RENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAN

(RPP)

PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA

Disusun Oleh :

Triesha Rizkyta (5215144160)

FAKULTAS TEKNIK
PRODI PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRONIKA
UNIVERSITAS NEGERI JAKARTA JAKARTA
2017
 RENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAAN

Satuan Pendidikan : SMK Dinamika Pembangunan 1 Jakarta

Tahun Pelajaran : 2016/2017
Kelas/ Semester : XI / Satu
Program Keahlian : Teknik Elektronika
Paket Keahlian : Teknik Audio Video
Mata Pelajaran : V4 (Penerapan Rangkaian Elektronika)
Topik : Rangkaian Transistor FET dan MOSFET
Pertemuan ke : 1 dan 2
Alokasi Waktu : 2 x 45 menit.

A. Kompetensi Inti
1. Menghayati dan mengamalkan ajaran agama yang dianutnya
2. Menghayati dan Mengamalkan perilaku jujur, disiplin, tanggung jawab, peduli
(gotong royong, kerjasama, toleran, damai), santun, responsif dan proaktif dan
menunjukan sikap sebagai bagian dari solusi atas berbagai permasalahan dalam
berinteraksi secara efektif dengan lingkungan sosial dan alam serta dalam
menempatkan diri sebagai cerminan bangsa dalam pergaulan dunia
3. Memahami, menerapkan dan menganalisa pengetahuan faktual, konseptual, dan
prosedural berdasarkan rasa ingin tahunya tentang ilmu pengetahuan, teknologi, seni,
budaya, dan humaniora dalam wawasan kemanusiaan, kebangsaan, kenegaraan, dan
peradaban terkait penyebab fenomena dan kejadian dalam bidangkerja yang spesifik
untuk memecahkan masalah
4. Mengolah, menalar, dan menyaji dalam ranah konkret dan ranah abstrak terkait
dengan pengembangan dari yang dipelajarinya di sekolah secara mandiri, dan mampu
melaksanakan tugas spesifik dibawah pengawasan langsung
B. Kompetensi Dasar
1.1.________________________________________________________________________Memahami
kompleksitas alam dan jagad raya terhadap kebesaran Tuhan yang menciptakannya.
1.2.________________________________________________________________________Mendeskrip
alam.
1.3.________________________________________________________________________Mengenalka
sehari – hari.
2.1 Menunjukkan perilaku ilmiah (memiliki rasa ingin tahu, objektif, jujur, telti, cermat,
tekun, hati – hati, bertanggung jawab, terbuka, kritis, kreatif, inovatif, dan peduli
lingkungan ) dalam beraktivitas sehari – hari sebagai wujud implementasi sikap dalam
melakukan percobaan dan berdiskusi.
2.2 Menghargai kerja individu dan kelompok dalam aktivitas sehari – hari sebagai wujud
implementasi melaksanakan percobaan dan melaporkan hasil percobaan.
3.1 Merancang FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar
4.1 Merancang FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar

