Tanggal Praktikum : 16 November 2021

Tanggal Pengumpulan : 23 November 2021

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA SEMESTER 115

Karakteristik Transistor Basis Ditanahkan

Nama : Febrian Zulmi

NRM : 1306620032
Dosen Pengampu : Dewi Muliyati, M.Si., M.Sc.

Asisten Laboratorium:
- Fiqri Aditya Riyanto (1306619007)
- Wildan Nurrahman(1306619044)
- Firman Prastiawan (1302619076)
- Febian Riza Rhamadhan (1306619032)
- Rendy Setiabudi (1302619070)

Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam

Universitas Negeri Jakarta
2021
 MODUL VII

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DI TANAHKAN

A. TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
2. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.
3. Membuat grafik karakteristik transistor basis ditanahkan.

B. TEORI DASAR
Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (jjunction). Sambungan itu
membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminanlnya berturut-turut
disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada ditengah, diantara emitor dan
kolektor. Transistor ini disebut dengan transistor bipolar, karena struktur dan prinsip
kerjanya tergantung dari perpindahan elektron dikutub negatif mengisi kekurangan
elektron (hole) dikutub positif. Bi=2 dan polar=kutub. Adalah Williom Schockley pada
tahun 1951 yang perrtama kali menemukan transistor bipolar.

Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang bekerja sebagai

sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah
inovasi yang menggantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor
bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja
pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih
digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik,
namun konsumsi dayanga sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik
yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
Bias DC
Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan
penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor
junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir jika diberi bias positif,
yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward
bias). Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias
positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reserve bias).

Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron
mengalir dari emitor menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab,
mendapat tegangan positif. Karena kolektor lebih positif, aliran elektron bergerak
menuju kutub ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju
base seperti dioda. Tetapi, karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron
yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus
lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabung tidak
dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat
tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.

Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reserve bias), maka tidak akan terjadi aliran
elektron dari emitor menuju kolektor. Jika perlahan ‘keran’ base diberi bias maju
(forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar
arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron
yang mengalir dari emitor menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan
transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emitor- colector yang lebih
besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan
diatas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil
mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur
membuka dan menutup aliran arus emitor-kolektor (switch on/off).
 Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan
bias seperti gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus ialah Arus
Hole.

Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut

adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah arus dari potensial yang
lebih besar ke potensial yang lebih kecil.
Agar transistor dapat berfungsi dengan sebagai penguat, maka harus diusahakan
sambungan antara emitor-base (sambungan emitor atau Je) harus mendapat tegangan
mau dan sambungan antara basis-kolektor (sambungan kolektor atau Jc) harus mendapat
tegangan balik. Suatu rangkaian penguat dengan transistor- basis ditanahkan adalah:

Masukan disadap dari terminal emitor-basis dan keluaran disadap dari terminal
kolektor-basis. Jadi, terminal basis dipakai bersama sebagai basis, sehingga penguat
jenis ini dikenal sebagai penguat dengan basis ditanahkan.
Karakteristik massukan statis dapat dipelajari melalui pengukuran tegangan
masukan yaitu tegangan antara emitor-base (Veb) dan kuat arus masukan yaitu kuat arus
yang masuk melalui emitor (Ie) pada tegangan keluaran (Vcb) tertentu.
Sifat masukan dari transistor PNP dalam konfigurasi sekutu basis diperlihatkan
dengan membuat grafik antara Ie (mA) terhadap Vbe (V). Karakteristik grafik yang
dihasilkan akan berbeda untuk nilai Vcb yang berbeda. Grafik karakteristik dioda bias
maju.
 Sifat masukan transistor dalam konfigurasi CB yang dipengaruhi oleh Vcb
disebabkan karena menebalnya daerah kosong (deleption region) pada sambungan Jc
karena tegangan sambungan Vc yang semakin negatif jika Vcb semakin negatif. Dengan
menebalnya daerah kosong berarti tebal basis secara efektif menjadi berkurang. Ada dua
akibat yang disebabkan berkurangnya tebal basis. Pertama menjadi lebih besar, karena
hole injection didaerah basis yang melakukan rekombinasi jumlahnya berkurang.
Kedua, karena jarak efektif antara Je dan Jc semakin kecil, menurunya konsentrasi hole
minoritas injection didaerah basis semakin tajam. Perlu diingat bahwa pada sambungan
ini harganya mendekati nol. Dengan penurunan konsentrasi yang lebih tajam, harga Ie
menjadi lebih besar. Jadi kesimpulannya, dengan Vcb yang semakin negatif, kalau Veb
tetap, harga Ie semakin besar.
Karakteristik keluaran statis dapat dipelajari melalui pengukuran tegangan
keluaran yaitu tegangan antara kolektor basis (Vcb) dan kuat arus keluaran yaitu kuat
arus yang keluar melalui terminal kolektor (Ic) pada arus masukan (Ie) tertentu. Sifat
keluaran transistor PNP dalam konfigurasi basis bersama dapat digambarkan dari
karakteristik yang dihasilkan oleh arus kolektor (Ic) terhadap tegangan kolektor basis
(Vcb) pada nilai arus Ie tertentu. Dari grafik yang dihasilkan dapat diamati tiga daerah
sifat keluaran yaitu: daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh. (Tim Dosen Praktikum
Elektronika, 2012)

