CII2A3 ORGANISASI DAN ARSITEKTUR KOMPUTER

TUGAS Pert-4

>> KARAKTERISTIK MEMORI

KELOMPOK 8
KELAS DS4503

FAKULTAS INFORMATIKA

UNIVERSITAS TELKOM

BANDUNG

2022

1
Ketentuan:
1. Dikerjakan secara kelompok
2. Dikerjakan pada kertas A4
3. Untuk soal perhitungan, cara atau langkah pengerjaan wajib dituliskan
4. Setiap anggota kelompok wajib mengerjakan soal (ikut berkontribusi)
5. Tidak ikut mengerjakan nilainya nol

PERNYATAAN
Saya yang bertanda tangan di bawah ini:
(a) benar-benar ikut mengerjakan soal
(b) telah menjelaskan jawaban saya ke teman anggota kelompok
(c) telah memahami penjelasan dari teman anggota kelompok

Nomor soal yang Tanda Tangan

Nama NIM
dikerjakan
Zhillan Zakka Mirrah Fulki 1305213017 5 dan 6
Dewanto

Wildan Aufa Rafid 1305213022 4 c->g

Luhung Fallah Firdaus 1305210033 1 2 dan 3

2
1. Mengapa sel memori dinamis lebih lambat dibanding sel memori statis? (nilai 10)

SRAM biasanya lebih cepat dari DRAM karena tidak memiliki siklus penyegaran.
Karena setiap sel memori SRAM terdiri dari 6 Transistor tidak seperti sel memori DRAM,
yang terdiri dari 1 Transistor dan 1 Kapasitor, biaya per sel memori dalam SRAM jauh
lebih besar dibandingkan dengan DRAM. SRAM tidak perlu disegarkan, biasanya lebih
cepat. Waktu akses rata-rata DRAM adalah sekitar 60 nanodetik, sedangkan SRAM dapat
memberikan waktu akses serendah 10 nanodetik.
2.Jelaskan apa yang dimaksud dengan memori plane? (nilai 10)
1. Setiap bit pada setiap alamat yang mempunyai posisi yang sama disusun ke dalam
sebuah memory plane
2. Memory plane merupakan array 2 dimensi dibutuhkan 2 buah select line(x dan y)
Setiap satu memory plane terdiri dari sebuah sensor line pada waktu diakses, dalam
setiap memory plane hanya satu bit saja yang dibaca
3. Perhatikan gambar blok diagram baca/tulis memori di bawah ini. Tuliskan urut-urutan
nomor yang dilakukan ketika CPU akan membaca data di memori! Setiap nomor yang
dipakai harus dilengkapi dengan aktifitasnya. (nilai 15)

Urutan write from memory

a. Simpan alamat memori yang akan ditulis ke MAR
b. Simpan data yag akan ditulis ke MBR
c. Kirim WRITE signal memalui Write Crontrol Line
d. Decode isi MAR sehingga diperoleh nilai x dan Y
e. Copy isi MBR ke memori
Urutan Read from memory
a. Simpan alamat memori yang akan dibaca ke MAR
b. Kirim READ signal melalui read control line
c. Decode isi MAR sehingga diperoleh x dan y
d. Simpan isi alamat yang ditunjuk ke dalam MBR
4. Sebuah RAM berukuran 2 GB dipasang pada komputer 32 bit dengan prosesor Intel.
Pada RAM tersebut terdapat 8 buah chip. Setiap chip merupakan sebuah bank
memori.
a) Berapakah jumlah total alamat memori yang terdapat pada memori 2 GB? (nilai 5)
Jawab:
3
 2gb + 2147483648 byte ,penjelasan => terdapat 2147483648 2 G alamat

b) Berapakah lebar alamat memori yang digunakan ketika memori 2 GB dipasang?

(nilai 5)
Jawab:
2 GB = 2048mb
2048/8 = 252

c) Berapa MB kapasitas pada setiap bank memori? (nilai 5)

Jawab:
256mb = 268435456 byte ,penjelasan => kapasitasnya 268435456 byte atau 256 M
alamat

d) Berapa jumlah select line x dan select line y pada setiap bank? (nilai 5)
Jawab:
kapasitas setiap bank memory adalah = 256 M alamat = 228 alamat = 214 , baris X
dikali 214 kolom Y, jumlah baris setiap memory bank adalah 214 = 16.384 atau 16 k

e) Tentukan alokasi bit ke berapa sampai ke berapa yang dialokasikan untuk menunjuk
nomor bank, select line x, dan select line y! Catatan: Penomoran bit dimulai dari 0.
(nilai 10)
Jawab:
- Jumlah total alamat =2 G alamat = 231 byte alamat, jadi total bit alamat = 31bit
- Jumlat memory bank = 8 = 23 bank, jadi jumlah bit nomor memory bank = 3 bit
- jumlah bit nomor baris = 14 bit. Karena jumlah select line baris = 16k = 214
-> menunjuk nomor bank dari posisi bit 29 sampai 31
-> meninjuk nomor baris dari posisi bit 14 sampai 28
-> menunjuk nomor kolom dari posisi bit 0 sampai 13

f) Jika sebuah data di RAM terletak pada alamat 0x1234ABCD, maka data tersebut
terletak pada bank ke berapa? (nilai 5)
Jawab:
Alamat 0x1234ABCD menjadi = 000 0000 0000 0001 0010 0011 0100 1010 1011
1100 1101 . Bank memory = 1011 1100 1101 = 0xBCD = bank ke 2

g) Jika sebuah program ingin membaca data yang terletak pada RAM dengan alamat
0xA1B2C3D4, jelaskan pada bank ke berapa letak data tersebut? (nilai 10)
Jawab:
Alamat 0xA1B2C3D4 menjadi = 000 0000 0000 1010 0001 1011 0010 1100 0011
1101 0100 . Bank memory = 1100 0011 1101 0100 = 0xC3D4

1. Perhatikan contoh gambar SDRAM read timing diagram di bawah ini!

a) Berapakah jumlah latency-nya dan terjadi pada clock berapa saja? (nilai 5)
Terjadi di clock T0, T1, T2, T3, dan T4
b) Berapakah burst length-nya dan terjadi pada clock berapa saja? (nilai 5)
Terjadi di T4, T5, T6, dan T7
4
 c) Untuk mempercepat kerja komputer dapat dilakukan dengan melakukan
overclocking. Overclocking pada memori dapat dilakukan dengan cara:
i. mengurangi/menambah* nilai latency-nya, atau (nilai 5)
( Mengurangi )
ii. mengurangi/menambah* nilai burst length-nya (nilai 5)
* pilih salah satu
( Menambah )

2. Misal sebuah data 8 bit 11000010 akan disimpan ke dalam memori. Untuk mendeteksi
apakah terjadi kesalahan pada saat data dibaca, maka data tersebut dilengkapi dengan
sejumlah bit menggunakan algoritma Hamming code.
a) Tentukan bit-bit yang perlu ditambahkan (bit kontrol)! (nilai 5)
Jawab:

P1, P2, P4, P8

b) Pada saat data dibaca, ternyata sistem menghasilkan bit-bit Hamming code 1101.
Jika kesalahan diakibatkan oleh 2 bit yang berubah, tentukan nomor posisi bit-bit
data yang berubah! (nilai 10)
Jawab:

110000010010