Indikator :
3.1.1. Memahami susunan fisis, symbol dan karakteristik FET/MOSFET.
3.1.2. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat sinyal kecil
3.1.3. Merancanakan FET/MOSFET sebagai piranti saklar.
3.1.4. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat sinyal besar (penguatdaya).
3.1.5. Menginterprestasikan datasheet macam-macam tipe FET/MOSFET untuk
keperluan perencanaan.
3.1.6. Menerapkan metode pencarian kesalahan FET/MOSFET sebagai
penguat/pirantisakla akibat pergeseran titik kerja DC.
4.1.1. Menggambarkan susunanfisis, symbol untuk menjelaskan prinsip kerja dan
parameter karakteristik FET/MOSFET.
4.1.2. Melakukan eksperimen FET/MOSFET sebagai penguat sinyal kecil menggunakan
perangkat lunak dan pengujian perangkat keras serta interprestasi data hasil pengukuran
4.1.3. Melakukan eksperimen FET/MOSFET sebagai piranti saklar menggunakan
perangkat lunak dan pengujian perangkat keras serta interprestasi data hasil
pengukuran.
4.1.4. Melakukan eksperimen FET/MOSFET sebagai penguat sinyal besar (penguatdaya)
menggunakan perangkat lunak dan pengujian perangkat keras serta interprestasi data
hasil pengukuran.
4.1.5. Menggunakan datasheet macam-macamtipe FET/MOSFET untuk keperluan
pengujian perangkat keras.
4.1.6. Mencoba dan menerapkan metode pencarian kesalahan FET/MOSFET sebagai
penguat dan piranti saklar.
C. Tujuan Pembelajara
1. Siswa dapat menjelaskan konsep dasar
dari transistor FET/MOSFET secara benar
2. Siswa akan dapat menjelaskan perbedaan
dari simbul Transistor FET dan MOSFET
dengan benar
3. Siswa dapat merancang FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar
4. Siswa dapat melakukaneksperimen FET/MOSFET sebagai penguat daya
menggunakan perangkat lunak dan pengujian perangkat keras serta interprestasi data
hasil pengukuran.
5. Siswa dapat menyimpulkan pada transistor FET pada rangkaian saklar maupun
rangkaian penguat
D. Materi Pembelajaran
Transistor FET
Transistor efek–medan (FET) adalah salah satu jenis transistor menggunakan
medan listrik untuk mengendalikan konduktifitas suatu kanal dari jenis pembawa
muatan tunggal dalam bahan semikonduktor. FET kadang-kadang disebut sebagai
transistor ekakutub untuk membedakan operasi pembawa muatan tunggal yang
dilakukannya dengan operasi dua pembawa muatan pada transistor dwikutub
(BJT).
Cara Kerja transistor FET yaitu dengan mengendalikan aliran elektron (atau
lubang elektron pada FET kanal-p) dari sumber ke cerat dengan mengubah besar
dan bentuk dari sebuah kanal konduktif yang dibentuk oleh adanya tegangan
(atau kurangnya tegangan pada FET kanal-p) yang dikenakan menyeberangi
saluran gerbang dan sumber (untuk mempermudah penjabaran, diasumsikan
bahwa badan dan sumber disambungkan). Kanal konduktif ini adalah jalur
dimana elektron (atau lubang) mengalir dari sumber ke cerat. Dengan
menganggap sebuah peranti salur-n moda pemiskinan. Sebuah tegangan negatif
gerbang-ke-sumber menyebabkan daerah pemiskinan untuk bertambah lebar dan
menghalangi kanal dari kedua sisi, mempersempit kanal konduktif. Jika daerah
pemiskinan menutup kanal sepenuhnya, resistansi kanal dari sumber ke cerat
menjadi besar, dan FET dimatikan seperti sakelar yang terbuka. Sebaliknya,
sebuah tegangan positif gerbang-ke-sumber menambah lebar kanal dan
memungkinkan elektron mengalir dengan mudah. Sekarang menganggap sebuah
peranti salur-n moda pengayaan. Sebuah tegangan positif gerbang-ke-sumber
dibutuhkan untuk membuat kanal konduktif karena ini tidak terdapat secara alami
di dalam transistor. Tegangan positif menarik elektron bebas pada badan menuju
ke gerbang, membuat sebuah kanal konduktif. Tetapi elektron yang cukup harus
ditarik dekat ke gerbang untuk melawan ion doping yang ditambahkan ke badan
FET, ini membentuk sebuah daerah yang bebas dari pembawa bergerak yang
dinamakan daerah pemiskinan, dan fenomena ini disebut sebagai tegangan tahan
dari FET. Peningkatan tegangan gerbang-ke-sumber yang lebih lanjut akan
menarik lebih banyak lagi elektron menuju ke garbang yang memungkinkannya
untuk membuat sebuah kanal konduktif dari sumber ke cerat, proses ini disebut
pembalikan. Baik pada peranti moda pengayaan ataupun pemiskinan, jika
tegangan cerat-ke-sumber jauh lebih rendah dari tegangan gerbang-ke-sumber,
mengubah tegangan gerbang akan mengubah resistansi kanal, dan arus cerat akan