TEORI TAMBAHAN
Transistor merupakan kependekan dari “Current-Transferring Resistor”.
Komponen ini pertama kali ditemukan oleh William Shockley, John Bardeen dan
Walter Brattain ketika sedang bekerja dalam Laboratorium Telepon Bell pada tahun
1947. Transistor pada umumnya digunakan pada rangkaian penguat (amplifier) dan
menjadi blok dasar dari integrated circuits (IC). Pada saat ini transistor menjadi
komponen inti di dalam microprosessor yang digunakan pada komputer pribadi
(personal computer atau PC) dan berbagai perangkat komputasi lainnya. (Serway, R.A,
2019, hal. 571)
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang
dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal
lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik
modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat).
Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal
radio. Dalam rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi.
(Svobada, James. 2018, hal. 581).
 Transistor merupakan komponen dasar yang biasanyadigunakan untuk sistem
penguat. Saat digunakan sebagai penguat, transistor harus berada di daerah kerja aktif.
Nilaiambang pada transistor merupakan nilai saat arus mulaimengalir pada basis, yang
artinya tegangan pada basis telahmelebihi potensial barrier minimum. Hasil bagi antara
sinyaloutput dengan sinyal input inilah yang disebut sebagai faktor penguatan arus.
Dalam penggunaannya transistor dapat berfungsi sebagai saklar dengan memanfaatkan
daerah penjenuhan atau daerah saturasi, dan daerah penyumbatan atau cut–off. (Aditya
Emy, 2012, hal. 2).
Pada penguat emitor ditanahkan mempunyai impedansi masukan 1/1-α kali lebih
besar dari pada penguat basis ditanahkan,dan impedansikeluaran transistor (1-α) lebih
kecil dari pada penguat basis ditanahkan. Impedansi masukan yang tak terlalu besar dan
impedansi keluaran yang tak terlalu kecil membuat penguat emitor ditanahkan sangat
baik digandengkan dalam beberapa tahap tanpa banyak ketidaksesuaian impedansi pada
alih tegangandari satu tahap ketahap berikutnya. (Subhan Muhammad, 2015, hal. 3).
The bipolar junction transistor terdiri dari tiga daerah bahan semikonduktor.
Salah satu jenis adalah disebut transistor pnp, dimana dua wilayah p-sandwich jenis
bahan lapisan sangat tipis dari tipe-n material. Tipe kedua disebut n-p-n transistor,
dimana dua daerah sandwich jenis material lapisan sangat tipis dari p-jenis material.
Kedua jenis transistor terdiri dari dua sambungan p-n ditempatkan sangat dekat satu sama
lain dibelakang back-to-pengaturan tentang satu bagian dari semikonduktor material.
(Aprilianti. “ Karakteristik Transistor Emitor Ditanahkan (CEC)”. Jurnal Fisika. Vol. 1.
No. 1, 2017, hal. 2).

