LAPORAN PRAKTEK ONLINE

ELEKTRONIKA DASAR

PERCOBAAN KARAKTERISTIK DIODA

Oleh
NAMA : M.Heru Kurniawan
NIM :5191230006

Tanggal
Assistansi I Assistansi II Assistansi III Diterima
Percobaan

09-04-2020

LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO

JURUSAN PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS NEGERI MEDAN
2020
 PERCOBAAN I
KARAKTERISTIK DIODA 1

1.1. Tujuan

1.Dapat Memahami Komponen Elektronika Semikonduktor

2. Dapat Mengetahui Karakteristik sebuah dioda
3. Dapat Menganalisis Rangkaian Forward dan Reverse Pada Dioda

1.2. Teori Singkat

Dioda merupakan perangkat semikonduktor sambungan P – N paling sederhana yang

memiliki sifat mengalirkan arus hanya dalam satu arah. Penipisan dan penebalan lapisan
deplesi antar persambungan menjadi kunci dari sifat dioda sambungan P – N. Berbeda
dengan sebuah resistor, sebuah dioda tidak berperilaku linier terhadap tegangan yang
diberikan melainkan dioda menghasilkan karakteristik I – V yang eksponensial. Notasi
atau simbol dioda sambungan P – N ditunjukkan pada gambar berikut.
Ada dua daerah operasi dioda sambungan P – N dan ada tiga kondisi bias yang dapat
diberikan:

1. Zero Bias – kondisi di mana tidak ada potensial eksternal yang diberikan kepada kedua
ujung dioda menghasilkan keseimbangan jumlah pembawa mayoritas, elektron dan hole,
dan keduanya bergerak dalam arah yang berlawanan. Kondisi keseimbangan ini dikenal
sebagai keseimbangan dinamis (dynamic – equilibrium).

2. Reverse Bias – kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan
ke sisi N dioda dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi P dioda.
Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi yang tinggi antar persambungan dan
praktis tidak menghasilkan aliran pembawa muatan mayoritas dengan meningkatnya
potensial sumber. Namun, sejumlah arus kebocoran yang sangat kecil akan melewati
persambungan yang dapat diukur dalam orde mikroampere (μA).
 3. Forward Bias – Kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan
ke sisi P dioda dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi N dioda.

Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi persambungan P – N yang sangat rendah
sehingga memungkinkan arus yang sangat besar mengalir walaupun hanya dengan
potensial sumber yang relatif kecil. Perbedaan potensial aktual yang timbul pada kedua
ujung persambungan dioda akan bernilai tetap akibat aksi dari lapisan deplesi yang
bernilai sekitar 0,3 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.

1.3. Peralatan

1. Voltmeter 1 buah
2. Dioda In4007 2 buah
3. Amperemeter 1 Buah
4. Kabel Jumper Secukupnya
5. Power supply 12 volt 1 buah

1.4. RangkaianPercobaan

Gambar 1.1 Rangkaian Karakteristik Dioda 1

 Gambar 1.2 Rangkaian Karakteristik Dioda 1 Pada Aplikasi Multisim

1.5. ProsedurPercobaan

1. Hubungkan titik 3 dan titik 4

2. Pasang voltmeter dititik 6 dan titik 7
3. Pasang ampremeter
4. Nyalakan catu daya dan atur potensiometer sedemikian rupa hingga power supply bernilai 12
volt
5. Catat nilai arus yang terbaca pada ampremeter
6. Matikan catu daya
7. Lepas sambungkan di titik 4 dan pindahkan ke titik 5 sehingga titik 3 terhubung dengan titik 5
dan lakukan seperti pada no 4 dan 5
8. Isi tabel berikut

1.6. Data Percobaan

Tabel 1.1 Karakteristik Dioda Reverse dan Forward Bias

Rangkaian Arus(mA)

Forward Bias 224 mA

Reverse Bias 0,001207 mA

1.7. Analisa Data

Dari percobaan yang telah dilakukan maka dapat diambil data sebagaimana yang telah di
paparkan pada bagian data percobaan, ketika dioda bekerja pada forward bias maka dioda akan
dapat mengalirkan arus listrik, hal ini dibuktikan ketika diberi tegangan sumber 12 volt maka
arus yang terukur pada ampremeter adalah 224 mA
Sedangkan ketika dioda bekerja pada reverse bias dioda akan menghambat arus layaknya
resistor, hal ini dapat dilihat pada percobaan, yaitu ketika tegangan sebesar 12 volt maka arus
yang terukur akan sangat kecil sekali, pada data yang didapat terukur arus hanya sebesar 1,207
mikro ampere. Dari data yang telah di ambi maka dapat dibuat grafik, sebagai berikut:

GRAFIK DIODA FORWARD BIAS

250
224
200

150

100

50

0 0

Gambar 1.3 Grafik Dioda Forward Bias

 Grafik Dioda Reverse Bias
1
0.9
0.8
0.7
0.6

I(mA)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1 0 0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5