sebanding dengan tegangan cerat terhadap sumber. Pada moda ini, FET berlaku
seperti sebuah resistor variabel dan FET dikatakan beroperasi pada moda linier
atau moda ohmik Jika tegangan cerat-ke-sumber meningkat, ini membuat
perubahan bentuk kanal yang signifikan dan taksimetrik dikarenakan gradien
tegangan dari sumber ke cerat. Bentuk dari daerah pembalikan menjadi kurus
dekat ujung cerat dari kanal. Jika tegangan cerat-ke-sumber ditingkatkan lebih
lanjut, titik kurus dari kanal mulai bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada
keadaan ini, FET dikatakan dalam moda penjenuhan, beberapa orang
menyebutnya sebagai moda aktif, untuk menganalogikan dengan daerah operasi
transistor dwikutub. Moda penjenuhan, atau daerah antara linier dan penjenuhan
digunakan jika diinginkan adanya penguatan. Daerah antara tersebut seringkali
dianggap sebagai bagian dari daerah linier, bahkan walaupun arus cerat tidak
linier dengan tegangan cerat. Bahkan jika kanal konduktif yang dibentuk oleh
tegangan gerbang-ke-sumber tidak lagi menghubungkan sumber ke cerat saat
moda penjenuhan, Pembawa muatan tidak dihalangi untuk mengalir. Dengan
menganggap peranti salur-n, sebuah daerah pemiskinan terdapat pada badan tipe-
p, mengelilingi kanal konduktif, daerah cerat dan daerah sumber. Elektron yang
mencakupi kanal bebas untuk bergerak keluar dari kanal melalui daerah
pemiskinan jika ditarik ke cerat oleh tegangan cerat-ke-sumber. Daerah
pemiskinan ini bebas dari pembawa dan memiliki resistansi seperti silikon.
Penambahan apapun pada tegangan cerat-ke-sumber akan menambah jarak dari
cerat ke titik kurus, menambah resistansi dikarenakan daerah pemiskinan
sebanding dengan tegangan tegangan cerat-ke-sumber. Perubahan yang
sebanding ini menyebabkan arus cerat-ke-sumber untuk tetap relatif tetap tak
terpengaruh oleh perubahan tegangan cerat-ke-sumber dan benar-benar berbeda
dari operasi moda linier. Dengan demikian, pada moda penjenuhan, FET lebih
berlaku seperti sebuah sumber arus konstan daripada sebagai sebuah resistor
variabel dan dapat digunakan secara efektif sebagai penguat tegangan. Pada
situasi ini, tegangan gerbang-ke-sumber menentukan besarnya arus konstan yang
melewati kanal.
Kanal pada FET telah didoping untuk membuat baik semikonduktor tipe-n
maupun semikonduktor tipe-p. Pada FET moda pengayaan, cerat dan sumber
dibuat berbeda tipe dengan kanal, sedangkan pada FET moda pemiskinan dibuat
setipe dengan kanal. FET juga dibeda-bedakan berdasarkan metoda pengisolasian
di antara gerbang dan kanal. Jenis-jenis dari FET adalah:
  MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–
Oksida–Logam) menggunakan isolator (biasanya SiO2) di antara
gerbang dan badan.
 JFET (Junction FET, FET Pertemuan) menggunakan sambungan p-n
yang dipanjar terbalik untuk memisahkan gerbang dari badan.
 MESFET (Metal–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–Logam)
menggantikan sambungan p-n pada JFET dengan sawar Schottky,
digunakan pada GaAs dan bahan semikonduktor lainnya.
 HEMT (High Electron Mobility Transistor, Transistor Pergerakan
Elektron Tinggi), juga disebut HFET (heterostructure FET, FET
Struktur Campur). Material celah-jalur-lebar yang dikurangi penuh
membentuk isolasi antara gerbang dan badan.
 IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Transistor Dwikutub
Gerbang-Terisolasi) adalah peranti untuk pengendali daya tinggi. Ini
mempunyai struktur mirip sebuah MOSFET yang digandengkan
dengan kanal konduksi utama yang mirip transistor dwikutub. Ini sering
digunakan pada tegangan operasi cerat-ke-sumber antara 200-3000 V.
MOSFET daya masih merupakan peranti pilihan utama untuk tegangan
cerat-ke-sumber antara 1-200 V.
 FREDFET (Fast Reverse/Recovery Epitaxial Diode FET, FET Dioda
Epitaksial Cepat Balik/Pulih) adalah sebuah FET yang didesain khusus
untuk memberikan kecepatan pemulihan (pematian) yang sangat cepat
dari dioda badan.
 ISFET (Ion-Sensitive FET, FET Sensitif-Ion) digunakan untuk
mengukur konsentrasi ion pada larutan, ketika konsentrasi ion (seperti
pH) berubah, arus yang mengalir melalui transistor juga berubah.
 DNAFET adalah FET khusus yang berfungsi sebagai sebuah biosensor,
dengan menggunakan gerbang yang dibuat dari molekul salah satu helai
DNA untuk mendeteksi helaian DNA yang cocok.

