LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG

KARAKTERISASI DIODA

DISUSUN OLEH:
Nama : Amarzan Fahmi Rizal
NIM : 19306141033

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTAS

PROGRAM STUDI FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA
2020
A. TUJUAN PRAKTIKUM
1. Mengetahui karakteristik dioda pada keadaan terpanjar maju dan terpanjar
mundur
2. Membuat grafik ID-VD dari dioda pada keadaan terpanjar maju dan terpanjar
mundur

B. Dasar Teori
 Dioda
Dioda adalah komponen elektronika yang terdiri dari dua kutub dan berfungsi
menyearahkan arus. Komponen ini terdiri dari penggabungan dua semikonduktor
yang masing-masing diberi doping (penambahan material) yang berbeda, dan
tambahan material konduktor untuk mengalirkan listrik.

 Komponen Dioda

Gambar dioda, simbol, dan komponennya

Material semikonduktor yang digunakan umumnya berupa silikon atau

germanium. Adapun semikonduktor jenis p diciptakan dengan menambahkan material
yang memiliki elektron valensi kurang dari 4 (Contoh: Boron) dan semikonduktor
jenis n diciptakan dengan menambahkan material yang memiliki elektro valensi lebih
dari 4 (Contoh: Fosfor).
 Cara Kerja Dioda

Secara sederhana, cara kerja dioda dapat dijelaskan dalam tiga kondisi, yaitu
kondisi tanpa tegangan (unbiased), diberikan tegangan positif (forward biased), dan
tegangan negatif (reverse biased).

 Kondisi tanpa tegangan

Pada kondisi tidak diberikan tegangan akan terbentuk suatu perbatasan medan
listrik pada daerah P-N junction. Hal ini terjadi diawali dengan proses difusi, yaitu
bergeraknya muatan elektro dari sisi n ke sisi p. Elektron-elektron tersebut akan
menempati suatu tempat di sisi p yang disebut dengan holes. Pergerakan
elektron-elektron tersebut akan meninggalkan ion positif di sisi n, dan holes yang
terisi dengan elektron akan menimbulkan ion negatif di sisi p. Ion-ion tidak bergerak
ini akan membentuk medan listrik statis yang menjadi penghalang pergerakan
elektron pada dioda.

 Kondisi tegangan positif (Forward-bias)

Besarnya komponen arus difusi sangat sensitif terhadap besarnya potensial

penghalang Vo . Pembawa muatan mayoritas yang memiliki energi lebih besar dari
eVo dapat melewati potensial penghalang. Jika keseimbangan potensial terganggu
oleh berkurangnya ketinggian potensial penghalang menjadi Vo −V , probabilitas
pembawa muatan mayoritas mempunyai cukup energi untuk melewati sambungan
akan meningkat dengan drastis. Sebagai akibat turunnya potensial penghalang, terjadi
aliran arus lubang dari material tipe-p ke tipe-n, demikian sebaliknya untuk elektron.
Dengan kata lain menurunnya potensial penghalang memberi kesempatan pada
pembawa muatan untuk mengalir dari daerah mayoritas ke daerah minoritas. Jika
potensial penghalang diturunkan dengan pemasangan panjar maju eksternal V seperti
diperlihatkan pada gambar 7.4, arus If akan mengalir.

 Kondisi tegangan negatif (Reverse-bias)

Jika potensial penghalang dinaikkan menjadi Vo +V dengan memasang panjar

mundur sebesar V (lihat gambar 7.5), maka probabilitas pembawa muatan mayoritas
memiliki cukup energi untuk melewati potensial penghalang akan turun secara drastis.
Jumlah pembawa muatan mayoritas yang melewati sambungan praktis turun ke nol
dengan memasang panjar mundur sebesar sekitar sepersepuluh volt.

Pada kondisi panjar mundur, terjadi aliran arus mundur (Ir) yang sangat kecil
dari pembawa muatan minoritas. Pembawa muatan minoritas hasil generasi termal di
dekat sambungan akan mengalami “drift” searah medan listrik. Arus mundur akan
mencapai harga jenuh -Io pada harga panjar mundur yang rendah.
Harga arus mundur dalam keadaan normal cukup rendah dan diukur dalam µA
(untuk germanium) dan nA (untuk silikon). Secara ideal, arus mundur seharusnya
berharga nol, sehingga harga -Io yang sangat rendah pada silikon merupakan faktor
keunggulan silikon dibandingkan germanium. Besarnya Io berbanding lurus dengan
laju generasi termal g = rni2 dimana harganya berubah secara eksponensial terhadap
perubahan temperatur.

C. Komponen yang Digunakan

 Terpanjar maju dan terpanjar mundur
1. Resistor (1 k ohm)
2. Dioda 1N4007
3. Battery (single cell)
4. Voltmeter
5. Amperemeter

D. Langkah Kerja
A. Forward-bias
a. Merangkai komponen diode dan resistor secara seri seperti berikut

b. Mengatur dan mengubah-ubah tegangan masukan pada baterai,

kemudian menjalankan simulasinya.
c. Mengukur tegangan dioda yang telah diberi tegangan sumber/
baterai, yaitu dengan mempararelkan voltmeter
d. Mengukur arus yang mengalir, yaitu dioda dan amperemeter
dipasang secara seri.
e. Percobaan dilakukan dengan memvariasi tegangan pada baterai
sebanyak 18 kali, dengan masukan yaitu 0,1 ; 0,2 ; 0,3 ; 0,4 ; 0,5 ;
 0,6 ; 0,7 ; 0,8 ; 0,9 ; 1,0 ; 1,1 ; 1,5 ; 2,0 ; 3,0 ; 5,0 ; 10 ; 15 ; 20
Volt.
f. Memasukkan hasil pengukuran pada tabel
g. Menggambar hubungan antara arus (ID) dan tegangan (VD)

