Anda di halaman 1dari 5

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

1. TUJUAN

1.1 Mengukur karakteristik keluaran transistor (NPN).

1.2 Mengukur karakteristik control arus transistor.

1.3 Menghitung faktor penguatan arus hPE.

1.4 Mengukur karakteristik control tegangan transistor.

1.5 Menghitung transkonduktansi.

1.6 Mengukur karateristik masukan transistor.

2. PENDAHULUAN

2.1 Transistor berada dalam kondisi kerja bila sambungan (junction) basis-emitor
mendapat bias maju dan sambungan basis-kolektor mendapat bias balik. Untuk
transistor NPN, tegangan pada basis (B) harus lebih positif daripada emitor (E)
dan tegangan pada kolektor (C) harus lebih positif daripada basis.

Simbol Transistor NPN Struktur Transistor NPN

2.2 Karakteristik keluaran memperlihatkan hubungan antara arus kolektor ( iC ) dan


tegangan kolektor-emitor ( V CE ) pada arus basis ( iB ) konstan , iC = f ( V CE )

2.3 Karakteristik-control-arus memperlihatkan hubungan antara arus kolektor dan


arus basis pada tegangan kolektor-emitor konstan , iC = f ( iB ). Faktor
penguatan-arus dc hFE = IC / IB

1
2.4 Karakteristik-control-tegangan memperlihatkan hubungan antara arus kolektor dan
tegangan basis-emitor ( V BE ). Pada tegangan kolektor-emitor konstan, ( iC ) = f (
VBE ).

Transkonduktansi gm = Δ iC hFE = Δ iB

Δ VBE Δ VBE

2.5 Karakteristik-masukan memperlihatkan hubungan antara arus basis dan tegangan


basis-emitor pada tegangan kolektor-emitor konstan, iy = f ( V BE ). Karakteristik
ini dapat digambar dengan data dari kedua karakteristik-kontrol diatas tersebut.

3. BAHAN DAN PERALATAN

1) Transistor silikon NPN, BC 107 C (1)


2) Resistor 100 Ω (1)
3) Resistor 1 k Ω (1)
4) Resistor 180 k Ω (1)
5) Potensiometer 1 k Ω (1)
6) Potensiometer 10 k Ω (1)
7) Diode penyearah (jembatan) (4)
8) Multimeter (3)
9) Osiloskop dua saluran (1)
10) Sumber tegangan dc 10V (1)
11) Sumber tegangan ac variabel 0-9V/50 Hz (1)

4. DIAGRAM RANGKAIAN

2
Gambar 4.1

Gambar 4.2

5. LANGKAH KERJA

5.1 Buatlah rangkaian seperti digambar 4.2 tanpa memasang V 1 . Lakukan pengukuran
I C sebagai fungsi V CE dengan I B konstan ; 10VA ; 20 VA ; 30 VA. Masukanlah
hasilnya pada tabel 1.
5.2 Gambarlah karakteristik-keluaran transistor tersebut. Bagaimana terjadinya
kenaikan tajam arus kolektor dan bagaimana terjadinya arus kolektor jenuh?
5.3 Dengan rangkaian yang sama seperti langkah 5.1. Lakukan pengukuran I B sebagai
fungsi I C dengan V CE konstan (5V). Masukkan hasilnya pada tabel 2 (kolom I B).
5.4 Gambarlah karakteristik kontrol-arus transistor tersebut. Bagaimanakah hubungan
antara arus basis dan arus kolektornya?
5.5 Hitunglah faktor prnguatan arusnya
5.6 Buatlah gambar rangkaian seperti diagram 4.1 dengan menghubung singkat A 1 dan
memasang V 1. Lakukan pengukuran V BE sebagai fungsi I C dengan V CE konstan
(5V). Masukkan hasilnya pada tabel 2 (kolom V BE).
5.7 Gambarlah karakteristik-kontrol tegangan transistor tersebut. Bagaimana mulai
terjadinya kenaikan arus kolektor yang relatif besar?
5.8 Hitunglah transkonduktansi ( gm ) transistor. (Gunakan karakteristik kontrol
tegangan yang telah didapat).

3
5.9 Gambarlah masukan transistor dengan menggunakan dana dari kedua karakteristik
kontrolnya. Apakah hubungan karakteristik masukan dengan karakteristik kontrol
tegangannya?
5.10 Buatlah rangkaian gambar 4.2.
Hidupkan osiloskop pada operasi X-Y/DC.
Tetapkan tegangan I B = 30 A dan naikkan tegangan sumber ac secara perlahan
sampai maks. 9 V rms .
Lukislah pada kertas grafik karakteristik keluaran yang di dapat dari osiloskop.
Lengkapi dengan skala arus dan tegangannya.
Kerjakan juga untuk I B = 25 A ; 20 A ; 15 A; 10 A ; 5 A ; 0 A.

TABULASI DATA
Tabel 1
I C (mA)
VCE (V)
I B = 10 (mA) I B = 20 (mA) I B = 30 (mA)

0,2

0,5

TABEL 2

4
VCE = 5 V

I C (mA) I B (mA) VBE (volt)

0,1

0,2

0,5

10

12

Anda mungkin juga menyukai