Transistor adalah suatu komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor ada dua
macam yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan.
Transistor digunakan dalam rangkaian untuk memperkuat isyrat artinya isyarat masukan
lemah dan diubah menjadi isyarat kuat pada keluaran. Pada transistor dwikutub
sambungan p-n antara emitor dan basis(Sutrisno,1986). Transistor mempunyai tiga kaki
(elektroda) yang diberinama basis (b), emitor (e) dan collector (c). Basis dihubungkan
pada lapisan tengah sedang emitor dan collector pada lapisan tepi. Emitor artinya
pemancar, disinilah pembawa muatan berasal. Kolektor artinya pengumpul.Pembawa
muatan yang berasal dari emitor ditampung pada collector. Basis artinya dasar, basis
digunakan sebagai elektroda mengendali. Prinsip transistor juga sebagai
penguat(amplifier): artinya transistor bekerja pada wilayah antara titik jenuh dan kondisi
terbuka(cut off), tetapi tidak pada kondisi keduanya. Prinsip transistor sebagai
penghubung (saklar) : transistor akan mengalami Cutoff apabila arus yang melalui basis
sangat kecil sekali sehinga collector dan emitor akan seperti kawat yang terbuka, dan
transistor akan mengalami jenuh apabila arus yang melalui basis terlalu besar sehingga
antara collector dan emitor bagaikan kawat terhubung dengan begitu tegangan antara
collector dan emitor V . Prinsip dasar dari kerja transistor yang lain adalah tidak akan ada
arus antara collector dan emitor apabila pada basis tidak diberi tegangan muka atau bias.
Bias pada basis ini biasanya diikuti dengan sinyal-sinyal atau pulsa listrik yang nantinya
hendak dikuatkan, sehingga pada collector, sinyal yang di inputkan pada kaki basis telah
dikuatkan. Kedua jenis transistor baik NPN ataupun PNP memiliki prinsip kerja yang
sama(Sriwidodo,2012). Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran
electron sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga
daerahdoped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistorada
dua jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satuantara emitter
dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu,sebuah transistor seperti
dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu diodaemitter-basis, atau disingkat
dengan emitter dioda dan dioda kolektor basis, ataudisingkat dengan dioda
kolektor.Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila diodaemitter
basis dibias maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arusterhadap tegangan
dioda biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka
arus basis (Ib) akan kecil. Ke tika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis
(Ib) akan naik secara cepat(Malvino,1992). Transistor NPN dan transistor PNP
merupakan transistor yang terbuat dari semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe N.
Pada transistor tipe ini nilai pergerakan dari elektronnya akan lebih tinggi dibandingkan
dengan pergerakan muatan positifnya, sehingga akan memungkinkan sistem beroperasi
dengan arus yang besar dan pada kecepatan yang besar. Arus pada basis akan dikuatkan
oleh kolektor. Jadi transistor NPN akan memasuki daerah aktif ketika tegangan yang
berada pada basis lebih tinggi dari pada emitor dan menuju keluar yang menunjukan arah
arus konvensional, saat alat mendapat panjar maju(Aditya,2012). Dalam operasi normal
transistor, hubungan emitorbasis di catu maju sedangkan hubungan kolektor-basis di catu
balik. Jadi, arus masuk ke transistor lewat terminal emitor dalam transistor p-n-p,
sedangkan dalam transistor np-n, arus keluar transistor lewat terminal emitor
(Chattophandyay,1989). Sebuah transistor memiliki empat daerah operasi yang berbeda
yaitudaerah aktif, daerah saturasi, daerah cutoff, dan daerah breakdown. Jika transistor
digunakan sebagai penguat, transistor bekerja pada daerah aktif. Jika transistordigunakan
pada rangkaian digital, transistor biasanya beroperasi pada daerahsaturasi dan cutoff.
Daerah breakdown biasanya dihindari karena resiko transistormenjadi hancur terlalu
besar(Dwihono,1996). Rangkaian transistor adalah rangkaian komponen elektronika
yang terbuat serta tersusun oleh bahan semikonduktor yang mempunyai tiga kaki yang
biasa disimbolkan basis (B), emitor (E), dan kolektor (K). Transistor sendiri dibagi
menjadi dua jenis tipe yaitu transistor PNP dan juga transistor NPN yang membedakan
kedua transistor tersebut yaitu dapat dilihat pada tanda panah pada area emitor (E), jika
anak panah kebagian dalam, maka transistor tersebut adalah transistor PNP, sementara
jika anak panah mengarah kearah luar maka transistor tersebut NPN(Zemansky,1962).
Transistor mempunyai dua persambungan satu antara emitter dan basis yang lain antara
basis dan kolektor. Sehubungan dengan ini, suatu transistor dapat dipandang sebagai dua
dioda yang dalam hubungan saling membelakangi

