TRANSISTOR II

BJT dan FET

(kontrol arus)
IB

ID

IC

BJT

FET

VGS
(kontrol tegangan)

Bipolar Junction Transistor (BJT) :

Field Effect Transisitor (FET) :

-. dikontrol oleh arus

-dikontrol oleh tegangan

- IC bergantung pada IB

- ID bergantung pada VGS

-. carrier: elekron dan hole (bipolar)

- carrier: elektron atau hole (unipolar)

Tipe FET
1. Junction Field Effect Transistor (JFET)
2. Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor (MOSFET)

Kontruksi JFET
2 tipe JFET : n channel dan p channel
Terdapat 3 terminal
- Drain (D)
- Source (S)
- Gate (G)

Cara Kerja JFET

Pada junction terjadi lapisan deplesi
(depletion layer) akibat rekombinasi
elektron dan holes
Ketika elektron mengalir dari source
ke drain, elektron harus melewati
channel sempit di antara ke dua
lapisan deplesi. Semakin negatif
tegangan gate, semakin sempit
channel. Semakin kecil arus yang
mengalir antara souce dan drain
Tegangan gate mengontrol besar
arus yang mengalir antara source
dan drain

drain

gate

source

Karakterisitik Operasi JFET

3 kondisi operasi JFET:
A. VGS = 0, VDS menaik ke
suatu nilai positif
B. VGS < 0, VDS pada suatu nilai
positif
C. Voltage Controlled Resistor

Kondisi 1

Kondisi 1: VGS=0 dan VDS naik ke

suatu nilai positif:
- Gate dihubungkan dengan
Source VGS=0
- VGS=0 dan VDS=0 FET tidak aktif
- VDS dinaikkan: Daerah deplesi
antara p gate dan n channel akan
membesar dengan semakin
banyaknya elektron yang
berekombinasi dengan hole
- Memperbesar daerah deplesi
akan memperkecil daerah n dan
memperbesar resistansinya
- Arus dari Source ke Drain (ID)
semakin besar karena VDS semakin
besar

Pinch Off
Jika VDS dinaikkan
terus daerah
deplesi semakin
membesar sampai
akhirnya
bersentuhan
(pinchoff)

Saturasi
Pada titik pinchoff:
Kenaikan VDS lebih
lanjut tidak akan
menaikkan ID. VGS
pada pinchoff
dinyatakan
dengan VP
ID pada saturasi
atau maksimum
dinyatakan
dengan IDSS

Kondisi 2
VGS < 0 dan VDS
pada suatu nilai
positif:
VGS semakin
negatif, maka
daerah deplesi
akan semakin
besar

ID IDSS

VGSmenjadilebihnegatif:
JFETakanpinchoffpadateganganyglebihrendah(Vp).

IDberkurang(ID<IDSS)meskipunVDSdinaikkan
IDpada0A.VGSpadatitikinidisebutVporgatesourcecuttoffvoltage,V GS(off).
breakdownVDS>VDSmax.

Kurva Drain JFET

Kondisi 3
Voltage Controlled Resistor:
Daerah disebelah kiri titik pinchoff dinamakan
daerah ohmic. JFET dapat dioperasikan
sebagai variable resistor dimana resistansi drain
source, rd dikontrol oleh VGS.
VGS lebih negatif, rd naik
Hubungan rd dengan VGS

ro
rd
(1 VGS

VP

)2

rd=resistansi pada suatu nilai VGS tertentu

ro= resistansi pada VGS=0

JFET p channel

JFET p channel memiliki

prinsip yang sama dengan
JFETn channel
Channel adalah semikonduktor
tipe p.

Polaritas tegangan dan arah

arus berlawanan jika
dibandingkan dengan
transistor JFET n channel.
Simbol rangkaian untuk tipe p
juga sama, hanya saja dengan
arah panah yang berbeda.

MOSFET

MOSFET = Metal Oxide Semiconductor FET

Mempunyai karakterisitik yang mirip dengan FET
Memiliki drain, source, gate
Gate terbuat dari bahan metal
Karena gate yang terisolasi sering disebut juga Insulated
Gate FET ( IGFET)

Dua jenis MOSFET

- Depletion Mode
- digunakan pada rangkaian linear

- Enhancement Mode
- digunakan pada rangkaian digital

Depletion Mode MOSFET Construction

Drain(D)danSource(S)dihubungkandenganndopedregion
ndopedregiondihubungkanmelaluinchannel
nchanneldihubungkandenganGate(G)melaluiinsulatinglayerSiO2yangtipis
ndopedmaterialberadapadapdopedsubstrateyangdapatmempunyaiterminal
tambahanyangdihubungkandengansubstrate(SS)

