PERTEMUAN 1 tinggi dibanding lapisan orbit

lainnya .

Fundamental Solid State -

Principles 3. Elektron dapat berpindah ke orbit lain

dengan
inenggunakan squint at energi yang men buatnya
Atomic Theory Melnik ki
gunman energi lapisan Saat ini .

1. The Atom →
Dalam ke Ivar bututs
Orbital shells
=

energi
Atom terdiriatas : Ivar ke dalam =

melepas energi .

Proto"
Energy Gap Perbedaan
} Penyusun
" •

antara dua orbital

energi
:
.

inti atom cnukieus,

2. Neutron '

Band :
Nanna lain orbital shell
("
3. Elektron →
Mengitari nukleus
' " at h '
"99a 8 CVC electron volt )
energi gang diserap elektron
:
'

elektron
. -

* Valence shell →
Kult terkear inenentukan
'

conduction band : band terletaf di Ivar

yang gang
nilai Valens i atom .
→ memento Kan konoluktivitas csetelah ) valence shell .

atom .
Ketika : Konduktor : 0,4 eV
,
Sennikonduktor = 1. lev

1 elektron valens , perfect conductor Isolator : 1,8 eV

Energy
•
=

→ penuh Conduction Band f tr

1,8 ev
.

e
8 elektron valens , lnsuatorr Valence Band
, =

complete
-

= =

^
Konduktivitas menu run
searing ineningkatnyajunnlab >
in ez = Oil "

> Cz
elektron Valens ,
> e.

#
2. Semiconductor Untuk elektron
bisaberpindah
-

Atom nneinlliki 4 elektron valensi dari valance ke conduction band

yang .

'

Bukan konduktorataupan isolator

gang balk . bututs :
1,8 ev -

Oiler =
I. lev
•

Material semiconductor silicone (Si )

•

Excited State : Elektron likicukup energi

germanium
: men
,

( G-e) dan carbon (C) untuk melon dari valance te conduction band
,
.

pat .

Silicon & Germanium solid state Elektron berpindah ke lower shell

produksi
•
→ -

com
energy
-
→

parent mengubahcahayanenjadipanc.is .

Carbon →
produksi resistor dan potentiometer .

4. Covalent
Bonding
3. Charge and Conduction Metodediinana atom elektron valensi
menyempurnat.am
Ketika
"
tidakadakonduksi hear dengan sating
"

berbagi deng an lain

dari net
charge elektron atom
•

→
.

Junnlah proton =

junnlah elektron .

si > Saling berbagi Elektron .

( (Sadak Seimbang )
Kehilangan 1 elektron valens,
•
•

=
elektron lebih seal kit Si •

•
Si •

dari pada proton = net

charge positive .
•
•
•
Si

Mendapat 1 elektron elektron lebih banyak

Si
'

valensi =

dari pada
proton = net charge negative .
Hash dari 1 Katan :

Find a mental - aw : 1. Atom sating berikatan ,

membertuk substansi kuat

Elektron
1.
bergerak pada orbital
Kanya bisa
Elektrisitas atom cenderungstabil Karana elektron valens .
2.
,

2.
Setiap orbit memihkitingkatanenergitertentu.penah .

semakinjauhdarinukleus-semat.in besar
-
3. Elektron valens
yang peanuts inenyebabkan
Sitton berperi ,

tingkatenerginya .

Iakusebagai insulator .

Sehipgga Sitton Murri ( intrinsic)

Elektron valensiselaluineinikki
Energi paling Magadi konduktor lethal?
-

gang
 Silikondisuhu lebih back Bahar ditannbahkan Trivalent
racing nnerupakan insulator paling
• -

:
gang yang annum

dibandlng germanium .

Sehingga silikonlebih
searing dan pentavalent .

tiga@Iektronva1ensi.b
digunakan sebagai penyusun Kompopen padat ( solid state ? a. trivalent →

pentavalent
.
→
lima elektron valera .

5. Conduction Trivalent Impurities Pentavalent Impurities

•

Ketika elektron valens melon pat ke shell Aluminium ( Al ) Phosphorus ( P)

yang
"

Gallium Arsenic ( As)

"

energinyalebih tinggi >

menyebabkan Hole pada (Ga)
ikatankovakn .
Boron (B) Antimony ( Sb )
-

Pasangan antara elektron dengan hole = electron-hole pair .

Indium ( In ) Bismuth ( Bi )
nEnergy
• •

• •
Si • conduction band
'
A-I
Type Materials ( kelebihan elektron )
• •

si • •
.
n -

electron hole par

•
Si Valence band
•
• •

Material
•
•
•
•
Si 11*-3030 yang dihasilkan dari doping menggunakan
• • the
g. element
• •
pentavalent .

lebitr baryon
Excess covalent
elektronnya
Si ^ band
bond electron conduction
f
k÷É•oEFÉDh%|- Electron
Recombination
•
•

: Dalam beberapa Mill Seton Magadi elek - Si • ••

•
L ctiaoority carriers
•
As • Valance band

trop betas partite

Holes
,
akan
tnelepaskanenerginya dan akan •
•
•
Si f••••-E_zq- (Minority carriers )

valence shell hole di Si

jatuh ke -

sekltarnya .