Dalam gambaran ini diode sebelah kiri disebut diode emitter-basis atau singkatnya diode
emitter. Dioda sebelah kanan disebut dioda kolektor-kolektor atau secara singkat dioda
kolektor(Frenzel,2010). Untuk frekuensi tinggi, rangkaian setara parameter-h tidak
digunakan, hal ini disebabkan dalam rangkaian parameter-h kita tidak dapat memasang
kapasitansi, dan oleh karena kapasitansi ini menghubungkan kolektor dan emitor dengan
bagian tengah basis. Untuk menentukn frekuensi potong atas pada tanggapan amplitude
penguat, kita perlu tahu, kapasitansi ada biasanya disebutkan pada lembaran data
transistor. Namun tidak demikian hanya dengan kapasitansi. Lembaran data transistor
biasanya menyebutkan suatu frekuens yang disebut, yaitu frekuensi untuk mana β =
1(Yohannes,1979). Transistor dapat digunakan sebagai saklar elektronika dengan
membuat transistor tersebut berada dalam kondisi cut off (saklar terbuka, arus tidak
mengalir). Atau saturasi (saklar tertutup, sehingga arus mengalir) (Budiharto,2008).
Sebuah rangkaian saklar elektronik dengan menggunakan transistor PNP dan transistor
NPN dipakai menghidupkan dan mematikan LED. Ketika kita membutuhkan rangkaian
yang dapat menyalakan LED ketika cahaya dari lingkungan sekitar mulai meredup.
Rangkaian ini boleh jadi merupakan satu bagian dari sebuah keamanan(Bishop,2004).
Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT)
atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari
sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B),
Emitor (E) dan Kolektor/Collector (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya
Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang akan dikuatkan melalui
kolektor.Selain digunakan untuk penguat transistor bisa juga digunakan sebagai saklar.
Caranya dengan memberikan arus yang cukup besar pada basis transistor hingga
mencapai titik jenuh. Pada kondisi seperti ini kolektor dan emitor bagai kawat yang
 terhubung atau saklar tertutup, dan sebaliknya jika arus basis teramat kecil maka kolektor
dan emitor bagai saklar terbuka. Dengan sifat pensaklaran seperti ini transistor bisa
digunakan sebagai gerbang atau yang sering kita dengar dengan sebutan TTL yaitu
Transistor Transistor Logic. Transistor dapat berfungsi juga sebagai; (a) penguat arus
maupun tegangan yang dipakai sebagai penguat, (b) sebagai sirkuit pemutus dan
penyambung (switching), (c) stabilisasi tegangan semacam kran listrik, dimana
berdasarkan arus inputnya (BJT) atautegangan inputnya (FET), dan (d) memungkinkan
pengaliran listrik yangsangat akurat dari sirkuit sumber listriknya (Surjono,2011). Salah
satu fungsi transistor yang paling banyak banyak digunakan didunia. Elektronika analog
adalah sebagai penguat yaitu penguat arus, penguat tegangan, dan penguat daya. Fungsi
komponen semikonduktor ini dapat kita temukan pada rangkaian pres-amp mic, pres-amp
head,echo, tone control, amplifier dan lain-lain. Berdasarkan cara pemasangannya ground
dan pengambilan output, penguat transistor dibagi menjadi tiga yaitu Common Base
(CB), Common Emittor (CE), dan Common Collector (CC) (Isparela,2012). Kegunaan
transistor dalam kehidupan sehari-hari yaitu saklar sebagai penguat arus, saklar otomatif
untuk menyambung dan memutuskan arus, saklar sebagai orilator getaran frekuensi radio,
dan saklar sebagai stabisator pada adoptor (Rosella,2008).

C. ALAT DAN BAHAN

1. Voltmeter
2. Amperemeter
3. Power supply
4. Protoboard
5. Resistor 330
6. Potensiometer 10 K
D. PROSEDUR PERCOBAAN
Karakteristik Statis Masukan
1. Membuat rangkaian seperti pada gambar dengan kedua sumber tegangan dalam
keadaan terbuka.

2. Menghubungkan sumber tegangan dengan rangkaian yang telah diperiksa dan

mengubah potensio P1 dan P2 pada posisi minimum.
3. Mengubah potensio P1 sehingga didapat Ved (tegangan input) 0,5 V sedangkan
P2 tetap minimum, sehingga Vcb=Vout=0. Mencatat kuat arus di emitor (Ie).
4. Melakukan langkah 3 untuk tegangan Ved sampai 6 V dengan interval 0,5 V.
5. Melakukan langkah 3 dan 4 untuk Vcb 3,6,9 V.

Karakteristik Statis Keluaran

1. Membuat rangkaian seperti pada gambar dengan kedua sumber tegangan
dalam keadaan terbuka.

2. Menghubungkan sumber tegangan dengan rangkaian yang telah diperiksa dan

mengubah potensio P1 dan P2 pada posisi minimum.
3. Mengubah potensio P1 sehingga didapat arus Ie 1 mA. Mengatur P2 sehingga
didapat Vcb= 1 V. Mencatat kuat arus di kolektor (Ic).
4. Melakukan langkah 3 untuk tegangan Vcb sampai 9 V dengan interval 1 V.
5. Melakukan langkah 3 dan 4 untuk Ie 5,10,15,20, dan 25 mA
 E. PERTANYAAN AWAL
1. Membuat grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, dimana kuat
arus emitor (Ie) sebagai sumbu Y dan tegangan emitor-basis (Veb) sebagai
sumbu X.
Jawaban:

2. Buatlah grafik karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan, dimana kuat

arus kolektor (Ic) sebagai sumbu Y dan tegangan kolektor-basis (Vcb) sebagai
sumbu X.
Jawaban :
 F. DATA PERCOBAAN
Karakteristik Statis Masukan