E. Strategi dan Metode Pembelajaran.

 Strategi Pembelajaran : Inquiry
 Metode Pembelajaran : Ceramah, diskusi, tanya jawab.

F. Alat, Media, dan Sumber Belajar

 Alat : LCD Proyektor, Laptop, dan Papan tulis.
 Media Pembelajaran : Power Point.
 Sumber belajar : Ebook Penerapan Rangkaian Elektronika.

G. Kegiatan Pembelajaran
 Pertemuan ke – 8
Kegiatan Deskripsi Kegiatan Alokasi Waktu
1. Siswa melakukan piket dikelas
2. Ketua kelas memimpin doa sebelum memulai
pelajaran
Pendahuluan 20 Menit
3. Guru membaca daftar hadir siswa
4. Guru menyampaikan materi dan tujuan
pembelajaran
Mengamati :
1. Siswa menyimak penjelasan dari guru mengenai
FET/MOSFET
2. Guru memperhatikan perilaku siswa saat sedang
dijelaskan.
Menanya :
1. Siswa berdiskusi atau bertanya jawab dengan
guru setelah dijelaskan tentang materi yang sudah
dijelaskan oleh guru
Mengeksplorasi :
Inti 1. Guru memberikan soal – soal untuk mengukur 50 Menit
seberapa mengerti siswa tentang materi
2. Siswa mengerjakan soal – soal .
Mengasosiasi :
1. Siswa membuat kesimpulan tentang
FET/MOSFET pada Rangkaian Khusus
Mengkomunikasikan :
1. Para siswa berdiskusi kembali dengan guru
tentang materi yang diberikan oleh guru.
2. Guru menilai kemampuan siswa dalam
memahami materi yang diberikan guru
1. Guru memberikan kesimpulan tentang
FET/MOSFET
Penutup 10 menit
2. Guru mengakhiri kegiatan belajar mengajar.
3. Ketua kelas memimpin doa penutup .

4. Penilaian Hasil Belajar

Tes Formatif
Jawablah Pertanyaan di bawah ini dengan singkat dan jelas!
1. Gambarkan simbol dari JFET Canal N dan Canal P
2. Apakah transistor FET dapat difungsikan sebagai penguat amplifier
3. Jelaskan bagaimana cara kerja rangkaian FET aktif ketika FET digunakan
sebagai saklar!
Kunci Jawaban :
1. Simbol
 2. Bisa
3. Jika sebuah FET kanal N digunakan, ketika kaki Gate FET mendapatkan
tegangan negative, maka kanal antara kaki Source dan Drain memiliki tahanan
yang kecil sehingga terbuka dan electron akan mengalir. Ketika electron dapat
mengalir dari Source ke Drain, maka arus akan melewati dari kaki Drain ke
Source.

Format Penilaian

Pengetahuan (20%) Keterampilan Sikap

1 (30%) 2 (30%) 3 (40%) (50%) (30%)

Mengetahui Jakarta, 10 Agustus 2017

Guru Pamong Mahasiswa

Mangaranap Gultom S.Pd Triesha Rizkyta