Datasheet Thyristor (DIAC)

 DIAC (Diode Alternating Current)

DIAC adalah Thyristor yang hanya memiliki dua kaki terminal dan dapat menghantar arus listrik
dari kedua arah apabila tegangan melampaui batas tegangan breakovernya (tegangan breakdown).
DIAC sering disebut juga dengan Bidirectional Thyristor.
Cara Kerja DIAC – DIAC akan berada di kondisi OFF apabila tegangan yang diberikannya masih
dibawah tegangan breakover-nya. Ketika tegangan mencapai atau melampaui batas breakover-nya,
DIAC akan berubah menjadi kondisi ON dan menghantarkan arus listrik. Setelah DIAC dipicu
menjadi ON, DIAC akan terus menghantarkan arus listrik (dalam kondisi ON) meskipun tegangan
yang diberikan tersebut turun dibawah tegangan breakover. DIAC hanya akan berhenti
menhantarkan arus listrik atau berubah menjadi kondisi OFF apabila tegangan yang diberikannya
menjadi “0” atau dengan kata lain arus listriknya diputuskan.

FD0200YR_Fagor
 Dimensi dalam mm dan DO-35 Glass Axial Package

 Petunjuk pemasangan
1. Min. jarak dari bodi ke titik solder, 4 mm.
2. Max. suhu solder, 250 ° C.
3. Max. waktu penyolderan, 3,5 detik.
4. Jangan menekuk timah pada titik yang lebih dekat dari 2 mm. ke tubuh.
 Tegangan Breakover : 32 V
Arus : 2.0 Amps
 Perangkat pemicu silikon dua arah yang dimaksudkan untuk digunakan dalam sirkuit pemicu
thyristor (SCR dan TRIAC), sirkuit penerangan hemat energi, dan fungsi sakelar lainnya.
 FITUR SPESIAL:
1. Arus breakover rendah.
2. Simetri luar biasa.
3. Arus bocor sangat rendah.

Peringkat Maksimum Mutlak, menurut publikasi IEC No.134

 PARAMETER CONDITIONS Min. Typ. Max. Unit
Ptot Total Pembuangan Daya Ta = 65 ºC 150 mW
ITRM Arus puncak pada keadaan berulang- tp = 20 µs, f = 100 Hz 2 A
ulang
Tstg Kisaran suhu penyimpanan -40 +125 ºC
Tj Suhu Persimpangan Operasi -40 +125 ºC

Tahanan Termal

PARAMETER CONDITIONS Min. Typ. Max. Unit

R th (j-a) Junction to Ambient 400 ºC/W
R th (j-l) Junction to leads 150 ºC/W

Karakteristik Kelistrikan pada Tamb = 25 ºC

PARAMETER CONDITIONS Min. Typ. Max. Unit

VBO Tegangan Breakover * IBO, C = 22nF ** (see Figure 1) 28 32 36 V
VBO+ - -VBO- Simetri Tegangan Breakover IBO, C = 22nF ** (see Figure 1)  V
V Tegangan breakover dinamis * I = IBO to IF = 10 mA 5 V
(see Figure 1)
VO Tegangan Output * (see Figure 3) 5 V
IBO Arus Breakover * C = 22 nF ** 50 µA
tr Rise Time * (see Figure 4) 1.5 µs
IB Arus Leakage * VB = 0.5 VBO max 10 µA
(see Figure 1)
IP Arus Peak * see Figure 3 (Gate) 0.3 A