VCB = 0V VCB = 3V VCB = 6V VCB = 9V

No VEB (V) IE (mA) VEB (V) IE (mA) VEB (V) IE (mA) VEB (V) IE (mA)
1 0.5 0.01 0.5 -0.68 0.5 -0.89 0.5 -0.93
2 1.0 1.21 1.0 0.72 1.0 0.66 1.0 0.62
3 1.5 2.47 1.5 2.21 1.5 2.11 1.5 2.09
4 2.0 3.90 2.0 3.71 2.0 3.63 2.0 3.81
5 2.5 5.37 2.5 5.19 2.5 5.14 2.5 5.15
6 3.0 6.89 3.0 6.87 3.0 6.81 3.0 6.85
7 3.5 8.34 3.5 8.22 3.5 8.29 3.5 8.16
8 4.0 9.95 4.0 9.89 4.0 9.73 4.0 9.75
9 4.5 11.34 4.5 11.28 4.5 11.29 4.5 11.22
10 5.0 13.08 5.0 12.83 5.0 12.91 5.0 12.97
11 5.5 14.48 5.5 14.35 5.5 14.48 5.5 14.44
12 6.0 16.01 6.0 15.93 6.0 15.95 6.0 15.81

G. PENGOLAHAN DATA
• Karakteristik statis masukkan
𝑉𝐶𝐵 = 0 𝑣𝑜𝑙𝑡 𝑉𝐶𝐵 = 3 𝑣𝑜𝑙𝑡
1 1
∆𝑉𝐶𝐵 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝑉𝐶𝐵 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝑉𝐶𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉 ∆𝑉𝐶𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉
2 2
∆𝑉𝐶𝐵 ∆𝑉𝐶𝐵
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝑉𝐶𝐵 𝑉𝐶𝐵
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0 3
= ~ % (Tidak terdefinisi) = 0.167 % (3 AP)
(𝑉𝐶𝐵 ± ∆𝑉𝐶𝐵 ) = (0 ± 0.005)𝑉 (𝑉𝐶𝐵 ± ∆𝑉𝐶𝐵 ) = (3.000 ± 0.005)𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 6 𝑣𝑜𝑙𝑡 𝑉𝐶𝐵 = 9 𝑣𝑜𝑙𝑡
1 1
∆𝑉𝐶𝐵 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝑉𝐶𝐵 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝑉𝐶𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉 ∆𝑉𝐶𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉
2 2
∆𝑉𝐶𝐵 ∆𝑉𝐶𝐵
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝑉𝐶𝐵 𝑉𝐶𝐵
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
6 9
= 0.083 % (4 AP) = 0.056 % (4 AP)
(𝑉𝐶𝐵 ± ∆𝑉𝐶𝐵 ) = (6.000 ± 0.005)𝑉 (𝑉𝐶𝐵 ± ∆𝑉𝐶𝐵 ) = (9.000 ± 0.005)𝑉
 𝑉𝐸𝐵 = 0.5 𝑣𝑜𝑙𝑡 𝑉𝐸𝐵 = 3.5 𝑣𝑜𝑙𝑡
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉 ∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉
2 2
∆𝑉𝐸𝐵 ∆𝑉𝐸𝐵
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐸𝐵
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0.5 3.5
= 1 % (3 AP) = 0.14 % (3 AP)
(𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (0.500 ± 0.005)𝑉 (𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (3.500 ± 0.005)𝑉
𝑉𝐸𝐵 = 1 𝑣𝑜𝑙𝑡 𝑉𝐸𝐵 = 4 𝑣𝑜𝑙𝑡
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉 ∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉
2 2
∆𝑉𝐸𝐵 ∆𝑉𝐸𝐵
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐸𝐵
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
1 4
= 0.5 % (3 AP) = 0.125 % (3 AP)
(𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (1.000 ± 0.005)𝑉 (𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (4.000 ± 0.005)𝑉
𝑉𝐸𝐵 = 1.5 𝑣𝑜𝑙𝑡 𝑉𝐸𝐵 = 4.5 𝑣𝑜𝑙𝑡
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉 ∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉
2 2
∆𝑉𝐸𝐵 ∆𝑉𝐸𝐵
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐸𝐵
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
1.5 4.5
= 0.34 % (3 AP) = 0.11 % (3 AP)
(𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (1.500 ± 0.005)𝑉 (𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (4.500 ± 0.005)𝑉
𝑉𝐸𝐵 = 2 𝑣𝑜𝑙𝑡 𝑉𝐸𝐵 = 5 𝑣𝑜𝑙𝑡
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉 ∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉
2 2
∆𝑉𝐸𝐵 ∆𝑉𝐸𝐵
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐸𝐵
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
1.5 5
= 0.25 % (3 AP) = 0.1 % (4 AP)
(𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (2.000 ± 0.005)𝑉 (𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (5.000 ± 0.005)𝑉
𝑉𝐸𝐵 = 2.5 𝑣𝑜𝑙𝑡 𝑉𝐸𝐵 = 5.5 𝑣𝑜𝑙𝑡
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉 ∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉
2 2
 ∆𝑉𝐸𝐵 ∆𝑉𝐸𝐵
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐸𝐵
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
2.5 5.5
= 0.2% (3 AP) = 0.09 % (4 AP)
(𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (2.500 ± 0.005)𝑉 (𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (5.500 ± 0.005)𝑉
𝑉𝐸𝐵 = 3 𝑣𝑜𝑙𝑡 𝑉𝐸𝐵 = 6 𝑣𝑜𝑙𝑡
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝑉𝐸𝐵 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉 ∆𝑉𝐸𝐵 = ⋅ 0.01 = 0.005𝑉
2 2
∆𝑉𝐸𝐵 ∆𝑉𝐸𝐵
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐸𝐵
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
3 6
= 0.167 % (3 AP) = 0.083 % (4 AP)
(𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (3.000 ± 0.005)𝑉 (𝑉𝐸𝐵 ± ∆𝑉𝐸𝐵 ) = (6.000 ± 0.005)𝑉