Lifetime of electron-hole
Waktu terjadinya n-Type ineiniliki elektron yang bukan baglan
-

pair
: antara a. ikatan

electron-hole pairs hinggaterjadi rekotnbinasi kovalen .

Relatively dibutuhkansedikit energi untuktneinaksa

elektron terada dalam conduction band .

6. Conduction vs
Temperature b. Meskipun nnemihkitainbahan elektron tambaram Masino ,
-

Masino
-

Energi thermal inenyebabkan penciptaan konstan duinbangi ekstra proton pada parent atom .

Sehingga n-Type
electron-hole pairs .
> Semi konduktor akin meiniliki electrically neutral .

Junnlahnya lebih bangak

> .

ketikatidak Conduction band electron = majority

beberapa elektron bebas ada
tegargan c. carriers . .

ek sternal .
d. Valence band hole =
minority carriers .

Temperature naik → elektron

nnenyerapbanyak energi
→

cukupuntukineinutuslkatan kovalen →
Free Elektron p-Type Materials
naik → konduktivitas naik Material dihasilkan dari doping inenggunakair
.

yang
-

Konduktwitas sennkonduktor proportional terhadap trivalent element .

temperature .
Si ^
conduction band

Si •
•
••< Covalent H¥É•E€ÉÑh%¥ Electron
C Minority carriers )
bond hole
•
Al Valance band

Toping
•

•
•
•
Si t.ci?.-.:.-a--EeT-EiiaYosru-y carriers )

'

kondiiktwitas silicon dan Si

pure germanium gang
leman
menyebabkan sedikitdinnanfaatkan .
a. Trivalent doping element tidak memberikan cutup elektron

Doping :
Roses menambahkanpengotorkefse.im -

, sehingga p-type materials mennilikl kelebihan valance band

konduktoriintukoneningkatkan konduktwitas .
holes .

Impurity ( ketidaknnurnian) berupa baton selainsllikon b. Meskipunmennihkikelebihan valence band holes , total
proton
atau Clan elektron electrically neutral
germanium Sama = .
 c. Valence band hole =

majority carriers Forward bias Pkbih posit it

d. Conduction band electron =

minority carriers .
-

Digunakan untukmereduksi ketebalan depletion layer . Ini

tnengurangi resistant junction clan men

yebabkan aruscper
PN Junction volt >
mengakr Metalul Kom por en .

n -

typed an
p-type akan
sangat bergunaapabila di -
'

Diperoleh ketika potential yang diterapkan menyebabkai

satukanpnenjadi type material Iebih negativeHoarding p-type

pn junction n
Magadi
-

"""" """"" "

|
"
"" """ """" "
"
""
Region
" "" " ""° "

p type
-

n -

type

<
F- field

'

Ketika pn junction terbentuk :

a.
Sejumlah Kecil
arusdlfusi tnelewati antar material .
-

Ketika konduksi , forward voltage yang

nrelewati

b. Elektron sekitar 017 VC Silicon clan OBV

yang terdifusi
data in jatuh ke
p-type material
ph junction Germanium)
Valance band hole ( kekosongan)
Meng is
c. Atom terletakdidekat n type akan member ikan Reverse Bias
yang
-

elektron sehingga inennihki net positive charge Dlgunakan untuk ingkatkanketcbalan depletion layer Pen
'

,
.
men .
-

d. Atom
gang terletak
di deKat volt)
p-type akan inendapat Kan ingKatan resistant junction clan
tnengurangi aruscper
elektron ,
sehingga ineiniliki net
negative charge
yang
melewati koinponen .

e.
Terdapatperbedaanpotensial kedua Dise Diperolehdengannnengaplikasikanpotensial gang menyebab
-

antara Sisi .
- -

"
"
but dengan barrier potential MV Kan
type material Magadi lebih positive dibanding p-type
→
n -

f. Barter Material
potential untuck sihkonsekitar Q > v. .

Germanium 013 v. Reverse bias ph

junction umunnnya berperilaku sebagai
'

PentaValen atom dalam n-type →

kehdangan open circuit, menghindari aras berlebihan mdewati rangKalan .

elektron →
donor atom

Trivalent atom dalam p-type →

mendapat Kan
elektron →
receptor atom

Bias
-

Bias me
rupakan energi potensial yang diterapkan pada
ph junction untuk mendapatkan mode
operas , yang dunginkan .
?⃝