Depletion Mode MOSFET

n channel

Prinsip Kerja
Elektron bebas
mengalir dari source
ke drain melalui n
region. elektron yang
mengalir harus
melalui channel yang
sempit diantara gate
dan p region

Tegangan Gate Negatif

1. Tegangan gate negatif

- VDD mendorong elektron
mengalir dari source ke drain.
Elektron tersebut mengalir
melalui channel yang sempit
disebelah substrate p.
- Tegangan gate mengontrol
lebarnya channel. Semakin
negative tegangan gate,
semakin kecil arus drain. Ketika
tegangan gate sudah cukup
negatif, arus drain akan cut off.
- Operasi MOSFET sama
dengan JFET ketika VGS negatif

Tegangan Gate Positif

Karena gate terisolasi dari
channel, tegangan positif
dapat diberikan pada gate.
Tegangan gate positif
menaikkan banyaknya
elektron bebas yang
mengalir melalui channel.
Semakin positif tegangan
gate, semakin besar arus
dari source ke drain

Kurva Drain
Depletion
MOSFET

ketika VGS = 0V, ID = IDSS

Ketika VGS < 0V, ID < IDSS

n channel

p channel

Enhancement Mode MOSFET Construction

Drain(D)danSource(S)dihubungkandenganndopedregion
ndopedregionstidakberhubuganmelaluinchannel
Gate(G)berhubungandenganpdopedsubstratemelaluiinsulatinglayerSiO2yangtipis

Enhancement Mode MOSFET

N Channel

Enhancement Mode MOSFET

Ketika VGS =0, VDD akan mendorong elektron bebas dari source ke drain, tetapi
substrat p hanya mempunyai sedikit elektron bebas. Tidak ada arus mengalir anatra
source dan drain, MOSFET dalam keadaan Off

VGS >0 elektron tertarik kearah substrat p dan berekombinasi dengan hole. Karena
potensial gate lebih positif, elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi
substrat yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak
dapat mengalir menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO 2.

Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan
terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus drain dan
source dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion
layer. Di sini karena subtratnya tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah
bermuatan negatif atau tipe n.

Tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk disebut tegangan

threshold, VGS(th). Pada tegangan ini transistor mulai on

Kurva Drain
Enhancement
MOSFET

Thyristor (1)

Kontruksi : terdiri dari 4 lapisan semikonduktor (pnpn)

Seperti saklar mekanis thyristor mempunyai 2 keadaan : ON (menghantarkan) dan

OFF (tidak menghantarkan)

Sekali dipicu (triggered) akan tetap ON

Jenis a.l:
- SCR (Silicon Controlled Rectifier)
- TRIAC

Aplikasi: kontrol kecepatan dan frekuensi, penyearahan dan pengubahan daya

- pengendali motor
- manipulasi robot
- kontrol panas dan cahaya

Thyristor (2)

Collector Q1 tersambung pada

base Q2 dan sebaliknya collector
Q2 tersambung pada base Q1

Thyristor (3)
Jika arus base Q1 naik, arus
collector Q2 naik, akibatnya arus
base Q1 bertambah besar dan arus
collector pada Q2 akan semakin
besar juga. Demikian seterusnya
sampai thyristor menjadi jenuh. Pada
saat tersebut thyristor dalam
keadaan ON atau seperti switch
yang tertutup
Jika arus base Q2 menurun, arus
collector Q2 akan menurun sehingga
arus base Q1 akan mengecil yang
akan mengurangi arus collector Q2.
Demikian seterusnya sampai
thryristor cutoff. Pada saat demikian
thyristor dalam keadaan OFF atau
seperti switch terbuka.
closed
switch

open
switch

SCR (1)

Terdiri dari 4 lapisan pnpn

Mempunyai 3 terminal: anoda, katoda, gate
Tidak memperkuat sinyal, digunakan sebagai
saklar (switch)

SCR (2)

Kurva karakteristik

Vbo= tegangan break over, tegangan minimum agar SCR ON

IG = arus gate
IGT = arus trigger gate
Ih = arus holding, arus yang mempertahankan SCR tetap ON

TRIAC

TRIAC (Triode for Alternating Current)

Disebut thyristor bi directional.

TRIAC merupakan dua buah SCR yang

dihubungkan secara paralel berkebalikan
dengan terminal gate bersama.

TRIAC dapat dipicu dengan tegangan

polaritas positif dan negatif, serta dapat
dihidupkan dengan menggunakan
tegangan bolak-balik pada Gate.

Banyak digunakan pada rangkaian kontrol

dan pensaklaran (light dimmer, electric
heating control, dll)