• Mencari ksr IE
𝑉𝐶𝐵 = 0 𝑉𝑜𝑙𝑡

𝐼𝐸 = 0.01 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 8.34 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0.01 8.34
= 50 % (1 AP) = 0.059 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (0.010 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (8.340 ± 0.005)𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 1.21 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 9.95 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
1.21 9.95
= 0.413 % (3 AP) = 0.05 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (1.210 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (9.950 ± 0.005)𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 2.47 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 11.34 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
 1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
2.47 11.34
= 0.2 % (3 AP) = 0.044 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (2.470 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (11.340 ± 0.005)𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 3.90 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 13.08 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
3.90 13.08
= 0.12 % (3 AP) = 0.038 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (3.900 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (13.080 ± 0.005)𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 5.37 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 14.48 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
5.37 14.48
= 0.093 % (4 AP) = 0.0345 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (5.370 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (14.480 ± 0.005)𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 6.89 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 16.01 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
6.89 16.01
= 0.072 % (4 AP) = 0.031 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (6.890 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (16.010 ± 0.005)𝑚𝐴
 VCB = 3 Volt

IE= −0.68 𝑚𝐴 IE= 8.22 𝑚𝐴

1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0.68 8.22
= 0.73 % (3 AP) = 0.06 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (−0.680 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (8.220 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 0.72 𝑚𝐴 IE= 9.89 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0.72 9.89
= 0.694 % (3 AP) = 0.05 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (0.720 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (9.890 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 2.21 𝑚𝐴 IE= 11.28 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
2.21 11.28
= 0.226 % (3 AP) = 0.0443 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (2.210 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (11.280 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 3.71 𝑚𝐴 IE= 12.83 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
3.71 12.83
= 0.134 % (3 AP) = 0.0389 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (3.710 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (12.830 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 5.19 𝑚𝐴 IE= 14.35 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
5.19 14.35
= 0.096 % (4 AP) = 0.0348 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (5.190 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (14.350 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 6.87 𝑚𝐴 IE= 15.93 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
6.87 15.93
= 0.0727 % (4 AP) = 0.0313 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (6.870 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (15.930 ± 0.005)𝑚𝐴

VCB = 6 Volt

IE= −0.89 𝑚𝐴 IE= 8.29 𝑚𝐴

1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0.89 8.29
= 0.56 % (3 AP) = 0.06 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (−0.890 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (8.290 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 0.66 𝑚𝐴 IE= 9.73 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0.66 9.73
= 0.75 % (3 AP) = 0.051 % (4 AP)
 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (0.660 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (9.730 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 2.11 𝑚𝐴 IE= 11.29 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
2.11 11.29
= 0.236 % (3 AP) = 0.0442 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (2.110 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (11.290 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 3.63 𝑚𝐴 IE= 12.91 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
3.63 12.91
= 0.137 % (3 AP) = 0.0387 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (3.630 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (12.910 ± 0.005)𝑚𝐴

IE= 5.14 𝑚𝐴 IE= 14.48 𝑚𝐴

1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
5.14 14.48
= 0.0972 % (4 AP) = 0.0345 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (5.140 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (14.480 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 6.81 𝑚𝐴 IE= 15.95 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
6.81 15.95
= 0.0734 % (4 AP) = 0.0313 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (6.810 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (15.950 ± 0.005)𝑚𝐴
 VCB = 9 Volt

