tegangan VCE dari power supply, dapat diukur Gambar 4.2-5
perubahan IC untuk setiap besar arus IB yang
berbeda-beda, seperti pada tabel berikut.

 Kurva hasil simulasi

Gambar 4.2-5

Gambar 4.2-2 dengan sumber arus 24mA

4
Halaman

Gambar 4.2-3 dengan sumber arus 200mA

Gambar 4.2-6
 diatas. Dalam percobaan ini hanya diamati
ektrapolasi dari dua buah kurva saja (untuk
dua buah nilai IB) seperti pada tabel berikut.
Apabila data kurva pengukuran diatas
diproyeksikan dalam sebuah kurva, diperoleh Tabel 4.3-1 Pengukuran Percobaan Early
kurva sebagai beriku Effect
60
50 IC (mA)
VCE
IB = IB =
40 (V)
24mA 200mA
30 9 11.73 18.14
20 10 12.43 19.40
10
0 Apabila data tersebut diproyeksikan dalam
0 1 2 3
kurva akan diperoleh kurva berikut.

25
Gambar 4.2-7 Kurva Karakteristik IB-VCE
y = 1.26x + 6.8
20
Dari kurva diatas dapat diamati bahwa arus IC 15 y = 0.7x + 5.43
meningkat sangat cepat sampai ketika VCE
disekitar 0.2V. Namun ketika VCE bernilai 10
lebih besar dari 0.2V kurva IC meningkat 5
dengan lambat dengan suatu kemiringan /
0
slope yang lebih kecil. Namun yang paling
8.5 9 9.5 10 10.5
dapat diamati perbedaannya adalah untuk
suatu nilai IB menghasilkan suatu kurva IC Gambar 4.3-2 Kurva IC-VCE Percobaan
tersendiri yang mana semakin besar nilai IB Early Effect
maka nilai IC beserta slopenya juga semakin
besar. Dari sifat ini dapat disimpulkan bahwa Dari garis kurva diatas dapat diperoleh
IC bergantung / merupakan fungsi dari nilai IB. persamaan garis:
Ini adalah sifat dari transistor pada keadaan  y =1.26x + 6.8
active. Untuk itu daerah kerja transistor  y = 0.7x +5.43
terlihat jelas yaitu saturation region sampai yang apabila dilakukan ektrapolasi maka di
pada VCE = 0,2V dan daerah cut-off seperti dapat diperoleh tegangan early dari persamaan
pada kurva IC untuk IB = 0mA yang nilainya tersebut VA1=-5.4V dan VA2=-7.7V. Maka
nol / sejajar sumbu datar kurva tersebut. Hal dapat disimpulkan tegangan early VA sekitar -
ini sesuai dengan landasan teori 2.3 dan kurva 6.5V. Kurangnya presisi dari pengukuran ini
pada gambar 2.2-1. disebabkan hal yang sama yaitu akibat dari
pengaruh suhu.
5. Kesimpulan
4.3 Early Effect
 Transistor memiliki karakteristik yang
unik yatiu arus IB yang merupakan
fungsi dari VBE dan arus IC yang
merupakan fungsi penguatan dari IB
sebesar β.

 Transistor memiliki 3 wilayah kerja

yaitu saturation region, active region
Gambar 4.3-1 Grafik Ektrapolasi Early dan cut-off region yang dapat
Effect diperoleh dari sifat karakteristik IC
5

terhadap VCE.
Halaman

Untuk mendapatkan tegangan early VA

dilakukan ekstrapolasi seperti pada gambar
  Tegangan early dapat diperoleh
dengan ektrapolasi dari suatu kurva IC
untuk nilai IB tertentu pada transistor
keadaan aktif. Pengaruh bias kerja
dapat mengaplikasikan transistor
sebagai penguat, switch, atau cut-off

6. Daftar Pustaka

[1] A. S. Sedra et.al., Microelectronic

Circuits 5th Ed, Hal. 377-458, Oxford
University Press, New York, 2004

[2] Mervin T. Hutabarat, Petunjuk

Praktikum Elektronika EL-2140, Hal
13-24, Laboratorium Dasar Teknik
Eletro STEI-ITB, Bandung, 2009

6
Halaman