B. Reverse-bias
a. Merangkai komponen diode dan resistor secara seri seperti berikut

b. Mengatur dan mengubah-ubah tegangan masukan pada baterai

Kemudian menjalankan simulasinya.
c. Mengukur tegangan dioda yang telah diberi tegangan sumber/baterai ,
yaitu dengan mempararelkan voltmeter.
d. Mengukur arus yang mengalir, yaitu dioda dan amperemeter
dipasang secara seri.
e. Percobaan dilakukan dengan memvariasi tegangan pada baterai
sebanyak 18 kali, dengan masukan yaitu 0,1 ; 0,2 ; 0,3 ; 0,4 ; 0,5 ;
0,6 ; 0,7 ; 0,8 ; 0,9 ; 1,0 ; 1,1 ; 1,5 ; 2,0 ; 3,0 ; 5,0 ; 10 ; 15 ; 20 Volt.
f. Memasukkan hasil pengukuran pada tabel
g. Menggambar hubungan antara arus (ID) dan tegangan (VD)

E. Data
1. Forward Bias
Vs Vd I
NO
(Volt) (Volt) (mA)
1 0.1 0.10 0.00
2 0.2 0.20 0.00
3 0.3 0.30 0.00
 4 0.4 0.39 0.01
5 0.5 0.45 0.05
6 0.6 0.49 0.11
7 0.7 0.51 0.19
8 0.8 0.52 0.28
9 0.9 0.54 0.36
10 1 0.55 0.45
11 1.1 0.56 0.54
12 1.5 0.58 0.92
13 2 0.60 1.40
14 3 0.62 2.38
15 5 0.65 4.35
16 10 0.68 9.32
17 15 0.70 14.3
18 20 0.72 19.3

2. Reverse Bias
Vs Vd I
NO
(Volt) (Volt) (µA)
1 0.1 -0.1 0.0
2 0.2 -0.2 0.0
3 0.3 -0.3 0.0
4 0.4 -0.4 0.0
5 0.5 -0.5 0.0
6 0.6 -0.6 0.0
7 0.7 -0.7 0.0
8 0.8 -0.8 0.0
9 0.9 -0.9 0.0
10 1 -1 0.01
11 1.1 -1.1 0.01
12 1.5 -1.5 0.01
13 2 -2 0.02
14 3 -3 0.03
15 5 -5 0.05
16 10 -10 0.10
17 15 -15 0.15
18 20 -20 0.20
F. Analisis Data

Grafik. 1 Hubungan VD-ID pada Dioda Terpanjar

Maju
25

20

15
I(mA)

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V(volt)

I(µA)
0
-21 -18 -15 -12 -9 -6 -3 -0.02 0
-0.04
-0.06
-0.08
-0.1 V(volt)
-0.12
-0.14
-0.16
-0.18
Grafik. 2 Hubungan VD-ID pada Dioda Terpanjar -0.2
Mundur
G. Pembahasan
Pada percobaan kali ini melakukan simulasi terhadap dioda terpanjar maju
(forward bias) dan dioda terpanjar mundur (reverse bias) dengan aplikasi proteus.
Pada kedua jenis percobaan menggunakan dioda 1N4007, untuk media
pengukurannya menggunakan voltmeter dan amperemeter. Kemudian untuk variasi
datanya dilakukan dengan menggubah VS, dengan sumber tegangan menggunakan
baterai. Data pengamatan yang diperoleh, data ditampilkan dalam bentuk plot I D-VD.
Kemudian pada gambar grafik dibawah adalah contoh hubungan antara grafik dari
dioda terpanjar maju dan mundur.
Untuk daerah forward-bias tegangan dan arus terukur positif dengan Knee-Volt
±0,7 volt, hal ini mengambarkan tegangan sumber yang diambil oleh dioda kurang
dari 1 volt dan arus dapat mengalir. Untuk daerah reverse-bias arus dan tegangan
bernilai negatif, pada tegangan bernilai negatif karena pada dioda saat pengukuran
area katoda (n-type) tegangannya lebih besar dibanding anoda (p-type).
Kemudian pada hasil data yang diperoleh dapat dilihat bahwa kenaikan tegangan
yang diukur pada forward-bias lebih kecil dibandingkan reverse-bias dan untuk arus
yang diukur, kenaikan forward-bias lebih cepat. Kemudia pada teorinya ada yang
dikenal dengan istilah breakdown yang terjadi pada reverse-bias, pada percobaan kali
ini belum terjadi, hal ini dapat disebabkan sumber tegangan dari baterai kurang besar
dan belum melampaui batas kapasitas tegangan pada dioda.

H. Kesimpulan

Pada percobaan kali ini dapat disimpulkan bahwa

1. Dioda adalah komponen elektronika yang terdiri dari dua kutub dan
berfungsi menyearahkan arus.
2. Kenaikan tegangan yang diukur pada forward-bias lebih kecil
dibandingkan reverse-bias.
3. Kenaikan arus yang diukur, pada forward-bias lebih cepat.
4. Pada percobaan reverse-bias belum mencapai breakdown hal ini dapat
disebabkan karena tegangan yang masuk dari baterai belum melebihi
kapasitas dari dioda.
I. Daftar Pustaka
1. Boylestad, Robert L., Louis Nashelsky. 2013. Electronic Devices and
Circuit Theory (11th Edition) New Jersey : PEARSON.
2. Nugr o ho , Ad i. D io da. St ud io Be la jar . 15 S ept ember 2020.
https://www.studiobelajar.com/dioda/ . Diakses pada 15 September 2020.