IE= −0.93 𝑚𝐴 IE= 8.16 𝑚𝐴

1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0.93 8.16
= 0.53 % (3 AP) = 0.0612 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (−0.930 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (8.160 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 0.62 𝑚𝐴 IE= 9.75 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
0.62 9.75
= 0.8 % (3 AP) = 0.051 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (0.620 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (9.750 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 2.09 𝑚𝐴 IE= 11.22 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
2.09 11.22
= 0.239 % (3 AP) = 0.0445 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (2.09 0 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (11.220 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 3.81 𝑚𝐴 IE= 12.97 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
3.81 12.97
= 0.131 % (3 AP) = 0.0385 % (4 AP)
 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (3.810 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (12.970 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 5.15 𝑚𝐴 IE= 14.44 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
5.15 14.44
= 0.0970 % (4 AP) = 0.0346 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (5.150 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (14.440 ± 0.005)𝑚𝐴
IE= 6.85 𝑚𝐴 IE= 15.81 𝑚𝐴
1 1
∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡 ∆𝐼𝐸 = 𝑛𝑠𝑡
2 2
1 1
∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴 ∆𝐼𝐸 = ⋅ 0.01 = 0.005 𝑚𝐴
2 2
∆𝐼𝐸 ∆𝐼𝐸
𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100% 𝐾𝑆𝑅 = ⋅ 100%
𝐼𝐸 𝐼𝐸
0.005 0.005
= ⋅ 100% = ⋅ 100%
6.85 15.81
= 0.0759 % (4 AP) = 0.0316 % (4 AP)
(𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (6.850 ± 0.005)𝑚𝐴 (𝐼𝐸 ± ∆𝐼𝐸 ) = (15.810 ± 0.005)𝑚𝐴

H. ANALISIS DATA DAN GRAFIK

Pada praktikum kali ini dengan percobaan pertama berupa karakteristik
masukkan didapatkan grafik berupa:

Grafik Masukan Transistor Basis

Ditanahkan
18
16
14
I 12
e 10 0 Volt
8 3 Volt
m 6 Volt
4
9 Volt
2

-2 0 1 2 3 4 5 6 7
Veb (V)
 Dari grafik di atas bisa dilihat bentuknya beraturan yaitu semakin besar tegangan
basis-emitor maka besar arus emitor akan semakin naik. Hal tersebut menunjukkan jika
besar tegangan berbanding lurus dengan arus.

I. PERTANYAAN AKHIR

1. Membuat grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, dimana kuat

arus emitor (IE) sebagai sumbu Y dan tegangan basis-emitor (VEB) sebagai sumbu
X. Lukiskan untuk nilai VCB yang berbeda pada satu bidang kartesian yang sama.
Jawab:

Grafik Masukan Transistor Basis

Ditanahkan
18
16
14
I 12
e 10 0 Volt
8 3 Volt
(

m 6 Volt
4
9 Volt
)

-2 0 1 2 3 4 5 6 7
Veb (V)

2. Membuat grafik karakteristik keluaran transistor emitor ditanahkan, dimana kuat

arus kolektor (IC) sebagai sumbu Y dan tegangan kolektor-basis (VCB) sebagai
sumbu X. Lukiskan untuk nilai IE yang berbeda pada satu bidang kartesian yang
sama.
Jawab:
Tidak melakukan percobaan untuk karakteristik keluaran transistor emitter
ditanahkan.

3. Bandingkan kurva karakteristik masukan transistor dengan kurva karakteristik

dioda bias maju, berikan penjelasan anda!
Jawab:
Kurva dioda bias maju berbentuk seperti di bawah ini:
 Berbeda dengan grafik karakteristik masukan yang cenderung naik ke atas,
sedangkan kurva diode bias maju pada awalnya datar kemudian naik dengan
signifikan.

4. Untuk kurva karakteristik keluaran transistor, tentukan daerah mati, daerah aktif
dan daerah jenuh transistor basis ditanahkan
Jawab:
Tidak melakukan percobaan untuk karakteristik keluaran transistor basis
ditanahkan.

J. PEMBAHASAN DAN KESIMPULAN

Pada praktikum mengenai transistor basis ditanahkan digunakan berbagai
macam alat seperti yang terpaparkan pada alat dan bahan diatas. Untuk resistor
digunakan resistor dengan nilai 330 Ω. Dan pada praktikum ini terlebih dahulu
menetukan kaki-kaki transistor yaitu berupa emitor, basis dan kolektor. Cara
menentukannya dengan menggunakan multimeter yaitu apabila titik acuannya
menggunakan probe warna merah maka jenis transistor tersebut adalah PNP, dan
apabila titik acuan yang digunakan menggunakan probe warna hitam maka jenis
transistor yang digunakan adalan NPN. Pada praktikum yang dilakukan ini probe yang
menjadi titik acuan saat menggunakan multimeter adalah probe warna hitam maka jenis
transistor yang digunakan adalah jenis NPN. Jika kaki-kaki transistornya sudah
ditentukan baru bisa dilakukan pengukuran dengan rangkaian yang sesuai gambar.
Pada percobaan pertama yaitu karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
Dimana yang diukur berupa IE dengan besar VEB berupa 0,5 volt sampai 6 volt, dan VCB
sebesar 0 volt sampai 9 volt. Karena yang diukur berupa IE maka saat pengukuran
probenya berada di kaki transistor bernama emitor dan di kaki resistor. Setelah
dilakukan pengukuran ternyata hasilnya cukup baik dan grafik yang didapat cenderung
naik. Terlihat seperti data pada tabel berikut:
 VEB VCB = 0 VCB = 3 VCB = 6 VCB = 9
IE (mA) IE (mA) IE (mA) IE (mA)
0.5 0.01 -0.68 -0.89 -0.93
1.0 1.21 0.72 0.66 0.62
1.5 2.47 2.21 2.11 2.09
2.0 3.9 3.71 3.63 3.81
2.5 5.37 5.19 5.14 5.15
3.0 6.89 6.87 6.81 6.85
3.5 8.34 8.22 8.29 8.16
4.0 9.95 9.89 9.73 9.75
4.5 11.34 11.28 11.29 11.22
5.0 13.08 12.83 12.91 12.97
5.5 14.48 14.35 14.48 14.44
6.0 16.01 15.93 15.95 15.81