Gambar 1.4 Grafik Dioda Reverse Bias

PERCOBAAN II
KARAKTERISTIK DIODA II

1.1. Tujuan

1.Dapat Memahami Komponen Elektronika Semikonduktor

2. Dapat Mengetahui Karakteristik sebuah dioda
3. Dapat Menganalisis Rangkaian Forward dan Reverse Pada Dioda

1.2. Teori Singkat

Dioda merupakan perangkat semikonduktor sambungan P – N paling sederhana yang memiliki

sifat mengalirkan arus hanya dalam satu arah. Penipisan dan penebalan lapisan deplesi antar
persambungan menjadi kunci dari sifat dioda sambungan P – N. Berbeda dengan sebuah resistor,
sebuah dioda tidak berperilaku linier terhadap tegangan yang diberikan melainkan dioda
menghasilkan karakteristik I – V yang eksponensial. Notasi atau simbol dioda sambungan P – N
ditunjukkan pada gambar berikut.
Ada dua daerah operasi dioda sambungan P – N dan ada tiga kondisi bias yang dapat diberikan:

1. Zero Bias – kondisi di mana tidak ada potensial eksternal yang diberikan kepada kedua ujung
dioda menghasilkan keseimbangan jumlah pembawa mayoritas, elektron dan hole, dan keduanya
bergerak dalam arah yang berlawanan. Kondisi keseimbangan ini dikenal sebagai keseimbangan
dinamis (dynamic – equilibrium).

2. Reverse Bias – kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan ke sisi
N dioda dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi P dioda.
Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi yang tinggi antar persambungan dan praktis tidak
menghasilkan aliran pembawa muatan mayoritas dengan meningkatnya potensial sumber.
Namun, sejumlah arus kebocoran yang sangat kecil akan melewati persambungan yang dapat
diukur dalam orde mikroampere (μA).

3. Forward Bias – Kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan ke sisi
P dioda dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi N dioda.

Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi persambungan P – N yang sangat rendah
sehingga memungkinkan arus yang sangat besar mengalir walaupun hanya dengan potensial
sumber yang relatif kecil. Perbedaan potensial aktual yang timbul pada kedua ujung
persambungan dioda akan bernilai tetap akibat aksi dari lapisan deplesi yang bernilai sekitar 0,3
V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.

1.3. Peralatan

1. Voltmeter 1 buah
2. Dioda In4007 2 buah
3. Amperemeter 1 Buah
4. Kabel Jumper Secukupnya
5. Power supply 12 volt 1 buah
1.4. RangkaianPercobaan

Gambar 1.5 Rangkaian Karakteristik Dioda 2

Gambar 1.6 Rangkaian Karakteristik Dioda 2 Pada Aplikasi Multisim

1.5. ProsedurPercobaan

1. Hubungkan titik 15 dengan 14

2. Pasang voltmeter di titik 10 dan 11 dan titik 12 dan 13 atau jika hanya terdapat satu voltmeter,
gunakan secara bergantian
3. Pasang Ampremeter di titik 17 dan 18
4. Nyalakan catu daya dan atur potensiometer atur sedemikian rupa mengikuti tabel di bawah ini.
5. Catat nilai arus yang terbaca pada Ampremeter.
1.6. Data Percobaan

TABEL 1.2 KARAKTERISTIK DIODA 2 FORWARD BIAS

V(Volt) Vr Vd=V-Vr I(mA)

1 0.325 0,675 2,166
2 1,289 0,711 8,595
2.5 1.781 0.719 0.012
3 2.275 0,725 0.015
3.5 2,679 0,821 0.018
4 3.265 0.735 0.022

TABEL 1.3 KARAKTERISTIK DIODA 2 REVERSE BIAS

V(Volt) Vr Vd=V-Vr I(mA)

1 0,094 N 0,906 0,624 A
2 0,094 N 1,906 0,625 A
2.5 0,094 N 2.406 0,6,26 A
3 0,094 N 2,906 0.626 A
3,5 0,094 N 3,406 0,627 A
4 0,094 N 3.906 0.627 A

1.7. Analisa Data

Dari percobaan yang telah dilakukan maka dapat diambil data sebagaimana yang telah di
paparkan pada bagian data percobaan, dapat dilihat ketika dioda bekerja pada forward bias maka
besar nilai arus akan terus bertambah dan dapat kita lihat juga bahwa ada peningkatan drastik
pada nilai arus ketika tegangan dirubah dari 0,7 volt menjadi 1 volt, ini membuktikan bahwa
tegangan knee dari dioda yang digunakan adalah 0,7 volt. Maka dioda ini adalah dioda berbahan
dasar silikon.
Pada saat dioda bekerja pada saat reversi bias maka jumlah arus yang terukur sangat lah kecil,
hal ini membuktikan bahwa ketika dioda bekerja pada reverse bias maka dioda akan berperan
sebgai resistor. Dari data yang di dapat, maka dapat dbuat grafik sebagai berikut.

25
Dioda Forward Bias
20
15
I(mA)

10
5
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V(Volt)

Gambar 1.7. Grafik Dioda Forward Bias

Dioda Reverse Bias

1
0.9
0.8
0.7
0.6
I(mA)

0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V(Volt)

Gambar 1.8 Grafik Dioda Reverse Bias

1.8. Kesimpulan

Dari percobaan yang dilakukan maka dapat disimpulkan bahwa dioda akan mngalirkan arus
ketika bekerja pada forward bias, arus ini akan secara drastis meningkat ketika tegangan yang
diberikan melewati tegangan knee pada dioda, pada kasus ini dioda berjenis dioda silikon dan
memiliki tegangan knee sebesar 0,7 volt. Kemudian dapat disimpulkan ketika dioda bekerja pada
reverse bias maka dioda akan menghambat arus seperti halnya resistor, hal ini dapat di buktikan
dari besar arus yang terukur pada percobaan