Berdasarkan data diatas datanya cenderung naik, artinya semakin besar VEB
maka IE nya pun akan semakin besar. Berdasarkan percobaan ini dengan data yang
didapat dihasilkan grafik berupa:

Grafik Masukan Transistor Basis

Ditanahkan
18
16
14
I 12
e 10 0 Volt
8 3 Volt
m 6 Volt
4
9 Volt
2

-2 0 1 2 3 4 5 6 7
Veb (V)

Dari grafik diatas bisa dilihat bahwa bentuk grafiknya beraturan dan cenderung
naik. Hal tersebut menunjukkan hubungan antara tegangan dan arus yaitu semakin
besar tegangan maka arus pun akan ikut membesar begitu juga sebaliknya. Pada
percobaan karakteristik transistor basis ditanahkan seharusnya dilakukan dua jenis
percobaan yaitu berupa karakteristik masukkan transistor dan karakteristik keluaran
transistor. Namun yang bisa dilakukan pengukuran hanya karakteristik masukkan
transistor karena terdapat beberapa kendala dari laboratorium. Serta praktikum ini
dilakukan dalam situasi pandemi sehingga praktikum disajikan secara online di mana
data percobaan yang sudah diambil oleh asisten laboratorium dikirim langsung melalui
media sosial.

KESIMPULAN
1. Semakin besar tegangan (VEB / VOUT) yang diberikan maka arus (IE) yang
dihasilkan akan semakin besar pula.
2. Sumber tegangan (VEB / VOUT) yang diberikan berbanding lurus dengan arus
(IE) yang dihasilkan.
3. Grafik yang dihasilkan dari karakteristik masukan transistor ditanahkan
cenderung naik.
4. Untuk karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan tidak bisa dilakukan
karena terdapat beberapa kendala dari laboratorium.
5. Dalam melakukan praktikum ini harus diperhatikan bentuk rangkaian dengan
teliti agar data yang didapat sesuai dan tepat.
 DAFTAR PUSTAKA

Tim Dosen Praktikum Elektronika. (2012). Modul 7: Karakteristik Transistor Basis Di

Tanahkan. Jakarta: Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Jakarta.

Aditya E. (2012). Transistor. Jurnal Transistor.

Aprilianti. (2017). Karakteristik Transistor Emitor Ditanahkan (CEC). Jurnal Fisika.

Serway, R.A. (2019). Physics for Scientists and Engineers. USA: Cengage Learning.

Subhan M. (2015). Common Emitter Configuration (CEC). Jurnal Fisika.

Svobada, James. (2018). Introduction to Electric Circuits 9th Edition. University of

California.

Aditya, Emy.2012. Transistor. Jurnal Transistor. Vol 1(1) : 3-4.

Bishop, Owen.2004. Dasar-Dasar Elektonika. Jakarta: Erlangga.

Budiharto, Widodo.2008. Panduan Praktikum Mikrokontroler AVR Atmegedia.

Jakarta : PT. Elex Media.

Chattopadhyay dkk. 1989. Dasar Elektronika. Jakarta : UI press.

Dwihono.1996. Rangkaian Elektronika Aanalog. Jakarta : PT Elaxmedia.

Fibrika.2016. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar 2. Jambi : Universitas jambi.

Frenzel, L.2010. Penjelasan Elektronika. Jakarta : Erlangga. Isparela, Yuda.2012.

Regulator 5 Volt. Jakarta : Erlangga

Malvino.1992. Prinsip-Prinsip Elektronika Edisi 7. Jakarta : Erlangga.

Rosella,Erica.2008. Fisika. Jakarta : PT. Pustaka Media

Sriwidodo.2012. Elektronika Dasar. Jakarta : Salemba Teknika.

Surjono, Herman.2011. Elektronika Lanjut. Jakarta : Erlangga.

Sutrisno.1986. Elektronika 1. Bandung : ITB. Yohannes, H.1979. Dasar-dasar elektronika.

Jakarta : Chalia.

Zemansky, Sears.1962. Fisika Untuk Universitas 1. Bandung : Trimitra Mandiri.